有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件，包括基板；在基板上形成的薄膜晶體管；保護(hù)膜，形成為覆蓋薄膜晶體管；濾色器層，形成在與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板上并通過移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜而暴露；覆蓋層，形成在基板的整個表面以覆蓋濾色器層和保護(hù)膜；漏極接觸孔，通過選擇性地移除保護(hù)膜和覆蓋層而暴露出薄膜晶體管；第一電極，通過覆蓋層上的漏極接觸孔連接到薄膜晶體管；白色有機(jī)發(fā)光層，形成在第一電極上；以及第二電極，形成為覆蓋白色有機(jī)發(fā)光層。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器件，更具體地，涉及色彩質(zhì)量改善的有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為先進(jìn)信息和通訊技術(shù)的核心技術(shù)，對于在屏幕上顯示各種信息的圖像顯示器件，在開發(fā)性能改善的輕薄且便攜式器件方面持續(xù)發(fā)展。于此，用于控制有機(jī)發(fā)光層的光強(qiáng)度的有機(jī)發(fā)光顯示器件近來作為平板顯示器件受到了關(guān)注，并且根據(jù)便利性和空間利用，需要能夠彎曲的柔性顯示器。
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示器件包括形成在基板上的薄膜晶體管(TFT)陣列部、布置在TFT陣列部上的有機(jī)發(fā)光顯示面板以及將有機(jī)發(fā)光顯示面板與外部環(huán)境隔離的包封層(encapsulation layer)。有機(jī)發(fā)光顯示器件向形成在有機(jī)發(fā)光層兩端處的第一電極和第二電極施加電場以將電子和空穴注入并傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光層中，由此利用在電子和空穴復(fù)合期間的結(jié)合能發(fā)射光的電突光現(xiàn)象。在有機(jī)發(fā)光層中彼此配對的電子和空穴發(fā)光同時從激發(fā)態(tài)落回基態(tài)。
[0004]具體地，在有機(jī)發(fā)光顯示器件中，通過柵線和數(shù)據(jù)線交叉來限定多個子像素。當(dāng)向柵線施加?xùn)琶}沖時，每個子像素接收來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號，造成產(chǎn)生對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的光。
[0005]下文，將參照圖1來描述傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件。
[0006]圖1是示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件的截面視圖。
[0007]如圖1所示，傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件包括基板10、形成在基板10上的TFT、形成為覆蓋TFT的保護(hù)膜16、形成在保護(hù)膜16上的濾色器層17，形成為覆蓋濾色器層的覆蓋層18以及形成在覆蓋層18上的有機(jī)發(fā)光單元20。有機(jī)發(fā)光單元20包括順序堆疊的第一電極20a、有機(jī)發(fā)光層20b和第二電極20c。
[0008]TFT包括柵極11a、柵絕緣層12、半導(dǎo)體層13、源極15a和漏極15b。如果半導(dǎo)體層13是氧化物半導(dǎo)體層，那么TFT進(jìn)一步包括在半導(dǎo)體層13上形成的蝕刻停止層(ESL) 14。
[0009]第一電極20a通過漏極接觸孔(未示出)電連接漏極15b,漏極接觸孔是通過選擇性地移除保護(hù)膜16和覆蓋層18而形成。在覆蓋層18上形成有堤岸部19，堤岸部19具有暴露出一部分第一電極20a的堤岸孔以限定發(fā)光區(qū)。隨后，在堤岸孔中形成有機(jī)發(fā)光層20b，并且在有機(jī)發(fā)光層20b的整個表面上形成第二電極20c。
[0010]這樣的有機(jī)發(fā)光單元20通過在來自第一電極20a的空穴和來自第二電極20c的電子注入到有機(jī)發(fā)光層20b中并且彼此復(fù)合時產(chǎn)生的結(jié)合能而發(fā)光。此外，包封層可進(jìn)一步形成在第二電極20c上以封蓋有機(jī)發(fā)光單元20。
[0011]包封層經(jīng)由布置在玻璃蓋30的一個表面上的面密封層(face seal) 22貼附到有機(jī)發(fā)光單元20。特別地，為了防止?jié)駳夂脱趿魅胗袡C(jī)發(fā)光層20b，可進(jìn)一步在面密封層22和第二電極20c之間布置無機(jī)層21。[0012]有機(jī)發(fā)光顯示器件可使用在來自有機(jī)發(fā)光層20b的白光穿過在每個子像素中形成的濾色器層17時,從有機(jī)發(fā)光層20b發(fā)出的白光來實現(xiàn)各種顏色的光。然而，由于從有機(jī)發(fā)光層20b發(fā)出的光順序穿過覆蓋層18、濾色器層17、保護(hù)膜16、柵絕緣層12和基板10并且發(fā)射到外部，因此在穿過具有高折射系數(shù)的保護(hù)膜16和絕緣層12時，根據(jù)視角的光波長干擾造成反色，由此改變根據(jù)視角的色坐標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法，所述有機(jī)發(fā)光顯示器件基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0014]本發(fā)明的一方面提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器件及其制造方法，其中通過移除與發(fā)射區(qū)相對應(yīng)的具有高折射系數(shù)的柵絕緣層和保護(hù)層，穿過濾色器的光直接經(jīng)由基板發(fā)射到外部，從而抑制了從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的光根據(jù)視角而造成的色彩特性的劣化。
[0015]在下面的描述中將部分列出本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和和特征，一部分優(yōu)點和特征從下面的描述對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的，或者可通過本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。
[0016]為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，一種有機(jī)發(fā)光顯示器件包括:基板；在基板上形成的薄膜晶體管；保護(hù)膜，覆蓋薄膜晶體管；濾色器層，形成在與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板上并通過移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜而暴露；覆蓋層，形成在基板的整個表面以覆蓋濾色器層和保護(hù)膜；漏極接觸孔，通過選擇性地移除保護(hù)膜和覆蓋層而暴露出薄膜晶體管；第一電極，通過覆蓋層上的漏極接觸孔連接到薄膜晶體管；白色有機(jī)發(fā)光層，形成在第一電極上；以及第二電極，覆蓋白色有機(jī)發(fā)光層。
[0017]由白色有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的白光可順序通過覆蓋層、濾色器層和基板而釋放到外部。
[0018]濾色器層和覆蓋層可具有相同的折射系數(shù)。
[0019]柵絕緣層和保護(hù)膜的折射系數(shù)可大于基板和濾色器層的折射系數(shù)。
[0020]形成在基板的顯示區(qū)中的保護(hù)膜的一個邊緣與柵絕緣層的一個邊緣可布置在相同的位置。
[0021 ] 柵絕緣層和保護(hù)膜可由相同的材料形成。
[0022]在本發(fā)明的另一方面，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法包括:在基板上形成薄膜晶體管；在基板的整個表面形成保護(hù)膜以覆蓋薄膜晶體管；通過選擇性地移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜來暴露基板的一部分顯示區(qū)，同時通過選擇性地移除保護(hù)膜而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔圖案；在暴露的基板上形成濾色器層；在基板的整個表面形成覆蓋層以覆蓋濾色器層和保護(hù)膜；根據(jù)漏極接觸孔圖案，通過選擇性地移除覆蓋層而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔；形成經(jīng)由覆蓋層上的漏極接觸孔與薄膜晶體管電連接的第一電極；在第一電極上形成白色有機(jī)發(fā)光層；以及在覆蓋層上形成第二電極以覆蓋白色有機(jī)發(fā)光層。
[0023]由白色有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的白光可順序通過覆蓋層、濾色器層和基板而釋放到外部。
[0024]可選擇性地移除柵絕緣層和保護(hù)膜使得形成在基板的顯示區(qū)中的保護(hù)膜的一個邊緣與柵絕緣層的一個邊緣布置在相同的位置。
[0025]可由相同的材料形成柵絕緣層和保護(hù)膜。
[0026]通過選擇性地移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜來暴露基板的一部分顯示區(qū)，和同時通過選擇性地移除保護(hù)膜而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔圖案可使用半色調(diào)掩模來執(zhí)行。
[0027]應(yīng)理解的是，上述概括描述以及以下對本發(fā)明的詳細(xì)描述均是示例及解釋性的，其僅用于提供對所主張的發(fā)明的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說明書而組成說明書的一部分。所述附圖示出本發(fā)明的實施方式，并且與說明書文字一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0029]圖1示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件的截面視圖；
[0030]圖2示出本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件的截面圖；
[0031]圖3A-3L示出制造本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件的截面圖；
[0032]圖4A示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件關(guān)于視角的色彩特性的圖表；和
[0033]圖4B示出本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件關(guān)于視角的色彩特性的圖表。
【具體實施方式】
[0034]現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些實例。盡可能地，在附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。
[0035]以下將詳細(xì)描述有機(jī)發(fā)光顯示器件及制造該有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法。
[0036]圖2示出本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件的截面圖。
[0037]如圖2所示，有機(jī)發(fā)光顯示器件包括形成在基板100上的薄膜晶體管(TFT)、形成為覆蓋TFT的保護(hù)膜160、形成在通過移除TFT的柵絕緣層120和保護(hù)膜160而暴露的基板100上的濾色器層170、形成在基板100的整個表面上以覆蓋保護(hù)膜160和濾色器層170的覆蓋層180以及形成在覆蓋層180上的有機(jī)發(fā)光單元200。
[0038]TFT和有機(jī)發(fā)光單元200形成在基板100的顯示區(qū)中。盡管未在此示出，但是在基板100的非顯示區(qū)中布置有與柵線相連的柵焊墊和與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)焊墊。
[0039]具體地，在基板100的顯示區(qū)中通過柵線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)交叉布置而限定多個子像素以便在它們之間插入柵絕緣層120。TFT形成在柵線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)的交叉處。
[0040]TFT可選自由氧化物TFT、有機(jī)TFT、非晶硅TFT和多晶硅TFT組成組，其中氧化物TFT使用諸如銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、氧化鋅(ZnO)以及氧化鈦(TiO)的氧化物作為半導(dǎo)體層，有機(jī)TFT使用有機(jī)材料作為半導(dǎo)體層，非晶硅TFT使用非晶硅作為半導(dǎo)體層而多晶硅TFT使用多晶硅作為半導(dǎo)體層。在此，于附圖中示出氧化物TFT。
[0041]相比于包括硅半導(dǎo)體層的硅TFT，氧化物TFT的優(yōu)點在于更高的電荷移動性以及更低的漏電流特性。此外，由于硅TFT是通過使硅半導(dǎo)體層結(jié)晶的高溫工藝來制造，因此在結(jié)晶工藝期間，隨著硅半導(dǎo)體層的面積增加，均一性下降。因此，硅TFT并不適合大面積。另一方面，氧化物TFT可以在低溫下加工而適于大面積。
[0042]具體地，氧化物TFT包括通過凸出柵線(未示出)而形成或者被限定為柵線一部分的柵極110a，形成為覆蓋柵極110a并暴露出與部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板100的柵絕緣層120，形成在柵絕緣層120上并覆蓋柵極110a的半導(dǎo)體層130，形成在半導(dǎo)體層130上的蝕刻終止層(ESL) 140，與數(shù)據(jù)線(未示出)相連并形成在ESL140上的源極150a，以及與源極150a間隔開并形成在ESL上的漏極150b。
[0043]對于此，保護(hù)膜160形成為覆蓋TFT并暴露出與部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板100。柵絕緣層120和保護(hù)膜160可由無機(jī)材料如SiOx、SiNx和A1203形成。特別地，柵絕緣層120和保護(hù)膜160可由相同材料形成，并且保護(hù)膜160的一個邊緣與柵絕緣層120的一個邊緣布置在相同位置。
[0044]在子像素中，R、G和B濾色器層170形成在基板100的暴露部分，并因此限定R、G和B子像素。對于此，如果濾色器層170的厚度過大，透光率降低。另一方面，如果濾色器層170的厚度太小，色彩再現(xiàn)率降低。因此，濾色器層170的厚度可以為約1 μ m。特別地，在沒有形成濾色器層170的W子像素中，也形成保護(hù)膜160和柵絕緣層120，使與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板100暴露出來。
[0045]如上所述，包括濾色器層170的R、G和B子像素使用由有機(jī)發(fā)光層200b發(fā)出的穿過濾色器層170的白光，實現(xiàn)了多種顏色的光。此外，不包括濾色器層170的W子像素由于是從有機(jī)發(fā)光層200發(fā)出白光，而實現(xiàn)了白光。
[0046]隨后，在設(shè)有濾色器層170和保護(hù)膜160的基板100的整個表面上形成覆蓋層180。覆蓋層180形成在其中沒有形成濾色器層170的W子像素的整個表面上，以及形成在其中形成了濾色器層170的R、G和B子像素的整個表面上。特別地，由于W子像素中沒有形成濾色器層170，形成覆蓋層180來覆蓋基板100的整個暴露的表面。
[0047]此外，漏極150b通過由選擇性地移除覆蓋層180和保護(hù)膜160而形成的漏極接觸孔(未示出)而暴露。有機(jī)發(fā)光單元200形成在覆蓋層180上，該有機(jī)發(fā)光單元200包括順序堆疊的第一電極200a、有機(jī)發(fā)光層200b以及第二電極200c。具體地，第一電極200a與通過漏極接觸孔(未示出)暴露的漏極150b電連接。構(gòu)成陽極的第一電極200a由透明導(dǎo)電材料形成，例如氧化錫(T0)、銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)和銦錫鋅氧化物(ΙΤΖ0)。
[0048]在第一電極200a上形成有堤岸部190以限定發(fā)光區(qū)，堤岸部190具有暴露出一部分第一電極200a的堤岸孔，有機(jī)發(fā)光層200b由白色有機(jī)發(fā)光材料形成于堤岸孔中。隨后，在有機(jī)發(fā)光層200b上形成第二電極200c。第二電極200c構(gòu)成陰極，由諸如鋁(A1)的反射型金屬材料形成以將在有機(jī)發(fā)光層200b中產(chǎn)生的光朝第一電極200a反射。
[0049]盡管未在此示出，可在第一電極200a和有機(jī)發(fā)光層200b之間進(jìn)一步形成空穴注入層和空穴傳輸層?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭▊鬏攲硬贾脼榇龠M(jìn)空穴注入到有機(jī)發(fā)光層200b中?？稍谟袡C(jī)發(fā)光層200b和第二電極200c之間進(jìn)一步形成電子注入層和電子傳輸層。電子注入層和電子傳輸層布置為促進(jìn)電子注入到有機(jī)發(fā)光層200b中。
[0050]在上述有機(jī)發(fā)光顯示器件中，當(dāng)在第一電極200a和第二電極200c之間施加電壓時，從第一電極200a注入的空穴和從第二電極200c注入的電子在有機(jī)發(fā)光層200b中復(fù)合，由此產(chǎn)生激子。激子發(fā)光同時變回基態(tài)。如上所述，當(dāng)穿過布置在有機(jī)發(fā)光單元200下的濾色器層170時，與每個濾色器層170對應(yīng)的光通過基板100發(fā)射到外部。
[0051]也即，在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件中，從有機(jī)發(fā)光層200b發(fā)出的光通過覆蓋層180、濾色器層170和基板100被釋放到外部。
[0052]傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光器件包括覆蓋層180、濾色器層170、保護(hù)膜160和在有機(jī)發(fā)光層200b和基板100之間的柵絕緣層120。然而，當(dāng)濾色器層170、覆蓋層180和基板100的折射系數(shù)在約1.3至約1.6的范圍，柵絕緣層120和保護(hù)膜160的折射系數(shù)為2.0或更大。因此,色坐標(biāo)會根據(jù)視角而改變，由此使色彩性質(zhì)劣化。
[0053]然而，在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件中，由高折射系數(shù)的無機(jī)材料形成的柵絕緣層120和保護(hù)膜160被從覆蓋層180和濾色器層170之間移除，并且直接在基板100上形成濾色器層170。因此，由于來自有機(jī)發(fā)光層200b的光通過具有相似折射系數(shù)的覆蓋層180、濾色器層170和基板100被發(fā)射到外部，可防止由于視角導(dǎo)致的色彩性質(zhì)的劣化。
[0054]此外，可在第二電極200c上形成包封層用來封蓋有機(jī)發(fā)光單元200。包封層通過在玻璃蓋300的一個表面上形成的面密封層220而貼附有機(jī)發(fā)光單元200。特別地，為了防止水分和氧流入到有機(jī)發(fā)光單元200b中，可在面密封層220和第二電極200c之間形成諸如A10x、SiN的無機(jī)層210以及金屬膜。
[0055]同時，盡管未在此示出，柵焊墊包括與柵極110a在同一層上形成的柵焊墊下電極，通過選擇性地移除柵絕緣層120、保護(hù)膜160以及覆蓋層180而暴露出柵焊墊下電極的柵接觸孔，以及與第一電極200a在同一層上形成并且與暴露出的柵焊墊下電極電連接的柵焊墊上電極。
[0056]此外，數(shù)據(jù)焊墊包括與源極150a在同一層形成的數(shù)據(jù)焊墊下電極，通過選擇性地移除保護(hù)膜160和覆蓋層180而暴露出數(shù)據(jù)焊墊下電極的數(shù)據(jù)接觸孔以及與第一電極200a在同一層形成并且與暴露出的數(shù)據(jù)焊墊下電極電連接的數(shù)據(jù)焊墊上電極。
[0057]下文，將詳細(xì)描述制造本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法。
[0058]圖3A-3L示出描述制造本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法的截面圖。
[0059]如圖3A所示，在基板100的顯示區(qū)中形成柵線(未示出)和柵極110a。盡管未在此示出，但是柵線(未示出)的一端延伸至基板100的非顯示區(qū)，并且在柵線(未示出)的這一端形成柵焊墊下電極。使用諸如Si0x、SiN!^PAl203的無機(jī)材料，在設(shè)有柵線(未示出)、柵極110a和柵焊墊下電極(未示出)的基板100的整個表面上形成柵絕緣層120。
[0060]隨后，如圖3B所示，在柵絕緣層120上形成半導(dǎo)體層130以覆蓋柵極110a，并且在半導(dǎo)體層130上形成蝕刻終止層(ESL) 140。隨后，形成與柵線(未示出)交叉的數(shù)據(jù)線(未示出)以在它們之間布置柵絕緣層120來限定多個子像素。形成與數(shù)據(jù)線(未示出)相連的源極150a以及與源極150a間隔開的漏極150b。盡管未在此示出，但是數(shù)據(jù)線(未示出)的一端延伸至基板100的非顯示區(qū)，并且在數(shù)據(jù)線(未示出)的這一端形成數(shù)據(jù)焊墊下電極。
[0061]按上述形成的TFT是使用銦鎵鋅氧化物(IGZ0)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈦(TiO)等作為半導(dǎo)體層130的氧化物TFT。如果需要，TFT也可選自由使用有機(jī)材料作為半導(dǎo)體層130的有機(jī)TFT、使用非晶硅作為半導(dǎo)體層130的非晶硅TFT以及使用多晶硅作為半導(dǎo)體層130的多晶硅TFT。
[0062]隨后，如圖3C所示，在包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)的基板100的整個表面形成諸如SiOx、SiNx和A1203的無機(jī)材料的保護(hù)膜160以覆蓋TFT。對于此，保護(hù)膜160可由與柵絕緣層120相同的材料形成。此外，如圖3D所示，通過選擇性地移除柵絕緣層120和保護(hù)膜160，暴露在基板100的非顯示區(qū)中布置的柵焊墊下電極(未示出)和數(shù)據(jù)焊墊下電極(未示出)。同時，通過選擇性地移除保護(hù)膜160，形成暴露出漏極150b的漏極接觸孔圖案160a，并且移除保護(hù)膜160和柵絕緣層120以暴露與顯示區(qū)的一部分相對應(yīng)的基板100。
[0063]對于此，如圖3D所示，使用由具有透射區(qū)A和截止區(qū)B的掩模MASK形成的光刻膠圖案作為掩模，移除保護(hù)膜160和柵絕緣層120。掩模MASK的透射區(qū)A對應(yīng)于移除了保護(hù)膜160和柵絕緣層120的區(qū)域以及形成了暴露出漏極150b的漏極接觸孔的區(qū)域。截止區(qū)B對應(yīng)于其他區(qū)域。
[0064]具體地，在保護(hù)膜160上涂覆光刻膠400，并且在光刻膠400上布置掩模MASK。隨后，使用掩模MASK將光刻膠400暴露于光并顯影以形成如圖3E所示的光刻膠圖案400a。隨后，通過使用光刻膠圖案400a作為掩模移除暴露出的保護(hù)膜160和柵絕緣層120以暴露出與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板100。同時，形成暴露出漏極150b的漏極接觸孔圖案160a。對于此，由于柵絕緣層120和保護(hù)膜160由相同材料形成，保留在在顯示區(qū)中的保護(hù)膜160的一個邊緣布置在與柵絕緣層120的一個邊緣相同的位置。
[0065]如上所述，當(dāng)暴露出與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板100的同時，形成漏極接觸孔圖案160a。如果使用半色調(diào)掩模選擇性地移除保護(hù)膜160和柵絕緣層120，通過移除基板100上與顯示區(qū)對應(yīng)的保護(hù)膜160和柵絕緣層120，暴露基板100，隨后可形成暴露出漏極150b的漏極接觸孔圖案160a。
[0066]隨后，如圖3F所示，移除光刻膠圖案400a，并且如圖3G所示，在每個子像素的暴露的基板100上形成R、G和B濾色器層170。包括R、G和B濾色器層的子像素分別限定為R、G和B子像素。特別地，在沒有形成濾色器層170的W子像素中，也移除保護(hù)膜160和柵絕緣層120以暴露出對應(yīng)于一部分顯示區(qū)的基板100。
[0067]如上所述，包括濾色器層170的R、G和B子像素使用下面將要描述的從有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的白光穿過濾色器層170實現(xiàn)了各種顏色的光。此外，沒有形成濾色器層170的W子像素在從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射白光后實現(xiàn)了白色。
[0068]隨后，如圖3H所示，在基板100的整個表面形成覆蓋層180。對于此，覆蓋層180形成為不僅覆蓋包括濾色器層170R、G和B子像素的整個表面，而且也覆蓋沒有形成濾色器層170的W子像素的整個表面。特別地，由于在W子像素中沒有形成濾色器層170，形成W子像素的覆蓋層180來覆蓋暴露的基板100的整個表面。
[0069]隨后，選擇性地移除覆蓋層180以根據(jù)顯示區(qū)的漏極接觸孔圖案160a，形成暴露出漏極150b的漏極接觸孔160b。同時，形成暴露出在基板100的非顯示區(qū)中的柵焊墊下電極(未示出)和暴露出數(shù)據(jù)焊墊下電極的數(shù)據(jù)接觸孔。
[0070]如上所述，當(dāng)暴露出漏極150b和柵焊墊下電極(未示出)和暴露出數(shù)據(jù)焊墊下電極(未示出)，從保護(hù)膜160和柵絕緣層120分別移除覆蓋層180。如果同時構(gòu)圖覆蓋層180和保護(hù)膜160，以倒錐形移除保護(hù)膜160，以至于可能不會在第一電極和漏極150b之間、在柵焊墊上電極和柵焊墊下電極之間以及在數(shù)據(jù)焊墊上電極和數(shù)據(jù)焊墊下電極之間正確形成接觸。
[0071]隨后，如圖31所示，在設(shè)有覆蓋層180的基板100的整個表面沉積諸如氧化錫(T0)、銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)和銦錫鋅氧化物(ΙΤΖ0)的透明導(dǎo)電材料并構(gòu)圖以形成與漏極150b相連的第一電極200a。同時，也在非顯示區(qū)中形成通過柵極接觸孔(未示出)連接至柵焊墊下電極的柵焊墊上電極以及通過數(shù)據(jù)接觸孔(未示出)連接至數(shù)據(jù)焊墊下電極的數(shù)據(jù)焊墊上電極。
[0072]隨后，如圖3J所示，形成具有部分暴露出第一電極200a的堤岸孔的堤岸部190以便在第一電極200a上限定顯示區(qū)的熒光區(qū)。此外，如圖3K所示，在通過堤岸孔暴露的第一電極200a上形成有機(jī)發(fā)光層200b。由于有機(jī)發(fā)光層200b是由有白色機(jī)發(fā)光材料形成，來自有機(jī)發(fā)光層200b的白光通過覆蓋層180、濾色器層170和基板100發(fā)射到外部。此外，形成第二電極200c以覆蓋有機(jī)發(fā)光層200b。構(gòu)成陰極的第二電極200c由諸如鋁(A1)的反射型金屬材料形成。因此，第二電極200c朝第一電極200a反射從有機(jī)發(fā)光層200b發(fā)射的白光。
[0073]盡管未在此示出，但是可在第一電極200a和有機(jī)發(fā)光層200b之間形成空穴注入層和空穴傳輸層?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭▊鬏攲硬贾脼榇龠M(jìn)空穴注入到有機(jī)發(fā)光層200b中。此夕卜，可在有機(jī)發(fā)光層200b和第二電極200c之間形成電子注入層和電子傳輸層。電子注入層和電子傳輸層布置為促進(jìn)電子注入到有機(jī)發(fā)光層200b中。
[0074]在如上所述的有機(jī)發(fā)光層中，當(dāng)在第一電極200a和第二電極200c之間施加電壓時，從第一電極200a注入的空穴和從第二電極200b注入的電子在有機(jī)發(fā)光層200b中復(fù)合，產(chǎn)生激子。激子發(fā)光同時落回基態(tài)。在穿過布置在有機(jī)發(fā)光單元200下的濾色器層170的同時，對應(yīng)于每個濾色器層170的光通過基板100發(fā)射到外部。
[0075]隨后，如圖3L所示，為了防止外部濕氣和氧流入到有機(jī)發(fā)光層200b中，在第二電極200c的整個表面布置無機(jī)層210。為了封蓋有機(jī)發(fā)光單元200，將形成在玻璃蓋300的一個表面上的面密封層220貼附到無機(jī)層210。
[0076]根據(jù)制造本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法，不使用單獨的掩模工藝來暴露基板100，并且濾色器層170直接形成在暴露的基板100上。因此，來自有機(jī)發(fā)光層200c的光可通過具有相似折射系數(shù)的覆蓋層180、濾色器層170和基板100而發(fā)射到外部。因此，可防止根據(jù)視角所造成的色彩特性劣化。
[0077]圖4A示出傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件關(guān)于視角的色彩特性的圖表。圖4B示出本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器件關(guān)于視角的色彩特性的圖表。
[0078]在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器件中，來自有機(jī)發(fā)光層的光通過覆蓋層、濾色器層、保護(hù)膜、柵絕緣層和基板而發(fā)射到外部。因此，當(dāng)通過濾色器層發(fā)射的光穿過具有高折射系數(shù)的保護(hù)膜和柵絕緣層時，發(fā)生光的波長干擾。因此，如圖4A所示，色坐標(biāo)(CIE x,CIE y)根據(jù)視角變化，由此色彩特性劣化。
[0079]然而，在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器件中，移除了在覆蓋層180和濾色器層170之間的高折射系數(shù)的柵絕緣層120和保護(hù)膜160，并且直接在基板100上形成濾色器層170。因此，來自有機(jī)發(fā)光層200c的光通過具有相似折射系數(shù)的覆蓋層180、濾色器層170和基板100而發(fā)射到外部。結(jié)果，即使在視角如圖4B所示改變時，也能恒定地維持色坐標(biāo)(CIEx,CIE y)。因此，可防止根據(jù)視角所造成的色彩特性劣化。
[0080]從上面的說明中顯而易見的是，有機(jī)發(fā)光顯示器件具有如下的效果。
[0081]首先，通過移除與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的柵絕緣層和保護(hù)膜，并且直接在暴露出的基板上形成濾色器層，來自有機(jī)發(fā)光層的光通過具有相似折射系數(shù)的覆蓋層、濾色器層和基板而釋放到外部，而不需穿過具有高折射系數(shù)的保護(hù)層和柵絕緣層。結(jié)果，可防止根據(jù)視角的色彩特性的劣化。
[0082]其次，由于移除柵絕緣層和保護(hù)層的工序是與暴露漏極的工序同時執(zhí)行，因此可不使用單獨的掩模工藝而防止色彩特性的劣化。
[0083]對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍下可以有各種修改和變化。因此，各種修改和變化只要落入本發(fā)明的所附權(quán)利要求及其等同的范圍內(nèi)，那么本發(fā)明就旨在覆蓋它們。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯不器件，包括:基板；在基板上形成的薄膜晶體管；保護(hù)膜，覆蓋薄膜晶體管；濾色器層，形成在與一部分顯示區(qū)相對應(yīng)的基板上并通過移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)I吳而暴露；覆蓋層，形成在基板的整個表面以覆蓋濾色器層和保護(hù)膜；漏極接觸孔，通過選擇性地移除保護(hù)膜和覆蓋層而暴露出薄膜晶體管；第一電極，通過覆蓋層上的漏極接觸孔連接到薄膜晶體管；白色有機(jī)發(fā)光層，形成在第一電極上；以及第二電極，覆蓋白色有機(jī)發(fā)光層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中由白色有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的白光順序通過覆蓋層、濾色器層和基板而釋放到外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中濾色器層和覆蓋層具有相同的折射系數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中柵絕緣層和保護(hù)膜的折射系數(shù)大于基板和濾色器層的折射系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中形成在基板的顯示區(qū)中的保護(hù)膜的一個邊緣與柵絕緣層的一個邊緣布置在相同的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的有機(jī)發(fā)光顯示器件，其中柵絕緣層和保護(hù)膜由相同的材料形成。
7.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示器件的方法，所述方法包括:在基板上形成薄膜晶體管；在基板的整個表面形成保護(hù)膜以覆蓋薄膜晶體管；通過選擇性地移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜來暴露基板的一部分顯示區(qū)，同時通過選擇性地移除保護(hù)膜而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔圖案；在暴露的基板上形成濾色器層；在基板的整個表面形成覆蓋層以覆蓋濾色器層和保護(hù)膜；根據(jù)漏極接觸孔圖案，通過選擇性地移除覆蓋層而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔；形成經(jīng)由覆蓋層上的漏極接觸孔與薄膜晶體管電連接的第一電極；在第一電極上形成白色有機(jī)發(fā)光層；以及形成第二電極以覆蓋白色有機(jī)發(fā)光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中由白色有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的白光順序通過覆蓋層、濾色器層和基板而釋放到外部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中選擇性地移除柵絕緣層和保護(hù)膜使得形成在基板的顯示區(qū)中的保護(hù)膜的一個邊緣與柵絕緣層的一個邊緣布置在相同的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中由相同的材料形成柵絕緣層和保護(hù)膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中通過選擇性地移除薄膜晶體管的柵絕緣層和保護(hù)膜來暴露基板的一部分顯示區(qū)，和同時通過選擇性地移除保護(hù)膜而形成暴露出薄膜晶體管的漏極接觸孔圖案都是使用半色調(diào)掩模來執(zhí)行。
【文檔編號】H01L51/56GK103633110SQ201210573137
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】金恩雅, 李晙碩 申請人:樂金顯示有限公司