專利名稱：發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于照明器具、顯示器、便攜式電話的背光、動畫照明輔 助光源、其他光源等的發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
利用像發(fā)光二極管那樣的發(fā)光元件的發(fā)光器件小型且電力效率優(yōu)良地 發(fā)出鮮艷顏色的光。另外，這樣的發(fā)光元件不同于電燈泡等，不用擔(dān)心燈 泡壞掉等。而且，具有初期驅(qū)動特性出色、耐振動和開關(guān)燈的反復(fù)操作的
特征。由于具有這樣出色的特性，因此利用了發(fā)光二極管(LED)、激光器 二極管(LD)等發(fā)光元件的發(fā)光器件被利用作為照明器具、便攜式電話的 背光等光源。
在這樣的發(fā)光器件中，為了保護發(fā)光元件免受過電壓的破壞，在發(fā)光 器件中搭載有齊納二極管等保護元件。這樣的保護元件在搭載了發(fā)光元件 的支撐基板上，與發(fā)光元件鄰近地配置，且與該發(fā)光元件電連接。
例如，在(日本)特開平11 — 54804號公報中所公開的發(fā)光器件，具 備設(shè)置了極性不同的第1電極及第2電極的絕緣性基板、在第1電極的 上表面?zhèn)扰渲玫腖ED芯片、在第2電極上配置的保護元件(例如，齊納二 極管)、以及覆蓋LED芯片及與該LED芯片連接的導(dǎo)電性引線的封裝樹脂。 而且，LED芯片的一個電極與第1電極、另一個電極與第2電極分別用引線 連接。另一方面，保護元件的上表面?zhèn)鹊碾姌O與第1電極用導(dǎo)電性引線連 接，下表面?zhèn)鹊碾姌O通過導(dǎo)電性粘接劑與第2電極連接。
在這樣的發(fā)光器件中，由于來自發(fā)光元件的光被保護元件吸收，或被 保護元件遮光，因此作為發(fā)光器件整體，光取出效率下降。因此，如果在 保護元件之下形成凹部，在該凹部內(nèi)配置保護元件，使保護元件的高度低 于發(fā)光元件的高度，那么能夠減少保護元件造成的光的遮斷。
或者，像(日本)特開2007 — 150229號公報中所公開的發(fā)光器件那樣，
通過在發(fā)光元件與保護元件之間配置與覆蓋發(fā)光元件的透光性構(gòu)件不同的 反射構(gòu)件，使來自發(fā)光元件的光向發(fā)光器件之外反射，由此保護元件不妨 礙從發(fā)光元件向發(fā)光器件之外被取出的光的通路。而且，考慮在支撐基板 上安裝多個半導(dǎo)體元件時的操作簡易性等，用于容納保護元件的凹部優(yōu)選 設(shè)置在支撐基板上，以使在與安裝發(fā)光元件的面相同的面上具有開口部。 但是，若在比發(fā)光元件的搭載面還低地形成的凹部內(nèi)載放保護元件， 則從在上方載放的發(fā)光元件的端面方向發(fā)出的光的一部分被封入凹部內(nèi)。 由此，向發(fā)光器件的外部的光的取出效率下降。而且，由于在保護元件的 體色吸收來自發(fā)光元件的光的情況下，被封入的光因保護元件而被吸收， 因此發(fā)光器件的輸出明顯下降。另外，如果用光反射性的填充物埋設(shè)容納 保護元件的凹部，由此阻止向凹部內(nèi)的光的侵入，那么因花費工夫或材料 費用而不現(xiàn)實。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有出色的可靠性和光學(xué)特性的發(fā) 光器件，另外，目的在于提供一種低廉地制造這樣的發(fā)光器件的方法。
為了達(dá)到以上目的，本發(fā)明涉及的發(fā)光器件，具備發(fā)光元件、配置 該發(fā)光元件的封裝、及連接設(shè)置在該封裝上的電極和上述發(fā)光元件的電極 的導(dǎo)電性引線，上述封裝具備支撐體、及在該支撐體上配置的透光性構(gòu) 件，該支撐體具有配置上述發(fā)光元件的搭載部及容納與上述發(fā)光元件不同 的半導(dǎo)體元件的凹部；上述透光性構(gòu)件覆蓋著至少上述發(fā)光元件和上述凹 部的開口部，上述封裝在上述凹部具有空洞。優(yōu)選上述空洞設(shè)置在覆蓋上 述開口部的透光性構(gòu)件的底面和容納在上述凹部的半導(dǎo)體元件的上表面之 間。 '
另外， 一種發(fā)光器件的制造方法，該發(fā)光器件具備發(fā)光元件、配置 該發(fā)光元件的封裝、及連接設(shè)置在該封裝上的電極和上述發(fā)光元件的電極 的導(dǎo)電性引線；上述封裝具備覆蓋至少上述發(fā)光元件的透光性構(gòu)件、及 支撐體，該支撐體具有配置上述發(fā)光元件的搭載部及容納與上述發(fā)光元件 不同的半導(dǎo)體元件的凹部；該發(fā)光器件的制造方法，包括以下工序第一 工序，形成具有在搭載上述發(fā)光元件的上表面開口的凹部的支撐體；第二
工序，在上述發(fā)光元件的搭載部的上表面之下配置上述半導(dǎo)體元件的上表 面，在上述凹部容納上述半導(dǎo)體元件，.第三工序，配置上述發(fā)光元件及上
述導(dǎo)電性引線；第四工序，在上述凹部內(nèi)形成空洞，并在上述支撐體上配 置覆蓋至少上述發(fā)光元件及上述凹部的開口部的透光性構(gòu)件。
通過以下的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，會對本發(fā)明的上述和進一步的實物 及其特點更清楚。


圖1是示意地表示本發(fā)明的一個實施例涉及的發(fā)光器件的頂視圖。
圖2是示意地表示圖i中所示的沿n — n方向的發(fā)光器件的剖面的剖面圖。
圖3是示意地表示圖i中所示的沿m—in方向的發(fā)光器件的剖面的剖 面圖。
圖4是示意地表示本發(fā)明的一個實施例中的發(fā)光器件的底面圖。 圖5是示意地表示本發(fā)明的一個實施例中的發(fā)光器件的立體圖。
圖6是示意地表示本發(fā)明的另一個實施例涉及的發(fā)光器件的剖面的剖
面圖。 符號說明
100、 200 發(fā)光器件(light emitting device) 皿a、皿b 發(fā)光元件(light emitting element)
102 半導(dǎo)體元件(semiconductor element)
103 凹部(cavity) 104a第一電極
104b金屬構(gòu)件(metallic component)
104c第二電極
105第一導(dǎo)電性引線
106第二導(dǎo)線性引線
107 透光性構(gòu)件(translucent member)
108支撐體(base)
109 標(biāo)記(mark)
110a第一外部連接電極 110c第二外部連接電極
111 空洞(cavity)
112 突出部(protuberance)
具體實施例方式
發(fā)光器件在比發(fā)光元件的安裝面還低的凹部的底面配置保護元件，進 而，在容納了保護元件的凹部內(nèi)具有空洞。在此，在覆蓋發(fā)光元件的透光 性構(gòu)件和空洞之間產(chǎn)生折射率差。于是，從發(fā)光元件放射的光、或來自熒 光體的光在折射率不同的這些邊界面被反射向發(fā)光器件的外部取出。艮卩， 本發(fā)明通過利用設(shè)置在凹部內(nèi)的空洞，與現(xiàn)有技術(shù)比較，能夠使發(fā)光器件 的光取出效率提高。另外，這些光在凹部沒有損失地從發(fā)光器件被取出， 從而發(fā)光器件的配光色度的偏差也變小。
發(fā)光器件在容納了保護元件的凹部內(nèi)設(shè)置通過在支撐體上配置透光性 構(gòu)件而形成的空洞，由此阻止向該凹部內(nèi)的光的侵入。因此，與在凹部內(nèi) 埋設(shè)光反射性的填充物的發(fā)光器件、或在發(fā)光元件和保護元件之間設(shè)置與 覆蓋發(fā)光元件的透光性構(gòu)件不同的反射構(gòu)件的發(fā)光器件等比較，本發(fā)明能 夠作為由容納保護元件的凹部所造成的光損失少且結(jié)構(gòu)比較簡單的低廉的 發(fā)光器件。
另外，發(fā)光器件的制造方法，與在容納保護元件的凹部內(nèi)埋設(shè)光反射 性的填充物的發(fā)光器件、或在發(fā)光元件和保護元件之間設(shè)置反射構(gòu)件的發(fā) 光器件比較，能夠比較簡單且低廉地形成在凹部中光損失少的發(fā)光器件。 進而，本發(fā)明中的發(fā)光器件的制造方法，通過在支撐體上形成覆蓋發(fā)光元 件的透光性構(gòu)件的工序，也可以同時在具有比發(fā)光元件的安裝面還低的底 面的凹部使氣泡殘存。因此，能夠比較簡單且低廉地制造在凹部中光損失 少的發(fā)光器件。
優(yōu)選在發(fā)光器件的封裝凹部形成的空洞，設(shè)置在覆蓋上述開口部的透 光性構(gòu)件的底面和在上述凹部容納的半導(dǎo)體元件的上表面之間。
凸?fàn)畹耐怀霾?。進而，優(yōu)選上述凹部設(shè)置在被上述發(fā)光元件的多個搭載部夾著的區(qū)域， 上述支撐體在上述搭載部的大致緊下方分別具備外部連接電極。
而且，優(yōu)選俯視上述凹部的開口部的外形、與俯視容納在上述凹部的
半導(dǎo)體元件的外形的相似比是從1. 0到2. 5。
而且，優(yōu)選上述第四工序包括以相對上述發(fā)光元件的搭載面大致平行 的方向，連續(xù)地供給上述透光性構(gòu)件的材料的工序。
而且，優(yōu)選上述透光性構(gòu)件的材料的粘度根據(jù)與上述半導(dǎo)體元件的大 小對應(yīng)的上述凹部的大小，在上述第四工序中調(diào)整，使氣泡在上述凹部殘 存。
而且，優(yōu)選上述透光性構(gòu)件的材料是包含從硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂中選 擇的至少一種以上的樹脂、且在該樹脂中含有粒子狀熒光體的材料。
而且，優(yōu)選上述透光性構(gòu)件的材料的粘度在200Pa s以上、500Pa s 以下。
而且，優(yōu)選俯視上述凹部的開口部的外形、與俯視容納在上述凹部的 半導(dǎo)體元件的外形的相似比是從1. 0到2. 5，上述凹部的深度、與容納在上 述凹部的半導(dǎo)體元件的高度的比是從1. 0到2. 14。
對于具備發(fā)光元件、配置該發(fā)光元件的封裝、及連接設(shè)置在該封裝上 的電極和發(fā)光元件的電極的導(dǎo)電性引線的發(fā)光器件，其中封裝具備支撐體、 及至少覆蓋發(fā)光元件的透光性構(gòu)件，該支撐體具有配置發(fā)光元件的搭載部 及容納與發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件的凹部，為了使由上述凹部所造成的 光的損失減小，本發(fā)明人進行了各種研究。其結(jié)果，通過將容納與發(fā)光元 件不同的半導(dǎo)體元件的凹部的開口部用覆蓋發(fā)光元件的透光性構(gòu)件的一部 分來覆蓋，制成在該凹都設(shè)置有空洞的封裝，從而得以解決問題。本發(fā)明 通過在凹部具有空洞，從而在覆蓋凹部的開口部的透光性構(gòu)件和空洞之間 產(chǎn)生折射率差。于是，以這些折射率不同的邊界面作為反射面，光被反射 且從發(fā)光器件出射。這樣，本發(fā)明在凹部中不使光損失，所以與現(xiàn)有技術(shù) 比較，發(fā)光器件的光取出效率提高。
進而，優(yōu)選發(fā)光器件的封裝中的空洞，設(shè)置在對凹部的開口部進行覆 蓋的透光性構(gòu)件的底面和容納在凹部的半導(dǎo)體元件的上表面之間。這是因 為能夠抑制通過透光性構(gòu)件傳播的光被容納在凹部內(nèi)的半導(dǎo)體元件吸收。
優(yōu)選透光性構(gòu)件在凹部的開口部具有突出部，該突出部具有向凹部的 底面的凸?fàn)畹牡酌?。這是因為利用這樣的突出部，不使光入射到凹部內(nèi)， 提高向支撐體上表面的透光性構(gòu)件的方向反射的效果。另外，優(yōu)選在透光 性構(gòu)件或其突出部的底面、和容納在凹部的半導(dǎo)體元件的上表面之間設(shè)置 空洞。通過在透光性構(gòu)件的底面和半導(dǎo)體元件的上表面之間，設(shè)置因空洞 產(chǎn)生的間隔，由此凹部外的光將不會照射到半導(dǎo)體元件的方向，不因容納 在凹部內(nèi)的半導(dǎo)體元件而受到損失。
優(yōu)選俯視凹部的開口部的外形、與俯視容納在凹部的半導(dǎo)體元件的外
形的相似比是從1. 0到2. 5。這是因為若相對于半導(dǎo)體元件的大小，凹部的 開口部的大小過大，則侵入到凹部內(nèi)的光變多。另外，若相對于半導(dǎo)體元 件的大小，開口部的大小過小，則在凹部內(nèi)配置半導(dǎo)體元件的工序的操作 性降低，所以不能制成量產(chǎn)性好的發(fā)光器件。
對于發(fā)光器件的制造方法，該發(fā)光器件具備發(fā)光元件、配置該發(fā)光
元件的封裝、以及連接設(shè)置在該封裝上的電極和上述發(fā)光元件的電極的導(dǎo)
電性引線，封裝具備覆蓋至少發(fā)光元件的透光性構(gòu)件、及支撐體，該支 撐體具有配置發(fā)光元件的搭載部及容納與發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件的凹 部，為了比較簡單且低廉地制造在凹部中光損失少的發(fā)光器件，本發(fā)明人 進行了各種研究。其結(jié)果，發(fā)光器件的制造方法通過具有特征在于，包括 以下工序第一工序，在支撐體上形成在發(fā)光元件的搭載面上具有開口部 的凹部；第二工序，比發(fā)光元件的搭載面還低地配置半導(dǎo)體元件的上表面， 在凹部容納半導(dǎo)體元件；第三工序，配置發(fā)光元件及導(dǎo)電性引線；第四工 序，在凹部內(nèi)形成空洞，并且在支撐體上配置覆蓋至少發(fā)光元件及凹部的 開口部的透光性,，從而得以解決問題。即，因為發(fā)光器件的制造方法 無須在容納半導(dǎo)體元件的凹部內(nèi)埋設(shè)光反射性的填充物，所以能夠比較簡 單且低廉地制造在凹部中的光損失少的發(fā)光器件。
另外，發(fā)光器件的制造方法通過在同一工序中進行對支撐體的透光性 構(gòu)件的形成和空洞的形成，能夠簡略制造發(fā)光器件的工序。在利用這樣的 方法時，形成透光性構(gòu)件的第四工序包括以相對發(fā)光元件的搭載面大致平 行的方向，連續(xù)地供給透光性構(gòu)件的材料的工序。即，以相對于配置了發(fā) 光元件的搭載面大致平行的方向，流入具有流動性的透光性構(gòu)件的材料，
且按型成型該材料并使其固化，由此形成透光性構(gòu)件。而且，"大致平行"
是對平行于發(fā)光元件的搭載面的面，以±10°左右的范圍作為容許范圍。
透光性構(gòu)件的材料的粘度根據(jù)所容納的半導(dǎo)體元件和凹部的大小，在 第四工序中調(diào)整，使氣泡殘存而形成空洞。例如，凹部的大小及深度優(yōu)選， 俯視凹部的開口部的外形、與俯視容納在凹部的半導(dǎo)體元件的外形的相似
比是從1.0到2.5，且凹部的深度D、與容納在凹部的半導(dǎo)體元件的高度H 的比(D/H)是從1.0到2. 14。這是為了將氣泡的大小設(shè)為與發(fā)光器件的可 靠性的下降無關(guān)所需要的最小限度。
進而，優(yōu)選透光性構(gòu)件的材料的粘度在200Pa s以上、500Pa s以 下。這是因為若粘度低，則在容納有半導(dǎo)體元件的凹部不形成空洞，而凹 部由透光性構(gòu)件的材料填滿了。另一方面，若粘度過高，則配置透光性構(gòu) 件的材料的工序的操作性下降。
另外，通過調(diào)整透光性構(gòu)件的材料的粘度，從而使材料從凹部的開口 部向凹部的底面凸?fàn)畹匮由欤诎疾康拈_口部形成透光性構(gòu)件的突出部。 于是，能夠制成在透光性構(gòu)件的突出部中的凸?fàn)畹牡酌?、和容納在凹部的 半導(dǎo)體元件的上表面之間設(shè)置了空洞的發(fā)光器件。
優(yōu)選透光性構(gòu)件的材料是包含從硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂中選擇的至少一 種以上的樹脂、且在該樹脂中含有粒子狀熒光體的材料。這是因為通過調(diào) 整樹脂中的粒子狀熒光體的含有率，能夠容易地調(diào)整含有粒子狀熒光體的 樹脂的粘度，對于在透光性構(gòu)件中包含熒光體的發(fā)光器件，能夠容易地使 空洞形成。
通過以下的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，會對本發(fā)明的上述和以下的實物及 其特點更清楚。
圖1是示意地表示本發(fā)明的一個實施例涉及的發(fā)光器件的頂視圖。
圖2是示意地表示圖i中所示的沿n — n方向的發(fā)光器件的剖面的剖 面圖。
圖3是示意地表示圖i中所示的沿in—ni方向的發(fā)光器件的剖面的剖 面圖。
圖4是示意地表示本發(fā)明的一個實施例中的發(fā)光器件的底面圖。 圖5是示意地表示本發(fā)明的一個實施例中的發(fā)光器件的立體圖。 圖6是示意地表示本發(fā)明的另一個實施例涉及的發(fā)光器件的剖面的剖 面圖。
如圖1所示，本方式的發(fā)光器件100，作為主要的構(gòu)成構(gòu)件，具備
兩個發(fā)光元件101a、 101b，配置這些發(fā)光元件的支撐體108，與發(fā)光元件 搭載在同一個支撐體上的其他半導(dǎo)體元件102，以及將半導(dǎo)體元件102的電 極連接到支撐體的電極的第一導(dǎo)電性引線105，將發(fā)光元件的電極連接到支 撐體的電極的第二導(dǎo)電性引線106。
在本方式中，與發(fā)光元件分開搭載在支撐體上的半導(dǎo)體元件102是用 于保護發(fā)光元件免受過電壓的保護元件(例如，齊納二極管)。支撐體108 具有從配置了發(fā)光元件101a、 101b的上表面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)劝枷莸陌疾?03， 保護元件被容納在該凹部103內(nèi)。
進而，在支撐體108的上表面，如圖2、 3、 5所示，配置透光性構(gòu)件 107以堵住凹部103的開口部，該透光性構(gòu)件107至少覆蓋配置在上表面?zhèn)?的發(fā)光元件101a、 101b以及與其連接的第二導(dǎo)電性引線106。在此，凹部 103在配置于支撐體108的上表面的透光性構(gòu)件和凹部內(nèi)壁之間具有空洞。 在此，本說明書中的"空洞"是在透光性構(gòu)件107的內(nèi)部或在透光性構(gòu)件 107和支撐體之間形成、且含有空氣或其他氣體的氣泡，或者是在透光性構(gòu) 件107的下表面和凹部之間形成的間隙。這樣的空洞在配置于凹部的半導(dǎo) 體元件的外側(cè)、特別是半導(dǎo)體元件的上側(cè)，即光從開口部的外側(cè)行進的方 位上配置?？斩吹男螤睢?shù)量不受限制。例如，也可以是許多球狀的空洞 在凹部內(nèi)分散的狀態(tài)。通過分散地配置空洞，可得到與使透光性構(gòu)件中含 有擴散劑時一樣的效果。即，在透光性構(gòu)件中光被擴散，由此抑制光向凹 部的底面方向的侵入。另外，空洞的位置不限定在開口部的透光性構(gòu)件的 底面和半導(dǎo)體元件的上表面之間。在覆蓋凹部的開口部的透光性構(gòu)件和凹 部的內(nèi)壁之間形成空洞即可，例如，也可以在容納在凹部的半導(dǎo)體元件的 側(cè)面和凹部的內(nèi)壁面之間設(shè)置空洞。
本方式中的發(fā)光器件IOO，如圖2及圖3所示，具有在對凹部103的開 口部進行覆蓋的透光性構(gòu)件107的下表面、半導(dǎo)體元件102的上表面和凹 部103的內(nèi)壁之間設(shè)置的空洞111。在凹部103的開口部形成的空洞111 和透光性構(gòu)件107的邊界面上，能夠使入射到該邊界面的光向透光性構(gòu)件
107側(cè)反射。因此，本方式的發(fā)光器件100能夠不使光侵入到凹部103的內(nèi) 部，而向發(fā)光器件的外部取出。
這樣的空洞111能夠在支撐體108上形成透光性構(gòu)件107的工序中一 體地形成。例如，能夠在支撐體108的上表面配置孔版、掩膜后，通過印 刷透光性構(gòu)件107的材料而形成。該方法是以大致平行于支撐體的上表面 的方向連續(xù)地供給材料并且配置，從而覆蓋在支撐體108的上表面配置的 各構(gòu)件的方法。因此，凹部103不是完全由透光性構(gòu)件107的材料填充， 而是需要在凹部103形成空洞111并且配置透光性構(gòu)件107的材料?？紤] 凹部103的開口部的大小、配置材料的工序的操作簡易性等，本方式的透 光性構(gòu)件107的材料被預(yù)先調(diào)整為規(guī)定的粘度。例如，為了制成在透光性 構(gòu)件中含有熒光體的發(fā)光器件，以YAG系熒光體為熒光體，以硅酮樹脂為 透光性構(gòu)件的材料，將兩者混合。這樣制作的材料的粘度利用B型粘度計 測量，被調(diào)整在200Pa s以上、500Pa s以下。
而且，本方式的制造方法利用了這一點，即在將透光性構(gòu)件的材料配 置在支撐體上表面時，在從搭載了發(fā)光元件的支撐體上表面凹陷的凹部中 容易因氣泡的殘存而形成空洞。即，在該凹陷的凹部容納保護元件，使氣 泡在該保護元件的周圍殘存，由此形成空洞。因此，根據(jù)本方式中的發(fā)光 器件的制造方法，可以合并在支撐體上表面配置覆蓋發(fā)光元件的透光性構(gòu) 件的工序、和在具有比發(fā)光元件的安裝面低的底面的凹部利用氣泡的殘存 使空洞形成的工序。本方式的發(fā)光器件與在容納保護元件的凹部埋設(shè)光反 射性的填充物的器件比較，是能夠比較簡單且低廉地制造的光取出效率高 的發(fā)光器件。
另外，本方式的發(fā)光器件，如圖6所示，能夠在凹部103的開口部設(shè) 置透光性構(gòu)件107的突出部112。該突出部112是在透光性構(gòu)件107中，具 有向凹部的底面的方向凸?fàn)钔怀龅耐姑娴牟课?。進而，也能夠在突出部112 的凸?fàn)畹牡酌?、和容納在凹部的半導(dǎo)體元件102的上表面之間具有空洞 111。這樣的透光性構(gòu)件的突出部112能夠利用具有某種粘度的透光性構(gòu)件 的流動性來調(diào)整形狀，之后使其固化而形成。S卩，在調(diào)整透光性構(gòu)件的材 料的粘度后，使流動性的材料從凹部的開口部向凹部的底面凸?fàn)畹匮由欤?當(dāng)成為所希望的形狀時使其固化。另外，通過適當(dāng)調(diào)整透光性構(gòu)件的材料的粘度，也能夠調(diào)整向凹部的底面方向的延伸的程度。由此，能夠在突出 部中的凸?fàn)畹牡酌妗⒑腿菁{在凹部的半導(dǎo)體元件的上表面之間形成空洞， 或調(diào)整其大小。
或者，本方式中的空洞111也能夠通過在支撐體108的上表面配置預(yù) 先在其他工序中形成的透光性構(gòu)件107，用該透光性構(gòu)件107的一部分，將 配置有半導(dǎo)體元件的凹部的開口部堵住，由此來設(shè)置。即，在為覆蓋發(fā)光 元件而配置在支撐體108的上表面的透光性構(gòu)件107之中，在將凹部103 的開口部堵住的透光性構(gòu)件107的下表面和凹部103之間形成空洞，能夠 利用透光性構(gòu)件的下表面使光反射而向外部取出。而且，若考慮提高生產(chǎn) 性，則如先前說明的那樣，優(yōu)選在形成覆蓋發(fā)光元件和導(dǎo)電性引線的透光 性構(gòu)件的同時，也形成空洞的制造方法。
在本說明書中，各構(gòu)件的上表面是形成支撐體的外觀形狀的各面之中， 搭載發(fā)光元件一側(cè)的面為上表面，與該上表面相對的面為底面。另外，連 接上表面和底面的、它們之間的面為側(cè)面。
本方式的發(fā)光器件100具備正負(fù)成對的外部連接電極110a、 110c，當(dāng) 發(fā)光器件100由焊錫安裝在布線基板(未圖示)上時，通過該焊錫，外部 連接電極110a、 ll()c與布線基板的電極連接。這時，外部連接電極110a、 110c也能夠作為從支撐體經(jīng)由焊錫向布線基板的散熱通路。
因此，若在設(shè)置在支撐體的底面?zhèn)鹊耐獠窟B接電極的大致緊上方配置 發(fā)光元件的搭載部，則能夠縮短散熱通路，因此提高發(fā)光器件的散熱性。 而且，如本方式的發(fā)光器件100，在將多個發(fā)光元件101a、 101b的搭載部 設(shè)置在支撐體108上時，從支撐體的上表面方向看，優(yōu)選這樣的支撐體， 在被分別配置多個發(fā)光元件的多個搭載部104b夾著的區(qū)域上，具有用于容 納與發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件的凹部的開口部。而且，優(yōu)選發(fā)光器件100 的正負(fù)成對的外部連接電極110a、 110c延伸設(shè)置到發(fā)光元件101a、 101b 的各搭載部104b的緊下方。即，優(yōu)選在構(gòu)成發(fā)光器件100的支撐體108的 背面配置的外部連接電極110a、 110c的外形，從支撐體108的上表面(圖 l所示)向背面(圖4所示)垂直投影搭載部104b的配置圖形外形時，是 包括該投影形狀的至少一部分的形狀，更優(yōu)選具有包括上述投影形狀的全 部的形狀。
例如，本方式的發(fā)光器件，如圖4所示，配置在支撐體的底面的正負(fù) 成對的外部連接電極110a、 110c，從支撐體108的兩端部延伸到發(fā)光元件 101a、 101b的搭載部104b的緊下方。利用這樣的外部連接電極和發(fā)光元件 的搭載部的配置關(guān)系，在將多個發(fā)光元件搭載在支撐體上時，凹部或設(shè)置 在凹部的空洞不妨礙從發(fā)光元件的搭載部經(jīng)由外部連接電極向布線基板的 散熱。因此，不使發(fā)光器件的散熱性降低，能夠使發(fā)光器件的輸出提高。
在容納半導(dǎo)體元件的凹部內(nèi)設(shè)置正負(fù)成對的電極，這些電極和半導(dǎo)體 元件的電連接也能夠在凹部內(nèi)進行。凹部內(nèi)的電極和半導(dǎo)體元件的電極的 連接方式，例如，能夠使在凹部的底面露出的正負(fù)成對的電極和半導(dǎo)體元 件的電極相互面對并利用凸塊等使其接合，或利用導(dǎo)電性引線將半導(dǎo)體元 件的上表面的電極連接到凹部底面的電極。優(yōu)選使半導(dǎo)體元件的各電極和 凹部內(nèi)的電極連接的導(dǎo)電性引線全部容納在凹部內(nèi)。即，優(yōu)選導(dǎo)電性引線 的最頂部比配置了發(fā)光元件的支撐體的上表面還低。由此，透光性構(gòu)件107 受導(dǎo)電性引線影響變少，能夠消除因?qū)щ娦砸€的金屬疲勞造成的發(fā)光器 件的可靠性的下降。
如本方式的發(fā)光器件，在發(fā)光元件和與其不同的發(fā)光元件之間具有凹 部這樣的結(jié)構(gòu)，在被發(fā)光元件夾著的區(qū)域，光量變多，若這些光侵入到凹 部內(nèi)，則光的損失也變多。為了使在那樣結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件中光的損失減少， 可特別優(yōu)選且適用本發(fā)明。以下，對本方式的發(fā)光器件中的各構(gòu)成構(gòu)件進 行詳細(xì)描述。
(發(fā)光元件)
在本方式中，對在支撐體上配置了發(fā)光元件及保護元件的半導(dǎo)體器件 進行說明，但并不限定于這樣的方式，也可以是搭載有受光元件、其他保 護元件(電阻、晶體管或電容器等)、或使它們至少兩種以上組合而成的元 件的半導(dǎo)體器件。發(fā)光元件、容納在凹部內(nèi)的保護元件或其他半導(dǎo)體元件 可以是一個，也可以是多個。發(fā)光元件的發(fā)光顏色可以是紅色系、綠色系 或藍(lán)色系的任意一種，或是使這些顏色組合而成的顏色。
本方式中的發(fā)光元件，作為具備熒光物質(zhì)的發(fā)光器件時，優(yōu)選具有活 性層的半導(dǎo)體發(fā)光元件，該活性層能夠發(fā)出可激勵該熒光物質(zhì)的波長的光。 作為這樣的半導(dǎo)體發(fā)光元件，可列舉ZnSe、 GaN等各種半導(dǎo)體，也適宜列
舉可發(fā)出能夠效率良好地激勵熒光物質(zhì)的短波長的光的氮化物半導(dǎo)體
(InxAlvGa,+YN、 0《X、 0《Y、 X+Y《1)。利用半導(dǎo)體層的材料或其混晶度 能夠選擇各種發(fā)光波長。
使用氮化物半導(dǎo)體作為發(fā)光元件的材料時，在用于使半導(dǎo)體層疊的半 導(dǎo)體用基板上可適宜使用藍(lán)寶石、尖晶石、SiC、 Si、 ZnO、 GaN等材料。為 了量產(chǎn)性好地形成結(jié)晶性良好的氮化物半導(dǎo)體，優(yōu)選使用藍(lán)寶石基板。在 該藍(lán)寶石基板上可使用MOCVD法等形成氮化物半導(dǎo)體。另外，半導(dǎo)體用基 板也能夠在層疊半導(dǎo)體層后去除。
在作為使白色系的混色光發(fā)光的發(fā)光器件時，考慮與來自熒光物質(zhì)的 發(fā)光波長的補色關(guān)系或密封樹脂的劣化等，優(yōu)選發(fā)光元件的發(fā)光波長在 400nm以上、530nm以下，更優(yōu)選在420nm以上、490nm以下。為了分別使 發(fā)光元件和熒光物質(zhì)的激勵、發(fā)光效率進一步提高，進而優(yōu)選在450nm以 上、475nm以下。
作為發(fā)紅色系的光的發(fā)光元件的材料，優(yōu)選鎵鋁砷系半導(dǎo)體或者鋁銦 鎵磷系半導(dǎo)體。
而且，為了制成彩色顯示器件，優(yōu)選組合紅色系的發(fā)光波長從610nm 到700nm、綠色系從495nm到565nm、藍(lán)色系的發(fā)光波長從430nm到490nm 的發(fā)光元件。
在支撐體上固定發(fā)光元件后，用導(dǎo)電性引線分別連接發(fā)光元件的各電 極和支撐體的導(dǎo)體布線。其中，用于固定發(fā)光元件的接合構(gòu)件沒有特別限 定，能夠使用環(huán)氧樹脂等絕緣性粘接劑，或含有Au和Sn的共晶材、低熔 點金屬等釬料、含有樹脂的導(dǎo)電性膠粘劑或玻璃等，該樹脂含有導(dǎo)電性材 料。在此，在導(dǎo)電性膠粘劑中含有的導(dǎo)電性材料，優(yōu)選Au、 Sn或Ag，更優(yōu) 選若使用Ag的含有量是80% 90%的Ag膠粘劑，則可得到散熱性也出色 的發(fā)光器件。而且，在底面?zhèn)染哂须姌O的半導(dǎo)體元件，可利用含有銀、金、 鈀等金屬材料的導(dǎo)電性膠粘劑，粘接在支撐體上。
對于在透光性的藍(lán)寶石基板上使氮化物半導(dǎo)體層疊而形成的發(fā)光元件 的情況，作為接合構(gòu)件，可列舉例如環(huán)氧樹脂、硅酮等。這時，在發(fā)光元 件的底面(即，上述藍(lán)寶石基板中與層疊了氮化物半導(dǎo)體的面相反側(cè)的面。 以下，在該段落中相同。)也可以配置銀或鋁的金屬材料。例如，在發(fā)光元
件的底面通過蒸鍍或濺射銀或鋁的金屬材料，能夠成膜金屬層。由此，發(fā) 光元件的底面的光反射率提高，因此，在以樹脂材料作為接合構(gòu)件時，抑 制因來自發(fā)光元件的光或熱造成的樹脂的劣化，發(fā)光器件的光取出效率提 高。進而，從發(fā)光元件的底面?zhèn)?，依次層疊以銀或鋁為材料的金屬層、還
有以Au或Sn為材料的共晶層。由此，在發(fā)光元件的底面和共晶層之間光 反射率提高。另外，當(dāng)共晶材包含將來自發(fā)光元件的光的至少一部分吸收 的材料時，因為在發(fā)光元件的底面?zhèn)裙獾膿p失減少，所以發(fā)光器件的光取 出效率提高。
發(fā)光元件通過接合構(gòu)件固定在設(shè)置于下述的支撐體的上表面的發(fā)光元 件搭載部上。在本方式中，發(fā)光元件固定在設(shè)置于支撐體的上表面的金屬 構(gòu)件上。但是，并不限于這樣的方式，發(fā)光元件也可以安裝在構(gòu)成支撐體 的絕緣構(gòu)件上。
(導(dǎo)電性引線)
導(dǎo)電性引線要求是與發(fā)光元件的電極的歐姆性、機械連接性、導(dǎo)電性 及熱傳導(dǎo)性好的引線。優(yōu)選熱傳導(dǎo)率在0.01cal/(s)(cm2)('C/cm)以上，更 優(yōu)選在0.5cal/(s)(cm2)(。C/cm)以上。另外，考慮操作性等，優(yōu)選導(dǎo)電性 引線的直徑在cHOum以上、4)45um以下。在使透光性構(gòu)件中含有熒光物 質(zhì)時，在含有熒光物質(zhì)的部位和未含有熒光物質(zhì)的部位的界面，導(dǎo)電性引 線容易斷線。因此，更優(yōu)選導(dǎo)電性引線的直徑在25nm以上，從確保發(fā)光 元件的發(fā)光面積、操作簡易性的觀點看，更優(yōu)選在35um以下。作為這樣 的導(dǎo)電性引線，具體地，可列舉使用金、銅、白金、鋁等金屬及它們的合 金的導(dǎo)電性引線。 (支撐體)
本方式的封裝由配置半導(dǎo)體元件及電極的支撐體、和覆蓋半導(dǎo)體元件 的透光性構(gòu)件構(gòu)成。首先，作為本方式的發(fā)光器件中的支撐體，可適宜利 用在絕緣性基板上實施導(dǎo)體布線的板狀的支撐體。發(fā)光元件配置于設(shè)置在 板狀的支撐體的主面上的搭載部。作為沒有側(cè)壁來包圍發(fā)光元件的側(cè)面方 向的支撐體，可使從發(fā)光元件的側(cè)面方向出射的光不受損失，而向外部取 出。本方式的絕緣性基板是上表面為大致矩形的長方體，在上表面的大致 中央部具有從上表面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)劝枷莸陌疾?。另外，在絕緣性基板的上表
面，設(shè)置用于搭載發(fā)光元件的金屬構(gòu)件和兩對正負(fù)成對的電極。凹部設(shè)置 在這些電極及金屬材料之間。另外，在凹部的底面設(shè)置著電極，該電極與 設(shè)置在絕緣性基板的上表面的電極電連接。而且，考慮以金屬構(gòu)件作為搭 載部配置的半導(dǎo)體元件的大小及形狀、導(dǎo)電性引線的易拉伸性等，適當(dāng)調(diào) 整在絕緣性基板上設(shè)置的電極以及金屬構(gòu)件的形狀及位置。
構(gòu)成本方式的支撐體的絕緣性基板在其搭載半導(dǎo)體元件的上表面，在 搭載了發(fā)光元件的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域上，具有從上表面?zhèn)认虻酌鎮(zhèn)劝枷莸陌?部。在該凹部容納著與發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件，例如保護元件。在本 方式的凹部，俯視其開口部的外形是大致正方形，但并不限定于此，能夠 制成為與容納在凹部內(nèi)的半導(dǎo)體元件的大小、數(shù)量、形狀匹配的形狀及大 小。另外，同樣地，凹部的深度可按照容納的半導(dǎo)體元件的高度及與凹部
內(nèi)的電極的連接方式來適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。如圖1所示，優(yōu)選在第一發(fā)光元件101a 的搭載部104b和第二發(fā)光元件101b的搭載部104b之間，在支撐體108的 大致中央設(shè)置凹部103。由此，與在支撐體的角落上設(shè)置凹部的發(fā)光器件(例 如，從上表面看支撐體，在支撐體的長度方向上，具有依次配置了第一發(fā) 光元件的搭載部、第二發(fā)光元件的搭載部、凹部的支撐體的發(fā)光器件等) 比較，本方式中的發(fā)光器件，通過在支撐體上設(shè)置凹部，能夠減少對配光 性的影響。
另外，例如，在形成透光性構(gòu)件的同時形成空洞時，凹部的大小及深 度優(yōu)選俯視凹部的開口部的外形、與俯視容納在凹部的半導(dǎo)體元件的外形 的相似比是從1.0到2.5，而且，凹部的深度、與容納在凹部的半導(dǎo)體元件 的高度的比是從1. 0到2.14。這是因為若相對于半導(dǎo)體元件的大小凹部的 大小過大，則形成空洞的氣泡也變大，于是擔(dān)心這樣的氣泡受到發(fā)光元件 的發(fā)熱而熱膨脹，由此發(fā)光器件的可靠性、光學(xué)特性下降了。
作為絕緣性基板的材料，可適宜地利用在環(huán)氧樹脂中含有玻璃成分的 玻璃環(huán)氧基板、以陶瓷為材料的基板。
在發(fā)光器件中要求高對比度時，優(yōu)選通過使絕緣性基板的母材中含有 CrA、 Mn02、 FeA等顏料，從而絕緣性基板成為暗色系?；蛘?，為了賦予 絕緣性基板高的光反射率，優(yōu)選使其含有二氧化鈦等白色系的顏料。
特別地，在希望高耐熱性、高耐光性時，優(yōu)選以陶瓷為絕緣性基板的
母材。陶瓷的主材料優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、莫來石等。在這些主材料中添
加燒結(jié)助劑等，通過燒結(jié)可得到陶瓷的基板。例如，可列舉原料粉末的90 96重量百分比是氧化鋁，作為燒結(jié)助劑，添加4 10重量百分比的粘土、 滑石、氧化鎂、氧化鈣、及硅石等，且在1500 1700'C的溫度范圍內(nèi)使其 燒結(jié)的陶瓷、或者原料粉末的40 60重量百分比是氧化鋁，作為燒結(jié)助劑， 添加60 40重量百分比的硼硅酸玻璃、堇青石、鎂橄欖石、莫來石等，且 在800 1200'C的溫度范圍內(nèi)使其燒結(jié)的陶瓷等。這樣的陶瓷基板能夠在燒 成前的印刷電路基板階段做成各種的形狀。因此，能夠容易地形成具有本 方式的凹部的絕緣性基板。另外，在燒成前的印刷電路基板階段能夠?qū)嵤?各種圖形形狀的導(dǎo)體布線。例如，通過將含有鎢的膠粘劑狀的材料絲網(wǎng)印 刷，能夠形成用于作為導(dǎo)體布線、半導(dǎo)體元件的搭載部的金屬材料的基底 層。在這些基底層上，將陶瓷的材料燒成后，通過以銀、金、或鋁為材料 的鍍金或濺射，來配置最表面的金屬材料。最表面優(yōu)選用金屬材料覆蓋， 該金屬材料對來自發(fā)光元件的光具有高反射率。 (透光性構(gòu)件)
透光性構(gòu)件的材料沒有特別限定，例如，可以使用硅酮樹脂、環(huán)氧樹 脂、尿素樹脂、氟樹脂、以及含有至少一種以上這些樹脂的混合樹脂等、 耐候性出色的透光性樹脂。另外，透光性構(gòu)件不限于有機物，也可以使用 玻璃、硅膠等耐光性出色的無機物。另外，本方式的透光性構(gòu)件可以添加 粘度增量劑、光擴散劑、顏料、熒光物質(zhì)等、與用途對應(yīng)的所有構(gòu)件。例 如，可以添加與發(fā)光器件的發(fā)光色對應(yīng)的著色劑。另外，作為光擴散劑， 例如可以列舉鈦酸鋇、氧化鈦、氧化鋁、二氧化硅、碳酸轉(zhuǎn)、以及包含至 少一種以上這些成分的混合物等。并且，能夠通過將透光性構(gòu)件的光出射 面?zhèn)戎瞥伤Ｍ男螤睿蛊渚哂型哥R效果。具體地，除了平板狀、凸透 鏡形狀、凹透鏡形狀以外，還可以形成從發(fā)光觀測面看成為橢圓形狀或組 合多個上述形狀的形狀。 (熒光物質(zhì))
本方式的發(fā)光器件可以使透光性構(gòu)件中含有熒光物質(zhì)。作為這樣的熒 光物質(zhì)的一例，有以下所述的含有稀土族元素的熒光物質(zhì)。
具體地，可列舉具有從Y、 Lu、 Sc、 La、 Gd、 Tb、及Sm群中選擇的至
少一個元素和從Al、 Ga、及In群中選擇的至少一個元素的石榴石(garnet) 型熒光物質(zhì)。特別地，鋁石榴石系熒光體是含有A1、和從Y、 Lu、 Sc、 La、 Gd、 Tb、 Eu、 Ga、 In及Sm中選擇的至少一個元素，且用從稀土族元素中選 擇的至少一個元素來激活的熒光體，是用從發(fā)光元件出射的可見光或紫外 線來激勵發(fā)光的熒光體。例如，可列舉除釔鋁氧化物系熒光體(YAG系熒光 {本)以夕卜，Tb2.95Ce0.05Al50i2 、 Y2.9。Ce。.05Tb0.05Al50i2 、 Y2.94Ce0.05Pr。.01Al5012 、 Y2.9。Ce。.。5Pr。.o5AU)j2等。在它們中，特別在本實施方式中，利用含有Y、且用 Ce或Pr激活、不同組成的2種以上的釔鋁氧化物系熒光體。
另外，氮化物系熒光體是含有N，且含有從Be、 Mg、 Ca、 Sr、 Ba、及 Zn中選擇的至少一個元素和從C、 Si、 Ge、 Sn、 Ti、 Zr、及Hf中選擇的至 少一個元素，用從稀土族元素中選擇的至少一個元素來激活的熒光體。作 為氮化物系熒光體，可列舉例如(SrQ.97Eu。.。3) 2Si5N8、 (Ca。.985Eu。.。15) 2Si5N8、 (Sr。. 679Cao. 29iEu。. 03) 2S isNs等。
以下，對本發(fā)明涉及的實施例進行詳細(xì)描述。而且，不用說本發(fā)明不 僅限定于以下所示的實施例。
圖1是示意地表示本實施例中的發(fā)光器件100的頂視圖。圖2是示意
地表示將圖1的發(fā)光器件100沿n — n方向切斷時的剖面的剖面圖。圖3 是示意地表示將圖1中所示發(fā)光器件100沿m—m方向切斷時的剖面的剖 面圖。另外，圖4是示意地表示本實施例的發(fā)光器件100的底面圖。圖5 是示意地表示本實施例的發(fā)光器件100的立體圖。
如圖1所示，本實施例中的發(fā)光器件100具備具有向發(fā)光元件供給
電力的第一電極104a及第二電極104c的平板狀的支撐體108，以設(shè)置在該 支撐體108的上表面的金屬構(gòu)件104b作為搭載部而配置的多個發(fā)光元件 lOla、 101b,連接第一發(fā)光元件101a及第二發(fā)光元件101b的電極和第一 電極104a及第二電極104c的第二導(dǎo)電性引線106，以及覆蓋發(fā)光元件101a、 101b及第二導(dǎo)電性引線106的透光性構(gòu)件107。
本實施例的發(fā)光元件，是2個以氮化鎵系化合物半導(dǎo)體為材料的發(fā)藍(lán) 色系的光的LED芯片101a、 101b。這些LED芯片，俯視上表面時的外形是 500umX290um(長X寬)的長方形，在底面?zhèn)扰渲米鳛椴牧虾蠥u及Sn
的共晶材。這些LED芯片通過共晶材分別接合在搭載部上，該搭載部以設(shè) 置在支撐體的上表面的銀為最表面。
支撐體在以陶瓷為材料的絕緣性基板上，以鎢為基底層，依次鍍有鎳、 金及銀。通過這些金屬材料的配置，形成各電極及金屬構(gòu)件104b。進而， 支撐體108在絕緣性基板的上表面，在被LED芯片101a和LED芯片101b 的2個搭載部夾著的區(qū)域上設(shè)置具有開口部的凹部103。在該凹部103容納 著保護LED芯片101a、 101b免受過電壓破壞的保護元件102。進而，本實 施例的發(fā)光器件在對凹部103的開口部進行覆蓋的透光性構(gòu)件107的下表 面、和容納在凹部103的保護元件102的上表面之間具有空洞111。
本實施例的保護元件102是在上表面和底面具有極性不同的電極的齊 納二極管。以銀膠粘劑作為導(dǎo)電性粘接劑，保護元件102被粘接在凹部103 的底面，該底面?zhèn)鹊碾姌O通過導(dǎo)電性粘接劑，與在凹部103底面露出的導(dǎo) 體布線連接。另外，保護元件102的上表面的電極通過第一導(dǎo)電性引線105， 與設(shè)置在支撐體的上表面的第一電極104a連接。
如圖1所示，本實施例的支撐體108具有在配置發(fā)光元件的上表面， 通過第二導(dǎo)電性引線106與發(fā)光元件連接的正負(fù)成對的電極(第一電極 104a及第二電極104c);以及與這些電極絕緣、設(shè)置在同一支撐體的上表 面的金屬構(gòu)件104b。 2個LED芯片101a、 101b搭載在與電極分開設(shè)置的金 屬構(gòu)件104b上。由此，可在支撐體上與連接電極的導(dǎo)體布線的配置圖形分 開設(shè)置散熱通路，因此能夠制成散熱性高的發(fā)光器件。
如圖4所示，本實施例的發(fā)光器件100，從其背面方向看，在支撐體 108的長度方向上，互相面對的一對側(cè)面有切口，從該切口的部位的內(nèi)面向 支撐體108的中央部延伸設(shè)置第一外部連接電極110a及第二外部連接電極 110c。為了與各半導(dǎo)體元件連接，這些第一外部連接電極110a及第二外部 連接電極110c與配置在支撐體108的上表面的第一電極104a、第二電極 104c以及配置在凹部103底面的電極導(dǎo)通。即，第一外部連接電極110a 及第二外部連接電極110c，通過在支撐體內(nèi)埋設(shè)的導(dǎo)體布線，分別與第一 電極104a及第二電極104c電連接。第一外部連接電極110a及第二外部連 接電極110c，在將發(fā)光器件100焊錫安裝在外部的布線基板上時，通過該 焊錫與布線基板連接。
如圖2及圖3所示，本實施例的空洞111是在形成本實施例的發(fā)光器 件100的透光性構(gòu)件107的工序中，通過在凹部103內(nèi)氣泡殘存而形成的。 即，在支撐體108上配置各半導(dǎo)體元件并用導(dǎo)電性引線連接各電極后，通 過印刷含有YAG系熒光體的硅酮樹脂使其覆蓋發(fā)光元件、導(dǎo)電性引線以及 凹部的幵口部而形成。本實施例的發(fā)光器件的制造方法大致如下所述。
首先，在以陶瓷為絕緣性基板的材料的支撐體108的集合基板上，使 多個LED芯片排列，接著在凹部容納保護元件103，并利用導(dǎo)電性引線等進 行電連接。而且，以銀膠粘劑為粘接劑，保護元件103被粘接在配置在凹 部的底面的導(dǎo)體布線上，保護元件103的底面的電極通過銀膠粘劑與導(dǎo)體 布線電連接。
接著，沿著LED芯片的排列直線狀地配置含有YAG系熒光體的硅酮樹 脂，以便將多個LED芯片、導(dǎo)電性引線及凹部的開口部一起覆蓋。這時， 含有YAG系熒光體的硅酮樹脂的粘度為300Pa's。另外，本實施例的保護 元件，俯視其上表面的外形尺寸為240ymX240um的正方形，配置在凹部 的底面時的高度是0.14mm。將這樣大的保護元件容納在凹部時，凹部的開 口部的外形尺寸優(yōu)選一邊為0. 24mm以上、0. 60mm以下的正方形，從開口部 上表面到凹部底面的深度優(yōu)選為0. 15mm以上、0.30mm以下。本實施例中， 凹部的開口部的外形尺寸是0. 50mmX0. 50mm的正方形，深度是0. 15mm。而 且，使硅酮樹脂固化后，利用切割來切斷透光性構(gòu)件及絕緣性基板，以規(guī) 定的大小使其個片化，由此得到本實施例的發(fā)光器件100。
而且，在形成支撐體108的上表面外形的矩形的四角或邊上分別形成 的標(biāo)記(包括直線或L字型形狀的記號)109除了可作為標(biāo)識來識別設(shè)置在 發(fā)光器件100上的正負(fù)成對的外部連接電極110a、 110e的極性外，還可在 切割集合基板進行個片化時，作為示出切割線的記號來利用。
本發(fā)明，能夠使用在照明用光源、各種指示器用光源、車載用光源、 顯示器用光源、液晶的背光用光源等上。
在示出和描述各種首選的實施例后，本發(fā)明對于那些具有一般技能的 技術(shù)人員應(yīng)是顯而易見的?？深A(yù)見本發(fā)明并不限于所揭示的特定的實施例， 它被認(rèn)為只是說明本發(fā)明的概念，而不應(yīng)被解釋為本發(fā)明的限定范圍。本 發(fā)明適合在權(quán)利要求所定義的發(fā)明范圍內(nèi)進行各種修改和變化。本申請是基于在2007年7月19日入檔的日本特開2007-188709號公 報和在2007年12月27日入檔的日本特開2007-335793號公報，與此有關(guān) 的內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，具備具有電極的發(fā)光元件；及封裝，配置發(fā)光元件并且設(shè)置電極；上述封裝還具備支撐體，具有配置上述發(fā)光元件的搭載部及容納與上述發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件的凹部；在支撐體上配置的透光性構(gòu)件；及導(dǎo)電性引線，連接設(shè)置在封裝上的電極和上述發(fā)光元件的電極；其中，上述透光性構(gòu)件覆蓋著至少上述發(fā)光元件和上述凹部的開口部，上述封裝在上述凹部具有空洞。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1記載的發(fā)光器件，其特征在于-上述空洞設(shè)置在對上述凹部的開口部進行覆蓋的透光性構(gòu)件的底面和容納在上述凹部的半導(dǎo)體元件的上表面之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1記載的發(fā)光器件，其特征在于突出部:、、厶 、 、、b 、5 。 、、n 、 、、、
4. 根據(jù)權(quán)利要求1記載的發(fā)光器件，其特征在于 上述凹部設(shè)置在被上述發(fā)光元件的多個搭載部夾著的區(qū)域，上述支撐體在上述搭載部的大致緊下方分別具備外部連接電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l記載的發(fā)光器件，其特征在于俯視上述凹部的開口部的外形、與俯視容納在上述凹部的半導(dǎo)體元件 的外形的相似比是從1.0到2.5。
6. —種發(fā)光器件的制造方法，該發(fā)光器件具備發(fā)光元件、配置該發(fā) 光元件的封裝、及連接設(shè)置在該封裝上的電極和上述發(fā)光元件的電極的導(dǎo) 電性引線；上述封裝具備至少覆蓋上述發(fā)光元件的透光性構(gòu)件、及支撐體， 該支撐體具有配置上述發(fā)光元件的搭載部及容納與上述發(fā)光元件不同的半 導(dǎo)體元件的凹部；該發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序 第一工序，形成具有在搭載上述發(fā)光元件的上表面開口的凹部的支撐體；第二工序，在上述發(fā)光元件的搭載部的上表面之下配置上述半導(dǎo)體元 件的上表面，在上述凹部容納上述半導(dǎo)體元件；第三工序，配置上述發(fā)光元件及上述導(dǎo)電性引線；第四工序，在上述凹部內(nèi)形成空洞并且在上述支撐體上配置覆蓋至少 上述發(fā)光元件及上述凹部的開口部的透光性構(gòu)件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6記載的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于 上述第四工序包括以相對搭載了上述發(fā)光元件的上表面大致平行的方向，連續(xù)地供給上述透光性構(gòu)件的材料的工序。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7記載的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于 上述透光性構(gòu)件的材料的粘度根據(jù)與上述半導(dǎo)體元件對應(yīng)的上述凹部的大小，在上述第四工序中調(diào)整，使氣泡在上述凹部殘存。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7記載的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于-上述透光性構(gòu)件的材料是包含從硅酮樹脂或環(huán)氧樹脂中選擇的至少一種以上的樹脂、且在該樹脂中含有粒子狀熒光體的材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8記載的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于上述透光性構(gòu)件的材料的粘度在200Pa s以上、500Pa s以下。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6記載的發(fā)光器件的制造方法，其特征在于 俯視上述凹部的開口部的外形、與俯視容納在上述凹部中的半導(dǎo)體元件的外形的相似比是從1. 0到2. 5，上述凹部的深度、與容納在上述凹部中 的半導(dǎo)體元件的高度的比是從1. 0到2. 14。
全文摘要
一種發(fā)光器件及其制造方法，其中該發(fā)光器件(100)具備發(fā)光元件(101)、配置該發(fā)光元件(101)的封裝、及連接設(shè)置在該封裝上的電極和發(fā)光元件的電極的導(dǎo)電性引線(106)；封裝具備支撐部(108)、及至少覆蓋發(fā)光元件(101)的透光性構(gòu)件(107)，該支撐部(108)具有配置發(fā)光元件(101)的搭載部及容納與發(fā)光元件不同的半導(dǎo)體元件(102)的凹部(103)；封裝在覆蓋凹部(103)的開口部的透光性構(gòu)件(107)和凹部(103)的內(nèi)壁之間具有空洞(111)。
文檔編號H01L23/31GK101350346SQ20081013585
公開日2009年1月21日 申請日期2008年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月19日
發(fā)明者乃一拓也 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社