具有高密度的cis系列薄膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種具有高密度的太陽(yáng)能電池用CIS系列化合物薄膜的制造方法。本發(fā)明的太陽(yáng)能電池用CIS系列化合物薄膜的制造方法包括下列步驟：步驟1，制造CIS系列化合物納米粒子；步驟2，把上述CIS系列化合物納米粒子、螫合劑(chelating?agent)及溶劑混合制成CIS系列化合物漿；步驟3，把上述CIS系列化合物漿予以涂層(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及步驟4，對(duì)上述CIS系列化合物薄膜進(jìn)行熱處理；本發(fā)明憑此讓作為薄膜太陽(yáng)能電池的吸光層使用的CIS系列薄膜的結(jié)構(gòu)致密化。
【專利說明】具有高密度的CIS系列薄膜的制造方法
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001] 本發(fā)明涉及一種具有高密度的太陽(yáng)能電池用CIS系列化合物薄膜的制造方法，更具體地說，本發(fā)明涉及一種利用非真空涂層法進(jìn)行CIS化合物納米粒子、CIGS化合物納米粒子或CZTS化合物納米粒子涂層時(shí)，對(duì)前驅(qū)體粒子表面進(jìn)行改性而得以提升后熱處理工序中薄膜致密度的高密度Cis系列化合物薄膜的制造方法及利用上述CIS系列化合物薄膜的薄膜型太陽(yáng)能電池的制造方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]近來，由于嚴(yán)重的環(huán)境污染問題及化石能量枯竭而使得新一代清凈能量的開發(fā)日益重要。其中，太陽(yáng)能電池是一種把太陽(yáng)能量直接轉(zhuǎn)換到電能量的裝置，太陽(yáng)能電池的公害少，資源無限并具有半永久性的壽命，被人們期待為能夠解決未來能量問題的能量源。
[0003]太陽(yáng)能電池根據(jù)應(yīng)用于吸光層的物質(zhì)而分為很多種類，目前使用最多的是利用硅的硅太陽(yáng)能電池。但近來硅的供應(yīng)不足而使其價(jià)格飆升，人們對(duì)薄膜型太陽(yáng)能電池的關(guān)注也日益強(qiáng)烈。薄膜型太陽(yáng)能電池制成較薄的厚度而能夠減少材料消耗量，而且其重量較輕而能夠應(yīng)用到廣泛的范圍。在該薄膜型太陽(yáng)能電池的材料方面，對(duì)非晶質(zhì)硅與CdTe、CIS或CIGS的研究非?；钴S。
[0004]CIS薄膜或CIGS薄膜是1-1I1-VI化合物半導(dǎo)體之一，在實(shí)驗(yàn)室制造的薄膜太陽(yáng)能電池中具有最高的轉(zhuǎn)換效率(20.3%)。尤其是可以制成10微米(Micron)以下的厚度，即使長(zhǎng)期使用時(shí)也能發(fā)揮出穩(wěn)定的特性，因此被視為能夠替代硅的低廉高效型太陽(yáng)能電池。
[0005]尤其是，CIS薄膜作為直接遷移型半導(dǎo)體而能夠薄膜化，能帶隙為1.04eV而比較適合光轉(zhuǎn)換，吸光系數(shù)則是已知太陽(yáng)能電池材料中最大的材料。
[0006]CIGS薄膜是一種為了改善CIS薄膜的較低開路電壓而以Ga替代In的一部分或者以S替代Se后開發(fā)出來的材料。
[0007]CIGS系太陽(yáng)能電池以數(shù)微米厚的薄膜制成太陽(yáng)能電池，其制造方法主要分為利用真空沉積的方法、在非真空下涂敷前驅(qū)體物質(zhì)后將其熱處理的方法。其中，基于真空沉積的方法雖然可以制造出高效率的吸收層，但是在制作大面積的吸收層時(shí)其均勻性會(huì)下降并且需要使用高價(jià)設(shè)備，所用材料的損失率達(dá)到20~50%而提高生產(chǎn)成本。與此相反的是，涂敷前驅(qū)體物質(zhì)后予以高溫?zé)崽幚淼姆椒軌蚪档凸に嚦杀静⑶夷軌蚓鶆虻刂谱鞔竺娣e，但其吸收層效率較低。
[0008]在非真空涂敷前驅(qū)體物質(zhì)后形成的CIGS薄膜具有較多氣孔而呈現(xiàn)出沒有實(shí)現(xiàn)致密化的特性，因此進(jìn)行硒化熱處理?，F(xiàn)有的硒化熱處理工序由于使用有毒氣體硒化氫(H2Se)而出現(xiàn)安全問題，因此需要具備安全設(shè)施而花費(fèi)龐大的設(shè)施成本，還要長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行熱處理而提高了 CIGS薄膜的單價(jià)。
[0009]而且，CIGS薄膜具有1000°C以上的高熔點(diǎn)，因此即使數(shù)十納米尺寸的CIGS化合物納米粒子也難以憑借后熱處理實(shí)現(xiàn)粒子生長(zhǎng)及致密化。
[0010]【解決的技術(shù)課題】[0011]本發(fā)明的目的如下，在CIS系列化合物薄膜的制造方法引進(jìn)工序成本相對(duì)低廉的非真空涂層法并且在該工序中誘導(dǎo)薄膜結(jié)構(gòu)的致密化，不僅能夠降低成本，還能制造出利用高密度薄膜的高效率薄膜太陽(yáng)能電池。
[0012]【解決課題的技術(shù)方案】
[0013]本發(fā)明的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法能夠達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括下列步驟:步驟1，制造CIS系列化合物納米粒子；步驟2，把上述CIS系列化合物納米粒子、螫合劑(chelating agent)及溶劑混合制成CIS系列化合物楽；(slurry);步驟3,把上述CIS系列化合物漿予以涂層(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及步驟4，對(duì)上述CIS系列化合物薄膜進(jìn)行熱處理。
[0014]在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述CIS系列化合物納米粒子可以是CIS化合物納米粒子、CIGS化合物納米粒子或CZTS化合物納米粒子。
[0015]上述螫合劑可以是選自MEA (monoethanolamine)、DEA (diethanolamine)、TEA(triethanolamine)、乙二胺、EDTA、NTA、HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 及 DHEG 所構(gòu)成的群中的某一個(gè)。
[0016]上述溶劑可以是醇系溶劑。
[0017]上述醇系溶劑可以包括由乙醇、甲醇、戊醇、丙醇及丁醇所構(gòu)成的群中的某一個(gè)。
[0018]上述漿可以由超聲波予以分散制造。
[0019]上述CIS系列化合物薄膜可以由非真空涂層法形成。
[0020]上述非真空涂層法可以是噴射法、超聲波噴射法、旋涂(spin coating)法、刮平刀(Doctor Blade)法、絲印法及噴墨印刷法中的某一個(gè)。
[0021]上述步驟3可以把CIS系列化合物薄膜涂層后再進(jìn)行干燥工序。
[0022]上述步驟3可以依序反復(fù)進(jìn)行多次上述CIS系列薄膜涂層與干燥工序。
[0023]上述步驟4可以供應(yīng)Se蒸氣地進(jìn)行熱處理。
[0024]上述熱處理讓形成了上述CIS系列化合物薄膜的基板溫度為400~530°C地進(jìn)行。
[0025]實(shí)現(xiàn)上述目的的具有高密度的CIS系列化合物薄膜是一種作為太陽(yáng)能電池的吸光層使用的CIS系列化合物薄膜,上述CIS系列化合物薄膜憑借螫合劑(chelating agent)使得硒化熱處理時(shí)CIS系列化合物納米粒子均勻生長(zhǎng)而具備致密結(jié)構(gòu)。
[0026]在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述CIS系列化合物納米粒子可以是CIS化合物納米粒子、CIGS化合物納米粒子或CZTS化合物納米粒子。
[0027]上述螫合劑可以是選自MEA (monoethanolamine)、DEA (diethanolamine)、TEA(triethanolamine)、乙二胺、EDTA、NTA、HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 及 DHEG 所構(gòu)成的群中的某一個(gè)。
[0028]實(shí)現(xiàn)上述目的的包含本發(fā)明CIS系列化合物薄膜的太陽(yáng)能電池則包括上述具有高密度的CIS系列化合物薄膜。
[0029]【有益效果】
[0030]本發(fā)明在基于納米粒子的前驅(qū)體包含螫合劑地形成前驅(qū)體薄膜并進(jìn)行熱處理，從而完成CIS系列化合物薄膜。此時(shí)，形成于納米粒子表面的螯合化合物在硒化熱處理時(shí)延遲粒子的結(jié)晶化，與此相反地卻讓物質(zhì)流動(dòng)順暢而使得薄膜結(jié)構(gòu)致密化，能夠把本發(fā)明的CIS系列化合物薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的吸光層使用而制成高效率的薄膜太陽(yáng)能電池?！尽緦＠綀D】

【附圖說明】】
[0031]圖1是示出通過本發(fā)明的實(shí)施例制成的CIS薄膜的表面的SEM圖像。
[0032]圖2是示出利用通過本發(fā)明的實(shí)施例制成的CIS薄膜的太陽(yáng)能電池的輸出特性的曲線圖。
[0033]圖3是示出通過比較例制成的CIS化合物薄膜的表面的SEM相圖像。
[0034]圖4是示出利用通過比較例制成的CIS化合物薄膜的太陽(yáng)能電池的暗態(tài)電流-電壓曲線。
【【具體實(shí)施方式】】
[0035]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。下面說明的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)各種形態(tài)的變形，但下列實(shí)施例不會(huì)限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的實(shí)施例的目的是為了向具有本領(lǐng)域通常知識(shí)者完整地說明。[0036]下面具體說明本發(fā)明的CIS系列化合物薄膜的制造方法。
[0037]本發(fā)明CIS系列化合物薄膜的形成方法把螫合劑混合到包含CIS系列化合物納米粒子的漿(slurry)后制成混合漿，然后將其涂層(coating)并進(jìn)行熱處理而制成致密的CIS系列化合物薄膜。下面說明具體方法。
[0038]首先，制造CIS系列化合物納米粒子(步驟I)。
[0039]本發(fā)明中的“CIS系列化合物”定義為包含下列化合物的術(shù)語(yǔ):以IB-1IIA-VIA族化合物半導(dǎo)體Cu-1n-Se作為基本的Cu-1n-S、Cu-Ga-S、Cu-Ga-Se之類的三元化合物；Cu-1n-Ga-Se 之類的四元化合物，Cu-1n-Ga-Se-(S，Se)、Cu-1n-Al-Ga-(S，Se)、Cu-1n-Al-Ga-Se-S之類的五-六化合物。更廣泛地說，包括下列化合物:在上述CIS系列化合物中把In、Ga、Al之類的IIIA族元素全部置換成IIB族元素(Zn等)+IVA族元素(Sn等)的 Cu-Zn-Sn-(Se，S);只置換了一部分而包含 Cu-1n-Ga-Zn-Sn-(Se，S)等的 CZTS 系化合物。
[0040]使用前述ClS系列化合物制造的ClS系列化合物納米粒子可以由低溫膠態(tài)(Colloidal)法、溶劑熱合成法、微波法、超聲波合成法等本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中被廣泛認(rèn)識(shí)的方法制造。
[0041]接著，制造包含螫合劑的CIS系列化合物漿(步驟2)。
[0042]上述漿是將上述步驟I所制造的CIS系列化合物納米粒子、溶劑及螫合劑(chelating agent)混合制成的。
[0043]此時(shí)，上述溶劑可以適用甲醇、乙醇、戊醇、丙醇、丁醇之類的醇系溶劑。
[0044]由于上述螫合劑本身具備黏度而可以作為粘結(jié)劑使用，因此不需要另外添加粘結(jié)劑。
[0045]上述螫合劑可以適用MEA (monoethanolamine)、DEA (diethanolamine)、TEA(triethanolamine)、乙二胺、EDTA, NTA、HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA, DHEG 等。
[0046]但不得因此把本發(fā)明的范圍限定于此，能夠在CIS系列納米粒子表面形成螯合化合物的配位體的螫合劑在本發(fā)明的范疇內(nèi)全部可以適用。
[0047]此時(shí)，可以為了調(diào)節(jié)上述漿的濃度而調(diào)節(jié)CIS系列化合物納米粒子的比率，也可以為了調(diào)節(jié)螯合程度而調(diào)節(jié)螫合劑的比率。
[0048]把前述CIS系列化合物納米粒子與螫合劑混合到溶劑后，制成包含有通過超聲波處理成均勻分散狀態(tài)的螫合劑的CIS系列化合物漿。
[0049]接著，把包含上述螫合劑的CIS系列化合物漿予以涂層而形成CIS系列化合物薄膜(步驟3)。
[0050]本發(fā)明在形成CIS系列化合物薄膜時(shí)使用非真空涂層法。非真空涂層法可以適用噴射法、超聲波噴射法、旋涂法、刮平刀(Doctor Blade)法、絲印法、噴墨印刷法等本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中被廣泛認(rèn)識(shí)的所有非真空涂層法。適用前述非真空涂層法而得以降低生產(chǎn)成本。
[0051]在非真空條件下把包含上述螫合劑的CIS系列漿予以涂層后，還可以進(jìn)行清除醇(alcohol)溶劑的干燥過程，反復(fù)進(jìn)行該涂層及干燥過程就能得到具備所需厚度的含螫合劑的CIS系列化合物薄膜。雖然反復(fù)次數(shù)隨情況而不同，但進(jìn)行3次到5次較佳。
[0052]此時(shí)，螫合劑的非共享電子對(duì)則與納米粒子表面的Cu、In、Ga結(jié)合后形成作為金屬離子-螫合劑復(fù)合物(metal ion-chelating agent complex)的絡(luò)合物(complexcompound)。如此形成于粒子表面的螯合化合物在高溫硒化熱處理時(shí)能降低粒子的反應(yīng)性(reactivity),因此可以可以發(fā)揮出提高粒子結(jié)晶化溫度的作用。
[0053]之后，針對(duì)上述步驟3所形成的含螫合劑的CIS系列化合物薄膜進(jìn)行利用Se蒸氣的硒化(selenization)熱處理工序(步驟4)。
[0054]利用上述Se蒸氣的熱處理工序可以供應(yīng)對(duì)Se固體加熱蒸發(fā)而形成的Se蒸氣并提高形成了上述薄膜的基板溫度地進(jìn)行。此時(shí)，形成于粒子表面的螯合化合物減少粒子的反應(yīng)性，因此可以讓粒子的結(jié)晶化變慢的同時(shí)，還增加物質(zhì)的粘性流(viscous flow)而得以更有效率地填充粒子之間的空隙，從而形成高密度的CIS系列化合物薄膜。
[0055]憑此，在經(jīng)過上述步驟3的前驅(qū)體薄膜實(shí)現(xiàn)硒化，從而薄膜內(nèi)的結(jié)構(gòu)最終致密化而完成本發(fā)明的高密度CIS系列化合物薄膜。
[0056]下面結(jié)合本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)說明。
[0057]【實(shí)施例1】
[0058]在手套式操作箱(glove box)內(nèi)把CuI0.343g、InI30.991g與經(jīng)過蒸懼的吡丨淀(pyridine)溶劑30ml加以混合后將其在50°C的熱板(hot plate)上攪拌10分鐘左右。攪拌10分鐘左右后觀察到原先不透明的溶液變成透明。把該Cu、In混合物與經(jīng)過蒸餾的甲醇20ml內(nèi)所溶入的Na2Se0.5g加以混合。其在原子比上相當(dāng)于Cu:1n: Se=0.9:1:2,之后在(TC的冰浴(ice bath)內(nèi)把甲醇/吡啶混合物加以機(jī)械攪拌使其反應(yīng)I分鐘而合成CIS納米粒子。以4000rpm對(duì)合成的CIS膠體進(jìn)行離心分離30分鐘左右后超聲波處理5分鐘，以經(jīng)過蒸餾的甲醇清洗，反復(fù)進(jìn)行該過程把生成物內(nèi)的副產(chǎn)物及吡啶完全清除后合成高純度的CIS化合物納米粒子。
[0059]把如此制成的CIS化合物納米粒子0.3g、螫合劑0.3g混合到作為溶劑的甲醇
1.2g后，進(jìn)行超聲波處理30分鐘予以分散而制成含螫合劑的CIS化合物漿。
[0060]之后,在沉積了 Mo薄膜的鈉鈣(soda-1 ime glass)玻璃基板上利用旋涂法把包含上述螫合劑的CIS化合物漿涂層(1000rpm，20秒)后，為了清除醇溶劑而在熱板上通過兩階段步驟進(jìn)行干燥。此時(shí)，第一階段步驟干燥在100°C進(jìn)行3分鐘，第二階段步驟則在300°C干燥5分鐘。
[0061]反復(fù)進(jìn)行上述涂層及干燥工序制成具備預(yù)設(shè)厚度的含螫合劑的CIS化合物漿，亦即制成前驅(qū)體薄膜。
[0062]最后,在基板溫度530°C供應(yīng)Se蒸氣并進(jìn)行硒化(selenization)熱處理30分鐘而完成了高密度的CIS化合物薄膜。
[0063]圖1示出了通過上述實(shí)施例制造的CIS薄膜的表面SEM圖像，圖2示出了利用通過上述實(shí)施例制成的CIS薄膜的太陽(yáng)能電池的輸出特性曲線圖。
[0064]在圖2中，利用通過本發(fā)明的實(shí)施例制成的CIS薄膜的太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率為4.41%。
[0065][比較例]
[0066]按照和上述實(shí)施例相同的方法制造CIS化合物納米粒子后，把CIS化合物納米粒子0.3g及丙二醇(propylene glycol) 0.3g溶入甲醇1.2g后進(jìn)行超聲波處理30分鐘制成CIS化合物漿。
[0067]之后，在沉積了 Mo薄膜的鈉鈣玻璃基板上利用旋涂法把上述CIS化合物漿涂層(1000rpm,20秒)，為了清除醇溶劑與粘結(jié)劑而在熱板上以60°C干燥5分鐘后，在180°C干燥2分鐘。
[0068]反復(fù)進(jìn)行上述涂層及干燥工序5次后在基板上形成CIS化合物薄膜。
[0069]最后,在基板溫度530°C供應(yīng)Se蒸氣并進(jìn)行硒化熱處理。
[0070]圖3示出了通過上述比較例制成的CIS化合物薄膜表面的SEM圖像。
[0071]利用通過上述比較例制成的CIS薄膜的太陽(yáng)能電池完全沒有顯示出光電轉(zhuǎn)換特性。這是因?yàn)?，如圖3所示地通過CIS薄膜的氣孔讓導(dǎo)電性Α1:Ζη0膜與下部Mo薄膜之間發(fā)生接觸。上部及下部導(dǎo)電性薄膜之間的接觸及因此發(fā)生的短路可以在圖4的暗態(tài)電流-電壓曲線中確認(rèn)。
[0072]根據(jù)圖1與圖3得知，通過本發(fā)明的實(shí)施例制成的CIS薄膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)組織比通過比較例制成的CIS薄膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)相對(duì)致密。也就是說，通過實(shí)施例制成的CIS薄膜內(nèi)部結(jié)構(gòu)不僅減小了氣孔尺寸，還由于粒子生長(zhǎng)而顯著地減少了氣孔數(shù)量。
[0073]這樣的結(jié)果表示，實(shí)施例在構(gòu)成薄膜的漿上添加螫合劑而在粒子表面形成螯合化合物減少了粒子的反應(yīng)度，因此在硒化時(shí)不僅延遲了粒子的結(jié)晶化，還增加了物質(zhì)的粘性流(viscous flow),從而提高了致密度。
[0074]如前所述，利用螫合劑將前驅(qū)體納米粒子的表面改性而使得硒化熱處理時(shí)能讓CIS系列薄膜的致密度顯著地高于現(xiàn)有技術(shù)。也就是說，即使在相對(duì)低于現(xiàn)有技術(shù)的溫度下進(jìn)行熱處理，也能讓最終完成的CIS系列薄膜得到相似的密度。因此，本發(fā)明的高密度CIS系列薄膜制造方法能夠在工序成本上發(fā)揮出節(jié)約效果。
[0075]前文通過較佳實(shí)施例說明了本發(fā)明，但不得憑此把本發(fā)明限定于前述特定實(shí)施例，具有本領(lǐng)域通常知識(shí)者能夠在沒有脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范疇內(nèi)實(shí)現(xiàn)各種變形。因此本發(fā)明的權(quán)利范圍不能由特定實(shí)施例限定，而應(yīng)該由權(quán)利要求書決定。
【權(quán)利要求】
1.一種具有高密度的Cis系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 包括下列步驟: 步驟1，制造CIS系列化合物納米粒子； 步驟2,把上述CIS系列化合物納米粒子、螫合劑(chelating agent)及溶劑混合制成CIS系列化合物漿； 步驟3，把上述CIS系列化合物漿予以涂層(coating)而形成CIS系列化合物薄膜；及 步驟4，對(duì)上述CIS系列化合物薄膜進(jìn)行熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述CIS系列化合物納米粒子是CIS化合物納米粒子、CIGS化合物納米粒子或CZTS化合物納米粒子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述螫合劑是選自 MEA (monoethanolamine)、DEA (diethanolamine)、TEA(triethanolamine)、乙二胺、EDTA、NTA、HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 及 DHEG 所構(gòu)成的群中的某一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述溶劑是醇系溶劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述醇系溶劑是包含有由乙醇、甲醇、戊醇、丙醇及丁醇所構(gòu)成的群中的某一個(gè)的醇系溶劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述衆(zhòng)由超聲波予以分散制造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述CIS系列化合物薄膜由非真空涂層法形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述非真空涂層法是噴射法、超聲波噴射法、旋涂法、刮平刀(Doct or Blade)法、絲印法及噴墨印刷法中的某一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述步驟3把CIS系列化合物薄膜涂層后再進(jìn)行干燥工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述步驟3依序反復(fù)進(jìn)行多次上述CIS系列薄膜涂層與干燥工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述步驟4供應(yīng)Se蒸氣地進(jìn)行熱處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜的制造方法，其特征在于， 上述熱處理讓形成了上述CIS系列化合物薄膜的基板溫度為400~530°C地進(jìn)行。
13.一種具有高密度的CIS系列化合物薄膜，該CIS系列化合物薄膜作為太陽(yáng)能電池的吸光層使用，其特征在于，上述CIS系列化合物薄膜憑借螫合劑(chelating agent)讓CIS系列化合物納米粒子生長(zhǎng)而具備致密結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜，其特征在于， 上述CIS系列化合物納米粒子是CIS化合物納米粒子、CIGS化合物納米粒子或CZTS化合物納米粒子。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有高密度的CIS系列化合物薄膜，其特征在于， 上述螫合劑是選自 MEA (monoethanolamine)、DEA (diethanolamine)、TEA(triethanolamine)、乙二胺、EDTA、NTA、HEDTA, GEDTA, TTHA, HIDA 及 DHEG 所構(gòu)成的群中的某一個(gè)。
16.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于， 包括權(quán)利要求13到權(quán)利要求`15所述的CIS系列化合物薄膜。
【文檔編號(hào)】H01L31/032GK103534818SQ201280023302
【公開日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2012年2月2日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月25日
【發(fā)明者】安世鎮(zhèn), 尹慶勛, 尹載浩, 郭智惠, 趙雅拉, 申基植, 安承奎 申請(qǐng)人:韓國(guó)能源技術(shù)研究院