有機el器件的制造方法及制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機EL器件的制造方法及制造裝置，其能夠制造抑制了品質(zhì)下降的有機EL器件。有機EL器件的制造方法為一邊使帶狀的基材沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材上形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的有機EL器件的制造方法，該制造方法包括結(jié)構(gòu)層形成工序，在該結(jié)構(gòu)層形成工序中，一邊使上述基材沿其長度方向移動，一邊在沿著該基材的移動方向設(shè)置的第1蒸鍍部及第2蒸鍍部自蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進(jìn)行蒸鍍，該結(jié)構(gòu)層形成工序包括多個朝上蒸鍍工序，以及方向變換工序。
【專利說明】有機EL器件的制造方法及制造裝置
[0001]本申請主張日本特愿2011-229872號、日本特愿2011-245844號、日本特愿2012-020884號、日本特愿2012-113290號的優(yōu)先權(quán)，這些申請通過引用而編入本申請說明書的記載。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種有機EL器件的制造方法及制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，作為用于新時代的低耗電的發(fā)光顯示裝置的器件，有機EL (電致發(fā)光)器件受到關(guān)注。有機EL器件基本由有機EL元件構(gòu)成，該有機EL元件具有基材、設(shè)于該基材之上的有機EL層、一對電極層。有機EL層包括至少I層由有機發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層。該有機EL器件由于有機發(fā)光材料而能夠獲得多彩的顏色的發(fā)光。另外，由于有機EL器件為自發(fā)光器件，因此用作電視(TV)等的顯示屏的用途受到關(guān)注。
[0004]更具體而言，通過將作為有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的陽極層、有機EL層及陰極層依次層疊于基材上，從而形成有機EL器件。
[0005]在這樣的有機EL器件的制造方法中，作為在基材上形成(成膜)有機EL元件的結(jié)構(gòu)層(以下，有時僅稱為結(jié)構(gòu)層)的方法，一般公知有真空蒸鍍法、涂敷法。在這些方法中，尤其是真空蒸鍍法能夠提高結(jié)構(gòu)層形成材料的純度，而容易得到高壽命，因此主要使用真空蒸鍍法。
[0006]在上述真空蒸鍍法中，使用被設(shè)在真空腔內(nèi)的與基材相對的位置的蒸鍍源來進(jìn)行蒸鍍，從而形成結(jié)構(gòu)層。具體而言，借助配置于各蒸鍍源的加熱部來加熱結(jié)構(gòu)層形成材料并使其氣化。氣化的結(jié)構(gòu)層形成材料(氣化材料)自蒸鍍源被噴出。通過在基材上將氣化材料蒸鍍?yōu)榻Y(jié)構(gòu)層，從而形成該結(jié)構(gòu)層。
[0007]對于該真空蒸鍍法，從低成本化等的觀點而言，采用卷工藝(日文:口一> 口七>)。所謂卷工藝是指以下工藝:將卷取成卷狀的帶狀的基材連續(xù)地放出，一邊使被放出的基材移動，一邊在基材上連續(xù)地蒸鍍結(jié)構(gòu)層，將蒸鍍有該結(jié)構(gòu)層的基材卷取為卷狀。(參照專利文獻(xiàn)I)。
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-287996號公報。
[0009]但是，在上述卷工藝中，當(dāng)將蒸鍍源配置于比基材靠上方的位置，而自該蒸鍍源朝向下方的基材噴出氣化材料而形成結(jié)構(gòu)層時，有灰塵等異物自蒸鍍源掉下而附著于基材并混入于有機EL元件中的情況。當(dāng)異物混入該有機EL元件時，會對該有機EL元件的發(fā)光帶來不好的影響。
[0010]因此，為了抑制該異物的混入，考慮將蒸鍍源配置于比基材靠下方的位置，而自該蒸鍍源朝向上方的基材噴出上述氣化材料而形成結(jié)構(gòu)層。
[0011]但是，如以上所述，有機EL器件通過將多個結(jié)構(gòu)層層疊而形成，因此當(dāng)要自下方進(jìn)行蒸鍍而依次形成所有的結(jié)構(gòu)層時，有必要將蒸鍍源依次排列于基材的下方，并以基材通過所有蒸鍍源的上方的方式使該基材移動。
[0012]這種情況下，基材的通過蒸鍍源的區(qū)域變得非常長，因此難以對基材施加充分的張力，基材變得容易彎曲、或振動。于是，當(dāng)基材的彎曲、振動導(dǎo)致基材的蒸鍍面與蒸鍍源接觸時，有可能損傷基材、已形成在基材上的結(jié)構(gòu)層。另外，當(dāng)基材與蒸鍍源的距離變化時，難以適當(dāng)?shù)乜刂平Y(jié)構(gòu)層的厚度，有可能無法獲得具有所期望發(fā)光特性的結(jié)構(gòu)層。
[0013]另一方面，當(dāng)為了防止基材的彎曲、振動而利用輥構(gòu)件等自下方支承基材時，有可能棍構(gòu)件與基材的蒸鍍面接觸而損傷已形成了的結(jié)構(gòu)層。
[0014]這樣，當(dāng)產(chǎn)生由異物的混入、厚度的控制困難導(dǎo)致的發(fā)光不良或者由基材與蒸鍍源、輥構(gòu)件等接觸導(dǎo)致的基材的蒸鍍面的損傷時，有機EL器件的品質(zhì)下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]有鑒于上述問題點，本發(fā)明目的是提供能制造抑制了品質(zhì)下降的有機EL器件的有機EL器件的制造方法及制造裝置
[0016]本發(fā)明的有機EL器件的制造方法的特征在于，該制造方法為一邊使帶狀的基材沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的有機EL器件的制造方法，該制造方法包括結(jié)構(gòu)層形成工序，在該結(jié)構(gòu)層形成工序中，一邊使上述基材沿上述長度方向移動，一邊在沿著該基材的移動方向配置的至少第I蒸鍍部及第2蒸鍍部自蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進(jìn)行蒸鍍，上述結(jié)構(gòu)層形成工序包括:朝上蒸鍍工序，在該朝上蒸鍍工序中，在上述第I蒸鍍部及第2蒸鍍部，一邊使上述基材以其蒸鍍面朝下的狀態(tài)移動，一邊自在該基材的下方配置的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料而進(jìn)行蒸鍍；方向變換工序，在該方向變換工序中，利用設(shè)于上述第I蒸鍍部和上述第2蒸鍍部之間的引導(dǎo)機構(gòu)，一邊對自上述第I蒸鍍部輸送過來的上述基材以該基材的非蒸鍍面為內(nèi)周面的方式從該非蒸鍍面?zhèn)冗M(jìn)行支承，一邊使該基材翻轉(zhuǎn)以使得上述蒸鍍面先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材引導(dǎo)至上述第2蒸鍍部。
[0017]另外，對于上述制造方法，優(yōu)選為，上述引導(dǎo)機構(gòu)具有用于支承上述非蒸鍍面的多個輥構(gòu)件，該輥構(gòu)件中的至少I個輥構(gòu)件沿著相對于上述基材的寬度方向傾斜的方向配置。
[0018]另外，對于上述制造方法，優(yōu)選為，上述輥構(gòu)件中的至少I個輥構(gòu)件沿著相對于上述基材的寬度方向呈45°傾斜的方向配置。
[0019]本發(fā)明的有機EL器件的制造裝置的特征在于，該制造裝置為一邊使帶狀的基材沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的有機EL器件的制造裝置，該制造裝置具有:至少第I蒸鍍部及第2蒸鍍部，其沿著上述基材的移動方向配置，具有在移動的上述基材的下方配置的蒸鍍源，一邊使上述基材以其蒸鍍面朝下的狀態(tài)移動，一邊自該蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料而進(jìn)行蒸鍍；方向變換部，其設(shè)于上述第I蒸鍍部和上述第2蒸鍍部之間，一邊對自上述第I蒸鍍部輸送過來的上述基材以該基材的非蒸鍍面為內(nèi)周面的方式從該非蒸鍍面?zhèn)冗M(jìn)行支承，一邊使該基材翻轉(zhuǎn)以使得上述蒸鍍面先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材引導(dǎo)至上述第2蒸鍍部。
【專利附圖】

【附圖說明】[0020]圖1為示意性地表示本發(fā)明的一實施方式的有機EL器件的制造裝置的概略立體圖。
[0021]圖2為圖1的I個引導(dǎo)機構(gòu)中的輥構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0022]圖3為示意性地表示在圖1的I個引導(dǎo)機構(gòu)移動的基材的非蒸鍍面與輥構(gòu)件的抵接位置的概略平面圖。
[0023]圖4為在圖1的其他的引導(dǎo)機構(gòu)中的輥構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0024]圖5為示意性地表示在圖4的引導(dǎo)機構(gòu)移動的基材的非蒸鍍面與輥構(gòu)件的抵接位置的概略平面圖。
[0025]圖6A為示意性地表示有機EL元件的層結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
[0026]圖6B為示意性地表示有機EL元件的層結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
[0027]圖6C為示意性地表示有機EL元件的層結(jié)構(gòu)的概略剖視圖。
[0028]圖7為示意性地表示在比較例中使用的制造裝置的概略側(cè)視圖。
[0029]圖8為表不實施例及比較例的試驗樣品的施加電壓和發(fā)光売度之間關(guān)系的圖表。
[0030]圖9為從有機EL元件側(cè)看的實施例及比較例的試驗樣品的照片。
[0031]圖10為表示輥構(gòu)件的一實施方式的概略側(cè)視圖。
[0032]圖11為圖10的X1-XI剖視圖。
[0033]圖12為表示輥構(gòu)件的一實施方式的概略側(cè)視圖。
[0034]圖13為表示輥構(gòu)件的一實施方式的概略側(cè)視圖。
[0035]圖14為圖13的X IV -X IV剖視圖。
[0036]圖15為表不引導(dǎo)機構(gòu)的一實施方式的概略側(cè)視圖。
[0037]圖16為圖15的引導(dǎo)機構(gòu)的概略仰視圖。
[0038]圖17為說明圖15的引導(dǎo)機構(gòu)的動作的概略側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0039]以下關(guān)于本發(fā)明的有機EL器件的制造方法及制造裝置的實施方式，一邊參照附圖一邊進(jìn)行說明。
[0040]首先，對本發(fā)明的有機EL器件的制造裝置的實施方式進(jìn)行說明。
[0041]有機EL器件的制造裝置I 一邊使帶狀的基材21在其長度方向上移動，一邊利用蒸鍍在該基材21上形成有機EL元件19。如圖1所示,制造裝置I包括沿著基材21的移動方向配置的蒸鍍部A?D、以及具有引導(dǎo)機構(gòu)31a、31b、31c的方向變換部30a、30b、30c。
[0042]蒸鍍部A?D分別沿著基材21的移動方向(參照空心的箭頭)配置。從基材移動方向上游側(cè)朝向下游側(cè)，以蒸鍍部A、蒸鍍部B、蒸鍍部C、蒸鍍部D的順序配置該蒸鍍部A?D。另外，蒸鍍部A?D分別具有配置于移動的基材21的下方的蒸鍍源9a?91。使基材21以蒸鍍面21a朝下的方式移動，自該蒸鍍源9a?91向基材21的蒸鍍面21a噴出氣化材料，從而蒸鍍部A?D進(jìn)行蒸鍍。
[0043]如圖1及圖4所示，方向變換部30a配置于蒸鍍部A和蒸鍍部B之間。方向變換部30b配置于蒸鍍部B和蒸鍍部C之間。方向變換部30c配置于蒸鍍部C和蒸鍍部D之間。后面詳細(xì)敘述方向變換部30a?30c。
[0044]并且，在本實施方式中，對于隔著方向變換部30b的蒸鍍部A和蒸鍍部B的關(guān)系，蒸鍍部A及蒸鍍部B分別相當(dāng)于本發(fā)明的第I蒸鍍部及第2蒸鍍部。對于隔著方向變換部30b的蒸鍍部和B蒸鍍部C的關(guān)系，蒸鍍部B及蒸鍍部C分別相當(dāng)于本發(fā)明的第I蒸鍍部及第2蒸鍍部。對于隔著方向變換部30c的蒸鍍部C和蒸鍍部D的關(guān)系，蒸鍍部C及蒸鍍部D分別相當(dāng)于本發(fā)明的第I蒸鍍部及第2蒸鍍部。
[0045]制造裝置I具有基材供應(yīng)部5，該基材供應(yīng)部5具有用于供應(yīng)基材21的基材供應(yīng)裝置。自基材供應(yīng)部5供應(yīng)過來的基材21依次供應(yīng)至蒸鍍部A?D，該基材21通過這些蒸鍍部地移動。另外，制造裝置I具有基材回收部6，該基材回收部6具有用于回收基材21的基材回收裝置。經(jīng)過蒸鍍部D后的基材21被基材回收部6回收。
[0046]制造裝置I具有多個真空腔3。在各真空腔3內(nèi)分別配置有基材供應(yīng)部5、蒸鍍部A、蒸鍍部B、蒸鍍部C、蒸鍍部D、方向變換部30a、方向變換部30b、方向變換部30c及基材回收部6。
[0047]利用未圖示的真空產(chǎn)生裝置，使各真空腔3的內(nèi)部成為減壓狀態(tài)，在各真空腔3的內(nèi)部形成真空區(qū)域。另外，鄰接的真空腔之間被保持真空狀態(tài)，且借助未圖示的開口部相連通。并且，借助這些開口部，基材21能夠自基材供應(yīng)部5至基材回收部6依次向下游側(cè)移動。具體而言，自基材供應(yīng)部5放出的基材21，經(jīng)過蒸鍍部A、方向變換部30a、蒸鍍部B、方向變換部30b、蒸鍍部C、方向變換部30c、蒸鍍部D之后，被基材回收部6回收。
[0048]基材供應(yīng)部5用于將卷取為卷狀的帶狀的基材21放出并將其供應(yīng)至蒸鍍部A?D。另外，基材回收部6用于將自基材供應(yīng)部5放出并經(jīng)過蒸鍍部A?D后的基材21卷取為卷狀而回收。即，利用基材供應(yīng)部5及基材回收部6，基材21被放出并被卷取。
[0049]作為基材21的形成材料，使用具有如后述那樣被引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c引導(dǎo)時不會受損傷的撓性的材料，作為這樣的材料，例如能夠列舉出金屬材料、非金屬無機材料、樹脂材料。
[0050]作為該金屬材料，例如能夠列舉出不銹鋼、鐵-鎳合金等合金，銅、鎳、鐵、鋁、鈦等。另外，作為上述鐵-鎳合金，例如能夠列舉出36合金、42合金等。其中，從容易適用于卷工藝的觀點而言，優(yōu)選上述金屬材料為不銹鋼、銅、鋁或鈦。
[0051]作為上述非金屬無機材料，例如能夠列舉出玻璃。這種情況下，作為由非金屬無機材料形成的基材，能夠使用具有柔性的薄膜玻璃。
[0052]作為上述樹脂材料，能夠列舉出熱固化性樹脂或熱塑性樹脂等合成樹脂。作為該合成樹脂，例如能夠列舉出聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚苯乙烯樹月旨、聚乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)共聚物樹脂、聚碳酸酯樹脂、有機硅樹脂、氟樹脂等。另外，作為由上述樹脂材料形成的基材，例如能夠使用上述合成樹脂的膜。
[0053]基材21的寬度、厚度、長度能夠根據(jù)要形成于基材21的有機EL元件19的尺寸、引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c的輥構(gòu)件的結(jié)構(gòu)等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，沒有特別地限定。并且，從能夠抑制在如后述那樣使后述輥構(gòu)件相對于基材21的長度方向傾斜時輥構(gòu)件的長條化的觀點而言，基材21的寬度狹窄是優(yōu)選的。
[0054]蒸鍍部A?D所具有的蒸鍍源9a?91配置于基材21的下方。更詳細(xì)而言，在蒸鍍部A?D中，基材21以其蒸鍍面21a朝下的方式在大致水平方向上移動。另外，配置于蒸鍍部A?D的蒸鍍源9a?91以自外側(cè)(圖1的下側(cè))朝向內(nèi)側(cè)(圖1的上側(cè))的方式設(shè)于真空腔3的底面。并且，各蒸鍍源9a~91的開口配置為在真空腔3內(nèi)與基材21的蒸鍍面21a相對。并且，在圖1中，對配置于蒸鍍部B、C、D的各蒸鍍源的貫穿到真空腔3內(nèi)部的部分省略了圖示，并且，各蒸鍍源9a~91分別具有加熱部(未圖示)。各加熱部對收容于各蒸鍍源的上述材料進(jìn)行加熱而使其氣化，自開口向上方噴出各個被氣化的材料(氣化材料)。
[0055]并且，即使蒸鍍源9a~91如上述那樣貫穿真空腔3，也能夠維持真空腔3的內(nèi)部的真空狀態(tài)。另外，對于本實施方式，在各蒸鍍部A~D配置有與基材21的非蒸鍍面21b抵接而對該基材21施加規(guī)定的張力的張力輥(日文3 >口一9)51。該張力輥51不是必須的構(gòu)成要件，也可以不配置有這些張力輥。[0056]在各蒸鍍部A~D中，蒸鍍源只要與要形成的層相應(yīng)地設(shè)為I個以上即可。在本實施方式中，蒸鍍部A配置有蒸鍍源9a、9b、9k，蒸鍍部B配置有蒸鍍源9c、9d、9e，蒸鍍部C配置有蒸鍍源9f、9g、91,蒸鍍部D配置有蒸鍍源9h、91、9j。另外，蒸鍍源9a~91配置于基材21的下側(cè)且靠近基材21的位置。即，蒸鍍源9a~91配置于使其開口端(噴嘴)和基材21之間的距離(最短距離)為IOmm以下的位置。
[0057]配置于蒸鍍部A的蒸鍍源9a使陽極層形成材料氣化并將其噴出，從而如圖6A到圖6C所示那樣在基材21上的蒸鍍面21a形成陽極層23。另外，配置于蒸鍍部A的蒸鍍源9b使邊緣覆蓋(日文:- ^力〃一)形成材料氣化并將其噴出，從而形成用于對陽極層23的邊緣進(jìn)行覆蓋的邊緣覆蓋24。利用該邊緣覆蓋對陽極層23的周圍進(jìn)行覆蓋，從而能夠防止陽極層23與陰極層27接觸。
[0058]另外，配置于蒸鍍部B的蒸鍍源9c、9d、9e形成用于構(gòu)成有機EL層25的5層有機EL層結(jié)構(gòu)層的其中3層。配置于蒸鍍部C的蒸鍍源9c、9g形成剩下的兩層有機EL層結(jié)構(gòu)層。
[0059]并且，配置于蒸鍍部D的蒸鍍源9h及蒸鍍源9i形成用于構(gòu)成陰極層27的兩層陰極層結(jié)構(gòu)層。另外，配置于該蒸鍍部D的蒸鍍源9j形成密封層29。利用該密封層29對陽極層23、有機EL層25及陰極層27進(jìn)行覆蓋，從而能夠防止上述各層與空氣接觸。另外，對于本實施方式，配置于蒸鍍部A的蒸鍍源9k和配置于蒸鍍部C的蒸鍍源91的任一者都作為預(yù)備配置，但也能夠使用這些蒸鍍源形成其他的結(jié)構(gòu)層。
[0060]陽極層23只要由一層以上的陽極層結(jié)構(gòu)層形成即可。作為用于形成該陽極層結(jié)構(gòu)層的材料，能夠列舉出金、銀、鋁等。在圖1所示的裝置結(jié)構(gòu)中，例如陽極層23形成為I層的Al層。
[0061]有機EL層25只要由I層以上的有機EL層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成即可。在圖1所示的裝置結(jié)構(gòu)中，有機EL層25形成為由5層有機EL層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的5層層疊體。作為這些有機EL層結(jié)構(gòu)層，例如，如圖6A所示，能夠列舉出自陽極層23側(cè)起依次層疊的空穴注入層25a、空穴傳輸層25b、發(fā)光層25c、電子傳輸層25d及電子注入層25e。并且,只要有機EL層25至少具有作為有機EL層結(jié)構(gòu)層的發(fā)光層25c，則不特別地限定其層結(jié)構(gòu)。另外，例如，如圖6C所示，也可以是，有機EL層為空穴注入層25a、發(fā)光層25c、電子注入層25e依次層疊而成3層層疊體。另外，除此以外，根據(jù)需要也可以是，從上述圖6A的5層結(jié)構(gòu)中除去空穴傳輸層25b或電子傳輸層25d后的4層層疊體。并且,如圖6B所不,有機EL層也可以僅由發(fā)光層25c這I層而構(gòu)成。
[0062]作為用于形成空穴注入層25a的材料，例如，能夠使用銅酞菁(CuPc)、4，4’ -雙[N-4- (N, N- 二間甲苯氨基)苯基]-N-苯基氨基]聯(lián)苯(DNTH))、HAT-CN等。
[0063]作為用于形成空穴傳輸層25b的材料，例如，能夠使用4，4’ -雙[N- (1-萘基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯(a-NPD )、N，N’ - 二苯基-N，N’ 一雙(3-甲基苯基)-1，I’ -聯(lián)苯基-4，4，-二胺(TPD)等。
[0064]作為用于形成發(fā)光層25c的材料，例如，能夠使用摻雜有三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、銥絡(luò)合物(Ir (ppy) 3)的 4，4’ -N，N，-二咔唑聯(lián)苯(CBP)等。
[0065]作為用于形成電子注入層25d的材料，例如，能夠使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li20)等。
[0066]作為用于形成電子傳輸層25e的材料，例如，能夠使用三(8_羥基喹啉)鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(BAlq)、0XD-7 (1，3_雙[5-(對叔丁基苯基)-1, 3,4-惡二唑_2_基])苯、氣化裡(LiF)等。
[0067]陰極層27由I個以上的陰極層結(jié)構(gòu)層形成即可。作為用于形成陰極層結(jié)構(gòu)層的材料，能夠使用氟化鋰(LiF)、或包含鎂(Mg)、銀(Ag)等的合金等。在圖1示出的裝置結(jié)構(gòu)中，例如陰極層27在有機EL層上形成為LiF層和Mg-Ag合金層的兩層層疊體。
[0068]作為形成邊緣覆蓋24的材料，能夠列舉出出氧化硅(SiOx)、三氧化鑰(MoO3)、五氧化二釩(V2O5)等。作為形成密封層29的材料，能夠列舉出出三氧化鑰(Mo03)、氮氧化硅(SiN0x)、含氧碳化硅(SiOC)等。作為SiOx，例如能夠列舉出出SiO2等，作為SiNOx，例如能夠列舉出出SiNO等。
[0069]分別構(gòu)成上述陽極層23、有機EL層25及陰極層27等的各層的厚度通常設(shè)定為數(shù)nm?數(shù)十nm左右,但也可以與使用的結(jié)構(gòu)層形成材料、發(fā)光特性等相應(yīng)地適當(dāng)?shù)卦O(shè)定該厚度，沒有特別地限定。另外，上述邊緣覆蓋24、密封層29的厚度也沒有特別地限定，可以以能夠達(dá)到該邊緣覆蓋24、密封層29的目的，且不妨礙上述陽極層23、有機EL層25及陰極層27的形成、有機EL器件的發(fā)光的方式適當(dāng)?shù)卦O(shè)定該邊緣覆蓋24、密封層29的厚度。
[0070]方向變換部30a?30c具有引導(dǎo)機構(gòu)31a、31b、31c。引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c以如下方式構(gòu)成:一邊對自基材21的移動方向上游側(cè)的蒸鍍部A?C輸送過來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材21引導(dǎo)至上述移動方向下游側(cè)的蒸鍍部B?D。
[0071]在這些引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c中，首先說明引導(dǎo)機構(gòu)31a。
[0072]如圖1?圖3所示，引導(dǎo)機構(gòu)3Ia具有輥構(gòu)件33a、33b、33c這多個輥構(gòu)件。該輥構(gòu)件33a、33b、33c為沿著規(guī)定方向引導(dǎo)基材21的引導(dǎo)構(gòu)件。輥構(gòu)件33a、33b處于大致水平方向上，并且，沿著基材21的寬度方向(與長度方向垂直的方向)配置。棍構(gòu)件33c處于大致水平方向上，并且，相對于基材21的寬度方向呈角度Θ (在本實施方式中為45° )傾斜地配置。這里，輥構(gòu)件的與基材21的寬度方向所成的角度Θ為該基材21的非蒸鍍面21b相對于該基材21的寬度方向(圖3的左右側(cè)向)朝向該基材21的上游側(cè)(圖3的下方向)傾斜的角度。
[0073]另外，在引導(dǎo)機構(gòu)31a中，輥構(gòu)件33a配置于下方。輥構(gòu)件33b以與輥構(gòu)件33a平行的方式配置于該輥構(gòu)件33a的上方。輥構(gòu)件33c位于與輥構(gòu)件33b大致相同的高度，并配置于輥構(gòu)件33b的側(cè)方。[0074]自蒸鍍部A輸送過來的基材21以其非蒸鍍面21b與棍構(gòu)件33a、棍構(gòu)件33b及棍構(gòu)件33c抵接的方式，被張設(shè)于這些輥構(gòu)件上。非蒸鍍面21b —邊被這些輥構(gòu)件支承，一邊被向下游側(cè)引導(dǎo)。
[0075]具體而言，首先以輥構(gòu)件33a為支承軸將自蒸鍍部A輸送過來的基材21向上方大致垂直地彎曲，并將其移動至輥構(gòu)件33b。然后以輥構(gòu)件33b為支承軸使基材21向側(cè)方(圖1的左側(cè))大致垂直地彎曲，并將其移動至輥構(gòu)件33c。通過以這些輥構(gòu)件33a、33b為支承軸彎曲基材21，從而該基材21的蒸鍍面21a自被輥構(gòu)件33a支承前的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)而變?yōu)槌稀?br> [0076]然后，以輥構(gòu)件33c為支承軸將基材21的蒸鍍面21a翻轉(zhuǎn)大致180°的方式將該基材21彎曲至側(cè)方(圖中的進(jìn)深方向的一側(cè))并將其移動至蒸鍍部B。通過以該輥構(gòu)件33c為支承軸彎曲基材21，從而該基材21的蒸鍍面21a變?yōu)槌隆?br> [0077]這樣，一邊利用輥構(gòu)件33a?33c對被引導(dǎo)機構(gòu)31a引導(dǎo)之前蒸鍍面21a朝下的基材21以非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊翻轉(zhuǎn)該基材21以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下?；?1的蒸鍍面21a以朝下的狀態(tài)被送至蒸鍍部B。
[0078]下面，說明引導(dǎo)機構(gòu)31b。
[0079]如圖4、圖5所示，引導(dǎo)機構(gòu)31b具有輥構(gòu)件33d、33e、33f、33g、33h、33i這多個輥構(gòu)件。該輥構(gòu)件33d、33e、33f、33g、33h、33i為用于沿著規(guī)定的方向引導(dǎo)基材21的引導(dǎo)構(gòu)件。輥構(gòu)件33d、33i處于大致水平方向上，并且，沿著基材21的寬度方向配置。輥構(gòu)件33e、33f、33h處于大致水平方向上,并且,相對于基材21的寬度方向呈角度Θ (在本實施方式中例如為45° )傾斜地配置。輥構(gòu)件33g處于大致水平方向上，并且，相對于基材21的寬度方向呈角度-Θ (在本實施方式中例如為-45° )傾斜地配置。
[0080]另外，在引導(dǎo)機構(gòu)31b中，輥構(gòu)件33d配置于下方。輥構(gòu)件30e配置于輥構(gòu)件33d的上方。輥構(gòu)件33f配置于輥構(gòu)件33e的側(cè)方(圖3的左側(cè))并與該輥構(gòu)件33e平行。輥構(gòu)件33g配置于輥構(gòu)件33f的上方。輥構(gòu)件33h配置于輥構(gòu)件33g的側(cè)方(圖3的右側(cè))。輥構(gòu)件33i配置于輥構(gòu)件33h的下方及上述輥構(gòu)件33d的上方。
[0081]自蒸鍍部B輸送過來的基材21以其非蒸鍍面21b與棍構(gòu)件33d、棍構(gòu)件33e、棍構(gòu)件33f、輥構(gòu)件33g、輥構(gòu)件33h、輥構(gòu)件33i抵接的方式，張設(shè)于這些輥構(gòu)件上?；?1 —邊被這些輥構(gòu)件支承，一邊被向下游側(cè)引導(dǎo)。
[0082]具體而言，自蒸鍍部B輸送過來的基材21以輥構(gòu)件33d為支承軸向上方大致垂直地彎曲并向輥構(gòu)件33e移動。然后以輥構(gòu)件33e為支承軸將基材21向側(cè)方(圖3的左側(cè))大致垂直地彎曲并向輥構(gòu)件33f移動。通過以這些輥構(gòu)件33d、33e為支承軸將基材21彎曲，從而該基材21的蒸鍍面21a自被輥構(gòu)件33d支承前的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，變?yōu)槌稀?br> [0083]然后以輥構(gòu)件33f為支承軸將基材21卷于該輥構(gòu)件33f的方式，將該基材21彎曲至上方并向輥構(gòu)件33g移動。通過以該輥構(gòu)件33f為支承軸將基材21彎曲，從而基材21的蒸鍍面21a朝下之后朝向側(cè)方。
[0084]此時，蒸鍍部21a自被上述輥構(gòu)件33d支承前的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)了一次以上。S卩，蒸鍍面21a的第2次翻轉(zhuǎn)開始了。
[0085]然后以輥構(gòu)件33g為支承軸將基材21向側(cè)方(圖4的右側(cè))大致垂直地彎曲并向輥構(gòu)件33h移動。通過以該輥構(gòu)件33g為支承軸將基材21彎曲，從而蒸鍍面21a變?yōu)槌稀?br> [0086]然后以輥構(gòu)件33h為支承軸將基材21向下方大致垂直地彎曲并向輥構(gòu)件33i移動。并且，以輥構(gòu)件33i為支承軸將基材21向側(cè)方大致垂直地彎曲并向蒸鍍部C移動。通過以這些輥構(gòu)件33h、33i為支承軸將基材21彎曲，從而基材21的蒸鍍面21a自被輥構(gòu)件33h支承之前的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，變?yōu)槌隆?br> [0087]這樣，一邊利用輥構(gòu)件33d?33i對被引導(dǎo)機構(gòu)31b引導(dǎo)之前蒸鍍面21a朝下的基材21以非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊將基材21翻轉(zhuǎn)(2次翻轉(zhuǎn))以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下?；?1的蒸鍍面21a以朝下的狀態(tài)被送至蒸鍍部C。
[0088]下面，說明引導(dǎo)機構(gòu)31c。
[0089]如圖1所示，引導(dǎo)機構(gòu)31c具有與引導(dǎo)機構(gòu)31a相同的輥構(gòu)件結(jié)構(gòu)。S卩，引導(dǎo)機構(gòu)31c具有輥構(gòu)件33j、33k、331。這些輥構(gòu)件33j、33k、331分別與引導(dǎo)機構(gòu)31a的輥構(gòu)件33c、33b、33a相對應(yīng)。另外，對于引導(dǎo)機構(gòu)31c,與引導(dǎo)機構(gòu)31a相同，基材21張設(shè)于棍構(gòu)件33j?331上?；?1的通過輥構(gòu)件33j?331的移動方向與基材21的通過引導(dǎo)機構(gòu)31a中的輥構(gòu)件33a?33c的移動方向相反。由于該引導(dǎo)機構(gòu)31c的其他的結(jié)構(gòu)與引導(dǎo)機構(gòu)31a的其他的結(jié)構(gòu)相同，因此省略說明。
[0090]對于該引導(dǎo)機構(gòu)31c，一邊由輥構(gòu)件33j、輥構(gòu)件33k及輥構(gòu)件331對自蒸鍍部C輸送過來的基材21的非蒸鍍面21b進(jìn)行支承，一邊將該基材21向下游側(cè)引導(dǎo)。
[0091]具體而言，首先以輥構(gòu)件33 j為支承軸將自蒸鍍部C輸送過來的基材21翻轉(zhuǎn)大致180°的方式將該基材21彎曲至側(cè)方(圖的右側(cè))并將其移動至輥構(gòu)件33k。通過以該輥構(gòu)件33 j為支承軸將基材21彎曲，從而基材21的蒸鍍面21a自被輥構(gòu)件33 j支承之前的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，而變?yōu)槌稀?br> [0092]然后以輥構(gòu)件33k為支承軸將基材21向下方大致垂直地彎曲并將其移動至輥構(gòu)件331。并且，利用輥構(gòu)件331將基材21大致垂直地彎曲并將其移動至蒸鍍部D。通過以這些輥構(gòu)件33k、331為支承軸將基材21彎曲，從而基材21的蒸鍍面21a變?yōu)槌隆?br> [0093]這樣，一邊利用輥構(gòu)件33 j?331對被引導(dǎo)機構(gòu)31c引導(dǎo)之前蒸鍍面21a朝下的基材21以非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊將基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下。基材21的蒸鍍面21a以朝下的狀態(tài)被送至蒸鍍部D。
[0094]并且，如圖10、圖11及圖12所示，優(yōu)選為，輥構(gòu)件33c、33e?33h及33j具有圓柱狀的輥構(gòu)件主體36和多個旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37，該多個旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37以能夠旋轉(zhuǎn)的方式被支承于該輥構(gòu)件主體36的外表面部分且突出至比該輥構(gòu)件主體36靠外側(cè)的位置，以能夠利用周面支承基材21。即，優(yōu)選為，該輥構(gòu)件33c、33e?33h及33 j具有包括輥構(gòu)件主體36及旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37的軸承結(jié)構(gòu)。
[0095]通過輥構(gòu)件33c、33e?33h及33 j具有這樣的軸承結(jié)構(gòu)，從而能夠降低在基材21一邊以該輥構(gòu)件為支承軸被彎曲一邊移動時在該輥構(gòu)件和基材21之間產(chǎn)生的摩擦。這樣，能夠防止基材21與該輥構(gòu)件接觸的區(qū)域(接觸區(qū)域)在該輥構(gòu)件的長度方向的偏移，因此該結(jié)構(gòu)是有效果的。并且，由于能夠這樣地防止接觸區(qū)域的偏移，因此也能夠采用使該輥構(gòu)件充分長、在將基材21在該輥構(gòu)件上卷成螺旋狀的狀態(tài)下使基材21移動的結(jié)構(gòu)。通過這樣做，增加了該輥構(gòu)件與基材21的接觸區(qū)域，因此具有基材的移動(輸送)更穩(wěn)定地進(jìn)行這樣的優(yōu)點。
[0096]在圖10中，旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37為圓柱狀的滾針，輥構(gòu)件33c、33e?33h及33j具有包括輥構(gòu)件主體36及滾針即旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37的滾針軸承結(jié)構(gòu)。
[0097]更具體而言，例如，如圖10及圖11所示的多個滾動構(gòu)件37沿著引導(dǎo)構(gòu)件33c的周向被并排排列于該引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部，在基材21跨于引導(dǎo)構(gòu)件33c時與該多個滾動構(gòu)件37相接觸。因此，當(dāng)基材21沿著引導(dǎo)構(gòu)件33c的周向繞掛于該引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部時，引導(dǎo)構(gòu)件33c的旋轉(zhuǎn)方向與基材21的輸送方向相一致。并且,如圖16所不，該引導(dǎo)構(gòu)件33c包括具有與上述實施方式(參照圖10)的引導(dǎo)構(gòu)件33c相同功能的引導(dǎo)構(gòu)件主體36、支承構(gòu)件38、軸39、固定構(gòu)件40及軸承部41。
[0098]在圖12中，與圖10相同地具有作為滾針的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37。旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37具有相對輥構(gòu)件主體36配置為螺旋狀的結(jié)構(gòu)。
[0099]更具體而言，圖12所示的多個滾動構(gòu)件37沿著螺旋方向并排排列于引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部，在基材21跨于引導(dǎo)構(gòu)件33c時與該多個滾動構(gòu)件37相接觸。因此，當(dāng)基材21沿著螺旋方向繞掛于該引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部時，引導(dǎo)構(gòu)件33c的旋轉(zhuǎn)方向與基材21的輸送方向一致。并且，該引導(dǎo)構(gòu)件33c具有引導(dǎo)構(gòu)件主體36，并且雖未圖示，但該引導(dǎo)構(gòu)件33c還包括具有與上述實施方式(參照圖10)的引導(dǎo)構(gòu)件33c相同功能的支承構(gòu)件38、軸39、固定構(gòu)件40及軸承部41。
[0100]另外，在圖13至圖17中，旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37為球狀的滾珠。旋轉(zhuǎn)構(gòu)件33c具有包括輥構(gòu)件主體(引導(dǎo)構(gòu)件主體)36和作為滾珠的旋轉(zhuǎn)構(gòu)件37在內(nèi)的滾珠軸承結(jié)構(gòu)。
[0101]更具體而言，如圖13及圖14所示，各滾動構(gòu)件37配置為在引導(dǎo)部件主體36的徑向外側(cè)其一部分自引導(dǎo)構(gòu)件主體36突出，并且在引導(dǎo)部件主體36的徑向內(nèi)側(cè)其一部分自引導(dǎo)構(gòu)件主體36突出。因此，引導(dǎo)構(gòu)件33c以其外周面成為凹凸?fàn)畹姆绞叫纬伞?br> [0102]并且，以使基材21與多個滾動構(gòu)件37的自引導(dǎo)構(gòu)件主體36向徑向外側(cè)突出的部位接觸的方式并排排列多個滾動構(gòu)件37。這樣，在基材21跨于引導(dǎo)構(gòu)件33c時與該多個滾動構(gòu)件37相接觸。換而言之，基材21以與多個滾動構(gòu)件37相抵接并且與旋轉(zhuǎn)構(gòu)件主體36分開的方式繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件33b、33c的外周部。另外，各滾動構(gòu)件37以其自引導(dǎo)構(gòu)件主體36向徑向內(nèi)側(cè)突出的部位與支承構(gòu)件38的外周部接觸的方式配置。在本實施方式中，各滾動構(gòu)件37為能夠以3個自由度旋轉(zhuǎn)的球狀體。
[0103]支承構(gòu)件38以其外周部支承各滾動構(gòu)件37。這樣，雖然各滾動構(gòu)件37自與其接觸的基材21受到朝向引導(dǎo)構(gòu)件主體36的徑向內(nèi)側(cè)的力，但能夠防止各滾動構(gòu)件37自引導(dǎo)構(gòu)件主體36脫離或相對于引導(dǎo)構(gòu)件主體36向徑向內(nèi)側(cè)偏移。
[0104]另外，支承構(gòu)件38構(gòu)成為能夠利用軸承部41、41以軸線方向(軸39)為中心旋轉(zhuǎn)。因此，支承構(gòu)件38在其與隨著基材21被輸送而滾動的各滾動構(gòu)件37之間的摩擦力的作用下旋轉(zhuǎn)，從而能夠使各滾動構(gòu)件37的旋轉(zhuǎn)速度穩(wěn)定(使各滾動構(gòu)件37的旋轉(zhuǎn)速度為大致相同的旋轉(zhuǎn)速度)。
[0105]另外，如圖15及圖16所示，例如引導(dǎo)機構(gòu)31a具有:基材位置檢測部43，其用于對沿著螺旋方向繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部的基材21的位置進(jìn)行檢測；旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44，其用于以與引導(dǎo)構(gòu)件33c的軸線方向交叉的方向為中心使引導(dǎo)構(gòu)件33c旋轉(zhuǎn)；控制部45，其用于基于基材位置檢測部43檢測到的基材21的位置來控制旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44。
[0106]基材位置檢測部43例如配置于比引導(dǎo)構(gòu)件33c靠下游側(cè)的位置。并且，基材位置檢測部43檢測基材21的寬度方向的位置。在本實施方式中，基材位置檢測部43為CCD攝像機?；奈恢脵z測部43也可以是在基材21的寬度方向的兩側(cè)配置的一對光電傳感器?？傊?，基材位置檢測部43只要為能夠?qū)?1的位置進(jìn)行檢測的結(jié)構(gòu)即可。
[0107]旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44具有旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46，其用于固定引導(dǎo)構(gòu)件33c的軸39的兩端部；驅(qū)動機構(gòu)47，其用于使旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46旋轉(zhuǎn)移位；連接部48，其用于將驅(qū)動機構(gòu)47以能夠旋轉(zhuǎn)的方式連接至旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46。在本實施方式中，驅(qū)動機構(gòu)47構(gòu)成為通過驅(qū)動而作動缸伸縮。驅(qū)動機構(gòu)47只要為能夠使旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46旋轉(zhuǎn)移位的結(jié)構(gòu)即可。
[0108]而且，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44具有:主體固定部49，其用于將旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46以能夠旋轉(zhuǎn)的方式固定于真空腔3 ;驅(qū)動固定部50，其用于將驅(qū)動機構(gòu)47以能夠旋轉(zhuǎn)的方式固定于真空腔3。并且，主體固定部49將旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46的一側(cè)固定于真空腔3，以使引導(dǎo)構(gòu)件33c能夠相對于自引導(dǎo)構(gòu)件33c的軸線方向的一側(cè)(圖15的右側(cè))起沿著螺旋方向繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件33c的基材21以軸線方向的一側(cè)(圖15的右側(cè))為中心旋轉(zhuǎn)。
[0109]控制部45根據(jù)由基材位置檢測部43檢測到的基材21的位置信息判斷基材21是否位置偏離。并且，在控制部45判斷為基材21相對所期望的位置已經(jīng)位置偏離的情況下，如圖17所示,通過對驅(qū)動機構(gòu)47進(jìn)行驅(qū)動,使旋轉(zhuǎn)機構(gòu)主體46、具體而言、使引導(dǎo)構(gòu)件33c旋轉(zhuǎn)規(guī)定的角度。
[0110]采用本實施方式的制造方法，基材位置檢測部43對沿著螺旋方向繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件33c的外周部的基材21的在寬度方向上的位置進(jìn)行檢測。然后，控制部45基于基材位置檢測部43檢測到的基材21的位置控制旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44，從而以與引導(dǎo)構(gòu)件33c的軸線方向交叉的方向為中心使引導(dǎo)構(gòu)件33c旋轉(zhuǎn)。
[0111]這樣，當(dāng)基材21的位置偏離所期望的位置時，控制部45利用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)44旋轉(zhuǎn)引導(dǎo)構(gòu)件33c，從而能夠調(diào)整基材21的位置。因此，能夠防止基材21曲折移動。
[0112]根據(jù)以上的說明，本發(fā)明的特征如以下所述。
[0113]為了支承并引導(dǎo)帶狀的基材，在該基材繞掛于外周部的引導(dǎo)構(gòu)件中具有多個滾動構(gòu)件(旋轉(zhuǎn)構(gòu)件)，該多個滾動構(gòu)件以與上述基材接觸的方式并排排列于引導(dǎo)構(gòu)件的外周部且能夠滾動。
[0114]采用本發(fā)明的引導(dǎo)構(gòu)件，多個滾動構(gòu)件并排排列于該引導(dǎo)構(gòu)件的外周部，被輸送的基材與該多個滾動構(gòu)件相接觸。因此，例如，與外周部為光滑的圓柱體狀的輥構(gòu)件相比較，本發(fā)明的引導(dǎo)構(gòu)件能夠縮小其與基材相接觸的接觸面積，因此能夠抑制與基材之間產(chǎn)生的摩擦力。
[0115]并且,滾動構(gòu)件能夠滾動，因此滾動構(gòu)件也能夠隨著基材被輸送而滾動。因此,能夠進(jìn)一步有效地抑制與基材之間產(chǎn)生的摩擦力。
[0116]各滾動構(gòu)件為能夠以3個自由度旋轉(zhuǎn)的球狀體。因此，各滾動構(gòu)件在任意的方向上都能夠旋轉(zhuǎn)，因此基材在任意的方向上繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件的外周部，滾動構(gòu)件都能夠向基材的輸送方向旋轉(zhuǎn)。
[0117]上述多個滾動構(gòu)件分別為能夠以軸線方向為中心旋轉(zhuǎn)的圓柱狀體，沿著螺旋方向并排排列于上述引導(dǎo)構(gòu)件的外周部?；蛘呱鲜龆鄠€滾動構(gòu)件分別為能夠以軸線方向為中心旋轉(zhuǎn)的圓柱狀體，沿著上述引導(dǎo)構(gòu)件的周向并排排列上述引導(dǎo)構(gòu)件的外周部。
[0118]這樣，能夠縮小繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件的外周部的基材與引導(dǎo)構(gòu)件之間的接觸面積，因此能夠抑制引導(dǎo)構(gòu)件與基材之間產(chǎn)生的摩擦力。
[0119]引導(dǎo)機構(gòu)具有:引導(dǎo)構(gòu)件；基材位置檢測部，其用于檢測沿著螺旋方向繞掛于上述引導(dǎo)構(gòu)件的外周部的上述基材的在寬度方向上的位置；旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其用于以與上述引導(dǎo)構(gòu)件的軸線方向交叉的方向為中心使上述引導(dǎo)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)；控制部，其用于基于上述基材位置檢測部檢測到的基材的位置，控制上述旋轉(zhuǎn)機構(gòu)。
[0120]采用本發(fā)明的引導(dǎo)機構(gòu)，基材位置檢測部對沿著螺旋方向繞掛于引導(dǎo)構(gòu)件的外周部的基材的在寬度方向上的位置進(jìn)行檢測。然后，控制部基于基材位置檢測部檢測到的基材的位置來控制旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，從而以與引導(dǎo)構(gòu)件的軸線方向交叉的方向為中心使引導(dǎo)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)。這樣，當(dāng)基材的位置偏離所期望的位置時，控制部利用旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使引導(dǎo)構(gòu)件旋轉(zhuǎn)，從而能夠調(diào)整基材的位置。因此，能夠防止基材曲折移動。
[0121]本發(fā)明的有機EL器件的制造方法通過在輸送著的帶狀的基材上蒸鍍氣化材料，從而在該基材的一側(cè)的面即蒸鍍面上形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層，該制造方法具有方向變換工序，在該方向變換工序中，利用引導(dǎo)構(gòu)件使上述基材的上述蒸鍍面的朝向變換。
[0122]下面，對使用上述制造裝置的有機EL器件的制造方法的實施方式進(jìn)行說明。
[0123]本實施方式的有機EL器件的制造方法一邊使帶狀的基材21沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材21上形成有機EL元件19的結(jié)構(gòu)層。
[0124]該制造方法具有結(jié)構(gòu)層形成工序，在該結(jié)構(gòu)層形成工序中，一邊使基材21沿其長度方向移動，一邊利用沿著該基材21的移動方向配置的蒸鍍部A?D (第I蒸鍍部及第2蒸鍍部)這多個蒸鍍部自蒸鍍源21a向基材21的一個面噴出氣化材料而依次進(jìn)行蒸鍍。
[0125]并且，該結(jié)構(gòu)層形成工序包括:多個朝上蒸鍍工序，在該多個朝上蒸鍍工序中，在蒸鍍部A?D (第I蒸鍍部及第2蒸鍍部)，一邊使基材21以蒸鍍面21a朝下的狀態(tài)移動一邊自配置于該基材21的下方的蒸鍍源9a?9 j向蒸鍍面21a噴出氣化材料而進(jìn)行蒸鍍；方向變換工序，在該方向變換工序中，利用設(shè)于蒸鍍部A?C (第I蒸鍍部)與蒸鍍部B?D(第2蒸鍍部)之間的引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c，一邊對從蒸鍍部A?C (第I蒸鍍部)輸送過來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材21向蒸鍍部B?C (第2蒸鍍部)引導(dǎo)。
[0126]在本實施方式中，具體而言，例如，首先自基材供應(yīng)部5放出被卷取為卷狀的基材21。
[0127]然后，在蒸鍍部A中，一邊使被放出的基材21移動，一邊自蒸鍍源9a向上方噴出陽極層形成材料至該基材21的下表面(蒸鍍面)而形成陽極層23 (例如Al層)。然后，自蒸鍍源％噴出邊緣覆蓋形成材料，以覆蓋陽極層23的周緣的方式形成邊緣覆蓋24 (朝上蒸鍍工序)。
[0128]然后，利用引導(dǎo)機構(gòu)31a，一邊對自上游側(cè)的蒸鍍部A(第I蒸鍍部)輸送過來的蒸鍍面21a朝下的基材21以基材21的非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材21以蒸鍍面21a朝下的狀態(tài)向下游側(cè)的蒸鍍部B (第2蒸鍍部)引導(dǎo)(方向變換工序)。[0129]在蒸鍍部B中，一邊使從引導(dǎo)機構(gòu)31a輸送過來的基材21移動,一邊自配置于基材21的下方的蒸鍍源9c?9e向上方噴出有機EL層結(jié)構(gòu)層形成材料至該基材21的蒸鍍面21a，形成5層有機EL層結(jié)構(gòu)層中的3層(例如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層)(朝上蒸鍍工序)。
[0130]然后，利用引導(dǎo)機構(gòu)3 Ib，一邊對自上游側(cè)的蒸鍍部B (第I蒸鍍部)輸送過來的蒸鍍面21a朝下的基材21以基材21的非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材21以蒸鍍面21a朝下的狀態(tài)向下游側(cè)的蒸鍍部C (第2蒸鍍部)引導(dǎo)(方向變換工序)。
[0131]在蒸鍍部C中，一邊使自引導(dǎo)機構(gòu)31b輸送過來的基材21移動,一邊自配置于基材21的下方的蒸鍍源9f、9g向上方噴出有機EL層結(jié)構(gòu)層形成材料至該基材21的蒸鍍面21a，形成5層有機EL層結(jié)構(gòu)層中剩下的兩層(例如電子傳輸層，電子注入層)(朝上蒸鍍工序)。
[0132]然后，利用引導(dǎo)機構(gòu)31c，一邊對自上游側(cè)的蒸鍍部C(第I蒸鍍部)輸送過來的蒸鍍面21a朝下的基材21以基材21的非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材21以蒸鍍面21a朝下的狀態(tài)向下游側(cè)的蒸鍍部D (第2蒸鍍部)引導(dǎo)(方向變換工序)。
[0133]在蒸鍍部D中，一邊使自引導(dǎo)機構(gòu)31c送過來的基材21移動,一邊自配置于基材21的下方的蒸鍍源9h、9i向上方噴出陰極層形成材料至該基材21的蒸鍍面21a。由此，形成由兩層陰極層結(jié)構(gòu)層構(gòu)成的陰極層27 (例如LiF層，Mg-Ag合金層)。自蒸鍍源9j向上方噴出密封層形成材料，形成密封層(例如MoO3層)29 (朝上蒸鍍工序)。
[0134]通過以上那樣，能夠在基材21上形成有機EL元件19。另外，一邊這樣地在基材21上形成有機EL元件19，一邊利用基材回收部6卷取形成有該有機EL元件19的基材21。
[0135]這樣能夠制造有機EL器件20。并且，在本實施方式中，有機EL器件20具有基材21、有機EL元件19、邊緣覆蓋24及密封層29。有機EL元件19具有陽極層23、有機EL層25及陰極層27。
[0136]采用該制造方法，能夠在上游側(cè)的蒸鍍部A?C(第I蒸鍍部)中，自蒸鍍源9a?9g向上方將氣化材料噴到基材21的朝向下方的蒸鍍面21a而形成結(jié)構(gòu)層之后，一邊利用引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c對形成有該結(jié)構(gòu)層的基材21以非蒸鍍面21b為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面21b側(cè)進(jìn)行支承，一邊使該基材21翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面21a先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，以蒸鍍面21a朝下的狀態(tài)將基材21引導(dǎo)至下游側(cè)的蒸鍍部B?D (第2蒸鍍部)。并且，在該下游側(cè)的蒸鍍部B?D中，能夠接著自蒸鍍源9c?9j向上方將氣化材料噴到基材21的朝向下方的蒸鍍面21a而形成結(jié)構(gòu)層。并且，這里使用蒸鍍源9a?9j進(jìn)行蒸鍍，還可以在使用蒸鍍源9a?9j的基礎(chǔ)上還使用蒸鍍源9k、91進(jìn)行蒸鍍。
[0137]這樣，利用朝上蒸鍍工序，自蒸鍍源9a?9j (或者9a?91，以下相同)向上方噴出氣化材料，從而能夠防止自蒸鍍源9a?9 j落下的異物的混入，因此能夠防止該異物的混入導(dǎo)致的發(fā)光不良。
[0138]另外，通過在蒸鍍部A?D之間(第I蒸鍍部與第2蒸鍍部之間)支承基材21，從而能夠?qū)?1施加所期望的張力，能夠抑制基材21的彎曲、振動。這樣能夠抑制由于基材21的蒸鍍面21a與蒸鍍源9a?9j的接觸導(dǎo)致的該蒸鍍面21a的損傷。并且，能夠抑制基材21與蒸鍍源9a?9j之間的距離的變化而合適地控制結(jié)構(gòu)層的厚度。這樣，能夠抑制發(fā)光特性下降。
[0139]并且，由于支承的是基材21的非蒸鍍面21b，能夠抑制基材21的蒸鍍面21a損傷。
[0140]因此，能夠制造抑制了品質(zhì)下降的有機EL器件20。
[0141]并且，在各蒸鍍部A?D之間配置有引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c，利用引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c，能夠使基材21的在被引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c引導(dǎo)之前與引導(dǎo)之后的從上方看到的移動方向發(fā)生變化。這樣，能夠?qū)⒏髡翦儾緼?D配置于所期望的位置，因此能夠提高蒸鍍部A?D的布局的自由度。另外，也能夠有效利用制造場所的空間。
[0142]另外，在本實施方式中，引導(dǎo)機構(gòu)31a?31c具有用于支承非蒸鍍面21b的多個輥構(gòu)件33a?331。該棍構(gòu)件中的至少I個棍構(gòu)件沿著相對于基材的寬度方向傾斜的方向配置。這樣，通過對輥構(gòu)件進(jìn)行組合這樣簡單的結(jié)構(gòu)，能夠如上述那樣容易地使基材21的蒸鍍面21a翻轉(zhuǎn)，因此更加有效率。
[0143]另外，在本實施方式中，上述輥構(gòu)件的中的至少I個輥構(gòu)件沿著相對于基材21的寬度方向呈45°傾斜的方向配置。這樣，能夠防止輥構(gòu)件的組合的復(fù)雜化，另外，能夠防止裝置的大型化。
[0144]本發(fā)明的有機EL器件的制造方法及制造裝置如上述，但本發(fā)明不限定于上述實施方式，在本發(fā)明的意圖范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)馗淖冊O(shè)計。例如，引導(dǎo)機構(gòu)的結(jié)構(gòu)不特別地限定于上述實施方式，只要能夠一邊對自第I蒸鍍部輸送過來的蒸鍍面朝下的基材以該基材的非蒸鍍面為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面進(jìn)行支承，一邊使該基材翻轉(zhuǎn)以使得蒸鍍面先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，以蒸鍍面朝下的狀態(tài)將基材向第2蒸鍍部引導(dǎo)，則也能夠采用其他的輥構(gòu)件的配置、數(shù)量及它們的組合等。另外，在上述實施方式中，對蒸鍍工序完成了的基材進(jìn)行卷曲，但也能夠不卷取該基材，而將其供應(yīng)至切割等工序。
[0145]另外，在上述實施方式的引導(dǎo)構(gòu)件中，對支承構(gòu)件38能夠相對軸38旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但并不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以是這樣的機構(gòu):支承構(gòu)件38固定于軸39，SP使?jié)L動構(gòu)件37旋轉(zhuǎn)，支承構(gòu)件38也不會相對軸39旋轉(zhuǎn)。
[0146]另外，在上述實施方式的引導(dǎo)構(gòu)件中，對引導(dǎo)構(gòu)件主體36固定于軸39、即使基材21被輸送也不會相對軸39旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但并不限定于該結(jié)構(gòu)。例如，也可以是這樣的機構(gòu):引導(dǎo)構(gòu)件主體36相對軸39能夠旋轉(zhuǎn)，且隨著基材21被輸送，引導(dǎo)構(gòu)件主體36相對軸39旋轉(zhuǎn)。
[0147]另外，在上述實施方式的引導(dǎo)構(gòu)件中，對多個滾動構(gòu)件37并排排列于引導(dǎo)構(gòu)件主體36的周向的整個區(qū)域及該引導(dǎo)構(gòu)件主體36的軸線方向(長度方向)的整個區(qū)域的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說明，但不限定于該結(jié)構(gòu)。滾動構(gòu)件37只要至少并排排列于引導(dǎo)構(gòu)件的與基材21接觸的區(qū)域即可。
[0148]另外，引導(dǎo)機構(gòu)的結(jié)構(gòu)也能夠采用對引導(dǎo)構(gòu)件的配置、數(shù)量及它們的組合進(jìn)行了改變的結(jié)構(gòu)。并且，在上述實施方式中，對蒸鍍工序完成了的基材進(jìn)行了卷取，但也能夠不卷取該基材，而將其供應(yīng)至切割等工序。
[0149]下面，以實施例為例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些例子。
[0150]實施例
[0151]使用與如圖1所示那樣的制造裝置I相同的制造裝置，使陽極層由I層構(gòu)成，有機EL層由5層構(gòu)成，陰極層由I層構(gòu)成。另外，各蒸鍍源與基材之間的最短距離設(shè)定為2mm。使用該制造裝置在基材(SUS) 21上依次蒸鍍陽極層(Al)、邊緣覆蓋(SiO2)、空穴注入層(HAT-CN)、空穴傳輸層(a -NPD)、發(fā)光層(Alq3)、電子傳輸層(LiF)、電子注入層(LiF)、陰極層(Mg-Ai合金)、密封層(MoO3),從而制作有機EL器件。
[0152]將獲得的有機EL器件切割為30cm (基材的移動方向)X 3.8cm (基材的寬度方向)的大小，制作試驗樣品，對獲得的試驗樣品的陽極層及陰極層施加電壓，調(diào)查施加電壓(V)與發(fā)光亮度(cd/m2)的關(guān)系。發(fā)光亮度利用有機EL發(fā)光效率測量裝置(EL-1003，7° Hf
^欠'一'7'公司制造)。另外，利用于.'夕夕卟夕口 — 7°(VHX — 1000、今一工> ^公司制造)從有機EL元件側(cè)拍攝被施加電壓后的試驗樣品的照片。圖8表示得到的施加電壓與發(fā)光亮度之間的關(guān)系，圖9表示施加電壓后的試驗樣品的照片。
[0153]如圖8所示，即使對獲得的有機EL器件的陽極層及陰極層施加電壓，也沒有發(fā)現(xiàn)電流的泄漏，如圖9所示，施加電壓后，沒有發(fā)現(xiàn)電流泄漏導(dǎo)致的有機EL元件的損壞。
[0154]比較例
[0155]使用與如圖7所示的制造裝置100相同的制造裝置。即，制造裝置具有配置為直線狀的蒸鍍部A~D，在蒸鍍部A~D之間未設(shè)有引導(dǎo)機構(gòu)，除此以外，使用了與圖1相同的制造裝置。并且，在圖7中，以省略真空腔的方式表示制造裝置。
[0156]并且，使用該制造裝置與實施例相同地制造有機EL器件時，基材彎曲，基材的蒸鍍面與蒸鍍源接觸，而在基材 的蒸鍍面產(chǎn)生擦痕。另外，與實施例相同地對獲得的有機EL器件的試驗樣品進(jìn)行評價。圖8表示得到的施加電壓與發(fā)光亮度之間的關(guān)系，圖9表示施加電壓后的試驗樣品的照片。如圖8所示，在比較例中，由于在基材的蒸鍍面產(chǎn)生上述擦痕，因此發(fā)現(xiàn)有電流的泄漏。另外，由于產(chǎn)生該電流泄漏，因此施加電壓后，如圖9所示那樣發(fā)現(xiàn)有機EL元件的損壞。
[0157]由以上的結(jié)果可知，采用本發(fā)明的有機EL器件的制造方法及制造裝置，能夠制造抑制了品質(zhì)下降的有機EL器件。
[0158]1:有機EL器件的制造裝置；3:真空腔；9a~91:蒸鍍源；19:有機EL元件；21:基材；21a:蒸鍍面；21b:非蒸鍍面；23:陽極層；25:有機EL層；27:陰極層;30a、30b、30c:方向變換部；31a~31c:引導(dǎo)機構(gòu)；33a~331:棍構(gòu)件(引導(dǎo)構(gòu)件)
【權(quán)利要求】
1.一種有機EL器件的制造方法，其特征在于， 該制造方法為一邊使帶狀的基材沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材上形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的有機EL器件的制造方法， 該制造方法包括結(jié)構(gòu)層形成工序，在該結(jié)構(gòu)層形成工序中，一邊使上述基材沿上述長度方向移動，一邊在沿著該基材的移動方向配置的至少第I蒸鍍部及第2蒸鍍部自蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進(jìn)行蒸鍍， 上述結(jié)構(gòu)層形成工序包括: 朝上蒸鍍工序，在該朝上蒸鍍工序中，在上述第I蒸鍍部及第2蒸鍍部，一邊使上述基材以其蒸鍍面朝下的狀態(tài)移動，一邊自配置于該基材的下方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料而進(jìn)行蒸鍍； 方向變換工序，在該方向變換工序中，利用設(shè)于上述第I蒸鍍部和上述第2蒸鍍部之間的引導(dǎo)機構(gòu)，一邊對自上述第I蒸鍍部輸送過來的上述基材以該基材的非蒸鍍面為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面?zhèn)冗M(jìn)行支承，一邊使該基材翻轉(zhuǎn)以使得上述蒸鍍面先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材引導(dǎo)至上述第2蒸鍍部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL器件的制造方法，其特征在于， 上述引導(dǎo)機構(gòu)具有用于支承上述非蒸鍍面的多個輥構(gòu)件，該輥構(gòu)件中的至少I個輥構(gòu)件沿著相對上述基材的寬度方向傾斜的方向配置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL器件的制造方法，其特征在于， 上述輥構(gòu)件中的至少I個輥構(gòu)件沿著相對于上述基材的寬度方向呈45°傾斜的方向配置。
4.一種有機EL器件的制造裝置，其特征在于， 該制造裝置為一邊使帶狀的基材沿其長度方向移動一邊利用蒸鍍在該基材上形成有機EL元件的結(jié)構(gòu)層的有機EL器件的制造裝置， 該制造裝置包括: 至少第I蒸鍍部及第2蒸鍍部，其沿著上述基材的移動方向配置，具有在移動的上述基材下方配置的蒸鍍源，一邊使上述基材以其蒸鍍面朝下的狀態(tài)移動，一邊自該蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料而進(jìn)行蒸鍍； 方向變換部，其設(shè)于上述第I蒸鍍部和上述第2蒸鍍部之間，一邊對自上述第I蒸鍍部輸送過來的上述基材以該基材的非蒸鍍面為內(nèi)周面的方式自該非蒸鍍面?zhèn)冗M(jìn)行支承，一邊使該基材翻轉(zhuǎn)以使得上述蒸鍍面先翻轉(zhuǎn)朝上之后翻轉(zhuǎn)朝下，并將該基材引導(dǎo)至上述第2蒸鍍部。
【文檔編號】H01L51/50GK103583083SQ201280027706
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月19日
【發(fā)明者】垣內(nèi)良平, 山本悟, 肥田加奈子 申請人:日東電工株式會社