專利名稱：襯底處理裝置及采用此裝置的襯底處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造、光刻掩模制造、液晶顯示器件制造工程等的襯底處理裝置及襯底處理方法，特別是涉及涂敷光刻膠并對(duì)預(yù)定圖形曝光的襯底進(jìn)行顯影的顯影裝置及采用此裝置的顯影方法。
過(guò)去在這種顯影工序中，采用的是將被處理襯底浸泡于顯影液中進(jìn)行處理的浸泡法，將顯影液噴灑到被處理表面上進(jìn)行處理的噴洗法，及一邊使被處理襯底旋轉(zhuǎn)一邊向被處理表面提供顯影液進(jìn)行處理的葉片法。
但是，由于這種浸泡法和噴洗法存在需要大量顯影液及廢液處理需要費(fèi)用的問(wèn)題，逐漸向葉片法過(guò)渡，在葉片法中，由于在這種葉片法中與被處理襯底中心相比較顯影液的吐出壓力和供給單位面積的藥液量有差別，存在顯影斑的問(wèn)題。
于是，開發(fā)出了在日本專利特開平7-36195號(hào)公報(bào)(以下稱其為現(xiàn)有技術(shù))中所公開的那種將顯影液以掃描方式供給被處理表面，使被處理表面由滿量的顯影液進(jìn)行顯影的掃描法。
然而，近年來(lái)，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，隨著半導(dǎo)體器件進(jìn)入微細(xì)化及高密度化，對(duì)光刻工序的微細(xì)化的要求不斷提高?，F(xiàn)在，器件的設(shè)計(jì)規(guī)程要求達(dá)到0.13μm的微細(xì)化，必需的控制圖形精度要達(dá)到10nm的極嚴(yán)格的精度。
但是，在上述的現(xiàn)有的掃描顯影中，存在著由于圖形的疏密差使形成的圖形尺寸不同的問(wèn)題。即在現(xiàn)有的掃描顯影中，雖然顯影液是以掃描方式供給襯底的被處理表面，但在顯影中，疏的圖形部分和密的圖形部分處顯影液和光刻膠的反應(yīng)生成物的量不同，顯影液會(huì)出現(xiàn)濃度差。因此，存在由于圖形的疏密差會(huì)使圖形尺寸不同而得不到高精度圖形的問(wèn)題。
在上述襯底處理裝置中，上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序?yàn)?，從被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按上述藥液吸引開口、上述藥液噴出開口、上述藥液吸引開口的順序配置。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第二發(fā)明所涉及的襯底處理裝置，特征在于包括保持被處理襯底為大致水平的襯底保持機(jī)構(gòu)，包含具有用來(lái)向上述被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口和用來(lái)吸引藥液的藥液吸引開口的、兩個(gè)以上交互配置的藥液噴出/吸引單元的藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)，以及使上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
在上述襯底處理裝置中，上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序最好是，從被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按第一藥液噴出開口、藥液吸引開口、第二藥液噴出開口、藥液吸引開口、第三藥液噴出開口的順序配置。
上述第一及第二發(fā)明的襯底處理裝置的構(gòu)成最好還包括用來(lái)測(cè)定上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底的被處理表面之間的距離的間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)；以及用來(lái)保持由上述間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)測(cè)得的距離為規(guī)定值的間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)。
上述襯底處理裝置中的上述襯底保持機(jī)構(gòu)最好是真空吸盤。
此外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第三發(fā)明所涉及的襯底處理方法，特征在于是一種在從藥液噴出/吸引單元的藥液噴出開口向著保持被處理表面為大致水平的被處理襯底連續(xù)噴出藥液的同時(shí)，由與上述藥液噴出開口鄰接配置于上述藥液噴出/吸引單元中的上述藥液吸引開口連續(xù)吸引上述被處理表面上的藥液，在上述的藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的同時(shí)，對(duì)上述被處理襯底進(jìn)行藥液處理的襯底處理方法，在上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口范圍內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給。
在上述襯底處理方法中，上述藥液吸引開口最好是設(shè)置于上述藥液噴出開口的兩側(cè)，而從上述藥液噴出開口噴出的藥液最好是通過(guò)上述藥液噴出開口兩側(cè)的上述藥液吸引開口被吸引。
還有，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的第四發(fā)明所涉及的襯底處理方法，特征在于是一種在把被處理表面保持為大致水平的被處理襯底上配置具有向被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口和用來(lái)吸引上述被處理襯底上的藥液的藥液吸引開口的、兩個(gè)以上交互配置的藥液噴出/吸引單元，在從上述藥液噴出開口向上述被處理襯底連續(xù)噴出藥液的同時(shí)，由上述藥液吸引開口連續(xù)吸引上述處理表面上的藥液，在使上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的同時(shí)，對(duì)上述被處理表面進(jìn)行藥液處理的襯底處理方法，在上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口范圍內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給。
在上述發(fā)明的襯底處理方法中，上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序最好是，從上述被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按第一藥液噴出開口、藥液吸引開口、第二藥液噴出開口、藥液吸引開口、第三藥液噴出開口的順序配置。
在上述第三及第四發(fā)明的襯底處理方法中最好是在被處理襯底上的被處理表面改性以后進(jìn)行上述藥液處理。
根據(jù)上述的本發(fā)明，由于從藥液噴出開口連續(xù)噴出的藥液被鄰接的藥液吸引開口連續(xù)吸引，在藥液噴出/吸引單元和被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口范圍內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給，完成藥液處理后的藥液立即直接被吸引而去除，被處理表面上的藥液濃度差可以消除，可能實(shí)現(xiàn)高精度的藥液處理。
圖2為示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的襯底托架的斜視圖。
圖3為示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的掃描噴嘴圖，(a)是從上方觀察的俯視圖，(b)是從下方觀察的仰視圖，(c)是沿(a)的A-A′線的剖視圖。
圖4為沿圖3(c)的B-B′線的剖視圖。
圖5為概略示出在本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)中利用被處理襯底上的掃描噴嘴噴出和吸引藥液的狀態(tài)的概略圖。
圖6為示出本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的顯影過(guò)程的示圖。
圖7為示出第4實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的掃描噴嘴的概略結(jié)構(gòu)的一種形態(tài)的示例圖。
圖8為示出從下方觀察第4實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的掃描噴嘴的平面圖。
圖9為示出利用圖7示出的掃描噴嘴的顯影工序的平面圖。
實(shí)施發(fā)明的具體方式下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)予以說(shuō)明。
下面通過(guò)實(shí)施形態(tài)說(shuō)明本發(fā)明的顯影裝置及應(yīng)用此顯影裝置的顯影方法的例子。(實(shí)施形態(tài)1)首先，利用

圖1至圖4對(duì)本發(fā)明的顯影裝置及應(yīng)用此顯影裝置的顯影方法予以說(shuō)明。
圖1為概略示出顯影裝置的概略圖，(a)是從移動(dòng)方向觀察的正面圖，(b)是從移動(dòng)方向觀察的側(cè)視圖，圖2為示出顯影裝置的襯底托具的斜視圖。
如圖1所示，本實(shí)施形態(tài)的顯影裝置100包括被處理襯底11，例如保持半導(dǎo)體晶片為大致水平的襯底保持機(jī)構(gòu)10，配置于上述襯底保持機(jī)構(gòu)10的上方的藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20，向上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20供給藥液及從上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20吸引藥液的藥液供給/吸引系統(tǒng)30，在上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20上設(shè)置的間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)40，在上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20的兩端設(shè)置的間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)50，以及使上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20和上述襯底保持機(jī)構(gòu)10在大致水平方向上相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)60。
上述襯底保持機(jī)構(gòu)10具有比如35cm見方的平面矩形的襯底托架12，在上述襯底托架12上面，如圖2所示，有一個(gè)容納半導(dǎo)體晶片11的凹部13。上述凹部13具有與上述半導(dǎo)體晶片11大致相同尺寸的平面構(gòu)造，以及與上述半導(dǎo)體晶片11的厚度大致相同的深度。
作為上述襯底托架12最好是選擇其表面和被處理襯底的表面的潤(rùn)濕性大致相同的材質(zhì)。具體而言，就是在上述被處理襯底上的顯影液的接觸角和上述襯底托架上的顯影液的接觸角大致相同。
上述藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)20具有藥液噴出/吸引單元(下面稱其為掃描噴嘴)21。
上述掃描噴嘴的詳細(xì)構(gòu)成如圖3及圖4所示。圖3(a)是掃描噴嘴的俯視圖，(b)是仰視圖，(c)是沿(a)的A-A′線的剖視圖，圖4為沿圖3(c)的B-B′線的剖視圖。
如圖3及圖4所示，上述掃描噴嘴21具有與上述襯底托架12的移動(dòng)方向垂直方向上的長(zhǎng)邊以及與移動(dòng)方向平行方向上的短邊的橫斷面為長(zhǎng)方形的直柱狀構(gòu)造，與上述襯底托架12相對(duì)的下表面是平坦表面，長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度至少大于上述襯底托架12的寬度。
在本實(shí)施形態(tài)中，上述掃描噴嘴21的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度大約為35cm，短邊的長(zhǎng)度大約為5cm。
在上述掃描噴嘴21的下面形成有用來(lái)向上述半導(dǎo)體晶片11供給藥液的狹縫狀的第一藥液噴出開口22、及用來(lái)吸引在上述半導(dǎo)體晶片11上的滿量的藥液的狹縫狀的藥液吸引開口23。
在本實(shí)施形態(tài)中，第一藥液噴出開口22及藥液吸引開口23具有與上述襯底托架12的移動(dòng)方向垂直方向上的長(zhǎng)邊、以及與移動(dòng)方向平行方向上的短邊的長(zhǎng)方形的開口。
在本實(shí)施形態(tài)中，三個(gè)藥液噴出開口22a、22b、22c和兩個(gè)藥液吸引開口23a、23b是沿著和上述襯底托架12的移動(dòng)方向平行的方向按規(guī)定的間隔配置。其中的中央開口22a是供給第一藥液的第一藥液噴出開口，比如噴出顯影液的顯影液噴出開口(下面稱其為顯影液噴出開口)，其兩鄰側(cè)的開口23a、23b是藥液吸引開口，而在更外側(cè)位于移動(dòng)方向前方的開口22b是供給第二藥液的第二藥液噴出開口，比如預(yù)濕液噴出開口(下面稱其為預(yù)濕液噴出開口)，位于上述移動(dòng)方向后方的開口22c是供給第三藥液的第三藥液噴出開口，比如沖洗液噴出開口(下面稱其為沖洗液噴出開口)。
上述顯影液噴出開口22a噴出的顯影液由于兩肋的上述藥液吸引開口23a的吸引力從上述顯影液噴出開口22a自然下落。
另外，此處，上述顯影液噴出開口22a的長(zhǎng)度為310mm，寬度為1mm，上述吸引開口23a，23b的長(zhǎng)度為310mm，寬度為3mm，而上述預(yù)濕液噴出開口22b及沖洗液噴出開口22c的長(zhǎng)度都為310mm，寬度為3mm。
于是，上述顯影液噴出開口22a和上述藥液吸引開口23a、23b的間隔t1約為5mm，上述預(yù)濕液噴出開口22b和上述藥液吸引開口23a的間隔t2及上述沖洗液噴出開口22c和上述藥液吸引開口23b的間隔t3都約為5mm。
在上述掃描噴嘴21的內(nèi)部，在其下方形成有各開口22a、22b、22c、23a及23b的狹縫噴嘴24a、24b、24c及25a、25b、上述24b、24c及25a、25c在上部通過(guò)各藥液供給配管32及藥液吸引配管33分別與圖中未示出的藥液供給系統(tǒng)及藥液吸引系統(tǒng)相連接，與上述顯影液噴出開口22a連接的上述狹縫噴嘴24a通過(guò)用來(lái)使顯影液在狹縫噴嘴24a的縱向方向上均勻擴(kuò)散的儲(chǔ)液罐26與圖中未示出的藥液供給系統(tǒng)相連接。
在上述掃描噴嘴20的側(cè)面設(shè)置有用來(lái)測(cè)定上述掃描噴嘴20的下表面和上述襯底托架12上載置的半導(dǎo)體晶片11的上表面之間的間隔的使用激光的間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)40。
上述移動(dòng)機(jī)構(gòu)60具有掃描臺(tái)61，上述間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)50設(shè)置于上述掃描噴嘴21的兩端，安裝成為與上述掃描噴嘴21形成一體而可以在上述掃描臺(tái)61上在水平方向上移動(dòng)。
于是，上述間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)50具有壓電元件，根據(jù)上述間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)50的測(cè)定結(jié)果，可調(diào)整上述掃描噴嘴21的下表面和上述襯底托架12上載置的半導(dǎo)體晶片11的上表面之間的間隔為規(guī)定值。
下面參照?qǐng)D5及圖6對(duì)采用本實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的顯影方法予以說(shuō)明。
圖5為概略示出利用被處理襯底上的掃描噴嘴噴出和吸引藥液的狀態(tài)的概略圖，圖6的(a)、(b)、(c)為示出顯影處理各步驟的側(cè)視圖，(a′)、(b′)、(c′)、(d′)為俯視圖。
首先，如圖5所示，將上述掃描噴嘴21配置成為接近被處理襯底11的被處理表面，在從中央的上述顯影液噴出開口22a噴出顯影液，從上述預(yù)濕液噴出開口22b噴出預(yù)濕液，從上述沖洗液噴出開口22c噴出沖洗液的同時(shí)，上述被處理表面上的滿量的藥液由上述藥液吸引開口23a、23b吸引。上述顯影液通過(guò)上述顯影液噴出開口22a的下表面和上述被處理表面之間的間隙流動(dòng)，在該區(qū)域中不斷有新鮮的上述顯影液供給，溶解了光刻膠的上述顯影液直接被吸引而除去，上述區(qū)域一直處于新鮮的上述顯影液滿量的狀態(tài)。
另外，上述的預(yù)濕液，在向上述被處理表面上噴出時(shí)，一部分由上述預(yù)濕液一側(cè)的藥液吸引開口23a與上述顯影液一起吸引，而大部分由上述預(yù)濕液噴出開口22b的前方側(cè)(移動(dòng)方向側(cè))的上述掃描噴嘴21的下表面和上述被處理表面之間的間隙噴出進(jìn)行預(yù)濕處理，即對(duì)被處理表面進(jìn)行改性處理，這種改性處理后的上述預(yù)濕液由于上述掃描噴嘴21的移動(dòng)，直接由上述藥液吸引開口23吸引而去除，同時(shí)為顯影液替換。另一方面，從上述沖洗液噴出開口22c噴出的上述沖洗液一部分由上述藥液吸引開口23與上述顯影液一起吸引，而另外的大部分由上述預(yù)濕液噴出開口22c的后方側(cè)(移動(dòng)方向的對(duì)側(cè))的上述掃描噴嘴21的下表面和上述被處理表面之間的間隙噴出。隨著上述掃描噴嘴21的移動(dòng)，上述顯影處理過(guò)的區(qū)域的上述顯影液順次地在由上述藥液吸引開口23b吸引除去的同時(shí)，為從上述沖洗液噴出開口22c噴出的上述沖洗液所置換并由上述藥液吸引開口23b吸引，剩余的上述沖洗液在上述掃描噴嘴21移動(dòng)后殘留于上述被處理表面上，最后可旋轉(zhuǎn)被處理襯底11而除去。
其次，被處理襯底的顯影處理如下，首先，如圖6(a)所示的狀態(tài)是在上述掃描噴嘴21位于上述被處理襯底11左側(cè)的上述襯底托架12上時(shí)，如上所述，上述顯影液噴出開口22a，上述預(yù)濕液噴出開口22b及上述沖洗液噴出開口22c分別向上述襯底托架12噴出上述顯影液，上述預(yù)濕液及上述沖洗液，同時(shí)由上述藥液吸引開口23a，23b吸引噴出到上述襯底托架12上的藥液。
上述襯底托架12上的各藥液的流動(dòng)在完成的階段中，使上述掃描噴嘴21按著箭頭方向(紙面上從左側(cè)向右側(cè))開始移動(dòng)，在通過(guò)上述被處理襯底11(圖6(b)，(b′))后，至少到達(dá)上述被處理襯底11的右側(cè)的上述襯底托架12處。
上述掃描噴嘴21的上述沖洗液噴出開口22c在被處理襯底11上通過(guò)，在進(jìn)入上述襯底托架12的階段各藥液停止噴出。
根據(jù)上述實(shí)施形態(tài)，不斷地有新鮮的顯影液直接供給半導(dǎo)體晶片11的表面，此外，由于顯影使用的顯影液是馬上吸引除去，在半導(dǎo)體晶片11上不會(huì)產(chǎn)生顯影液的濃度差。因此，幾乎不會(huì)發(fā)生由于圖形的疏密而造成的加工尺寸的變動(dòng)。
下面對(duì)采用上述顯影裝置進(jìn)行顯影的實(shí)施例予以描述。(實(shí)施例1)首先，形成直徑30cm的圓形Si晶片，再形成對(duì)193nm的光可以感光的化學(xué)放大型光刻膠膜。之后，在上述Si晶片的表面上通過(guò)曝光掩模以193nm進(jìn)行選擇曝光，使上述光刻膠膜中產(chǎn)生酸。再在140℃下將上述Si晶片加熱60秒，使酸擴(kuò)散形成潛影。
然后將上述Si晶片11放入上述襯底托架12的上述凹部13內(nèi)。
這樣，如圖6(a)所示，在上述襯底托架12的一端部A上，以大約50 μm的間隔將上述掃描噴嘴21配置于上述襯底托架12之上，從上述顯影液噴出開口22a，上述預(yù)濕液噴出開口22b及上述沖洗液噴出開口22c分別向上述襯底托架12噴出上述顯影液，上述預(yù)濕液及上述沖洗液，同時(shí)由上述藥液吸引開口23a、23b吸引噴出到上述襯底托架12上的藥液，調(diào)整各藥液的流動(dòng)。
之后，上述襯底托架12上的各藥液的流動(dòng)在完成的階段中，使上述掃描噴嘴21按著箭頭方向(紙面上從左側(cè)向右側(cè))開始移動(dòng)，相對(duì)上述Si晶片11，從上述襯底托架12的一端A向他端B移動(dòng)，使上述掃描噴嘴21以規(guī)定的速度移動(dòng)進(jìn)行顯影。移動(dòng)速度為11mm/分。上述顯影液噴出開口22a和上述藥液吸引開口23a的間隔為5mm，因?yàn)樵谏鲜鲲@影液噴出開口22a的兩側(cè)有上述間隔，并且上述顯影液噴出開口22a的寬度為1mm，所以在上述掃描噴嘴21和上述Si晶片11的表面之間存在的區(qū)域(上述藥液吸引開口23a，23b之間)在與移動(dòng)方向平行的方向上大約為11mm。即在觀察Si晶片11上的某一點(diǎn)時(shí)，顯影液通過(guò)該處的時(shí)間為1分鐘，可以說(shuō)顯影時(shí)間是1分鐘。
在以上述掃描噴嘴21開始顯影時(shí)在上述Si晶片11的中央位置處的圖形的顯影的情況如下。在上述掃描噴嘴21開始移動(dòng)13分鐘后上述預(yù)濕液噴出開口22b通過(guò)圖形上方。由此，在上述光刻膠表面上充滿上述預(yù)濕液。
接著，前面的藥液吸引開口23a大約在其10秒后通過(guò)上述圖形的上方。此時(shí)，在上述光刻膠表面處由顯影液置換上述預(yù)濕液。由此開始上述光刻膠的顯影。
其后，大約30秒鐘之后，上述顯影液噴出開口22a通過(guò)上述圖形上方，再經(jīng)過(guò)大約30秒鐘之后，第二個(gè)上述藥液吸引開口23b通過(guò)上述圖形上方。此時(shí)，在上述光刻膠表面處由沖洗液置換顯影液。從前面的上述藥液吸引開口23a通過(guò)一直到第二個(gè)上述藥液吸引開口23b通過(guò)期間進(jìn)行顯影。
于是，上述掃描噴嘴21通過(guò)之后，成為沖洗液充滿上述Si晶片11的表面的狀態(tài)。最后，旋轉(zhuǎn)上述Si晶片11，除去上述沖洗液，干燥后就形成所要求的光刻膠圖形。
根據(jù)上述實(shí)施例，幾乎不會(huì)發(fā)生作為現(xiàn)有問(wèn)題的由于圖形的疏密造成的加工尺寸的變動(dòng)。比如，在2mm見方的矩形的襯底托架12的中央處線寬100nm、長(zhǎng)度20μm的線條5根并列的線條空間圖形的線條空間圖形的中央的線條圖形的尺寸，與僅僅配置線寬100nm、長(zhǎng)度20μm的線條5根并列的線條空間圖形的場(chǎng)合相同的場(chǎng)所的尺寸現(xiàn)在會(huì)生成20nm程度的差異，而在本實(shí)施例中尺寸差小于2nm。
另外，在實(shí)際的器件制作中使用的圖形中，特別是圖形的疏密差變化大的圖形中，可以將面內(nèi)所有圖形的尺寸控制在期望值的±3％，可大幅度提高最后獲得的器件的特性。(實(shí)施形態(tài)2)在直徑30cm的圓形Si晶片上形成反射防止膜，再形成對(duì)193nm的光可以感光的化學(xué)放大型光刻膠膜。在上述Si晶片的表面上通過(guò)曝光用掩模以193nm進(jìn)行選擇曝光，使上述光刻膠膜中產(chǎn)生酸。再在140℃下將上述Si晶片加熱60秒，使酸擴(kuò)散形成潛影。
然后將上述Si晶片11放入上述襯底托架12的上述凹部13內(nèi)。
這樣，如圖6(a)所示，在上述襯底托架12的一端部A上，從上述顯影液噴出開口22a，上述預(yù)濕液噴出開口22b及上述沖洗液噴出開口22c分別向上述襯底托架12噴出上述顯影液，上述預(yù)濕液及上述沖洗液，同時(shí)由上述藥液吸引開口23a、23b吸引噴出到上述襯底托架12上的藥液，調(diào)整各藥液的流動(dòng)。
之后，上述襯底托架12上的各藥液的流動(dòng)在完成的階段中，使上述掃描噴嘴21按著箭頭方向(紙面上從左側(cè)向右側(cè))開始移動(dòng)，相對(duì)上述Si晶片11，從上述襯底托架12的一端A向他端B移動(dòng)，將圖1所示的上述掃描噴嘴21的變形以一定速度移動(dòng)而進(jìn)行顯影。
在本實(shí)施例中，分別將上述掃描噴嘴21的上述預(yù)濕液(純水)掃描面(上述預(yù)濕液噴出開口22b和上述顯影液噴出開口22a之間的區(qū)域)設(shè)定為5mm，將顯影液掃描面(上述顯影液噴出開口22a和上述沖洗液噴出開口22c之間的區(qū)域)設(shè)定為50mm，將沖洗液掃描面(上述沖洗液噴出開口22c和到上述掃描噴嘴21端部的距離)設(shè)定為10mm。
另外，在上述掃描噴嘴21固定的場(chǎng)合各種液體的流速為500mm/sec。這些掃描面相對(duì)上述Si晶片表面以大約200μm的間隙對(duì)向設(shè)置。
另外，在這些掃描面之間，相對(duì)被處理襯底表面以大約100μm的間隔對(duì)向設(shè)置拒水性的屏障。上述掃描噴嘴21的移動(dòng)速度設(shè)為10mm/sec。
在以這種上述掃描噴嘴21開始顯影時(shí)，從上述襯底托架12的一端A向著另一端B的20mm的位置處的圖形的顯影情況如下。在上述掃描噴嘴21開始移動(dòng)2秒鐘后，純水掃描面通過(guò)圖形上方。在此后0.5秒內(nèi)，純水噴灑表面，光刻膠變成為親水性。
之后，伴隨通過(guò)拒水性屏障上述光刻膠表面上殘存的水通過(guò)去除吸著層而排出。接著顯影液掃描面以5秒鐘通過(guò)此圖形上方。顯影時(shí)間大約為5秒鐘，由于顯影液的流速很快，可以得到非常迅速的顯影速度，從而形成圖形。
另外，沖洗液掃描面通過(guò)上述圖形表面，置換顯影進(jìn)行充分清洗。
在本實(shí)施例中，在被處理襯底的任意部分，預(yù)濕—顯影—沖洗可在相同的條件下進(jìn)行，可以顯著提高被處理襯底的面內(nèi)加工(尺寸)的均勻性。此時(shí)的加工精度以尺寸計(jì)對(duì)所有的圖形都可達(dá)到期望值的±3％，可大幅度提高最后獲得的器件的特性。(實(shí)施形態(tài)3)
下面對(duì)在光刻掩模襯底的制造中采用上述實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的例子予以說(shuō)明。
在以正性化學(xué)放大型光刻膠以500nm的厚度涂敷的Cr掩模坯料上，利用具有50keV的加速電壓的電子描繪裝置(東芝機(jī)械制，EBM3000)描繪0.15μm規(guī)格的線條空間系統(tǒng)的1G DRAM的圖形。描繪之后在110℃烘烤15分鐘。
之后，在上述顯影裝置上裝載襯底，將上述掃描噴嘴從一端A向著其對(duì)向的另一端B以一定速度移動(dòng)進(jìn)行顯影。移動(dòng)速度為11mm/分。上述顯影液噴出開口22a和上述藥液吸引開口23a的間隔為5mm，因?yàn)樵谏鲜鲲@影液噴出開口22a的兩側(cè)有上述間隔，并且上述顯影液噴出開口22a的寬度為1mm，所以在上述掃描噴嘴和上述襯底表面之間存在顯影液的場(chǎng)所在與移動(dòng)方向平行的方向上大約為11mm。即在觀察上述襯底表面上的某一點(diǎn)時(shí)，顯影液通過(guò)該處的時(shí)間為1分鐘，可以說(shuō)顯影時(shí)間是1分鐘。
之后，將上述襯底從上述顯影裝置中取出，將光刻膠圖形作為光刻掩模利用反應(yīng)性離子刻蝕對(duì)Cr膜進(jìn)行刻蝕?？涛g所使用的裝置為阿兒巴科成膜公司制造的MEPS-6502裝置?？涛g氣體使用的是氯氣和氧氣的混合氣體。之后，利用灰化裝置將光刻膠剝離，用洗凈機(jī)清洗。
于是，利用尺寸測(cè)定裝置(Leica制的LWM)測(cè)定形成的Cr圖形的尺寸。該結(jié)果與圖形尺寸的平均值和目標(biāo)尺寸的差為5nm，Cr圖形尺寸的面內(nèi)均勻性為10nm(3σ)。
下面，作為確認(rèn)本發(fā)明的有效性的實(shí)驗(yàn)，利用尼康公司制的KrF掃描光刻機(jī)制造的掩模，將晶片曝光，對(duì)曝光裕度進(jìn)行評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)是通過(guò)改變散焦量和曝光量來(lái)藉助SEM測(cè)定在晶片上形成的光刻膠圖形的尺寸進(jìn)行的。其結(jié)果為在晶片上形成的光刻膠圖形的尺寸的變動(dòng)量小于10％的散焦裕度為0.45μm，其時(shí)的曝光量裕度為12％。
在上述實(shí)施例中，也可以根據(jù)沖洗液掃描面的沖洗功能將其分割為多個(gè)。比如，在沖洗時(shí)順次使用臭氧水，溶氫水(日語(yǔ)為“水素水”)的場(chǎng)合，也可以使沖洗液掃描面以臭氧水掃描面+拒水性屏障+溶氫水掃描面形式形成，相應(yīng)于各自的處理時(shí)間采用設(shè)定掃描面區(qū)域和流量的噴嘴。
各自的流量也可以不與本實(shí)施例所示的那樣都相同，而是個(gè)個(gè)都獨(dú)立設(shè)定。也可根據(jù)拒水性屏障的藥液分離性能適時(shí)變更。另外，流速、噴嘴移動(dòng)速度也可根據(jù)必需的RPT(凈工藝時(shí)間)適時(shí)變更。
另外，在掃描面之間不限于拒水性屏障，在可以得到鄰接液體不混合，或即使混合也可獲得各個(gè)液體的所要求的特性的場(chǎng)合，壁材也可以任意改變。(實(shí)施形態(tài)4)圖7為示出本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的顯影裝置的襯底處理單元的概略結(jié)構(gòu)的一種形態(tài)的示例圖。在圖7中，與圖3～圖5相同的部位賦予相同的標(biāo)號(hào)，其說(shuō)明省略。
在本實(shí)施形態(tài)中，位于開口22b和開口22c之間的顯影液噴出開口22a配置于開口22b和開口22c的中點(diǎn)以外的位置。在本實(shí)施形態(tài)的場(chǎng)合，顯影液噴出開口22a配置于相對(duì)上述中點(diǎn)的移動(dòng)方向的前側(cè)。還有，沖洗液是同時(shí)從開口22b和開口22c噴出。
如圖7所示，襯底托架12的構(gòu)成包括表面載置有晶片71，和晶片幾乎同樣直徑的晶片保持器75，圍在晶片保持器75及晶片71的周圍可上下動(dòng)的輔助板78。在晶片71的表面形成感光薄膜72。輔助板78的表面做成與感光薄膜72的表面相同，在藥液吸引開口23吸引藥液時(shí)，晶片面內(nèi)有相等的吸引力作用。
圖8為示出各個(gè)開口的擴(kuò)大圖。顯影液噴出開口22a與藥液吸引開口23a的距離為3mm，顯影液噴出開口22a與藥液吸引開口23b的距離為17mm。所以，從顯影液噴出開口22a噴出的顯影液形成向著配置于其兩側(cè)的藥液吸引開口23a、23b的流動(dòng)，在該區(qū)域內(nèi)進(jìn)行顯影處理。
掃描噴嘴21內(nèi)部的狹縫噴嘴及儲(chǔ)液罐內(nèi)的藥液是可用加熱器調(diào)溫的結(jié)構(gòu)。掃描噴嘴21的下表面和感光薄膜72之間的距離設(shè)定為大約100μm。在掃描噴嘴21上設(shè)置有預(yù)濕液噴出開口22b，22c，顯影液73形成流動(dòng)的區(qū)域的周圍可以由沖洗液74覆蓋。
利用圖中未示出的噴嘴控制系統(tǒng)可以對(duì)顯影液噴出流量、顯影液噴出時(shí)間、吸引流量、吸引時(shí)間、沖洗液噴出量、噴出時(shí)間、掃描噴嘴移動(dòng)速度，掃描噴嘴內(nèi)的加熱器的溫度等進(jìn)行控制。
下面示出向晶片供給顯影液的具體方法。對(duì)在欲加工的底膜上形成0.4μm厚的光刻膠等的感光薄膜72的晶片71利用KrF準(zhǔn)分子激光器步進(jìn)光刻機(jī)通過(guò)Cr掩模曝光，在感光薄膜72上形成潛影。該晶片71由晶片保持器75保持為水平狀態(tài)，可對(duì)晶片全表面供液的掃描噴嘴21在端部上方的初始位置動(dòng)作。顯影液73使用AD-10(多摩化學(xué)制造規(guī)定濃度0.27N)?？梢酝ㄟ^(guò)分別調(diào)整藥液吸引開口23a及藥液吸引開口23b吸引的藥液的量使在顯影液噴出開口22a-藥液吸引開口23a之間流動(dòng)的顯影液的流速和在顯影液噴出開口22a-藥液吸引開口23b之間流動(dòng)的顯影液73的流速相等。顯影液73對(duì)已經(jīng)曝光的感光薄膜72的溶解速度為0.5μm/sec。感光薄膜的厚度為0.4μm厚時(shí)大約8秒感光薄膜可溶解而露出底下的襯底。
下面利用圖9對(duì)圖7所示的利用掃描噴嘴的顯影方法予以介紹。圖9為示出利用圖7示出的掃描噴嘴的顯影工序的平面圖。
首先，晶片71由晶片保持器75保持，輔助板78與感光薄膜72的表面同高。在使掃描噴嘴21移動(dòng)到晶片71主面上的初始位置之后，從預(yù)濕液噴出開口22b噴出沖洗液，使輔助板78及感光薄膜72的表面變成充滿沖洗液的狀態(tài)。在使掃描噴嘴21與晶片主面上端部保持100μm并以速度0.5mm/sec進(jìn)行掃描的同時(shí)，從顯影液噴出開口22a開始噴出顯影液，并且由藥液吸引開口23開始吸引。從顯影處理開始到處理結(jié)束為止預(yù)濕液噴出開口22b、22c一直處于不斷地噴出沖洗液的狀態(tài)。因?yàn)閺乃幰何_口23a到藥液吸引開口23b的長(zhǎng)度為20mm，實(shí)際的顯影時(shí)間在晶片所有的點(diǎn)位上都是40秒。
在顯影反應(yīng)的同時(shí)感光薄膜溶解而形成凹部。在此凹部中會(huì)有顯影反應(yīng)生成的溶解生成物及濃度變低的顯影液殘留。溶解生成物及濃度變低的顯影液會(huì)阻礙顯影反應(yīng)的進(jìn)行，生成由于圖形疏密引起的尺寸差。下面將溶解生成物及濃度變低的顯影液一并記為顯影阻礙物。
在本實(shí)施形態(tài)中，顯影液是以6m/sec的非常高的速度從顯影液噴出開口22a噴向底層襯底。于是，凹部?jī)?nèi)殘留的溶解生成物及濃度低的顯影液將由于從顯影液噴出開口22a噴出的新鮮的顯影液的力量而得到攪拌。通過(guò)攪拌將顯影阻礙物從凹部脫出。出來(lái)的顯影阻礙物隨著顯影液流由藥液吸引開口23a，23b吸引而從襯底上最后去除。
因?yàn)轱@影阻礙物的發(fā)生量隨著顯影反應(yīng)的進(jìn)行會(huì)很多，所以為了降低由于圖形疏密造成的尺寸差。在顯影的初期階段，必須有效地去除顯影阻礙物，或是必須進(jìn)行攪拌(均勻化)。另外，此處所說(shuō)的初期階段指的是從顯影反應(yīng)開始到感光薄膜溶解露出底層襯底表面前的時(shí)間。
一般講，由于抗蝕劑的溶解特性等的不同，使得將由于圖形疏密而引起的尺寸差最小化的定時(shí)不同。實(shí)驗(yàn)表明，在顯影的初期階段，如進(jìn)行由于顯影液的噴出引起的攪拌，則可以減小主要由于圖形疏密造成的尺寸差。從這一實(shí)驗(yàn)事實(shí)可以設(shè)定如下的顯影條件光刻膠膜厚度0.4μm，光刻膠膜溶解速度0.05μm/sec，藥液吸引開口23a和顯影液噴出開口22a的距離3mm，掃描噴嘴的掃描速度0.5mm/sec。
由于顯影液的噴出造成的攪拌，在襯底上的一切點(diǎn)位，當(dāng)藥液吸引開口23a通過(guò)之后，經(jīng)過(guò)6秒(＝3[mm]/0.5[mm/sec])之后顯影液噴出開口22a通過(guò)。因此，在顯影開始大約6秒之后進(jìn)行顯影阻礙物的攪拌和去除，攪拌的時(shí)間比曝光部分的光刻膠溶解而露出底層攪拌的時(shí)間(大約為8秒)早。對(duì)于使用的光刻膠，最好是以這樣的定時(shí)進(jìn)行攪拌。
在噴嘴在晶片表面上橫切之后，進(jìn)行充分的沖洗，之后使襯底干燥而結(jié)束光刻膠圖形的形成。
所形成的光刻膠圖形以CD-SEM進(jìn)行尺寸測(cè)定，0.13mm的孤立線、線空間、孤立空間的各個(gè)尺寸差在面內(nèi)平均為4nm，與原來(lái)的值(大約為15nm)相比得到大幅度的降低。
在本實(shí)施形態(tài)的場(chǎng)合，顯影液噴出開口22a和藥液吸引開口23a的距離，顯影液噴出開口22a和藥液吸引開口23b的距離分別為3mm和17mm，也不一定限定于上述數(shù)值。由于被處理薄膜的厚度及溶解速度，顯影液的噴出壓力及噴嘴和被處理襯底之間的間隙等顯影條件的不同最佳值也不同，最好是綜合各個(gè)條件而采用最佳的長(zhǎng)度。
另外，由于從顯影開始(藥液吸引開口通過(guò))到攪拌的定時(shí)因溶解特性的不同而不同，必須選擇適宜的時(shí)間。有時(shí)由于掃描速度、顯影液噴出量、左右的顯影液吸引量改變而需要選擇。
另外，在本實(shí)施形態(tài)中示出的是關(guān)于晶片顯影的適用例，但并非限定于晶片的顯影。比如，也可能應(yīng)用于晶片的濕法刻蝕及半導(dǎo)體制造用的光刻掩模的制作工序的襯底上的感光薄膜的顯影、濕法刻蝕、清洗、以及濾色片制作工序，以及DVD等的光盤的加工工序中的顯影等。
另外，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施形態(tài)，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)，可以實(shí)施種種變形。
比如，在上述實(shí)施形態(tài)中，藥液噴出開口及藥液吸引開口是配置一個(gè)，上述藥液噴出開口及藥液吸引開口也可以是兩個(gè)以上，交互配置。
另外。在上述實(shí)施形態(tài)中，在掃描噴嘴中預(yù)濕液噴出開口及沖洗液噴出開口是一體設(shè)置的，但上述預(yù)濕液及沖洗液也可由與上述掃描噴嘴分開的噴射噴嘴等供給半導(dǎo)體晶片。
另外，在襯底托架上設(shè)有凹部容納被處理襯底，但也可以使上述襯底托架的上表面形成一個(gè)平坦表面，在改平坦表面載置上述被處理襯底，再有，還可以在該被處理襯底的周圍配置與上述被處理襯底厚度相等的輔助板。在此場(chǎng)合，作為上述輔助板，最好是將其加工成為具有和被處理襯底的處理面大致相同的表面狀態(tài)。
另外，被處理襯底也可利用真空吸盤保持。
另外，本發(fā)明，不僅可在大氣中進(jìn)行處理，在液體中也可進(jìn)行處理，也可以在被處理襯底浸泡于所希望的液體中的狀態(tài)下實(shí)施處理。
另外，本發(fā)明，不限定于上述實(shí)施形態(tài)的顯影裝置及顯影方法，也適用于平板顯示器制造工藝及光刻掩模制造工藝等的光刻膠膜剝離、表面自然氧化膜去除、清洗等一切濕法工藝。
發(fā)明的效果由上述可知，根據(jù)本發(fā)明，由于從藥液噴出開口連續(xù)噴出的藥液被鄰接的藥液吸引開口連續(xù)吸引，在藥液噴出/吸引單元和被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口區(qū)域內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給，完成藥液處理后的藥液立即直接被吸引而去除，被處理表面上的藥液濃度差可以消除，可能實(shí)現(xiàn)高精度的藥液處理。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理裝置，其特征在于包括保持被處理襯底為大致水平的襯底保持機(jī)構(gòu)，包含具有用來(lái)向上述被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口和用來(lái)吸引藥液的藥液吸引開口的藥液噴出/吸引單元的藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)，以及使上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1中的襯底處理裝置，其特征在于上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序?yàn)?，從被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按上述藥液吸引開口、上述藥液噴出開口、上述藥液吸引開口的順序配置。
3.如權(quán)利要求2中的襯底處理裝置，其特征在于上述藥液噴出開口配置于上述兩個(gè)藥液吸引開口的中點(diǎn)位置以外的位置。
4.如權(quán)利要求3中的襯底處理裝置，其特征在于上述藥液噴出開口配置于相對(duì)上述兩個(gè)藥液吸引開口的中點(diǎn)位置的上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向的前側(cè)。
5.一種襯底處理裝置，其特征在于包括保持被處理襯底為大致水平的襯底保持機(jī)構(gòu)，包含具有用來(lái)向上述被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口和用來(lái)吸引藥液的藥液吸引開口的、兩個(gè)以上交互配置的藥液噴出/吸引單元的藥液噴出/吸引機(jī)構(gòu)，以及使上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5中的襯底處理裝置，其特征在于上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序是，從被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按第一藥液噴出開口、藥液吸引開口、第二藥液噴出開口、藥液吸引開口、第三藥液噴出開口的順序配置。
7.如權(quán)利要求6中的襯底處理裝置，其特征在于上述第二藥液噴出開口配置于上述兩個(gè)藥液吸引開口的中點(diǎn)以外的位置。
8.如權(quán)利要求7中的襯底處理裝置，其特征在于上述第二藥液噴出開口配置于相對(duì)上述兩個(gè)藥液吸引開口的中點(diǎn)位置的上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向的前側(cè)。
9.如權(quán)利要求1中的襯底處理裝置，其特征在于還包括用來(lái)測(cè)定上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底的被處理表面之間的距離的間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)；以及用來(lái)保持由上述間隙測(cè)定機(jī)構(gòu)測(cè)得的距離為規(guī)定值的間隙調(diào)整機(jī)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1至8中的任何一項(xiàng)中的襯底處理裝置，其特征在于上述襯底保持機(jī)構(gòu)是真空吸盤。
11.一種襯底處理方法，其特征在于是一種在從藥液噴出/吸引單元的藥液噴出開口向著保持被處理表面為大致水平的被處理襯底連續(xù)噴出藥液的同時(shí)，由與上述藥液噴出開口鄰接并配置于上述藥液噴出/吸引單元中的上述藥液吸引開口連續(xù)吸引上述被處理表面上的藥液，在上述的藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的同時(shí)，對(duì)上述被處理襯底進(jìn)行藥液處理的襯底處理方法，在上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口范圍內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給。
12.如權(quán)利要求11中的襯底處理方法，其特征在于上述藥液吸引開口設(shè)置于上述藥液噴出開口的兩側(cè)，而從上述藥液噴出開口噴出的藥液通過(guò)上述藥液噴出開口兩側(cè)的上述藥液吸引開口被吸引。
13.如權(quán)利要求12中的襯底處理方法，其特征在于從配置于上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向前側(cè)的藥液吸引開口通過(guò)后到上述藥液噴出開口通過(guò)為止的時(shí)間A，和該藥液噴出開口通過(guò)后到配置于上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向后側(cè)的藥液吸引開口通過(guò)為止的時(shí)間B不同。
14.如權(quán)利要求13中的襯底處理方法，其特征在于時(shí)間A設(shè)定為短于時(shí)間B。
15.如權(quán)利要求13中的襯底處理方法，其特征在于上述藥液是顯影液或刻蝕溶液。
16.如權(quán)利要求13中的襯底處理方法，其特征在于時(shí)間A比被處理薄膜溶解而底層襯底表面露出的時(shí)間短。
17.如權(quán)利要求12中的襯底處理方法，其特征在于在被處理襯底上的被處理表面改性以后進(jìn)行上述藥液處理。
18.一種襯底處理方法，其特征在于是一種在把被處理表面保持為大致水平的被處理襯底上配置具有用來(lái)向被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口、和用來(lái)吸引上述被處理襯底上的藥液的藥液吸引開口的、兩個(gè)以上交互配置的藥液噴出/吸引單元，在從上述藥液噴出開口向上述被處理襯底連續(xù)噴出藥液的同時(shí)，由上述藥液吸引開口連續(xù)吸引上述處理表面上的藥液，在使上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理襯底相對(duì)水平移動(dòng)的同時(shí)、對(duì)上述被處理表面進(jìn)行藥液處理的襯底處理方法，在上述藥液噴出/吸引單元和上述被處理表面之間，以及在上述藥液噴出開口和上述藥液吸引開口范圍內(nèi)的間隙中不斷有新鮮藥液供給。
19.如權(quán)利要求18中的襯底處理方法，其特征在于上述藥液噴出/吸引單元的開口的配置順序是，從上述被處理襯底和上述藥液噴出/吸引單元的相對(duì)水平移動(dòng)方向一側(cè)起，按第一藥液噴出開口、藥液吸引開口、第二藥液噴出開口、藥液吸引開口、第三藥液噴出開口的順序配置。
20.如權(quán)利要求19中的襯底處理方法，其特征在于從配置于上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向前側(cè)的藥液吸引開口通過(guò)后到上述第二藥液噴出開口通過(guò)為止的時(shí)間A，和該第二藥液噴出開口通過(guò)后到配置于上述藥液噴出/吸引單元的移動(dòng)方向后側(cè)的藥液吸引開口通過(guò)為止的時(shí)間B不同。
21.如權(quán)利要求20中的襯底處理方法，其特征在于時(shí)間A設(shè)定為短于時(shí)間B。
22.如權(quán)利要求20中的襯底處理方法，其特征在于上述藥液是顯影液或刻蝕溶液。
23.如權(quán)利要求20中的襯底處理方法，其特征在于時(shí)間A比被處理薄膜溶解而底層襯底表面露出的時(shí)間短。
全文摘要
提供一種襯底處理裝置及襯底處理方法,可以消除被處理表面上的藥液濃度差,可以實(shí)現(xiàn)高精度的藥液處理。在藥液噴出/吸引單元(掃描噴嘴)21中設(shè)置有用來(lái)向被處理襯底噴出藥液的藥液噴出開口22和用來(lái)吸引被處理襯底上的藥液的藥液吸引開口23,由于從上述藥液噴出開口22連續(xù)噴出的藥液被上述藥液吸引開口23連續(xù)吸引,在上述掃描噴嘴21和被處理表面之間,以及在上述藥液噴出開口22和上述藥液吸引開口23之間的區(qū)域中不斷有新鮮藥液供給被處理表面。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1366333SQ0113387
公開日2002年8月28日 申請(qǐng)日期2001年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月21日
發(fā)明者櫻井秀昭, 伊藤正光, 伊藤信一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝