發(fā)光器件、具有改進(jìn)的化學(xué)耐性的部件以及相關(guān)方法

文檔序號(hào)：7254402閱讀：245來源：國知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

發(fā)光器件、具有改進(jìn)的化學(xué)耐性的部件以及相關(guān)方法
【專利摘要】公開了發(fā)光器件、部件和方法。在一個(gè)方面中公開了發(fā)光器件的發(fā)光部件。發(fā)光部件可包括至少部分地設(shè)置于部件的表面上方的銀(Ag)部。該部件可進(jìn)一步包括至少部分地設(shè)置于Ag部上方的保護(hù)層，保護(hù)層至少部分地包括有機(jī)阻擋材料，其可增加或改進(jìn)Ag部的化學(xué)耐性。在一些方面中，保護(hù)層包括聚亞二甲苯(例如，聚(對(duì)二甲苯))、取代的聚(對(duì)二甲苯)、包含碳氟化合物的聚(對(duì)二甲苯)，和/或從亞二甲苯制備的和/或包括-CH2-(C6H4)-CH2-基重復(fù)單元的任何其他聚合物。在一些方面中，保護(hù)層包括聚對(duì)二甲苯。
【專利說明】發(fā)光器件、具有改進(jìn)的化學(xué)耐性的部件以及相關(guān)方法
[0001] 對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002] 本申請(qǐng)要求2011年12月16日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)第61/576, 764號(hào)和2011 年12月1日提交的美國專利申請(qǐng)第13/309, 177號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容整體結(jié)合于此以供參考。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 這里的主題通常涉及發(fā)光器件、部件和方法。更特別地，這里的主題涉及發(fā)光器件、部件和方法，其對(duì)會(huì)對(duì)這種器件的亮度和可靠性產(chǎn)生不利影響的化學(xué)品和/或化學(xué)蒸汽或氣體具有改進(jìn)的抗性。

【背景技術(shù)】
[0004] 可在發(fā)光器件或封裝中使用發(fā)光二極管（LED)或LED芯片來提供白光（例如，感覺到是白色或接近白色的），并將其發(fā)展成為白熾燈、熒光燈和金屬鹵化物高強(qiáng)度放電 (HID)燈產(chǎn)品的替代物。傳統(tǒng)的發(fā)光器件或封裝可包含諸如金屬跡線或安裝表面的部件，當(dāng)暴露于各種不期望的化學(xué)品和/或化學(xué)蒸汽時(shí)，其會(huì)變得失去光澤、腐蝕、或以其他方式退化。這種化學(xué)品和/或化學(xué)蒸汽會(huì)進(jìn)入傳統(tǒng)的發(fā)光器件，例如，通過穿透設(shè)置于這種部件上方的密封劑填充材料。在一個(gè)方面中，不期望的化學(xué)品和/或化學(xué)蒸汽可包含硫，含硫化合物（例如，硫化物，亞硫酸鹽，硫酸鹽，S0 X)，含氯和溴的復(fù)合物，一氧化氮或二氧化氮（例如，N0X)，以及氧化有機(jī)蒸汽化合物，其可穿透密封劑，并經(jīng)由使這種部件腐蝕、氧化、變暗和/或失去光澤，而使發(fā)光器件內(nèi)的各種部件物理地退化。這種退化會(huì)隨著時(shí)間對(duì)傳統(tǒng)的發(fā)光器件的亮度、可靠性和/或熱特性產(chǎn)生不利影響，并且，在操作過程中，會(huì)進(jìn)一步對(duì)器件的性能產(chǎn)生不利影響。
[0005] 不管市場上是否可獲得各種發(fā)光器件，仍需要具有改進(jìn)的化學(xué)耐性的器件和部件，以及用于防止不期望的化學(xué)品和/或化學(xué)蒸汽到達(dá)且然后使器件內(nèi)的部件退化的相關(guān) 方法。這里描述的器件、部件和方法可有利地改進(jìn)對(duì)密封發(fā)光器件內(nèi)的不期望的化學(xué)品和 /或化學(xué)蒸汽的化學(xué)耐性，同時(shí)，促使便于制造并增加高功率和/或高亮度應(yīng)用中的器件可靠性和性能?？墒褂盟銎骷?或方法，并應(yīng)用其產(chǎn)生任何大小、厚度和/或尺寸的耐化學(xué)表面安裝器件（SMD)類型的發(fā)光器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有利地，可使用這里描述的器件、部件和方法，并使其在任何類型的發(fā)光器件內(nèi)適用，例如，包括一個(gè)LED芯片、多個(gè)LED芯片，和/或多排LED芯片的器件，和/或?qū)Ρ倔w或基底包含不同材料的器件，例如，塑料、陶瓷、玻璃、氮化鋁（A1N)、氧化鋁（A1 203)、印刷電路板（PCB)、金屬芯印刷電路板（MCPCB)和鋁板基器件。特別地，這里的器件、部件和方法可通過防止使銀或鍍銀部件失去光澤，而防止包含銀（Ag)部件和/或鍍銀部件的器件或封裝的光學(xué)和/或熱特性退化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 在說明書的其余部分中更特別地闡述了對(duì)本領(lǐng)域中的一名普通技術(shù)人員來說包括其最佳方式的本主題的充分且開放的公開內(nèi)容，包括參考附圖，其中：
[0008] 圖1是根據(jù)這里的公開內(nèi)容的發(fā)光器件的第一實(shí)施方式的頂部透視圖；
[0009] 圖2是根據(jù)這里的公開內(nèi)容的發(fā)光器件的第一實(shí)施方式的橫截面圖；
[0010] 圖3是根據(jù)這里的公開內(nèi)容的發(fā)光器件的第二實(shí)施方式的頂部透視圖；
[0011] 圖4是根據(jù)這里的公開內(nèi)容的發(fā)光器件的第二實(shí)施方式的橫截面圖；
[0012] 圖5至圖12是根據(jù)這里的公開內(nèi)容的發(fā)光器件的橫截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013] 現(xiàn)在將詳細(xì)地參考這里的主題的可能的方面或?qū)嵤┓绞?，在圖中示出了其一個(gè)或多個(gè)實(shí)例。提供每個(gè)實(shí)例是為了說明該主題，并且，不作為限制。實(shí)際上，在另一實(shí)施方式中可使用所示或所述特征作為一個(gè)實(shí)施方式的一部分，來產(chǎn)生另一實(shí)施方式。目的是，這里公開和考慮的主題覆蓋這種改進(jìn)和變化。
[0014] 如在各個(gè)圖中圖示的一樣，結(jié)構(gòu)或者部分的一些尺寸為了圖示說明的目的而相對(duì) 于其他的結(jié)構(gòu)或者部分放大并且因此提供以圖示本主題的一般結(jié)構(gòu)。而且，本主題的各個(gè) 方面參考形成在其他的結(jié)構(gòu)、部分、或者兩者上的結(jié)構(gòu)或者部分描述。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的一樣，對(duì)一個(gè)結(jié)構(gòu)形成在另一個(gè)結(jié)構(gòu)或者部分"上"或者"上方"的提及考慮可以插入有額外的結(jié)構(gòu)、部分、或者兩者。對(duì)于一個(gè)結(jié)構(gòu)或者部分以沒有插入結(jié)構(gòu)或者部分的方式形成在另一個(gè)結(jié)構(gòu)或者部分"上"的提及在這里描述為"直接地"形成在該結(jié)構(gòu)或者部分 "上"。類似地，將理解的是，當(dāng)一個(gè)元件稱為"連接"、"附接"或者"耦接"到另一個(gè)元件時(shí)，它可以直接地連接、附接或者耦接到該另一個(gè)元件上，或者可以存在插入元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件稱為"直接地連接"、"直接地附接"或者"直接地耦接"到另一個(gè)元件時(shí)，沒有插入的元件存在。
[0015] 此外，在這里，使用關(guān)系術(shù)語（例如，"上"、"上方"、"上部"、"頂部"、"下"或"底部"）來描述一個(gè)結(jié)構(gòu)或部分與另一結(jié)構(gòu)或部分的關(guān)系，如圖所示。將理解，關(guān)系術(shù)語（例如，"上"、"上方"、"上部"、"頂部"、"下"或"底部"）的目的是，包含除了圖中所示的方向以外的器件的不同方向。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中的器件，那么，被描述為位于其他結(jié)構(gòu)或部分"上方"的結(jié)構(gòu)或部分現(xiàn)在的方向?qū)⑹窃撈渌Y(jié)構(gòu)或部分的"下方"。類似地，如果沿著軸線旋轉(zhuǎn)圖中的器件，那么，被描述為位于其他結(jié)構(gòu)或部分"上方"的結(jié)構(gòu)或部分現(xiàn)在的方向?qū)⑹?該其他結(jié)構(gòu)或部分的"旁邊"或"左側(cè)"。相似的數(shù)字在文中指的是相似的元件。
[0016] 除非特別說明不存在一個(gè)或多個(gè)元件，否則，應(yīng)將這里使用的術(shù)語"包含"、"包括" 和"具有"解釋為，是不排除存在一個(gè)或多個(gè)元件的開放式術(shù)語。
[0017] 根據(jù)這里描述的實(shí)施方式的發(fā)光二極管（LED)或LED芯片可包括基于III-V族氮化物（例如，氮化鎵（GaN))的LED芯片或激光器，可將其制造在生長基底上，例如，碳化硅 (SiC)基底，例如，那些由北卡羅來納州達(dá)勒姆的克利（Cree)公司制造和銷售的器件。這里也考慮其他生長基底，例如且不限于，藍(lán)寶石、硅（Si)和GaN。在一個(gè)方面中，SiC基底/層可以是4H多型碳化硅基底/層。然而，也可使用其他SiC候選多型，例如，3C，6H和15R多型。從北卡羅來納州達(dá)勒姆的克利公司（其是本主題的受讓人）可獲得適當(dāng)?shù)腟iC基底，并且，在科學(xué)文獻(xiàn)以及許多共同受讓的美國專利中闡述了用于制造這種基底的方法，包括但不限于，美國專利Re. 34, 861 ;美國專利4, 946, 547和美國專利5, 200, 022，這些專利的公開內(nèi)容均整體結(jié)合于此以供參考。這里考慮任何其他合適的生長基底。
[0018] 如這里使用的，術(shù)語"III族氮化物"指的是那些在氮和周期表的III族中的一種或多種元素之間形成的半導(dǎo)電化合物，通常是鋁（A1)、鎵（Ga)和銦（In)。該術(shù)語還涉及二元、三元和四元化合物，例如，GaN、AlGaN和AlInGaN。III族元素可與氮組合，以形成二元化合物（例如GaN)、三元化合物（例如AlGaN)和四元化合物（例如AlInGaN)。這些化合物可能具有這樣的成分式，其中，將一摩爾的氮與總共一摩爾的III族元素組合。因此，通常使用諸如Al xGai_xN(其中，1 > X > 0)的成分式來描述這些化合物。III族的外延生長的技術(shù)在適當(dāng)?shù)目茖W(xué)文獻(xiàn)中已經(jīng)變得非常合理地發(fā)展和報(bào)道了。
[0019] 雖然這里公開的LED芯片的各種實(shí)施方式包括生長基底，但是，本領(lǐng)域中的技術(shù) 人員將理解，可去除在其上生長包括LED芯片的外延層的晶體狀外延生長基底，并且，可將獨(dú)立的外延層安裝在替代載體基底或可具有與原始基底不同的熱、電、結(jié)構(gòu)和/或光學(xué)特性的基底上。這里描述的主題不限于具有晶體狀外延生長基底的結(jié)構(gòu)，并且，可與這樣的結(jié) 構(gòu)一起使用，在該結(jié)構(gòu)中，已從其原始生長基底去除外延層并將其粘結(jié)至替代載體基底。
[0020] 例如，可在生長基底（例如，Si，SiC或藍(lán)寶石基底）上制造根據(jù)本主題的一些實(shí)施方式的基于ΠΙ族氮化物的LED芯片，以提供水平器件（在LED芯片的同一側(cè)上具有至少兩個(gè)電觸點(diǎn)）或堅(jiān)直器件（在LED芯片的相對(duì)側(cè)上具有電觸點(diǎn)）。此外，在制造或去除（例如，通過蝕刻、研磨、拋光等）之后，可將生長基底保持在LED芯片上?？扇コL基底，例如，以減小產(chǎn)生的LED芯片的厚度和/或減小垂直LED芯片中的正向電壓。水平器件（具有或沒有生長基底）可以例如被倒裝晶片粘結(jié)（例如，用焊料）至載體基底或印刷電路板 (PCB)，或是通過絲焊粘結(jié)。堅(jiān)直器件（具有或沒有生長基底）可具有焊接至載體基底、安裝焊盤或PCB的第一端子，以及絲焊至載體基底、安裝焊盤或PCB的第二端子。例如，在授予Bergmann等人的美國公開2008/0258130和授予Edmond等人的美國公開2006/0186418 中，討論了堅(jiān)直和水平LED芯片結(jié)構(gòu)的實(shí)例，其公開內(nèi)容整體結(jié)合于此以供參考。
[0021] 如進(jìn)一步描述的，一個(gè)或多個(gè)LED芯片可至少部分地涂有一個(gè)或多個(gè)磷光體。磷光體可吸收LED芯片發(fā)光的一部分，接著，發(fā)出具有不同波長的光，使得，發(fā)光器件或封裝發(fā)出來自每個(gè)LED芯片和磷光體的光的組合。在一個(gè)實(shí)施方式中，發(fā)光器件或封裝發(fā)出來自由LED芯片和磷光體發(fā)出的光的組合的感覺上是白光的光?？捎迷S多不同的方法來涂覆和制造一個(gè)或多個(gè)LED芯片，在兩篇名為"Wafer Level Phosphor Coating Method and Devices Fabricated Utilizing Method(晶片級(jí)磷光體涂覆方法和使用該方法制造的器件）"的美國專利申請(qǐng)第11/656,759號(hào)和第11/899,790號(hào)中描述了一種適當(dāng)?shù)姆椒?，這兩篇專利的內(nèi)容整體結(jié)合于此以供參考。
[0022] 在名為"Phosphor Coating Systems and Methods for Light Emitting Structures and Packaged Light Emitting Diodes Including Phosphor Coating (憐光體涂覆系統(tǒng)以及用于包括磷光體涂層的發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝發(fā)光二極管的方法）"的美國專利申請(qǐng)第12/014, 404號(hào)及其部分繼續(xù)申請(qǐng)的名為"Systems and Methods for Application of Optical Materials to Optical Elements(用于對(duì)光學(xué)元件施加光學(xué)材料的系統(tǒng) 和方法）"的美國專利申請(qǐng)第12/717, 048號(hào)中，描述了其他適當(dāng)?shù)挠糜谕扛惨粋€(gè)或多個(gè) LED芯片的方法，這兩篇專利的公開內(nèi)容整體結(jié)合于此以供參考。還可用其他方法來涂覆 LED 芯片，例如，電泳沉積（EH))，在名為"Close Loop Electrophoretic Deposition of Semiconductor Devices (半導(dǎo)體器件的閉環(huán)電泳沉積）"的美國專利申請(qǐng)第11/473, 089中描述了一種適當(dāng)?shù)腅H)方法，該專利也整體結(jié)合于此以供參考。應(yīng)理解，根據(jù)本主題的發(fā)光器件、部件和方法也可具有多個(gè)不同顏色的LED芯片，其中一個(gè)或多個(gè)可以是發(fā)白光的。
[0023] 現(xiàn)在參考圖1至圖12,圖1和圖2示出了發(fā)光封裝或發(fā)光器件的一個(gè)實(shí)例的相應(yīng)的頂視圖和截面圖，通常用10表示。在一個(gè)方面中，發(fā)光器件10可包括表面安裝器件 (SMD)，其包括可模制或以其他方式形成于一條或多條電引線周圍的本體12。SMD類型的發(fā) 光封裝或器件適合于一般的LED照明應(yīng)用，例如，戶內(nèi)和戶外照明、汽車照明，優(yōu)選地，適合于高功率和/或高亮度照明應(yīng)用。這里公開的主題適合于在大范圍的SMD類型發(fā)射器和設(shè) 計(jì)內(nèi)應(yīng)用，不限于尺寸和/或材料的變化。特別地，這里公開的器件、部件和方法可通過提供保護(hù)屏障或保護(hù)層P (圖2)，來保持或超過與器件10相關(guān)的亮度級(jí)，甚至在存在有害的化學(xué)品、化學(xué)蒸汽或復(fù)合物時(shí)，保護(hù)層P適合于防止有害的化學(xué)品或復(fù)合物使器件10內(nèi)的部件失去光澤和/或以其他方式退化。
[0024] 在一個(gè)方面中，可將本體12設(shè)置在引線框（也叫做"引線"）周圍，其可包括熱元件14和一個(gè)或多個(gè)電元件。在一些方面中，本體12可包括模制在引線周圍的塑料本體。電元件可分別包括，例如，第一和第二電元件16和18。也就是說，熱元件14和電元件16及 18可共同叫做"引線"，并且，可從一張引線框（未示出）分割出。可用彎角凹口（通常用 N表不）來表不第一和第二電兀件16和18的電極性。
[0025] 在一些方面中，熱元件14與第一和第二電元件16和18可包括導(dǎo)電和/或?qū)岬?材料，例如，金屬或金屬合金。在一個(gè)方面中，熱元件14可通過本體的一個(gè)或多個(gè)絕緣或隔離部分20,與第一和第二電元件16和18中的一個(gè)和/或兩個(gè)電隔離和/或熱隔離。在一些方面中，可用任何適當(dāng)?shù)哪＞吒浇蛹夹g(shù)和/或材料，將一個(gè)或多個(gè)LED或LED芯片22安裝在熱元件14上，例如，僅通過并且不限于模具附接粘合劑（例如，硅酮、環(huán)氧樹脂，或?qū)щ?的銀（Ag)環(huán)氧樹脂）或金屬到金屬的模具附接技術(shù)（例如，助焊劑或非助焊劑共晶、非共晶或熱壓縮模具附接）。
[0026] 在一些方面中，多個(gè)LED芯片22可經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)電連接器（例如，導(dǎo)電絲焊 24)，與第一和第二電兀件16和18中的一個(gè)和/或兩個(gè)電連通。在一些方面中，可將多個(gè) LED芯片22內(nèi)的每個(gè)LED芯片22并聯(lián)地電連接。僅為了說明的目的，將在同一側(cè)（例如，上表面）上具有兩個(gè)電觸點(diǎn)的LED芯片22示出為，經(jīng)由絲焊24與兩個(gè)電元件（例如，16和 18)電連接。然而，這里還考慮在下表面上具有兩個(gè)電觸點(diǎn)的LED芯片22,使得，絲焊24不是必須的。在其他實(shí)施方式中，還考慮在上表面上具有一個(gè)與一個(gè)電元件電連接的電觸點(diǎn) 的LED芯片22。在器件10中可使用任何類型或式樣的LED芯片22,例如，LED芯片22可包括水平結(jié)構(gòu)的芯片（例如，在LED的同一側(cè)上具有至少兩個(gè)電觸點(diǎn)）或堅(jiān)直結(jié)構(gòu)的芯片 (例如，在LED的相對(duì)側(cè)上具有電觸點(diǎn)），其具有或沒有生長基底。
[0027] 在一些方面中，LED芯片22可包括一個(gè)或多個(gè)基本上筆直的切口和/或傾斜的 (即，有角度的）切口側(cè)或表面。LED芯片22可包括直接附接結(jié)構(gòu)（例如，粘結(jié)至載體基底）或包含生長基底（例如，藍(lán)寶石、SiC或GaN)的結(jié)構(gòu)。這里考慮具有任何構(gòu)造、結(jié)構(gòu)、類型、式樣、形狀和/或尺寸的LED芯片22。絲焊24或其他電附接連接器對(duì)于器件設(shè)計(jì)來說是可選的，并且，可適合于將電流或信號(hào)從電元件16和18傳送、發(fā)送或傳遞至一個(gè)或多個(gè)LED芯片22，從而，產(chǎn)生該一個(gè)或多個(gè)LED芯片22的照明。在一些方面中，可用反射材料 (圖2)分別涂覆、電鍍、沉積或以其他方式分層熱元件14和/或第一和第二電元件16和 18的部分，所述反射材料例如且不限于，用于從該一個(gè)或多個(gè)LED芯片22反射光的Ag或含 Ag的合金。
[0028] 在一些方面中，本體12可包括任何適當(dāng)?shù)哪Ｖ苹蛞云渌绞椒謩e設(shè)置于熱元件 14和/或第一和第二元件16和18的部分周圍的材料。在一些方面中，本體12可包括陶瓷材料，例如，低溫共燒陶瓷（LTCC)材料、高溫共燒陶瓷（HTCC)材料、鋁土、氮化鋁（A1N)、氧化鋁（A1 203)、玻璃，和/或A1板材。在其他方面中，本體12可包括模制塑料材料，例如，聚酰胺（PA)、聚鄰苯二酰胺（PPA)、液晶聚合物（LCP)或硅酮。
[0029] 在一些方面中，可將至少一個(gè)靜電放電（ESD)保護(hù)裝置25設(shè)置在器件10內(nèi)，并且，可與相對(duì)于LED芯片22反向偏壓的電元件16和18電連接。ESD裝置25可防止被器件 10內(nèi)的ESD損壞。在一個(gè)方面中，可用不同的元件作為ESD保護(hù)裝置25,例如，各種堅(jiān)直或水平硅（Si)齊納二極管，被布置為與LED芯片22反向偏壓的不同的LED芯片、表面安裝變阻器和橫向Si二極管。如所示出的，ESD裝置25可包括堅(jiān)直結(jié)構(gòu)的器件，其在底部上具有一個(gè)電觸點(diǎn)，并在頂部上具有另一電觸點(diǎn)；然而，也可提供水平結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)裝置。
[0030] 仍參考圖1和圖2,在一些方面中，器件10的本體12可包括腔體，通常用26表示，例如，可選地涂有用于從該一個(gè)或多個(gè)LED芯片22反射光的反射材料的反射腔。如圖2所示，腔體26可用填充材料（例如，密封劑28)至少部分地或完全地填充。在一些方面中，密封劑28可選地可包括一種或多種磷光體材料，其適合于當(dāng)由從該一個(gè)或多個(gè)LED芯片22 發(fā)出的光激活時(shí)發(fā)出所需波長的光。因此，在一些方面中，器件10可發(fā)出具有所需波長或色點(diǎn)的光，其可以是從設(shè)置于密封劑28中的磷光體發(fā)出的光和從一個(gè)或多個(gè)LED芯片22 發(fā)出的光的組合。
[0031] 在如圖2所示的一些方面中，熱元件14與第一和第二電元件16和18可包括內(nèi)部 30和外部32。在一些方面中，內(nèi)部30和外部32可包括導(dǎo)電和/或?qū)岵牧??？赡苓@樣施加外部32,使得，其如所示出的完全包圍內(nèi)部30,或者，在其他方面中，外部32可在內(nèi)部30 的一個(gè)表面或者兩個(gè)或多個(gè)表面上部分地電鍍、涂覆或包括部分層或涂層。
[0032] 在一個(gè)方面中，外部32可包括高反射性Ag基底、含Ag的基底，或一層諸如Ag或 Ag合金的材料，其用于將來自器件10的光輸出增至最大，并通過傳導(dǎo)熱量使其遠(yuǎn)離該一個(gè) 或多個(gè)LED芯片22而幫助散熱。外部32還可包括含Ag合金的基底，而不是純Ag的基底，并且，這種合金可選地可包含其他金屬，例如，鈦（Ti)或鎳（Ni)。內(nèi)部30可包括金屬或金屬合金，例如，銅（Cu)基底或Cu合金基底。在一個(gè)方面中，可在內(nèi)部30和外部32之間設(shè) 置可選的材料層（未示出），例如，一層Ni，用于在Ag和Cu之間提供阻擋層，從而，防止由移動(dòng)的Cu原子導(dǎo)致的缺陷，例如，通常叫做"紅斑"的缺陷。
[0033] 在一些方面中，可將外部32直接附接至和/或直接涂覆內(nèi)部30。有利地，外部32 可反射從該一個(gè)或多個(gè)LED芯片22發(fā)出的光，從而改進(jìn)器件10的光學(xué)性能?？蓪嵩?14與電元件16和18的上表面沿著腔體26的底面34設(shè)置，使得，將熱和電元件的相應(yīng)的上表面沿著相同的平面和/或不同的平面設(shè)置。第一和第二電元件16和18可從本體12的一個(gè)或多個(gè)橫向側(cè)延伸，和從通常用36和38表不的一個(gè)或多個(gè)外部凸出部分延伸。凸出部分36和38可彎曲，以形成一個(gè)或多個(gè)下安裝表面，使得，可將器件10安裝至下層基底。凸出部分36和38可彼此遠(yuǎn)離地向外彎曲，或朝著彼此向內(nèi)彎曲，從而適應(yīng)J彎曲或鷗翼方向，如本領(lǐng)域中眾所周知的。然而，也可提供任何結(jié)構(gòu)的外部凸出部分36和38。
[0034] 仍參考圖2,可將填充材料設(shè)置并填充至腔體26內(nèi)的任何水平，并且，可能部分地設(shè)置在器件10的頂面40的下方和/或上方。在一個(gè)方面中，填充材料可包括密封劑28,將其填充至與器件的頂面40平齊的平面，如所示出的。在其他方面中，可這樣填充密封劑，使得，其相對(duì)于器件10的頂面40形成凹面或凸面，如頂面40的部分附近的虛線所示。在一個(gè)方面中，密封劑28可適合于分配在腔體26內(nèi)。在一些方面中，密封劑28可包括選擇性的且可選量的一個(gè)或多個(gè)磷光體，其適合于當(dāng)由從一個(gè)或多個(gè)LED芯片22發(fā)出的光激活時(shí) 發(fā)出光或光的組合，從而，發(fā)出任何所需色點(diǎn)或色溫的光。在一個(gè)方面中，密封劑28可包括硅酮材料，例如，甲基或苯基硅酮密封劑。
[0035] 典型地，SMD類型的器件，例如器件10,沒有用于防止有害的化學(xué)品或復(fù)合物穿透器件且由此使熱和/或電元件的Ag或Ag合金的外部32退化的輔助光學(xué)器件（例如，輔助透鏡）。在一些方面中，密封劑28可提供物理保護(hù)，防止受到外來固體和液體的影響，但是，可能無法提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)來防止氣態(tài)化學(xué)品或空氣傳播的元素，例如，硫、氧氣，或濕氣，它們會(huì)使外部32失去光澤或退化，所述外部包括Ag (例如，純Ag，Ag合金，或鍍銀）。在一些方面中，在器件10具有較差的化學(xué)耐性的情況下，熱和電元件14,16和18的諸如外部32 的含Ag部件會(huì)隨著時(shí)間而變得失去光澤、腐蝕，或退化。這會(huì)降低器件10的亮度。
[0036] 在一些方面中，不期望的化學(xué)品、蒸汽或復(fù)合物C會(huì)穿透密封劑28,并可能與元件的外部32相互作用，例如，通過使這種元件失去光澤，從而導(dǎo)致光學(xué)、物理、電和/或熱特性退化，例如，亮度輸出的損失，以及沿著腔體底部34的表面的明顯變暗。在此實(shí)施方式中，不期望的化學(xué)蒸汽或復(fù)合物C會(huì)穿透密封劑28，如圖2所示的虛線和箭頭軌線所指示的，并且，如果未如所示出的從器件內(nèi)的表面偏轉(zhuǎn)，則可能會(huì)對(duì)外部32產(chǎn)生不利影響。特別地，本主題可通過包含保護(hù)層P來改進(jìn)器件10的化學(xué)耐性，所述保護(hù)層用作設(shè)置于器件10內(nèi)的器件10的一個(gè)或多個(gè)表面上和/或器件10的部件上的保護(hù)阻擋層或阻擋層，以防止復(fù)合物C到達(dá)熱和電元件14、16和18的諸如含Ag外部32的部件、與其相互作用、和/或產(chǎn)生不利影響。
[0037] 如圖2所示，在一個(gè)方面中，可將保護(hù)層P如所示出的直接設(shè)置在元件的外部32 上，并沿著腔體底部34設(shè)置。在一些方面中，可在將一個(gè)或多個(gè)LED芯片22與熱元件14 連接之前，施加保護(hù)層P，以使得可將保護(hù)層P設(shè)置在LED芯片22的部分與熱/電部件或元件的外部32之間。可單獨(dú)使用或與苯基硅酮密封劑組合使用保護(hù)層P，以如這里描述的改進(jìn)發(fā)光器件的化學(xué)耐性。圖4至圖12示出了各種其他器件和/或用于提供保護(hù)以防止受到發(fā)光器件或封裝內(nèi)的復(fù)合物C的影響的保護(hù)層P的替代位置或布置。
[0038] 在一些方面中，不期望的化學(xué)品、蒸汽或復(fù)合物C可包括，包含硫的化學(xué)蒸汽、包含硫的化合物（硫化物、亞硫酸鹽、硫酸鹽、so x)、包含氯或溴的復(fù)合物、一氧化氮或二氧化氮（N0X)，和/或氧化有機(jī)蒸汽化合物。復(fù)合物C會(huì)使Ag部件（例如，熱/電元件的外部32) 退化，并導(dǎo)致亮度輸出的損失和器件內(nèi)的表面的明顯變暗。如這里描述的改進(jìn)的器件可包含一個(gè)或多個(gè)用于改進(jìn)器件10和器件10內(nèi)的部件的化學(xué)耐性的保護(hù)層P，使得，有害的蒸汽、化學(xué)品或復(fù)合物C無法到達(dá)含Ag部件（例如，外部32)。在一些方面中，如復(fù)合物C的虛線軌跡所示，可將復(fù)合物C從保護(hù)層P的表面排除，從而將對(duì)反射性Ag部件的損壞減到最小，并進(jìn)一步將從器件10的任何亮度損失減到最小和/或完全防止該亮度損失，和/或使器件10內(nèi)的部件變暗。
[0039] 在一些方面中，可將保護(hù)層P直接和/或間接地設(shè)置在這里描述的器件內(nèi)的易損壞的部件上，例如，直接或間接地位于包含Ag或Ag合金的部件上。保護(hù)層P可適合于應(yīng)用至發(fā)光器件內(nèi)的部件的多種表面，這也是有利的。在一個(gè)方面中，可將保護(hù)層P直接僅應(yīng)用于包含Ag或Ag合金的部件（例如，熱元件14和電元件16,18的外部32)的表面的部分，和 /或可將層P應(yīng)用于包括底層填料的LED芯片22的表面的部分，應(yīng)用在金屬絲、絲焊24、絲焊球（例如，在金屬絲24附接至LED芯片22的地方形成的球）上或上方，以及應(yīng)用在LED 殼體或其整個(gè)本體的表面上，當(dāng)在表面上包括Ag的部分或?qū)訒r(shí)，可包括包含Ag的部件。
[0040] 在一些方面中，可將保護(hù)層P應(yīng)用在發(fā)光器件10的陶瓷或塑料本體12的內(nèi)部和/ 或外部上，例如，在本體12 (圖2)的絕緣部分20上。特別地，可將保護(hù)層P選擇性地應(yīng)用在制造過程內(nèi)的任意數(shù)量的處理步驟（例如，在LED的模具附接之前/之后，在密封之前/過程中，見圖4至圖12)時(shí)和/或與其并行，以提供廣泛的保護(hù)以防止受到化學(xué)蒸汽的影響，例如但不限于，一氧化氮或二氧化氮（N0 X)、氧化有機(jī)蒸汽化合物、硫、含硫化合物（例如，硫化物、硫酸鹽、S0X)以及含氯或溴的復(fù)合物。
[0041] 特別地，當(dāng)將保護(hù)層P包含在器件內(nèi)時(shí)，這種器件會(huì)表現(xiàn)出非常好的和/或改進(jìn)的化學(xué)耐性，包括改進(jìn)的耐硫性，以及與傳統(tǒng)器件相比長時(shí)間的防止化學(xué)復(fù)合物C的影響。在一個(gè)方面中，改進(jìn)的器件（例如器件10)當(dāng)暴露于硫環(huán)境時(shí)，與當(dāng)暴露于相同的硫環(huán)境時(shí)可能僅保持大約60%的其初始亮度值的傳統(tǒng)器件相比，可以例如保持大約95%或更大的其初始亮度值（例如，以流明為單位測量）。根據(jù)環(huán)境的硫存在水平和純度的不同，改進(jìn)的器件（例如器件10)可保持大約96%、97%、98%、99%，和/或大約100%的其初始亮度值。
[0042] 使用LED或適合于與LED -起使用的器件，例如且不限于這里描述的那些，可包括保護(hù)阻擋層或保護(hù)層P。保護(hù)層P不限于以上應(yīng)用或用途，例如，可在包括陶瓷、塑料、PCB、 MCPCB，或者層壓基底或基底的器件中使用，有利地，可應(yīng)用在多個(gè)表面上，包括設(shè)置于SMD 內(nèi)的LED芯片22。保護(hù)層P可至少部分地包括用于增加基底的化學(xué)耐性的有機(jī)材料。該有機(jī)材料可包括，例如，使用化學(xué)蒸汽沉積（CVD)技術(shù)沉積的有機(jī)涂層或薄膜，并且，其中保護(hù)層P可以是任何適當(dāng)?shù)暮穸取?br> [0043] 在一些方面中，保護(hù)層P可包括大約lnm和大約ΙΟΟμπι之間的厚度。在這里，也考慮大約lnm和100 μ m之間的任何子范圍的厚度，并且，可在這里描述的器件內(nèi)提供。例如且不限于，保護(hù)層P的厚度可包括大約1至l〇nm ;大約10nm至50nm ;大約50nm至200nm ;大約 200nm 至 400nm ;大約 400 至 600nm ;大約 600 至 800nm ;大約 800nm 至 1 μ m ;大約 0· 5 μ m 至Ιμπι;大約Ιμπι至5μηι;大約5μηι至ΙΟμπι;大約ΙΟμπι至50μηι;或大約50μηι至 ΙΟΟμπι。在一些方面中，保護(hù)層Ρ可包括大約0. 7至Ι.Ομπι的厚度。在一些方面中，更厚的保護(hù)層Ρ可對(duì)Ag部件提供更好的阻擋保護(hù)，以防止有害的化學(xué)復(fù)合物C的影響，從而改進(jìn)發(fā)光器件10的亮度保持。
[0044] 在一些方面中，保護(hù)層P可包括經(jīng)由CVD處理技術(shù)沉積并原地聚合以形成保護(hù) 聚合物涂層或保護(hù)層P的聚對(duì)二甲苯聚合物（例如，聚對(duì)二甲苯）阻擋層。聚對(duì)二甲苯材料，包括PARYLENEHT?，例如，商業(yè)上可從總部在印第安納州印第安納波利斯的 Specialty Coating Systems?(特殊涂層系統(tǒng)公司?)(SCS)獲得。在一些方面中，保護(hù)層 P可非常有效地排斥或防止有害的化學(xué)品和蒸汽穿透器件，從而防止由器件10內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)Ag或包含Ag的部分組成的部件失去光澤、腐蝕或以其他方式退化。可將任何其他活性有機(jī)阻擋涂層直接沉積在器件10內(nèi)的部件的Ag或包含Ag的部分上或上方。可經(jīng)由CVD 處理來施加這種涂層，并可原地聚合，優(yōu)選地，在室溫下聚合。在一些方面中，聚對(duì)二甲苯聚合物或聚對(duì)二甲苯層可能優(yōu)選地用于熱穩(wěn)定性目的；因?yàn)檫@種材料可包括包含碳氟化合物的有機(jī)阻擋涂層，即使并不是所有的聚對(duì)二甲苯涂層或?qū)邮翘挤衔?。包含碳氟化合?的涂層的其他變型也可包括有效的阻擋涂層。
[0045] 在一些方面中，保護(hù)層P可包括有機(jī)阻擋涂層，其包括芳香族聚合物或共聚物，或用芳香族前體制備的聚合物或共聚物。在一些方面中，保護(hù)層P可包括對(duì)化學(xué)蒸汽和氣體 (例如硫）有耐性的有機(jī)阻擋涂層。在一些方面中，保護(hù)層P可包括在大約l〇〇°C或更高溫度（例如，大約100,150, 200, 250, 300, 350或400°C或更高）的空氣中具有熱穩(wěn)定性的有機(jī) 阻擋層。在一些方面中，保護(hù)層P可包括亞芳基（arylene)和/或芳亞燒基（aralkylene) 單體單元（例如，亞苯基、萘、二甲苯，等等），或者，從芳基或芳烷基聚合物前體得到的單體單元（例如，脂環(huán)族單體單元）。該亞芳基和/或芳亞烷基單體單元可不被取代，或可被一個(gè)或多個(gè)芳基或烷基取代基團(tuán)（例如，烷基、芳基、鹵代基、硝基、烷氧基，等等）取代。在一些方面中，保護(hù)層P可以是亞芳基或芳亞烷基單體的共聚物，進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)從包含乙烯基的單體得到的單體單元。在一些方面中，有機(jī)阻擋涂層可以是氟化芳香族或氟化脂環(huán)族聚合物或共聚物。
[0046] 在一些方面中，保護(hù)層P可包括聚亞二甲苯（例如，聚對(duì)二甲苯，從亞二甲苯制備的和/或包含-ch 2-(c6h4)-ch2-的重復(fù)單元的取代的聚對(duì)二甲苯聚合物，其中，可用烷基或芳基取代基團(tuán)來替換重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子）。在一些方面中，聚亞二甲苯可具有大約10個(gè)和大約100000個(gè)之間的重復(fù)單元（例如，大約10個(gè)，大約50個(gè)，大約100個(gè)，大約500個(gè)，大約1000個(gè)，大約2500個(gè)，大約5000個(gè)，大約7500個(gè)，大約10000個(gè)，大約25000 個(gè)，大約50000個(gè)，大約75000個(gè)，或大約100000個(gè)重復(fù)單元），其中，每個(gè)重復(fù)單元具有芳族基，并且，可以被取代或不取代。如果存在的話，那么，每個(gè)取代可以是相同的或不同的，并且，可從包括但不限于以下基團(tuán)的組中選擇：烷基、芳基、烯基（alkenyl)、氨基、氰基、羧基、燒氧基、芳氧基、輕燒基（hydroxylalkyl)、氨燒基、?；?、羧燒基（carboxyalkyl)、巰基、輕基、硝基、齒代基，等等。
[0047] 在一些方面中，如果存在的話，可從低燒基（例如，甲基、乙基、丙基、丁基和己基）和鹵代基（例如，氯基、溴基、碘基和氟基）中選擇取代基。在一些方面中，有機(jī)阻擋涂層包括聚對(duì)二甲苯、聚（對(duì)-2-氯苯二甲基）（口〇17(口-2-(3111〇1'(?71716116))、聚（對(duì)-2,6二氯苯二甲基）（(P〇ly(p-2,6_dichloroxylylene))和氟代聚對(duì)二甲苯。在一些方面中，氟代聚對(duì)二甲苯可包括非芳香族碳原子上的氟取代基，并具有結(jié)構(gòu)[-CF 2-(C6H4)-CF2-]n，其是 PARYLENE HT?。在一些方面中，氟取代的聚對(duì)二甲苯可在芳香族碳原子上包括一個(gè) 或多個(gè)氟取代基，或者，可在芳香族和非芳香族碳原子上都包括氟取代基。在一些方面中，聚亞二甲苯保護(hù)層P可以是均聚物。在其他方面中，聚亞二甲苯保護(hù)層P可以是至少兩種不同的亞二甲苯單體的共聚物。
[0048] 在一些方面中，保護(hù)層P包括聚對(duì)二甲苯制備過程的反應(yīng)產(chǎn)物，其中，一個(gè)或多個(gè) 單體單元的主體中的芳香基被至少部分地轉(zhuǎn)換成非芳香環(huán)狀（或非環(huán)狀）基（例如，轉(zhuǎn)換為環(huán)己撐基）。在一些方面中，聚對(duì)二甲苯是包含一個(gè)或多個(gè)單體單元的氟取代的聚對(duì)二甲苯，其中，主體芳香基已被轉(zhuǎn)換成非芳香環(huán)狀基。在一些方面中，氟取代的聚對(duì)二甲苯是 PARYLENE HT?，其中，一個(gè)或多個(gè)[-CF2-(C6H4)-CF2-]n重復(fù)單元的C 6H4基團(tuán)已被轉(zhuǎn)換成非芳香和/或完全飽和的環(huán)狀基。
[0049] 例如，在美國專利3, 288, 728中描述了一種用于制備待沉積的聚亞二甲苯共聚物的工藝，其內(nèi)容包含于此以供參考。典型地，施加聚亞二甲苯的工藝可包括化學(xué)蒸汽沉積（CVD)。該工藝可包括，例如，蒸發(fā)固態(tài)前體混合物，例如，適當(dāng)?shù)亩畚铮ɡ纾?環(huán)-雙（對(duì)二甲苯）（cyclo-di (p-xylene))或取代的環(huán)-雙（對(duì)二甲苯）），例如，環(huán)-雙 (對(duì)-2_ 氯苯二甲基）（cyclo-di (p-2-chloroxylene))，環(huán)-雙（對(duì) _2, 6_ 二氯苯二甲基） cyclo-di (p-2, 6-dichloroxylene)，或四氟-環(huán)-雙（對(duì)二甲苯）（tetrafluoro-cyclo-di (p-xylene))。合適的蒸發(fā)溫度可以在大約110°C和大約200°C之間。在一些方面中，蒸發(fā)溫度可以是大約150°C。然后，可使蒸發(fā)的前體熱解，以提供反應(yīng)單體（例如，使二聚物前體中的亞甲基-亞甲基鍵裂開）?？稍诖蠹s400°C和大約700°C之間的溫度下進(jìn)行熱解。在一些實(shí)施方式中，可在大約650°C和大約680°C之間的溫度下進(jìn)行熱解。熱解之后，可使單體蒸汽冷卻。在冷卻后，反應(yīng)單體可冷凝并共聚。如果使包括反應(yīng)單體的蒸汽在基底（例如，器件10的一個(gè)或多個(gè)部分、表面、Ag和/或包含Ag的部件）上冷卻，那么，單體可在基底上沉積并聚合，從而形成聚合物薄膜，例如，保護(hù)層P。
[0050] 在一些方面中，在本申請(qǐng)中提到的蒸發(fā)的亞二甲苯基物質(zhì)的熱解會(huì)導(dǎo)致如下結(jié)構(gòu) 的反應(yīng)物質(zhì)，所述反應(yīng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與當(dāng)在大約650°C和大約680°C之間的溫度下進(jìn)行時(shí)的亞二甲苯基單體不同。在一些方面中，然后得到的保護(hù)層P可具有與由聚對(duì)二甲苯代表的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)。在一些方面中，這樣制備的保護(hù)層P可基本上沒有芳香環(huán)。在一些方面中，聚對(duì)二甲苯是部分或基本上完全非芳香的聚對(duì)二甲苯的衍生物。
[0051] 在一些方面中，可將包括反應(yīng)單體的蒸汽從熱解室轉(zhuǎn)移至室溫沉積室，在那里，使基底冷卻、沉積并在基底的表面上聚合。在制造過程中的任何步驟，該基底可包括器件10 的任何部分。例如，保護(hù)層P可應(yīng)用于任何所需的基底或部件，包括在圍繞引線模制本體12 之前應(yīng)用于引線（例如，熱元件14和電元件16及18)，在模具附接一個(gè)或多個(gè)LED芯片22 之前應(yīng)用于器件10的任何及所有表面上，在絲焊LED芯片22之前/之后應(yīng)用在任何及所有表面上，和/或在密封之前/過程中應(yīng)用于任何及所有表面上，如下面進(jìn)一步描述的。在一些方面中，保護(hù)層P可包括柔性連續(xù)薄膜。在一些方面中并且在沉積或施加保護(hù)層P之前，可物理地或化學(xué)地掩蓋器件10的一個(gè)或多個(gè)部分，使得，保護(hù)層P不會(huì)沉積在所掩蓋的 (例如，不期望的）區(qū)域中。
[0052] 如這里使用的，術(shù)語"烷基"可指C^，包括：線性的（即，"直鏈"），分支的，或環(huán) 狀的，飽和的或至少部分地且在一些情況中完全不飽和的（即，烯基（alkenyl)和炔基）烴鏈，包括，例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、特丁基、戊基、己基、半基、乙稀基、丙稀基、丁稀基、戊稀基、己稀基、半稀基、丁間-稀基、丙塊基、丁塊基、戊塊基、己塊基、庚炔基和丙二烯基基團(tuán)。如這里使用的，術(shù)語"分支的"可指烷基基團(tuán)，其中，將低烷基基團(tuán) (例如，甲基、乙基或丙基）附接至線性烷基鏈。如這里使用的，術(shù)語"低烷基"可指具有1 至大約8個(gè)碳原子的烷基（S卩，(V8烷基），例如，1，2,3,4,5,6,7或8個(gè)碳原子。如這里使用的，術(shù)語"更高的烷基"可指具有大約10至大約20個(gè)碳原子的烷基，例如，10,11，12,13， 14,15,16,17,18,19或20個(gè)碳原子。在某些方面中，"烷基"特別指(V 8直鏈烷基。在其他方面中，"烷基"特別指Ci_8支鏈烷基。
[0053] 可選地，烷基基團(tuán)可由一個(gè)或多個(gè)烷基基團(tuán)取代基取代（例如，"取代烷基"），其可以是相同的或不同的。術(shù)語"烷基基團(tuán)取代基"包括但不限于，烷基、取代烷基、鹵代基、芳胺基、?；?、羥基、芳氧基、烷氧基、烷硫基、芳硫基、芳烷氧基、芳烷硫基、羧基、烷氧羰基、氧基和環(huán)烷基?？蛇x地，沿著烷基鏈可插入一個(gè)或多個(gè)氧原子、硫原子、或者，取代的或不取代的氮原子，其中，氮取代基是氫、低烷基（在這里也叫做"烷胺烷基"）或芳基。因此，如這里使用的，術(shù)語"取代烷基"包括如這里定義的烷基，其中，用一個(gè)或多個(gè)原子或官能團(tuán)（包括，例如，烷基、取代烷基、齒素（例如，CH 2X、CHX2和CX3，其中，X是從由Cl、Br、F和I組成的組中選擇的齒素）、芳基、取代芳基、燒氧基、輕基、硝基、氣基、燒胺基、-燒胺基、硫酸鹽和巰基）來代替烷基的一個(gè)或多個(gè)原子或官能團(tuán)。
[0054] 如這里使用的，術(shù)語"烯基"指的是包含一個(gè)碳碳雙鍵的烴基。如這里使用的，術(shù) 語"乙烯基"指的是末端烷基基團(tuán)，即，-CH = CH2。如這里使用的，術(shù)語"芳基"可指芳香族取代基，其可以是一個(gè)芳香環(huán)，或多個(gè)熔合在一起的芳香環(huán)，與一個(gè)公共基團(tuán)（例如，但不限于，亞甲基或乙烯基半族）共價(jià)連接或連接。該公共連接的基團(tuán)還可以是羰基（例如，在苯甲酮中），或氧（例如，在二苯醚（diphenylether)中），或氮（例如，在二苯胺中）。術(shù)語 "芳基"特別地包含雜環(huán)芳香族化合物。然而，在一些實(shí)施方式中，術(shù)語"芳基"只指在環(huán)結(jié) 構(gòu)的主體中不包括雜原子（例如，〇、N、S等）的芳香基。芳香環(huán)可尤其包括苯基、萘基、聯(lián) 二苯、二苯醚、二苯胺和二苯甲酮。在特殊的實(shí)施方式中，術(shù)語"芳基"表示環(huán)芳香基，其包括大約5至大約10個(gè)碳原子，例如,5,6, 7,8,9或10個(gè)碳原子，并且，包括5元和6元的經(jīng) 和雜環(huán)芳香環(huán)。
[0055] 可選地，可用一個(gè)或多個(gè)芳基取代基來取代芳基（"取代芳基"），其可以是相同的或不同的，其中，"芳基取代基"包括烷基、取代烷基、芳基、取代芳基、芳烷基、羥基、烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、羧基、酰基、齒代基、硝基、烷氧羰基、芳氧羰基、芳烷氧羰基、酰氧基、酰氣基、芳醜氣基、氣基甲醜基、燒基氣基甲醜基、-燒基氣基甲醜基、芳硫基、燒硫基、亞煙基和-NR' R〃，其中，R'和R〃可分別獨(dú)立地是氫、烷基、取代烷基、芳基、取代芳基和芳烷基。
[0056] 因此，如這里使用的，術(shù)語"取代芳基"包括如這里定義的芳基基團(tuán)，其中，可用另一原子或官能團(tuán)（包括，例如，燒基、取代燒基、齒素、芳基、取代芳基、燒氧基、輕基、硝基、氨基、烷氨基、二烷氨基、硫酸鹽和巰基）來代替芳基的一個(gè)或多個(gè)原子或官能團(tuán)。
[0057] 芳基的特定實(shí)例包括，但不限于，環(huán)戊二烯基、苯基、萘基、呋喃、噻吩、吡咯、吡喃、吡啶、咪唑、苯并咪唑、異噻唑、異惡唑、批唑、批嗪、三嗪、嘧啶、喹啉、異喹啉、噴哚、咔唑，等等。
[0058] "芳烷基"指的是芳基-烷基基團(tuán)，其中，芳基和烷基如前所述，并包括取代芳基和取代烷基。代表性的芳烷基基團(tuán)包括苯甲基、苯乙基、正、后或?qū)Χ妆剑矗?、后或?qū)ξ?二甲苯），以及萘甲基。
[0059] "亞烴基"指的是直鏈或支鏈二價(jià)脂肪族烴基，其具有從1到大約20個(gè)碳原子，例如，1，2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15,16,17,18,19 或 20 個(gè)碳原子。亞烴基基團(tuán)可以是直鏈的、支鏈的或環(huán)狀的?？蛇x地，亞烴基還可以是不飽和的和/或用一個(gè)或多個(gè)"烷基取代基"取代的?？蛇x地，沿著亞烴基基團(tuán)插入一個(gè)或多個(gè)氧原子、硫原子、或者取代的或非取代的氮原子（在這里也叫做烷胺烷基），其中，氮取代基是如前所述的烷基。代表性的亞烴基包括亞甲基（-ch 2-);乙烯基（-ch2-ch2-);丙烯基（-(ch2) 3-);亞環(huán)己基 (-C6Hlcr) ;-CH = CH-CH = CH- ;-CH = CH-CH2- ;-(CH2)rN(R)-(CH2)r-，其中，q 和 r 分別獨(dú) 立地是從 0 到大約 20 的整數(shù)，例如，0，1，2, 3,4, 5,6, 7,8,9,10,11，12,13,14,15,16,17,18， 19或20, R是氧或低燒基；亞甲_氧基（-〇-CH2-0-)和亞乙_氧基（-〇-(CH 2) 2-0-)。亞煙基基團(tuán)可具有大約2至大約3個(gè)碳原子，并可進(jìn)一步具有6-20個(gè)碳原子。
[0060] 術(shù)語"亞芳基"指的是如前所述的芳基基團(tuán)的二價(jià)基。代表性的亞芳基基團(tuán)包括亞苯基和萘基。術(shù)語"亞芳烷基"指的是如前所述的芳烷基的二價(jià)基，和/或亞烴基與亞芳基的組合（例如，指的是亞烴亞芳亞烴基）。代表性的亞芳烷基基團(tuán)包括二甲苯和取代二甲苯的雙自由基。"烷氧基"指的是烷基-氧基基團(tuán)，其中，烷基是如前所述的。如這里使用的，術(shù)語"烷氧基"可指包括：線性的，分支的，或環(huán)狀的，飽和的或不飽和的氧烴鏈，包括，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、叔丁氧基和戊氧基。"芳氧基"指的是芳基-氧基基團(tuán)，其中，芳基是如前所述的，包括取代芳基。如這里使用的，術(shù)語"芳氧基"可指苯氧基或己氧基，以及燒基、取代燒基、齒代基，或燒氧基取代的苯氧基或己氧基。
[0061] 如這里使用的，術(shù)語"酰基"指的是有機(jī)酸基團(tuán)，其中，已用另一取代基（即，用 RCO-代表，其中，R是如這里定義的烷基、取代烷基、芳基或取代芳基）來代替羧基的0H。在一些實(shí)施方式中，術(shù)語?；芍富鶊F(tuán)RCO-，其中，R是氨基取代的烷基、烷氨基取代的烷基、二烷氨基取代的烷基，或羥基取代的烷基。因此，術(shù)語"?；?可指諸如HARiCO'iyiNRiCO-、馬馬?、?和H0&C0-的基團(tuán)，其中，札是亞烴基，R 2和R3是低烷基。術(shù)語"?；?還特別包括芳?；?，例如，乙?；秽捅郊柞＜谆?。?；鶊F(tuán)的特殊實(shí)例包括乙?；捅郊柞；?。
[0062] "氨基"指的是-NRR'基團(tuán)，其中，R和R'分別獨(dú)立地是氫、如前所述的烷基和/或取代烷基、芳基和/或取代芳基，或芳烷基。在一些實(shí)施方式中，術(shù)語"氨基"指的是-NH2基團(tuán)。"烴氧烷基"指的是烷基-0-C0基團(tuán)。代表性的烴氧烷基基團(tuán)包括甲氧羰基、乙氧羰基、丁氧羰基和叔丁氧羰基。如這里使用的，術(shù)語"鹵代基"、"鹵化物"或"鹵素"指的是氟代基、氯代基、溴代基和碘代基基團(tuán)。術(shù)語"羥基"指的是-0H基團(tuán)。術(shù)語"羥烷基"指的是用-0H 基團(tuán)取代的烷基。術(shù)語"氰基"指的是-CN基團(tuán)。術(shù)語"硝基"指的是-N02基團(tuán)。術(shù)語"巰基"指的是-SH基團(tuán)。
[0063] 圖3和圖4示出了 LED封裝或器件（通常用50表示）的另一實(shí)施方式的頂透視圖和橫截面圖。還可通過例如在器件50的外表面上和/或器件（圖4)的內(nèi)表面上包含保護(hù)層P，來改進(jìn)發(fā)光器件50的化學(xué)耐性。發(fā)光器件50可包括SMD類型的器件，與器件10的相似之處在于，可具有輔助光學(xué)器件，但是可能不使用。因此，存在器件部件退化的可能性，其中，不期望的化學(xué)蒸汽或復(fù)合物C會(huì)穿透器件（圖4)的填充材料。
[0064] 在一些方面中，發(fā)光器件50可包括基底52,可將通常用54表示的發(fā)光區(qū)域設(shè)置在基底52上。在一些方面中，發(fā)光區(qū)域54可包括設(shè)置于填充材料（例如，密封劑58)下方的一個(gè)或多個(gè)LED芯片22 (見圖4)。在一些方面中，可將發(fā)光區(qū)域54相對(duì)于發(fā)光器件50的基底52基本上設(shè)置在中心。在替代方式中，可將發(fā)光區(qū)域54設(shè)置在發(fā)光器件50上的任何位置，例如，在轉(zhuǎn)角或邊緣附近。考慮任何位置，并且，還考慮不止一個(gè)發(fā)光區(qū)域54。
[0065] 為了說明目的，示出了一個(gè)圓形發(fā)光區(qū)域54;然而，取決于發(fā)光器件消費(fèi)者、制造商和/或設(shè)計(jì)者的判斷，發(fā)光區(qū)域54的數(shù)量、尺寸、形狀和/位置會(huì)改變。發(fā)光區(qū)域54可包括任何適當(dāng)?shù)男螤?，例如，基本上圓形的、正方形的、橢圓形的、矩形的、菱形的、不規(guī)則的、規(guī)則的，或不對(duì)稱的形狀。在一些方面中，發(fā)光器件50可進(jìn)一步包括至少部分地設(shè)置于發(fā) 光區(qū)域54周圍的保持材料56,其中，保持材料56可叫做"堤壩"。保持材料56可包括任何材料，例如，硅酮、陶瓷、熱塑性塑料，和/或熱固性聚合物材料。在一些方面中，保持材料56 可適合于分配在發(fā)光區(qū)域54周圍，這是有利的，因?yàn)橐子趹?yīng)用并易于獲得任何所需的尺寸和/或形狀。
[0066] 在一些方面中，基底52可包括任何適當(dāng)?shù)陌惭b基底，例如，印刷電路板（PCB)、金屬芯印刷電路板（MCPCB)、外部電路、介電層壓板、陶瓷板、A1板、A1N、A1203，或發(fā)光器件（例如LED芯片）可能安裝和/或附接于其上的任何其他適當(dāng)?shù)幕?。設(shè)置于發(fā)光區(qū)域54中的LED芯片22可與通過隨基底52設(shè)置的電元件（例如，導(dǎo)電跡線）電連通和/或熱連通圖4)。發(fā)光區(qū)域54可包括設(shè)置于填充材料58內(nèi)和/或下方的多個(gè)LED芯片22,例如，如圖4所示。
[0067] 在一些方面中，LED芯片22可包括任何適當(dāng)?shù)某叽绾?或形狀的芯片，并且，可以是堅(jiān)直結(jié)構(gòu)的（例如，相對(duì)側(cè)上的電觸點(diǎn)）和/或水平結(jié)構(gòu)的（例如，相同側(cè)或表面上的觸點(diǎn)）。LED芯片22可包括任何類型的芯片，例如，直切和/或斜切的芯片、藍(lán)寶石、SiC，或 GaN生長基底或無基底。一個(gè)或多個(gè)LED芯片22可形成彼此電連接的LED芯片22的多芯片陣列和/或串聯(lián)和并聯(lián)結(jié)構(gòu)組合的導(dǎo)電跡線。在一個(gè)方面中，可將LED芯片22布置在一串或多串LED芯片中，其中，每串可包括串聯(lián)地電連接的不止一個(gè)LED芯片。多串LED芯片 22可與其他串的LED芯片22并聯(lián)地電連接?？蓪⒍啻甃ED芯片22布置在一個(gè)或多個(gè)圖案 (未示出）中。取決于應(yīng)用場合，LED芯片22可與其他LED芯片串聯(lián)地電連接、并聯(lián)地電連接，和/或串聯(lián)與并聯(lián)布置的組合。
[0068] 參考圖3,發(fā)光器件50可進(jìn)一步包括至少一個(gè)開口或孔，通常用60表示，可將其穿過基底52設(shè)置或至少部分地穿過基底52設(shè)置，以便于將發(fā)光器件50附接至外部襯底、電路，或表面。例如，可將一個(gè)或多個(gè)螺釘（未示出）或銷子插入該至少一個(gè)孔60中，以將器件50固定至另一構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或襯底。發(fā)光器件50還可包括一個(gè)或多個(gè)電附接表面62。在一個(gè)方面中，附接表面62包括電觸點(diǎn)，例如焊點(diǎn)或連接器。附接表面62可以是任何適當(dāng)?shù)?結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀和/或位置，并且，在器件50的相應(yīng)側(cè)上可包括正電極端子和負(fù)電極端子，用" + "和/或符號(hào)表示，當(dāng)與外部電源連接時(shí)，電流或信號(hào)可通過所述端子。
[0069] 可將一條或多條外部導(dǎo)電線（未示出）經(jīng)由焊接、軟焊、夾緊、卷邊、插入或使用本領(lǐng)域中已知的任何其他適當(dāng)?shù)牟煌笟獾臒o焊料附接方法，與附接表面62物理地連接和電連接。也就是說，在一些方面中，附接表面62可包括被構(gòu)造為夾緊、卷邊，或以其他方式附接至外部線（未示出）的裝置。電流或信號(hào)可從在附接表面62處與器件10電連接的外部線進(jìn)入發(fā)光器件50。電流可流入發(fā)光區(qū)域54,以便于光從設(shè)置于其中的LED芯片輸出。附接表面62可經(jīng)由導(dǎo)電跡線64和66 (圖4)與發(fā)光區(qū)域54的LED芯片22電連通。也就是說，在一個(gè)方面中，附接表面62可包括與第一和第二導(dǎo)電跡線64和66 (圖4)相同的材料層，從而，可經(jīng)由電連接器（例如絲焊24)與附接至跡線64、66的LED芯片22電連通。電連接器可包括絲焊24或其他適當(dāng)?shù)挠糜趯ED芯片22與第一和第二導(dǎo)電跡線64、66(圖 4)電連接的構(gòu)件。
[0070] 如圖4所示，可將填充材料58設(shè)置在保持材料56的內(nèi)壁之間。填充材料58可包括密封劑，其可包括預(yù)定量的，或選擇量的，一個(gè)或多個(gè)磷光體，和/或適合于發(fā)出任何需要的光的量的熒光體，例如，適合于白光轉(zhuǎn)換或任何給定色溫或色點(diǎn)。或者，在填充材料58 中可能不包括磷光體。填充材料58可包括硅酮密封材料，例如，甲基和/或苯基硅酮材料。填充材料58可與從該多個(gè)LED芯片22發(fā)出的光相互作用，使得，可觀察到感覺到的白光，或任何適當(dāng)?shù)暮?或所需波長的光?？墒褂没蛱峁┟芊鈩┖?或磷光體的任何適當(dāng)?shù)慕M合，并且，可使用不同顏色的磷光體和/或LED芯片22的組合來產(chǎn)生任何所需色點(diǎn)的光。在一些方面中，LED芯片22可包括一個(gè)主要是紅色、綠色、藍(lán)色、青色、綠色、黃色、橙色、琥珀色，或白色的芯片。在一些方面中，填充材料58可包括當(dāng)由來自一個(gè)或多個(gè)LED芯片22的光激活時(shí)適合于發(fā)出紅光、藍(lán)光、黃光或綠光的一個(gè)或多個(gè)磷光體。
[0071] 在一些方面中，保持材料56可適合于分配、定位、阻隔或放置在發(fā)光區(qū)域54的至少一部分周圍。在放置保持材料56之后，可在設(shè)置于保持材料56的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁之間的空間內(nèi)，將填充材料58選擇性地填充至任何適當(dāng)?shù)乃剑ㄈ缣摼€所示）。例如，可將填充材料58填充至與保持材料56的高度相等的水平，或填充至保持材料56上方或下方的任何水平，例如，如終止于圖4所示的保持材料56的虛線所示。填充材料58的水平可以是平面的或以任何適當(dāng)方式彎曲的，例如，凹入的或凸出的（例如，見圖4中的虛線）。
[0072] 圖4示出了在絲焊一個(gè)或多個(gè)LED芯片22之后分配或以其他方式放置在基底52 上的保持材料56,使得，將保持材料56設(shè)置在絲焊24的至少一部分上，并至少部分地覆蓋絲焊。例如，可將給定組或串的LED芯片22中的最外邊緣的LED芯片的絲焊24設(shè)置在保持材料14的一部分內(nèi)。為了說明的目的，僅示出了四個(gè)LED芯片22,并且，將其示出為經(jīng)由絲焊24串聯(lián)地電連接，然而，器件可包含許多串任意數(shù)量的LED芯片22,例如，小于四個(gè)或多于四個(gè)LED芯片22可串聯(lián)地電連接、并聯(lián)地電連接，和/或串聯(lián)和并聯(lián)布置的組合。
[0073] 在一些方面中，多串LED芯片22可包括相同和/或不同顏色或波長箱的二極管，并且，可在設(shè)置于相同或不同顏色的LED芯片22上方的填充材料58中使用不同顏色的磷光體，以實(shí)現(xiàn)發(fā)出所需色溫或色點(diǎn)的光。在一些方面中，LED芯片22可直接附接至導(dǎo)電焊盤70的部分，和/或例如通過與一個(gè)或多個(gè)插入層（例如，層68和/或保護(hù)層P，如下所述）連接而間接附接至導(dǎo)電焊盤70的部分，所述插入層可用本領(lǐng)域中已知的和以上提到的任何模具附接技術(shù)或材料（例如，環(huán)氧樹脂或金屬到金屬的模具附接技術(shù)和材料）設(shè)置在 LED芯片22和導(dǎo)電焊盤70之間。
[0074] 可將LED芯片22布置、設(shè)置，或安裝在導(dǎo)電和/或?qū)岷副P70上。傳導(dǎo)焊盤70 可以是導(dǎo)電和/或?qū)岬?，并且，可包括任何適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電和/或?qū)岵牧?。在一個(gè)方面中，傳導(dǎo)焊盤70包括一層Cu或Cu基底。可將LED芯片22與第一和第二導(dǎo)電跡線64和66電連接。第一和第二導(dǎo)電跡線64和66中的一個(gè)可包括陽極，另一個(gè)包括陰極。
[0075] 在一些方面中，導(dǎo)電跡線64和66還可包括一層導(dǎo)電的Cu或Cu襯底。在一些方面中，傳導(dǎo)焊盤70和跡線64與66可包括相同的Cu基底，已通過蝕刻或其他去除方法，將軌跡64和66從其與導(dǎo)電焊盤70分割或分離。在蝕刻之后，可施加電絕緣的焊接掩模72，使得，所述焊接掩模至少部分地設(shè)置在導(dǎo)電焊盤70和相應(yīng)的導(dǎo)電跡線64與66之間。焊接掩模72可包括白色材料，用于從發(fā)光器件50反射光。可將一個(gè)或多個(gè)材料層設(shè)置在LED 芯片22的部分和導(dǎo)電焊盤70之間。類似地，可將一個(gè)或多個(gè)材料層設(shè)置在導(dǎo)電跡線64和 66的上方。例如，在一個(gè)方面中，可將第一插入層或材料68的襯底設(shè)置在LED芯片22和導(dǎo) 電焊盤70之間，并設(shè)置在軌跡64和66上方。第一材料層68可包括一層反射性的Ag或Ag 合金材料，用于將從發(fā)光器件50發(fā)出的光的亮度增至最大。也就是說，第一材料層68可包括Ag或包含Ag的襯底，其適合于增加器件50的亮度?？蓪⒁粚踊蚨鄠€(gè)可選地額外的材料層（未不出）設(shè)置在第一層68和傳導(dǎo)焊盤70之間，和/或第一層68與跡線64、66之間，例如，可將一層Ni設(shè)置在其之間，以在Cu焊盤70和跡線64、66以及Ag層68之間提供阻擋層。
[0076] 特別地，可將保護(hù)層P至少部分地設(shè)置在器件50內(nèi)的Ag部件上方和/或其附近，例如，設(shè)置在第一材料層68上方，其可涂覆傳導(dǎo)焊盤70和軌跡64與68。保護(hù)層P可在涂有Ag的部件的上方提供阻擋層，從而防止這種部件由于當(dāng)有害的化學(xué)品、蒸汽或大氣復(fù)合物C穿透填充材料58時(shí)導(dǎo)致的失去光澤、氧化、腐蝕或其他退化現(xiàn)象，而物理地退化或電退化。如之前描述的，復(fù)合物C(例如，硫、硫化物、硫酸鹽、氯復(fù)合物、溴復(fù)合物）、N0 X、氧氣，和 /或濕氣，會(huì)損壞Ag涂層或涂有Ag的部件，例如，可損壞包括傳導(dǎo)焊盤70和/或跡線64和 66的涂覆Cu部件的層68。如之前描述的，保護(hù)層P可包括有機(jī)阻擋涂層，其適合于防止不期望的化學(xué)品或蒸汽復(fù)合物C到達(dá)發(fā)光器件50內(nèi)的易損部件，如虛線和箭頭所示。
[0077] 在一個(gè)方面中，如之前描述的，保護(hù)層P可包括聚對(duì)二甲苯聚合物（例如，聚對(duì)二甲苯）的阻擋層，其以任何適當(dāng)?shù)姆绞匠练e，例如，經(jīng)由CVD處理技術(shù)，并原地聚合，以形成保護(hù)性聚合物涂層或保護(hù)層P。保護(hù)層P可非常有效地排斥有害的化學(xué)品和蒸汽，從而保護(hù) 包括器件內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)Ag或包含Ag的部分的部件，例如這里公開的那些，防止其失去光澤、腐蝕，或以其他的方式退化。可將任何其他反應(yīng)有機(jī)阻擋涂層直接沉積在器件內(nèi)的部件的Ag或包含Ag的部分上或其上方?？山?jīng)由CVD處理來施加這種涂層，并且，可原地聚合，優(yōu)選地，在室溫下聚合。在一個(gè)方面中，對(duì)于熱穩(wěn)定性目的來說，聚對(duì)二甲苯聚合物或聚對(duì) 二甲苯或PARYLENE?層可能是優(yōu)選的；因?yàn)檫@種材料包括，包含碳氟化合物的有機(jī)阻擋涂層。根據(jù)這里的公開內(nèi)容，包含碳氟化合物的涂層的其他變型也可包括有效阻擋涂層。
[0078] 在一些方面中，保護(hù)層P可以是包括芳香族聚合物或共聚物的有機(jī)阻擋涂層。在一些方面中，保護(hù)層P可包括對(duì)化學(xué)蒸汽和氣體（例如硫）有耐性的有機(jī)阻擋涂層。在一些方面中，保護(hù)層P可包括亞芳基和/或亞芳烷基單體基團(tuán)（例如，亞苯基、萘、二甲苯，等等）。亞芳基和/或亞芳烷基單體基團(tuán)可以是不取代的，或者，可由一個(gè)或多個(gè)芳基或烷基取代基（例如，燒基、芳基、齒代基、硝基、燒氧基，等等）取代。在一些方面中，保護(hù)層P的芳香族聚合物可以是亞芳基或亞芳烷基單體基團(tuán)的共聚物，進(jìn)一步包括從包含乙烯基的單體得到的一個(gè)或多個(gè)單體單元。在一些方面中，有機(jī)阻擋涂層是氟化芳香族聚合物或共聚物。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)阻擋涂層是非芳香族含氟聚合物。
[0079] 在其他實(shí)施方式中，保護(hù)層P可包括聚亞二甲苯（例如，聚對(duì)二甲苯、取代的聚對(duì) 二甲苯，或從亞二甲苯制備的和/或包括-ch 2-(C6H4) _CH2-的重復(fù)單元的任何其他聚合物，其中，可用烷基或芳基取代基來代替重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子）。在一些方面中，聚亞二甲苯可具有大約10和大約100000個(gè)之間的重復(fù)單元（例如，大約10個(gè)、大約50個(gè)、大約100個(gè)、大約500個(gè)、大約1000個(gè)、大約2500個(gè)、大約5000個(gè)、大約75000個(gè)、大約10000 個(gè)、大約25000個(gè)、大約50000個(gè)、大約75000個(gè)、或大約100000個(gè)重復(fù)單元），其中，每個(gè)重復(fù)單元具有芳族基基團(tuán)，并且，可以被取代或不取代。在一些方面中，有機(jī)阻擋涂層或保護(hù) 層P包括聚對(duì)二甲苯、聚（對(duì)-2-氯苯二甲基）、聚（對(duì)-2, 6二氯苯二甲基）和氟代聚對(duì) 二甲苯。在一些方面中，氟代聚對(duì)二甲苯在非芳香族碳原子上包括氟代取代基，并具有結(jié)構(gòu) [-CF 2-(C6H4)-CF2-]n。在一些方面中，聚亞二甲苯保護(hù)層P是均聚物。在一些方面中，聚亞二甲苯保護(hù)層P是至少兩種不同的亞二甲苯單體的共聚物。
[0080] 圖4示出了基底52的截面圖，可將LED芯片22安裝或以其他方式支撐或布置于基底52上?；?2可包括，例如，傳導(dǎo)焊盤70、第一和第二導(dǎo)電跡線64和66,以及至少部分地設(shè)置于傳導(dǎo)焊盤70和每個(gè)導(dǎo)電跡線64和/或66之間的焊接掩模72。導(dǎo)電跡線64、 66和導(dǎo)電焊盤70可涂有第一層68,例如Ag?？蓪⒈Ｗo(hù)層P如所示出的設(shè)置于Ag上，或者，與圖5至圖12所示的任何實(shí)施方式類似?；?2可進(jìn)一步包括介電層74和芯層76。焊接掩模72可直接粘結(jié)至介電層74的部分。為了說明的目的，基底52可包括MCPCB，例如，那些可從明尼蘇達(dá)州Chanhassan的Bergquist公司獲得及由其制造的。然而，可使用任何適當(dāng)?shù)幕?2。芯層76可包括傳導(dǎo)金屬層，例如，銅或鋁。介電層74可包括電絕緣但是導(dǎo) 熱的材料，以幫助通過基底52散熱。
[0081] 如之前提到的，器件50可包括可能不需要或不使用任何輔助光學(xué)器件來防止有害元素使傳導(dǎo)焊盤70退化的封裝。特別地，這里公開的器件、部件和方法可提供改進(jìn)的化學(xué)耐性和改進(jìn)的化學(xué)特性，其中，出現(xiàn)亮度的零損失和/或最小損失，即使在存在有害化學(xué) 品的情況中也是這樣，并且，可應(yīng)用于任何SMD類型的器件或這里公開的多陣列器件。這種改進(jìn)可防止涂有Ag的部件失去光澤、變暗、腐蝕或以其他方式退化。
[0082] 值得注意地，在制造這里描述的器件的過程中，可選地，可執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)額外的處理技術(shù)或步驟，以改進(jìn)器件內(nèi)的一層或多層之間的粘結(jié)?？墒褂眠@種可選的處理步驟，并將其應(yīng)用于之前示出和描述的器件，以及下面描述的圖5至圖12中的那些器件。例如，在將一個(gè)或多個(gè)相鄰表面沉積或應(yīng)用在器件內(nèi)之前，可對(duì)一個(gè)或多個(gè)表面執(zhí)行這種可選的技術(shù)?？稍诒砻婊?qū)樱ɡ纾也幌抻?，Cu表面（例如，器件10的元件14，16和/或18的內(nèi) 部30,和/或器件50的傳導(dǎo)焊盤70、跡線64和66的表面）、Ag表面（例如，器件10的元件14、16和/或18的外部32,器件50的材料層68)，和/或保護(hù)層P的表面）上執(zhí)行該技術(shù)和/或可選的處理步驟。在一個(gè)方面中，可物理地、化學(xué)地或熱地制備或處理這些表面中的一個(gè)或多個(gè)，以改進(jìn)所處理的表面和相鄰表面或相鄰層之間的粘結(jié)。
[0083] 本質(zhì)上是物理的可選的處理步驟可包括例如且不限于，噴砂、等離子體蝕刻、刷光、搭接、砂紙打磨、拋光、研磨，和/或任何適當(dāng)形式的表面粗化處理（例如，物理地使表面具有某種結(jié)構(gòu)），以改進(jìn)這里示出和描述的器件內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)層或表面之間的粘結(jié)。本質(zhì) 上是化學(xué)的可選的處理步驟可包括例如且不限于，化學(xué)蝕刻、施加溶劑、施加有機(jī)溶劑、施加酸、施加堿、蒸汽脫脂、涂底漆，或任何適當(dāng)?shù)挠糜谔幚肀砻嬉愿倪M(jìn)這里示出和描述的器件內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)層或表面之間的粘結(jié)的化學(xué)工藝?？蛇x的熱處理步驟可包括且不限于，預(yù)烘干、預(yù)加熱，或任何適當(dāng)?shù)母倪M(jìn)這里示出和描述的器件內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)層或表面之間的粘結(jié)的熱處理。
[0084] 圖5至圖12是之前描述的發(fā)光器件10的截面圖，其示出了保護(hù)層P在器件10的不同表面內(nèi)和/或上方的各種位置或放置。圖5至圖12中示出和描述的保護(hù)層P的位置同樣可應(yīng)用于器件50 (圖3和圖4)，以及任何其他LED器件、部件或?qū)嵤┓绞剑ɡ?，下調(diào) 器件，見圖12,通孔、電視背光下調(diào)部件），然而，為了說明的目的，在這許多方面中僅示出了器件10。
[0085] 在一些方面中，在發(fā)光器件內(nèi)可使用至少一個(gè)保護(hù)層P，用于通過對(duì)化學(xué)復(fù)合物 C (圖2,圖4)提供保護(hù)阻擋層，來改進(jìn)器件的化學(xué)耐性。在一些方面中，保護(hù)層P可防止Ag 部件失去光澤、腐蝕、變暗和/或退化，從而，即使在存在復(fù)合物C(圖2,圖4)時(shí)，也可保持發(fā)光器件的亮度和光學(xué)特性。
[0086] 圖5至圖12示出了保護(hù)涂層或?qū)覲，可將其直接和/或間接地施加在涂有Ag的熱和電部件14和16,18上，相對(duì)于器件部件施加在不同的位置，和/或在器件10的不同的生產(chǎn)階段施加。在一些方面中，保護(hù)層P的放置可用處理步驟的順序表示。例如，如果在施加保護(hù)層P之前安裝LED芯片22或絲焊24,那么，保護(hù)層P通常將涂覆LED芯片22和絲焊的部分，以及Ag或包含Ag的表面的部分。其他處理步驟可能包括，保護(hù)層P的掩蓋和/或然后去除?？紤]所有處理順序以及由此考慮保護(hù)層P的放置，并且，其不限于如這里描述的這種代表性的順序和/或位置。
[0087] 可在器件10內(nèi)使用兩個(gè)或多個(gè)保護(hù)層（例如，分別是第一和第二有機(jī)阻擋保護(hù)層 P1和P2 (例如，見圖8))，來保護(hù)不受到有害的化學(xué)復(fù)合物的影響，所述化學(xué)復(fù)合物可能穿透器件10并使器件10的部件退化（見圖8)。首先注意，并且，僅為了說明的目的，這里示出的保護(hù)層的數(shù)量可能限于兩個(gè)，然而，在生產(chǎn)過程中的任何步驟，和/或在器件10內(nèi)的任何位置，可使用經(jīng)由CVD處理而施加的任何適當(dāng)數(shù)量的包括有機(jī)阻擋涂層的保護(hù)層，并且，在這里考慮這種施加步驟和/或位置。
[0088] 如之前描述的，保護(hù)層P(和/或P1和P2,圖8)可包括聚亞二甲苯和/或包含碳氟化合物的聚亞二甲苯的有機(jī)阻擋涂層，其具有包括例如大約lnm和100 μ m之間的厚度。如之前描述的，考慮大約lnm和100 μ m之間的厚度的任何子范圍?？蓪⒈Ｗo(hù)層P以任何形式傳遞和/或施加（例如但不限于，經(jīng)由CVD施加）至器件10。保護(hù)層P可提供保護(hù)以防止不期望的化學(xué)品、化學(xué)蒸汽和化學(xué)復(fù)合物C (圖2,圖4)的影響，所述保護(hù)層用作Ag和Cu 以及包含這種金屬的襯底上的柔性抗氧化和/或抗腐蝕層。
[0089] 如圖5所示，可在將器件本體12模制在引線框部件周圍的處理步驟之前，在電和熱元件16,18和14上施加、沉積或以其他方式設(shè)置保護(hù)層P。也就是說，在一些方面中，保護(hù)層P可延伸到至少部分地位于模制塑料本體12的一部分內(nèi)的位置，以使得其與本體12 的一個(gè)或多個(gè)表面接觸。在一個(gè)方面中，如所示出的，可將保護(hù)層P設(shè)置在本體12的一個(gè) 或多個(gè)部分之間。還可將保護(hù)層P設(shè)置在LED芯片22與熱元件14的外部32之間。如之前描述的，外部32可包括一層Ag (或Ag合金涂層或鍍層），保護(hù)層P可在其上提供保護(hù)性阻擋層，以防止Ag受到會(huì)使其失去光澤、氧化或腐蝕的復(fù)合物的影響。保護(hù)層P可保持器件10的光學(xué)特性（例如亮度），不管是否暴露于不期望的可能穿透器件的化學(xué)復(fù)合物?？?選地，還可這樣施加保護(hù)層P，使得，其完全在腔體26的底部34上延伸，以及在本體12的部分內(nèi)延伸，使得，層P在本體的絕緣部分20上延伸，以及在涂有Ag的部件的部分上（例如，在元件14,16和18的外部32上）延伸。
[0090] 圖6示出了器件10的一個(gè)實(shí)施方式，其中，可在模制本體12的處理步驟之后，但是在模具附接一個(gè)或多個(gè)LED芯片、絲焊LED芯片，和/或施加密封劑28之前，施加或沉積保護(hù)層P。因此，保護(hù)層P可延伸至器件10內(nèi)的位于LED芯片22下方且沿著腔體底部34 的至少一部分的位置。在一些方面中，保護(hù)層P可在熱元件14的上表面和LED芯片22之間延伸。在一些方面中，可將保護(hù)層P設(shè)置在腔體底部34的整個(gè)表面的上方，從而，設(shè)置在每個(gè)熱和電元件14,16和18以及本體12的絕緣部分20的表面上。在一些方面中，可選地，保護(hù)層P可如所示出的沿著反射器腔體26的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁延伸。在需要的地方，可使用并且在這里考慮額外的處理步驟，例如，掩蓋和/或蝕刻保護(hù)層P。
[0091] 圖7示出了器件10的一個(gè)實(shí)施方式，其中，可在絲焊的處理步驟之后但是在施加密封劑28的處理步驟之前，施加保護(hù)層P。在一個(gè)方面中，保護(hù)層P可至少部分地涂覆絲焊 24、LED芯片22、腔體26的壁部、腔體底部34的部分或表面，以及熱元件14和電元件16與 18的表面（例如，元件14,16和18的外部32)。
[0092] 圖8示出了一個(gè)實(shí)施方式，其中，可施加不止一個(gè)保護(hù)層，例如，第一保護(hù)層P1和第二保護(hù)層P2。可在制造發(fā)光器件10(和/或器件50)的過程中的任何處理步驟施加第一和第二保護(hù)層P1和P2,從而，采用圖2、圖4以及圖5至圖12中的任何圖中示出和描述的放置（例如，差異僅在于施加不止一個(gè)保護(hù)層P)。第一和第二保護(hù)層P1和P2均可包括如之前描述的有機(jī)阻擋材料。保護(hù)層P1和P2可包括范圍從大約lnm到大約100 μ m的任何厚度。然而，在存在不止一層的地方，也可使用小于lnm和/或大于100 μ m的厚度。如所示出的，在模具附接LED芯片22之前，可將第一和第二保護(hù)層P1和P2施加在熱和電元件 14,16和18的外部32上。可選地，如所示出的，第一和第二層P1和P2可向上延伸至反射器腔體26的側(cè)壁。
[0093] 圖9示出了器件10的另一實(shí)施方式，其中，已在模具附接的處理步驟之后但是在施加密封劑28的步驟之前，施加了保護(hù)層P。也就是說，可將保護(hù)層P定位在這樣的地方，使得其在LED芯片22的側(cè)表面和上表面周圍延伸，并在絲焊24的部分上延伸，其中絲焊24 附接至LED芯片22 (例如，在絲焊球處）。還可將保護(hù)層P完全設(shè)置在腔體底部34上方，設(shè) 置在元件14,16和18的外部32以及本體12的絕緣部分20的上方。可選地，保護(hù)層P可向上延伸至腔體26的側(cè)壁。特別地，保護(hù)層P可包括（但是并非必須包括）均勻的厚度。例如，在層P的原地聚合的過程中，層P可能在發(fā)光器件10內(nèi)的特征周圍發(fā)展更厚的區(qū)域或嵌條。例如，如所示出的，層P在LED芯片22周圍的區(qū)域T中可能更厚。這里還考慮并提供保護(hù)層P的更薄的區(qū)域。
[0094] 圖10示出了器件10的一個(gè)實(shí)施方式，其中，已在LED芯片22的模具附接之后但是在施加密封劑28之前，施加了保護(hù)層P。如圖10所示，可將保護(hù)層P定位且然后施加在第一層80上。第一層80可包括任何類型的涂層或?qū)樱?，粘結(jié)涂層或?qū)樱绊懝獾耐繉?或?qū)?，光學(xué)涂層，或另一保護(hù)阻擋涂層或?qū)?，例如，有機(jī)涂層、無機(jī)涂層，或氧化物。
[0095] 在一些方面中，第一層80包括影響光的材料層，例如，包含密封劑的磷光體材料層，當(dāng)由從LED芯片22發(fā)出的光激活時(shí)，該材料層發(fā)出所需色點(diǎn)的光?？蓪⒌谝粚?0設(shè)置在LED芯片22的部分和保護(hù)層P之間，設(shè)置在元件14,16和18的外部32和保護(hù)層P之間，和/或設(shè)置在本體12的絕緣部分20和保護(hù)層P之間。在一個(gè)替代實(shí)施方式中，LED芯片22可包括水平結(jié)構(gòu)的（S卩，同一底側(cè)上的兩個(gè)觸點(diǎn)）芯片，將其直接附接至（例如，無絲焊）電元件16和18。也就是說，可在LED芯片22的底面上設(shè)置電觸點(diǎn)或結(jié)合焊盤（未示出），并將其經(jīng)由導(dǎo)電模具附接粘合劑（例如，硅酮、環(huán)氧樹脂，或?qū)щ娿y（Ag)環(huán)氧樹脂）直接附接至電元件16和18,使得，LED芯片22的電觸點(diǎn)與元件16和18直接電連通，不需要絲焊24。然后，可在LED芯片22上施加第一層80,并且，其可包括包含密封劑的磷光體層。然后，如所示出的，可在LED芯片22和第一層80上均施加保護(hù)層P。
[0096] 圖11示出了器件10的另一實(shí)施方式，其中，可在施加（例如分配）密封劑28的處理步驟的過程中，施加保護(hù)層P。例如，圖11示出了在施加密封劑28的處理步驟的過程中施加的保護(hù)層P，使得將其設(shè)置在密封劑28的不止一個(gè)不連續(xù)的部分之間。在此實(shí)施方式中，可將保護(hù)層P設(shè)置在密封劑28的兩個(gè)部分之間，使得，可防止不期望的復(fù)合物C(圖 2)到達(dá)涂有Ag的部件（例如，元件14,16和18的外部32)，從而，防止Ag部件可能出現(xiàn)任何可能的損壞、腐蝕或變暗。也就是說，可將保護(hù)層P設(shè)置在密封劑28的層或部分之間，或在兩個(gè)或多個(gè)分開的密封步驟之間設(shè)置。在一些方面中，可在兩層或多層密封劑28之間提供不止一個(gè)保護(hù)層P。有利地，這可允許器件10在操作過程中產(chǎn)生大約零的亮度損失或最小的亮度損失，即使在存在有害的化學(xué)品、化學(xué)蒸汽、氧氣或濕氣時(shí)也是這樣。
[0097] 圖12示出了器件10的另一實(shí)施方式。器件10可包括兩個(gè)電元件16和18, LED芯片22可與其電連接。凸出部分36和38可朝著彼此向內(nèi)彎曲，從而適應(yīng)任一 J彎曲。在此實(shí)施方式中，LED芯片22可包括堅(jiān)直結(jié)構(gòu)的器件，其在底面上具有第一電觸點(diǎn)或結(jié)合焊盤，并在相對(duì)的頂面上具有第二電觸點(diǎn)或結(jié)合焊盤。第一電觸點(diǎn)可經(jīng)由模具附接粘合劑（例如，硅酮、助焊劑、焊料、環(huán)氧樹脂，等等）與第一電元件16電連接和物理地連接，并且，第二電觸點(diǎn)可經(jīng)由絲焊24與第二電元件18電連接和物理地連接。在此實(shí)施方式中，發(fā)光器件 10可包括下調(diào)或凹槽類型的封裝，其中，LED芯片22和/或至少第一電元件可位于與LED 封裝或器件的其他部件不同的平面上（例如，位于與第二電元件18不同的平面上）。在此實(shí)施方式中，可在圖5至圖12所示的任何位置施加保護(hù)層P。為了說明的目的，將保護(hù)層P 示出為，在固定并絲焊LED芯片22之前施加。然而，考慮保護(hù)層P的任何適當(dāng)?shù)姆胖庙樞蚝?/或位置，例如，沿著器件10的一個(gè)或多個(gè)側(cè)壁，和/或與其他層組合地施加?？蛇@樣施加保護(hù)層P，使得其設(shè)置在本體12的一部分上（例如，在16和18之間），然后，如所示出的，如果需要，則可經(jīng)由可選的掩蓋和/或蝕刻步驟來去除?？蓪⒈Ｗo(hù)層P應(yīng)用在一個(gè)或多個(gè) 基本上均勻的或基本上不均勻的層中。
[0098] 以上圖中所示和描述的本公開的實(shí)施方式，是可在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)得到的許多實(shí)施方式的代表?？紤]到，改進(jìn)化學(xué)耐性的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)及其制造方法可包括許多除了那些特別公開的以外的結(jié)構(gòu)，包括那些特別公開的組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光器件的部件，所述部件包括：銀（Ag)部，至少部分地設(shè)置于所述部件的表面的上方；以及保護(hù)層，至少部分地設(shè)置于所述Ag部上方，所述保護(hù)層至少部分地包括有機(jī)阻擋材料，其可增加所述Ag部的化學(xué)耐性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括聚亞二甲苯（例如，聚（對(duì)二甲苯））、取代的聚（對(duì)二甲苯）、包含碳氟化合物的聚（對(duì)二甲苯），和/或任何其他從亞二甲苯基制備的和/或包括-CH2-(C6H4)-CH2-基重復(fù)單元的聚合物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的部件，其中，可用烷基或芳基取代基來代替所述重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的部件，其中，可用鹵代基來代替所述重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括聚合物，其中，從亞二甲苯基聚合物前體物質(zhì)中得到的部分或基本上所有的芳香環(huán)已被轉(zhuǎn)換成環(huán)狀或非環(huán)狀非芳香基。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括聚（對(duì)二甲苯），聚（對(duì)-2-氯苯二甲基）、聚（對(duì)-2, 6二氯苯二甲基），以及氟代聚（對(duì)二甲苯）。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括一層聚對(duì)二甲苯基和這種聚合物族的變型。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括大約Inm至大約lOOym之間的厚度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的部件，其中，所述保護(hù)層包括大約0. 5ym至大約Iym之間的厚度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述Ag部包括包含Ag的襯底。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，所述保護(hù)層直接設(shè)置在所述包含Ag的襯底的上方及其上部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，發(fā)光二極管（LED)芯片至少部分地設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，一層密封劑至少部分地設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，一層磷光體包含材料設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，材料層設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，所述部件包括兩個(gè)或多個(gè)設(shè)置于所述包含Ag 的襯底上方的保護(hù)層，其中，每個(gè)保護(hù)層至少部分地包括有機(jī)阻擋材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，所述保護(hù)層具有均勻或不均勻的厚度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的部件，其中，所述部件包含在表面安裝器件（SMD)類型的發(fā) 光器件內(nèi)。
19. 一種發(fā)光器件，包括：包含銀（Ag)的襯底；一個(gè)或多個(gè)發(fā)光芯片，設(shè)置于所述包含Ag的襯底的上方；以及保護(hù)層，設(shè)置于所述包含Ag的襯底的上方，所述保護(hù)層至少部分地包括有機(jī)阻擋材料，用于增加所述包含Ag的襯底的化學(xué)耐性。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括聚亞二甲苯（例如，聚（對(duì)二甲苯））、取代的聚（對(duì)二甲苯）、包含碳氟化合物的聚（對(duì)二甲苯），和/或任何其他從亞二甲苯制備的和/或包括-CH2-(C6H4)-CH2-基重復(fù)單兀的聚合物。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其中，可用烷基或芳基取代基來代替所述重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其中，可用鹵代基來代替所述重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括聚合物，其中，從亞二甲苯聚合物前體物質(zhì)得到的部分或基本上所有的芳香環(huán)已被轉(zhuǎn)換成環(huán)狀或非環(huán)狀非芳香基。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括聚（對(duì)二甲苯）、聚（對(duì)-2-氯苯二甲基）、聚（對(duì)-2, 6二氯苯二甲基），以及氟代聚（對(duì)二甲苯）。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括一層聚對(duì)二甲苯，或 PARYLENE?，或這種聚合物族的變型。
26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括大約Inm和大約100ym之間的厚度。
27. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層包括大約0. 5ym和大約Iym之間的厚度。
28. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層直接設(shè)置在所述包含Ag的襯底的上方。
29. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述發(fā)光芯片包括發(fā)光二極管（LED)，至少部分地設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
30. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，一層密封劑至少部分地設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的器件，其中，所述保護(hù)層至少部分地設(shè)置在所述密封劑的一個(gè)或多個(gè)部分之間。
32. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，材料層設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
33. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，一層磷光體包含材料設(shè)置在所述保護(hù)層和所述包含Ag的襯底之間。
34. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，進(jìn)一步包括設(shè)置于所述包含Ag的襯底上方的兩個(gè)或多個(gè)保護(hù)層，其中，每個(gè)保護(hù)層均包括有機(jī)阻擋材料。
35. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述保護(hù)層具有均勻的或不均勻的厚度。
36. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述包含Ag的襯底包含在模制塑料本體內(nèi)。
37. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述包含Ag的襯底是所述器件的一層基底。
38. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，所述包含Ag的襯底包含在陶瓷本體內(nèi)。
39. -種提供發(fā)光器件的部件的方法，所述方法包括：提供發(fā)光器件的部件，所述部件具有銀（Ag)部；以及在所述Ag部上施加保護(hù)層，所述保護(hù)層至少部分地包括增加所述Ag部的化學(xué)耐性的有機(jī)阻擋材料。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層包括，使用化學(xué)蒸汽沉積來形成一層聚合的聚亞二甲苯（例如，聚（對(duì)二甲苯））、取代的聚（對(duì)二甲苯）、包含碳氟化合物的聚（對(duì)二甲苯），或任何其他從亞二甲苯制備的和/或包括-CH2- (C6H4) -CH2-基重復(fù)單元的聚合物。
41. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，進(jìn)一步包括，用烷基或芳基取代基來代替所述重復(fù) 單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
42. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，進(jìn)一步包括，用鹵代基來代替所述重復(fù)單元中的一個(gè)或多個(gè)氫原子。
43. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中，所述保護(hù)層包括聚合物，其中，從亞二甲苯聚合物前體物質(zhì)得到的部分或基本上所有的芳香環(huán)已被轉(zhuǎn)換成環(huán)狀或非環(huán)狀非芳香基。
44. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層包括，沉積聚（對(duì)二甲苯）、聚 (對(duì)-2-氯苯二甲基）、聚（對(duì)-2, 6二氯苯二甲基），以及氟代聚對(duì)二甲苯。
45. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層包括，施加一層聚對(duì)二甲苯，或PARYLENE?，或這種聚合物族的變型。
46. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層包括，施加具有大約Inm和大約IOOym之間的厚度的層。
47. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中，施加所述保護(hù)層包括，施加具有大約0. 5ym和大約IUm之間的厚度的層。
48. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括，在施加所述保護(hù)層之前，掩蓋所述部件的區(qū)域。
49. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括，經(jīng)由噴砂、等離子體蝕刻、刷光、搭接、砂紙打磨、拋光、或研磨來制備所述Ag部或所述保護(hù)層的表面以改進(jìn)粘結(jié)。
50. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，進(jìn)一步包括，經(jīng)由化學(xué)蝕刻、施加溶劑、施加有機(jī)溶齊IJ、施加酸、施加堿、蒸汽脫脂，或涂底漆來化學(xué)地處理所述Ag部或所述保護(hù)層的表面以改進(jìn)粘結(jié)。
51. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述方法進(jìn)一步包括，經(jīng)由預(yù)烘干或預(yù)加熱來熱處理所述Ag部或所述保護(hù)層的表面以改進(jìn)粘結(jié)。
52. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，在模制所述發(fā)光器件的本體之前施加所述保護(hù)層。
53. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，在模具附接所述發(fā)光器件的至少一個(gè)發(fā)光二極管（LED)之前施加所述保護(hù)層。
54. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，在對(duì)所述發(fā)光器件施加密封之前施加所述保護(hù)層。
55. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中，在對(duì)所述發(fā)光器件施加至少一層密封之后施加所述保護(hù)層。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK104247060SQ201280068933
【公開日】2014年12月24日申請(qǐng)日期:2012年11月30日優(yōu)先權(quán)日:2011年12月1日
【發(fā)明者】林孝本, 彼得·斯科特·安德魯斯申請(qǐng)人:克利公司

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