一種鉬硒酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】提供了一種鉬硒酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的鉬硒酸鹽發(fā)光薄膜結(jié)構(gòu)式為R2(MoSe4)3:xEu3+，其中R為Al、Ga、In或Tl，x的取值范圍為0.01～0.05，具有良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，在620nm位置附近有很強(qiáng)的發(fā)光峰，在薄膜電致發(fā)光器件等領(lǐng)域具有誘人的應(yīng)用前景。本發(fā)明還提供了一種薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
【專利說明】一種鉬硒酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及無機(jī)發(fā)光材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和 應(yīng)用。

【背景技術(shù)】
[0002] 與傳統(tǒng)的發(fā)光粉制作的顯示屏相比，發(fā)光薄膜在對比度、分辨率、熱傳導(dǎo)、均勻性、 與基底的附著性、釋氣速率等方面都顯示出較強(qiáng)的優(yōu)越性。因此，作為功能材料，發(fā)光薄膜 在諸如陰極射線管（CRTs)、電致發(fā)光顯示（ELDs)及場發(fā)射顯示（FEDs)等平板顯示領(lǐng)域中 有著廣闊的應(yīng)用前景。
[0003] 薄膜電致發(fā)光顯示器（TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角 大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。然而，銪摻雜鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜 仍未見報(bào)道。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和應(yīng)用。
[0005] 第一方面，本發(fā)明提供了一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，結(jié)構(gòu)式為R2(M〇Se 4)3:XEU3+，其 中，R2 (MoSe4)3為基質(zhì)，Eu3+為激活元素，R為Al、Ga、In或Tl，x的取值范圍為0. 01?0. 05。
[0006] Eu3+是激活元素，在薄膜中充當(dāng)主要的發(fā)光中心，在本材料體系中，其在\ - 7F2 能級之間的躍遷福射出620nm的紅光。
[0007] 優(yōu)選地，x的取值為0? 03。
[0008] 優(yōu)選地，發(fā)光薄膜的厚度為80?150nm。
[0009] 更優(yōu)選地，發(fā)光薄膜的厚度為150nm。
[0010] 本發(fā)明制備了鑰硒酸鹽R2 (MoSe4) 3: xEu3+發(fā)光薄膜，以R2 (MoSe4) 3為基質(zhì)，Eu3+ 是激活元素，在薄膜中充當(dāng)主要的發(fā)光中心。本發(fā)明提供的銪摻雜鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜 (R2 (MoSe4) 3: xEu3+)在620nm位置附近有很強(qiáng)的紅光的發(fā)光峰。鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜中，基質(zhì) 鑰硒酸鹽具有較高的熱學(xué)和力學(xué)穩(wěn)定性，還具有著良好的光學(xué)透明性，較低的聲子能量，為 發(fā)光離子提供了優(yōu)良的晶場，從而在光電能量轉(zhuǎn)換的過程中產(chǎn)生較少無輻射躍遷，具有較 高的發(fā)光效率。對于摻雜離子，Eu 3+離子的能級豐富，可以不同的晶場激發(fā)比較寬范圍的波 長，在本材料體系中，其在- 7F2能級之間的躍遷輻射出620nm的紅光。
[0011] 第二方面，本發(fā)明提供了一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0012] 以摩爾比為2:3:(0.01?0.05)的￠-二酮金屬化合物、六羰基鑰和四甲基庚二 酮酸銪為反應(yīng)源；
[0013] 在真空度為1. OX 1(T3?1. OX l(T2Pa的氣相沉積設(shè)備中，將襯底轉(zhuǎn)速設(shè)置為50? 1000轉(zhuǎn)/分，通入含有反應(yīng)源的惰性氣體，氣流量為5?15 SCCm，再通入硒化氫，在述襯底 上沉積得到所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜；
[0014] 所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的結(jié)構(gòu)式為馬(1〇564) 3:述113+，其中1?為41、6&、111或1'1，1 的取值范圍為0.01?0.05。
[0015] 優(yōu)選地，x的取值為0? 03。
[0016] 本發(fā)明采用金屬有機(jī)氣相沉積設(shè)備（M0CVD)制備鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，以0 -二酮 金屬化合物、六羰基鑰和四甲基庚二酮酸銪為反應(yīng)源，通過沉積得到發(fā)光薄膜。
[0017] @ _二酮金屬化合物表示為（DPM) 3R，R為Al、Ga、In或T1。@ -二酮金屬化合物 為二酮螯合物，可以通過四甲基庚二酮和金屬氯化物反應(yīng)生成?；瘜W(xué)反應(yīng)式如下：
[0018]

【權(quán)利要求】
1. 一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，結(jié)構(gòu)式為R2 (MoSe4) 3: xEu3+，其中R為Al、Ga、 In或Tl，x的取值范圍為0. 01?0. 05。
2. 如權(quán)利要求1所述的鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，x的取值為0. 03。
3. 如權(quán)利要求1所述的鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，所述發(fā)光薄膜的厚度為80? 300nm。
4. 一種鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 以摩爾比為2:3: (0. 01?0. 05)的0 -二酮金屬化合物、六羰基鑰和四甲基庚二酮酸 銪為反應(yīng)源； 在真空度為1. 〇 X 1(T3?1. 0 X l(T2Pa的氣相沉積設(shè)備中，將襯底轉(zhuǎn)速設(shè)置為50?1000 轉(zhuǎn)/分，通入含有反應(yīng)源的惰性氣體，氣流量為5?15Sccm，再通入硒化氫，在所述襯底上沉 積得到所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜； 所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的結(jié)構(gòu)式為馬(1〇564)3:述113+，其中1?為41、6 &、111或1'1，1的取 值范圍為0. 01?0. 05。
5. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，x的取值為0. 03。
6. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述￠-二酮鹽為￠-二酮鋁、￠-二 酮鎵、0 -二酮銦或0 -二酮鉈。
7. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述通入硒化氫的氣流量為10? 200sccm〇
8. -種薄膜電致發(fā)光器件，包括襯底、發(fā)光層和陰極，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì) 為鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的結(jié)構(gòu)式SR2(M〇Se4) 3:XEu3+，其中R為A1、 Ga、In或Tl，x的取值范圍為0. 01?0. 05。
9. 如權(quán)利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，x的取值為0. 03。
10. -種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供清潔的襯底； 以摩爾比為2:3: (0. 01?0. 05)的0 -二酮金屬化合物、六羰基鑰和四甲基庚二酮酸 銪為反應(yīng)源； 在真空度為1. 〇 X 1(T3?1. 0 X l(T2Pa的氣相沉積設(shè)備中，將襯底轉(zhuǎn)速設(shè)置為50?1000 轉(zhuǎn)/分，通入含有反應(yīng)源的惰性氣體，氣流量為5?15Sccm，再通入硒化氫，在所述襯底上沉 積得到所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜，所述鑰硒酸鹽發(fā)光薄膜的結(jié)構(gòu)式為R2 (MoSe4) 3: xEu3+，其中R 為Al、Ga、In或Tl，x的取值范圍為0. 01?0. 05 ; 繼續(xù)通入硒化氫，待溫度降到l〇〇°C以下后取出，在所述發(fā)光薄膜上蒸鍍陰極； 以上步驟完成后，得到所述薄膜電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L33/50GK104449736SQ201310442591
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】周明杰, 陳吉星, 王平, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司