有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。目的在于防止彼此相鄰的像素的混色。有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括：以載置于各個像素電極(16)的周緣的方式設(shè)于彼此相鄰的像素電極之間的區(qū)域的絕緣層(18)；包括將多個像素電極及絕緣層連續(xù)覆蓋的公共層(40)地設(shè)置的有機(jī)層(38)；設(shè)于有機(jī)層之上的公共電極(42)；以覆蓋有機(jī)層及公共電極的方式將其密封的密封層(44)。各個像素電極在包括周緣的端部具有上表面凹入的凹部(16a)。公共層與像素電極的凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部(40a)。公共電極與公共層的凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部(42a)。密封層與公共電極的凹部對應(yīng)地彎曲。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有用陽極和陰極夾著有機(jī)膜的結(jié)構(gòu)(參照專利文獻(xiàn)I)。通常，層疊多個有機(jī)膜，其中一層是發(fā)光層。為了在多個像素取得一種顏色(例如白色)的發(fā)光，將用于形成發(fā)光層的有機(jī)膜整體連續(xù)地設(shè)置?；蛘?，為了在多個像素取得多種顏色的發(fā)光，將用于形成發(fā)光層的有機(jī)膜按像素分離，但用于形成空穴注入層、電子注入層、空穴輸送層或電子輸送層等的有機(jī)膜連續(xù)設(shè)置。在任意情況下都是至少I層的有機(jī)膜在彼此相鄰的像素的范圍連續(xù)地設(shè)置。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2012 - 216338號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在高畫質(zhì)的顯示裝置中，由于像素的微細(xì)化，彼此相鄰的像素變得接近。為此，有時發(fā)生在某一像素產(chǎn)生的光進(jìn)入相鄰的像素的情況。并且，在彼此相鄰的像素的顏色不同的情況下，有時存在產(chǎn)生混色的問題。另外，在專利文獻(xiàn)I中，公開了由于向相鄰像素的電流泄漏而引起應(yīng)非發(fā)光的像素發(fā)光的問題，但并未提及光自身進(jìn)入相鄰像素這一問題。
[0007]本發(fā)明的目的在于防止彼此相鄰的像素的混色。
[0008](I)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括:襯底；設(shè)于所述襯底的多個像素電極；以載置于各個所述像素電極的至少周緣的方式設(shè)于彼此相鄰的所述像素電極之間的區(qū)域的絕緣層；包括公共層地設(shè)置的有機(jī)層，所述公共層將所述多個像素電極及所述絕緣層連續(xù)地覆蓋；設(shè)于所述有機(jī)層之上的公共電極；以及以覆蓋所述有機(jī)層及所述公共電極的方式配置的密封層，所述像素電極在包括所述周緣在內(nèi)的端部分別具有上表面凹入的凹部。根據(jù)本發(fā)明，由于在有機(jī)層發(fā)生的光在像素電極的凹部漫反射、擴(kuò)散或折射，因此不容易被識別為相鄰像素的光。由此，可以防止彼此相鄰的像素的混色。
[0009](2)在(I)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述絕緣層通過載置于各個所述像素電極的所述凹部，從而具有上表面凹入的凹部，所述公共層與所述絕緣層的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部。
[0010](3)在(I)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述公共層與所述像素電極的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部，所述絕緣層以避開各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分的方式載置于所述周緣，所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的所述至少一部分接觸。
[0011](4)在(I)或(2)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層，各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
[0012](5)在(3)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層，各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
[0013](6)在(5)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，各個所述像素電極的所述凹部包括與所述布線層電連接的部分和不與所述布線層電連接的部分，所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的不與所述布線層電連接的所述部分接觸。
[0014](7)在(I)?(3)中任一項記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述多個像素電極沿橫向及縱向排列，各個所述像素電極的所述凹部在從在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域到在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域的范圍連續(xù)地形成。
[0015](8)在(4)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述多個像素電極沿橫向及縱向排列，各個所述像素電極的所述凹部在從第一區(qū)域到第二區(qū)域的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域是在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域是在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域。
[0016](9)在(8)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，各個所述像素電極的所述凹部在從所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域的范圍連續(xù)地與所述布線層電連接。
[0017](10)在(8)記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，各個所述像素電極的所述凹部僅在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的連接區(qū)域，與所述布線層電連接。
[0018](11)在⑴?(4)中任一項記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述多個像素電極沿橫向及縱向排列，包括在位于所述縱向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第一組所述像素電極、和在位于所述橫向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第二組所述像素電極，所述第一組所述像素電極和所述第二組所述像素電極在所述橫向及所述縱向交替排列。
[0019](12)在⑴?(4)中任一項記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述多個像素電極沿橫向及縱向排列，各個所述像素電極具有所述縱向上長的平面形狀，各個所述像素電極的所述凹部在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸。
[0020](13)在(12)中記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，各個所述像素電極的所述凹部由彼此隔開間隔地并列的多個分割凹部構(gòu)成。
[0021](14)在⑵、(3)、(5)及(6)中的任一項記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述公共電極與所述公共層的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部。
[0022](15)在(14)中記載的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，可以是，所述密封層與所述公共電極的所述凹部對應(yīng)地彎曲。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明的實施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的立體圖。
[0024]圖2是將圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0025]圖3是圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的II1-1II線剖視圖。
[0026]圖4是將實施方式的變形例I的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0027]圖5是圖4所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的V — V線剖視圖。
[0028]圖6是將實施方式的變形例2的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0029]圖7是圖6所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的VI1- VII線剖視圖。
[0030]圖8是將實施方式的變形例3的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0031]圖9是將實施方式的變形例4的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0032]圖10是將實施方式的變形例5的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0033]附圖標(biāo)記說明
[0034]10:第一襯底，12:集成電路芯片，14:撓性布線襯底，16:像素電極，16a:凹部，18:絕緣層，18a:凹部，20:底涂層，22:半導(dǎo)體層，24:柵極絕緣膜，26:柵電極，28:層間絕緣膜，30:布線層，32:鈍化膜，34:基底層，34a:孔，36:接觸部，38:有機(jī)層，40:公共層，40a:凹部，42:公共電極，42a:凹部，44:密封層，46:填充層，48:第二襯底，50:彩色濾光片層，52:黑矩陣，54:著色層，116:像素電極，116a:凹部，118:絕緣層，118a:凹部，130:布線層，136:接觸部，140:公共層，140a:凹部，216:像素電極，216a:凹部，218:絕緣層，230:布線層,236:接觸部，238:有機(jī)層，240:公共層，240a:凹部，316:像素電極，316a:凹部，316b:凹部，316A:第一組像素電極，316B:第二組像素電極，416:像素電極，416a:凹部，516:像素電極，516a:凹部，556:分割凹部，OP:開口，Rl:第一區(qū)域，R2:第二區(qū)域。

【具體實施方式】
[0035]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。
[0036]圖1是本發(fā)明的實施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的立體圖。有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置具有由玻璃等構(gòu)成的透光性的第一襯底10。第一襯底10具有用于圖像顯示的圖像顯示區(qū)域。在第一襯底10搭載有用于驅(qū)動用于圖像的元件的集成電路芯片12。為了與外部電連接，而在第一襯底10連接有撓性布線襯底14。
[0037]圖2是將圖1所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。在第一襯底10設(shè)有多個像素電極16。多個像素電極16沿縱向及橫向排列。以載置到像素電極16的至少周緣的方式設(shè)置絕緣層18。絕緣層18設(shè)于彼此相鄰的像素電極16之間的區(qū)域。絕緣層18包圍各個像素電極16的周緣。絕緣層18具有使像素電極16的一部分(除去端部的部分)露出的開口 0P。
[0038]圖3是圖2所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的II1-1II線剖視圖。
[0039]在第一襯底10形成有作為針對來自第一襯底10的雜質(zhì)的屏蔽層的底涂層20，在底涂層20之上形成有半導(dǎo)體層22。覆蓋半導(dǎo)體層22地形成柵極絕緣膜24。在柵極絕緣膜24之上形成柵電極26，覆蓋柵電極26地形成層間絕緣膜28。在第一襯底10之上(層間絕緣膜28之上)設(shè)有多個布線層30。布線層30的一部分貫穿層間絕緣膜28，在半導(dǎo)體層22之上作為源電極或漏電極發(fā)揮作用，構(gòu)成薄膜晶體管。以覆蓋布線層30的方式在層間絕緣膜28上形成鈍化膜32。鈍化膜32的上表面呈凸凹，因此為了使其平坦而形成基底層34。基底層34由丙烯酸樹脂等樹脂構(gòu)成。
[0040]像素電極16設(shè)于基底層34之上。像素電極16是陽極。像素電極16的包含周緣在內(nèi)的端部具有上表面凹入的凹部16a。凹部16a在像素電極16的下表面向下方突出。凹部16a貫穿基底層34。與凹部16a對應(yīng)地，基底層34具有孔34a(貫穿孔)。如圖2所示，像素電極16的凹部16a在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。也就是說，像素電極16的凹部16a呈L字狀的平面形狀。
[0041]在多個像素電極16的下方設(shè)有布線層30。像素電極16的凹部16a的至少一部分與布線層30電連接。詳細(xì)而言，位于基底層34之上的像素電極16經(jīng)由貫穿基底層34的孔34a而通過凹部16a與布線層30接合。像素電極16的凹部16a在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地與布線層30電連接。也就是說，像素電極16的凹部16a的與布線層30接觸的接觸部36如圖2所示呈L字狀的平面形狀。
[0042]絕緣層18載置到像素電極16的端部之上。絕緣層18通過載置到像素電極16的凹部16a而具有上表面凹入的凹部18a。與像素電極16的凹部16a(參照圖2)對應(yīng)地，絕緣層18的凹部18a也在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。也就是說，絕緣層18的凹部18a也呈L字狀的平面形狀。
[0043]在第一襯底10設(shè)有有機(jī)電致發(fā)光膜或有機(jī)層38。有機(jī)層38載置于多個像素電極16及絕緣層18。有機(jī)層38由未圖示的多層構(gòu)成，至少包括發(fā)光層，還包括電子輸送層、空穴輸送層、電子注入層及空穴注入層中的至少一層。發(fā)光層被構(gòu)成為僅發(fā)出一種顏色(例如白色)的光。
[0044]有機(jī)層38包括連續(xù)覆蓋多個像素電極16及絕緣層18的公共層40。在圖3所示的例子中，有機(jī)層38的整體為公共層40?；蛘?，由多層構(gòu)成的有機(jī)層38的至少I層(除了至少I層)為公共層40(例如電子注入層)，由至少I層構(gòu)成的其余的層可以是按像素電極16而切斷的層。在包括2層以上的發(fā)光層的、由迭層結(jié)構(gòu)(tandem structure)構(gòu)成的有機(jī)層38中，配置在彼此相鄰的發(fā)光層之間的用于供給電子及空穴的電荷發(fā)生層可以是公共層40。
[0045]公共層40與像素電極16的凹部16a對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部40a。公共層40的凹部40a與絕緣層18的凹部18a對應(yīng)。公共層40的凹部40a也與像素電極16的凹部16a(參照圖2)對應(yīng)地，也在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。也就是說，公共層40的凹部40a也呈L字狀的平面形狀。
[0046]在有機(jī)層38之上設(shè)有公共電極42。公共電極42是陰極。公共電極42與公共層40的凹部40a對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部42a。公共電極42的凹部42a也與像素電極16的凹部16a (參照圖2)對應(yīng)地，也在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。也就是說，公共電極42的凹部42a也呈L字狀的平面形狀。
[0047]通過對像素電極16及公共電極42施加電壓，由此分別從像素電極16及公共電極42向有機(jī)層38注入空穴和電子。所注入的空穴和電子在發(fā)光層結(jié)合而發(fā)出光。在像素電極16的端部與公共電極42之間夾有絕緣層18，因此來防止二者之間的短路。
[0048]在公共電極42之上設(shè)有密封層44。密封層44也覆蓋有機(jī)層38。密封層44以將有機(jī)層38與水分分隔的方式將其密封。密封層44與公共電極42的凹部42a對應(yīng)地彎曲。詳細(xì)而言，密封層44的下表面(與公共電極42的界面)在公共電極42的凹部42a之上呈曲面。而且，密封層44的上表面(與其上層的界面)也在公共電極42的凹部42a的上方呈曲面。
[0049]密封層44的彎曲部分也與像素電極16的凹部16a(參照圖2)對應(yīng)地，在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。也就是說，密封層44的彎曲部分也呈L字狀的平面形狀。
[0050]在密封層44之上設(shè)有填充層46。根據(jù)本實施方式，從有機(jī)層38的公共層40入射到密封層44的光在彎曲的密封層44的表面(與其他層的界面)漫反射，因此難以識別為相鄰像素的光。由此，能夠防止彼此相鄰的像素的混色。
[0051]以與第一襯底10隔開間隔地相對的方式配置有第二襯底48。在第二襯底48的第一襯底10側(cè)的面設(shè)有彩色濾光片層50。彩色濾光片層50包括黑矩陣52及著色層54。上述的有機(jī)層38的發(fā)光層(未圖示)發(fā)出單一顏色(例如白色)，因此在本實施方式中設(shè)置彩色濾光片層50可實現(xiàn)全色顯示。在有機(jī)層38包括發(fā)出不同顏色(例如紅、綠及藍(lán))的多個發(fā)光層的情況下，由于發(fā)光層發(fā)出多種顏色的光，因此不需要著色層54。在第一襯底10與第二襯底48之間設(shè)有填充層46。
[0052]圖4是將實施方式的變形例I的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。圖5是圖4所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的V — V線剖視圖。
[0053]在該例子中，也是絕緣層118載置于像素電極116的凹部116a上，由此具有上表面凹入的凹部118a。公共層140的凹部140a與絕緣層118的凹部118a對應(yīng)。多個像素電極116沿橫向及縱向排列。像素電極116的凹部116a在從第一區(qū)域Rl到第二區(qū)域R2的范圍連續(xù)形成，所述第一區(qū)域Rl是在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域R2是在偏向縱向的一方的位置沿橫向延伸的區(qū)域。在絕緣層118形成較深的凹部118a的狀態(tài)下，成為公共層、公共電極、密封層都深入該凹部的構(gòu)造。由此，密封層的相對于第一襯底的接觸面積增加，提高了密封層的緊貼性，能夠做成防止密封層的剝離的構(gòu)造。
[0054]與圖2所示例子的區(qū)別在于:像素電極116的凹部116a僅在第一區(qū)域Rl與第二區(qū)域R2的連接區(qū)域同布線層130電連接。也就是說，像素電極116的凹部116a的與布線層130的接觸部136，如圖4所示，位于由第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2描繪出的L字的角部。其他內(nèi)容與在上述實施方式說明的內(nèi)容相同。
[0055]圖6是將實施方式的變形例2的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。圖7是圖6所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的VI1- VII線剖視圖。
[0056]在該例子中，如圖6所示，絕緣層218以避開像素電極216的凹部216a的至少一部分的方式載置于周緣。換言之，絕緣層218的開口 OP中，像素電極216的凹部216a的一部分也露出。在圖6的例子中，L字狀的凹部216a的除了角部的兩端部從絕緣層218的開口 OP露出。
[0057]如圖7所示，有機(jī)層238的公共層240的凹部240a與像素電極216的凹部216a的至少一部分接觸。若公共層240是發(fā)光層，則在該凹部240a發(fā)生的光也成為構(gòu)成圖像的要素。
[0058]像素電極216的凹部216a包括與布線層230電連接的部分(圖6所示的接觸部236)和不與布線層230電連接的部分(參照圖7)。關(guān)于這一點，與在變形例I說明的內(nèi)容相同。
[0059]如圖6所示，像素電極216的凹部216a中的與布線層230接觸的接觸部236被絕緣層218覆蓋。從而，如圖7所示，有機(jī)層238的公共層240的凹部240a同像素電極216的凹部216a的不與布線層230電連接的部分接觸。
[0060]圖8是將實施方式的變形例3的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0061]在該例子中也是多個像素電極316沿橫向及縱向排列。多個像素電極316包括在位于縱向兩側(cè)的端部分別形成有凹部316a的第一組像素電極316A、和在位于橫向兩側(cè)的端部分別形成有凹部316b的第二組的像素電極316B。第一組的像素電極316A和第二組的像素電極316B沿橫向及縱向交替排列。
[0062]由于在第一組像素電極316A，在縱向的兩側(cè)形成有凹部316a，因此通過在其上方密封層彎曲，使沿縱向傳播的光漫反射。與此相對，在第二組像素電極316B中，在橫向的兩側(cè)形成有凹部316b，因此通過在其上方密封層彎曲，使沿橫向傳播的光漫反射。如此，使向縱向及橫向這兩方前進(jìn)的光漫反射，能夠防止彼此相鄰的像素的混色。
[0063]圖9是將實施方式的變形例4的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0064]在該例子中也是多個像素電極416沿橫向及縱向排列。像素電極416具有縱向上較長的平面形狀。像素電極416的凹部416a在偏向橫向的一方的位置沿縱向延伸。由此，在條形排列的彩色濾光片中，同色的著色層沿縱向延伸、在橫向排列不同顏色的著色層的情況下，能夠妨礙光向混色影響變大的橫向傳播。
[0065]圖10是將實施方式的變形例5的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的一部分放大的俯視圖。
[0066]在該例子中，像素電極516的凹部516a由彼此隔開間隔地排列的多個分割凹部556構(gòu)成。其他詳細(xì)內(nèi)容與在變形例4說明的內(nèi)容相同。由此，由于凹部516a被分割，因此光的散射變大，所以防混色效果變大。此外，通過將凹部516a分割，增加了布局的自由度，在應(yīng)用光刻進(jìn)行形成的情況下易于抗蝕劑的形成。
[0067]本發(fā)明不限于上述實施方式，可進(jìn)行各種變形。例如，實施方式中說明的結(jié)構(gòu)，可置換為實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)、起到同一作用效果的結(jié)構(gòu)或能達(dá)到同一目的的結(jié)構(gòu)。例如，公共層、公共電極及密封層的至少I個可以是上表面不具有凹部地呈平坦，也可以具有上表面隆起的凸部。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括: 襯底； 設(shè)于所述襯底的多個像素電極； 以載置于各個所述像素電極的至少周緣的方式設(shè)于彼此相鄰的所述像素電極之間的區(qū)域的絕緣層； 包括公共層地設(shè)置的有機(jī)層，所述公共層將所述多個像素電極及所述絕緣層連續(xù)地覆蓋; 設(shè)于所述有機(jī)層之上的公共電極；以及 以覆蓋所述有機(jī)層及所述公共電極的方式配置的密封層， 各個所述像素電極在包括所述周緣在內(nèi)的端部具有上表面凹入的凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述絕緣層通過載置于各個所述像素電極的所述凹部，從而具有上表面凹入的凹部，所述公共層與所述絕緣層的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述公共層與所述像素電極的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部，所述絕緣層以避開各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分的方式載置于所述周緣，所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的所述至少一部分接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層，各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層，各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 各個所述像素電極的所述凹部包括與所述布線層電連接的部分和不與所述布線層電連接的部分，所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的不與所述布線層電連接的所述部分接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述多個像素電極沿橫向及縱向排列， 各個所述像素電極的所述凹部在從在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域到在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域的范圍連續(xù)地形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述多個像素電極沿橫向及縱向排列， 各個所述像素電極的所述凹部在從第一區(qū)域到第二區(qū)域的范圍連續(xù)地形成，所述第一區(qū)域是在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域，所述第二區(qū)域是在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 各個所述像素電極的所述凹部在從所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域的范圍連續(xù)地與所述布線層電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 各個所述像素電極的所述凹部僅在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的連接區(qū)域，與所述布線層電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述多個像素電極沿橫向及縱向排列，包括在位于所述縱向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第一組所述像素電極、和在位于所述橫向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第二組所述像素電極， 所述第一組所述像素電極和所述第二組所述像素電極在所述橫向及所述縱向交替排列。
12.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述多個像素電極沿橫向及縱向排列， 各個所述像素電極具有所述縱向上長的平面形狀，各個所述像素電極的所述凹部在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 各個所述像素電極的所述凹部由彼此隔開間隔地并列的多個分割凹部構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求2、3、5及6中的任一項所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述公共電極與所述公共層的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于， 所述密封層與所述公共電極的所述凹部對應(yīng)地彎曲。
【文檔編號】H01L51/52GK104465701SQ201410496008
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】佐藤敏浩 申請人:株式會社日本顯示器