專(zhuān)利名稱(chēng)：晶圓傳送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓傳送裝置。 背景技木
在半導(dǎo)體銅(Cu)布線(xiàn)工藝中，為了進(jìn)行銅薄膜的電鍍，首先需要通過(guò)物 理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)制程在半導(dǎo)體晶圓的氧化硅層上 生長(zhǎng)出阻擋層，其成分比如是鉭(Ta);然后需要在阻擋層上同樣以PVD制程 沉積一層薄的銅籽晶層，然后再在Cu籽晶層上以電化學(xué)電鍍(Electrical Chemical Plating, ECP)方法來(lái)生長(zhǎng)出一層期望厚皮的Cu薄膜層。
在電化學(xué)鍍銅過(guò)程中，首先將晶圓放置在電鍍槽中與電鍍液反應(yīng)。其中， 晶圓是呈片狀的晶片。然后，通過(guò)晶圓清洗及晶圓邊緣快速去除工藝(Clean & EBR process)對(duì)晶圓進(jìn)行處理。最后，需要將該晶圓通過(guò)晶圓轉(zhuǎn)送裝置運(yùn)到退 火反應(yīng)室。
現(xiàn)有的晶圓轉(zhuǎn)送裝置是由塑料制成。請(qǐng)參見(jiàn)圖1,該晶圓轉(zhuǎn)送裝置包括一個(gè) 用于放置晶圓l，的空腔，所述空腔是一個(gè)開(kāi)口向上、底面呈圓形的凹槽，且其 四周槽壁2，均豎直設(shè)置，即與底面相垂直。
由于現(xiàn)在通常采用機(jī)械自動(dòng)化流水線(xiàn)生產(chǎn)，晶圓在從電鍍槽到晶圓轉(zhuǎn)送裝
置的移送過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生移位，例如晶圓r的一部分架在槽頂上，而沒(méi)有放 置在空腔的正確位置，請(qǐng)參見(jiàn)圖2，晶圓探測(cè)器一旦沒(méi)有探測(cè)到晶圓r,就會(huì)發(fā) 出警報(bào)。接著，鎖定裝置也將被觸發(fā)，工藝線(xiàn)上的所有晶圓r將因此停頓下來(lái)， 進(jìn)而容易引發(fā)這些晶圓r在一起碰撞甚至碰碎。而且，這些晶圓r由于過(guò)長(zhǎng)時(shí) 間停留在潮濕的酸性環(huán)境中，容易被侵蝕損壞?；谏鲜鲞@些原因，晶圓的被 廢棄比例非常高，生產(chǎn)成本驟升
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶圓傳送裝置，不僅結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便， 而且晶圓可以借助自身的重力自動(dòng)調(diào)整到晶圓傳送裝置的正確位置。
為了達(dá)到上述的目的，本實(shí)用新型提供一種晶圓傳送裝置，包括一個(gè)用于 放置晶圓的空腔，所述空腔是一個(gè)開(kāi)口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向 上延伸的槽壁面。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面在所述凹槽的縱剖面中為直線(xiàn)。 在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面在所述凹槽的縱剖面中為曲線(xiàn)。所 述曲線(xiàn)可以為上凹曲線(xiàn)或下凹曲線(xiàn)。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面與水平面的夾角為5-60°。進(jìn)一步， 所迷槽壁面與水平面的夾角為30°。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述晶圓傳送裝置由塑料制成。 本實(shí)用新型的晶圓傳送裝置通過(guò)將放置晶圓的空腔設(shè)置具有所述向外且斜 向上延伸的槽壁面的凹槽，4吏得當(dāng)晶圓沒(méi)有》文置在晶圓傳送裝置的正確位置時(shí)， 晶圓可以通過(guò)自身的重力自動(dòng)下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免了由于晶圓位 置放置不正確，觸發(fā)警報(bào)器及鎖定裝置，使得整個(gè)工藝生產(chǎn)線(xiàn)停頓。因而，有 效避免了晶圓由于生產(chǎn)線(xiàn)突然停頓而引發(fā)的碰撞。同時(shí)也可以有效避免晶圓由 于過(guò)長(zhǎng)時(shí)間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險(xiǎn)。因此，提高了生產(chǎn)線(xiàn)的效 率，有效減少了晶圓的不合格率，降低了生產(chǎn)成本。


本實(shí)用新型的晶圓傳送裝置由以下的實(shí)施例及附圖給出。 圖l是現(xiàn)有的晶圓傳送裝置當(dāng)晶圓正確;故置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是現(xiàn)有的晶圓傳送裝置當(dāng)晶圓錯(cuò)誤放置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型具有曲線(xiàn)槽壁面(上凹曲線(xiàn))的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié) 構(gòu)示意圖4是本實(shí)用新型具有曲線(xiàn)槽壁面(下凹曲線(xiàn))的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié) 構(gòu)示意圖5是本實(shí)用新型具有直線(xiàn)槽壁面的晶圓傳送裝置晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是本實(shí)用新型晶圓傳送裝置當(dāng)晶圓錯(cuò)誤放置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1，， l-晶圓； 2，， 2-槽壁面。
具體實(shí)施方式

以下將對(duì)本實(shí)用新型的晶圓傳送裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
請(qǐng)參見(jiàn)圖3，本實(shí)用新型提供一種晶圓傳送裝置，包括一個(gè)用于放置晶圓l 的空腔，所述空腔是一個(gè)開(kāi)口向上的凹槽，所述凹槽的4黃截面為圓形，所述凹 槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,這種槽壁面區(qū)別于現(xiàn)有的豎直向上的槽壁 面。當(dāng)晶圓1沒(méi)用;^丈置在晶圓傳送裝置的正確位置時(shí)，晶圓1可以借助該向外 且斜向上延伸的槽壁面2,利用自身重力作用自動(dòng)調(diào)整到正確的位置。
本實(shí)施例中，所述凹槽的縱剖面呈上寬下窄的碗狀，請(qǐng)參見(jiàn)圖3，所述槽壁 面2在該縱剖面中為上凹曲線(xiàn)。所述曲線(xiàn)也可以為下凹曲線(xiàn)，請(qǐng)參見(jiàn)圖4。當(dāng)然， 所述凹槽的縱剖面也可以是呈上寬下窄的梯形，請(qǐng)參見(jiàn)圖5，其中，槽壁面在該 縱剖面中為直線(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)加工更加方便。當(dāng)晶圓1沒(méi)用放置在晶圓傳送裝置 的正確位置時(shí)，可以方便晶圓l通過(guò)自身重力作用自動(dòng)調(diào)整到正確的位置。
在上述的晶圓傳送裝置中，所述槽壁面2與水平面的夾角可以為5-60°。本 實(shí)施例中，所述槽壁面2與水平面的夾角為30°。 '在上述的晶圓傳送裝置中，所述晶圓傳送裝置由塑料制成。
本實(shí)用新型是這樣工作的
首先將晶圓放置在電鍍槽中與電鍍液反應(yīng)。此中，晶圓是呈片狀的晶片。 然后，通過(guò)晶圓清洗及晶圓邊緣快速去除工藝(Clean&EBRprocess )對(duì)晶圓進(jìn) 行處理。最后，需要將該晶圓通過(guò)晶圓轉(zhuǎn)送裝置運(yùn)到退火反應(yīng)室。由于現(xiàn)在通 常采用機(jī)械自動(dòng)化流水線(xiàn)生產(chǎn)，晶圓在從電鍍槽到晶圓轉(zhuǎn)送裝置的移送過(guò)程中 可能會(huì)產(chǎn)生移位。在轉(zhuǎn)運(yùn)的過(guò)程中， 一旦晶圓1沒(méi)有放置在晶圓轉(zhuǎn)送裝置的正 確位置，請(qǐng)參見(jiàn)圖6，由于本實(shí)用新型的晶圓傳送裝置的放置晶圓1的空腔凹槽 具有向外且斜向上延伸的槽壁面2,使得當(dāng)晶圓1沒(méi)有放置在晶圓傳送裝置的正 確位置時(shí)，晶圓1可以通過(guò)自身的重力自動(dòng)下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免 了現(xiàn)有技術(shù)中如圖2所示的晶圓l，一端被架起的情況，從而避免了由于晶圓1 位置放置不正確，觸發(fā)警報(bào)器及鎖定裝置，使得整個(gè)工藝生產(chǎn)線(xiàn)停頓。因而， 有效避免了晶圓由于生產(chǎn)線(xiàn)突然停頓而引發(fā)的碰:撞。同時(shí)也可以有效避免晶圓
5由于過(guò)長(zhǎng)時(shí)間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險(xiǎn)。因此，有效減少了晶圓 的不合格率，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)線(xiàn)的效率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各 種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種晶圓傳送裝置，包括一個(gè)用于放置晶圓的空腔，所述空腔是一個(gè)開(kāi)口向上的凹槽，其特征在于所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。
2、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的縱剖面中為直線(xiàn)。
3、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面在所述凹 槽的縱剖面中為曲線(xiàn)。
4、 如權(quán)利要求3所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述曲線(xiàn)為上凹曲線(xiàn) 或下凹曲線(xiàn)。
5、 如權(quán)利要求2-4中任意一項(xiàng)所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽 壁面與水平面的夾角為5-60°。
6、 如權(quán)利要求5所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述槽壁面與水平面 的夾角為30°。
7、 如權(quán)利要求l所述的晶圓傳送裝置，其特征在于所述晶圓傳送裝置由 塑料制成。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶圓傳送裝置，包括一個(gè)用于放置晶圓的空腔，所述空腔是一個(gè)開(kāi)口向上的凹槽，所述凹槽具有向外且斜向上延伸的槽壁面。本實(shí)用新型的晶圓傳送裝置通過(guò)將放置晶圓的空腔設(shè)置具有所述向外且斜向上延伸的槽壁面的凹槽，使得當(dāng)晶圓沒(méi)有放置在晶圓傳送裝置的正確位置時(shí)，晶圓可以通過(guò)自身的重力自動(dòng)下滑調(diào)整到空腔的正確位置，避免了由于晶圓位置放置不正確，觸發(fā)警報(bào)器及鎖定裝置，使得整個(gè)工藝生產(chǎn)線(xiàn)停頓。因而，有效避免了晶圓由于生產(chǎn)線(xiàn)突然停頓而引發(fā)的碰撞。同時(shí)也可避免晶圓由于過(guò)長(zhǎng)時(shí)間處在潮濕的酸性環(huán)境中易被侵蝕的風(fēng)險(xiǎn)。因此，提高了生產(chǎn)線(xiàn)的效率，減少了晶圓的不合格率，降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)H01L21/768GK201364889SQ200920067200
公開(kāi)日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者任存生, 劉志鵬, 凡 夏, 陳勇志 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司