專利名稱：用于晶片支撐裝置的調制樣片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種用于晶片支撐裝置 的調制樣片。
背景技術：
半導體晶片處理系統(tǒng)中通常包含晶片支撐裝置，用以支撐處理容器中的
晶片。而晶片的固定，通常由機械固定或靜電吸盤(chuck)所提供。不同的晶 片處理系統(tǒng)中的晶片支撐裝置大多包含將晶片固定于晶片支撐體上以及對晶 片進行加熱及/或冷卻的各種部件；此外，旋涂系統(tǒng)內的晶片支撐裝置還包 含對晶片背面進行及時沖洗的各種部件。
當前，對晶片支撐裝置的研究大多集中在對晶片支撐裝置的加熱及/或 冷卻部件的改進上，如申請?zhí)枮?200510118052. X"的中國專利申請中提 供了 一種將設置于真空側的電極連接至設置于大氣側的端子上的貫通供電構 造，以解決現(xiàn)有的連接構造體所具有的結構復雜及部分連接失效的問題；申 請?zhí)枮?03810217.X"的中國專利申請中提供了一種在熱處理室中利用基座 加熱半導體晶片的工藝和系統(tǒng)，通過改變基座設置，降低晶片中的徑向溫度 梯度，可以消除或最小化晶片中產生的滑移，并通過更均勻地加熱晶片，改 善沉積或外延工藝期間晶片上的沉積均勻度。
然而，對旋涂系統(tǒng)內晶片支撐裝置中用以對晶片背面進行及時沖洗的各 種部件進行的改進所進行的研究還遠遠不夠。
圖l為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側視示意圖，如圖l所示，旋涂系 統(tǒng)包括旋涂室20及晶片支撐裝置，所述晶片支撐裝置包括晶片支撐體60、廢 液收集裝置30及旋涂物質收集裝置4 0,晶片支撐體60用以直接承載并固定晶 片。旋涂過程中，由于旋涂物質均為流動性物質，為保證此旋涂物質可在涂 覆晶片邊緣后，不產生由于旋涂物質污染晶片背面而導致的晶片平整度變差， 通常在晶片支撐裝置中還包括對晶片背面進行及時沖洗的一定數量的清洗部 件50;此一定數量的清洗部件50均勻分布于晶片支撐體60四周。通過在旋涂 過程中利用此一定數量的清洗部件沿一定方向噴射具有一定流速的旋涂材料 清洗溶液于晶片背面，以清洗已污染晶片背面的旋涂物質。廢液收集裝置用
以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質后獲得的混合溶液。旋涂物質收集裝置 用以接收旋涂過程中噴'減的旋涂物質。
通常，用以接收清洗污染晶片背面的旋涂物質后獲得的混合溶液的廢液 收集裝置包含一側壁，為保證廢液收集裝置的側壁在旋涂過程中不損傷調制 樣片，并使得此混合溶液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質 混合，此側壁需具有一定的高度，同時此側壁與調制樣片間還需形成具有一 定高度的空隙，且此空隙的高度需滿足特殊要求。而現(xiàn)有技術中對此空隙高 度的檢測還沒有一種簡便、直觀的方法，若可在調制樣片上附加一空隙高度 檢測裝置，將極大地方便實際操作。
實用新型內容
本實用新型提供了一種用于晶片支撐裝置的調制樣片，利用此調制樣片 調制樣片支撐裝置時，通過在此調制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，進而 保證廢液收集裝置的側壁與調制樣片間的空隙高度滿足預定要求。
本實用新型提供的一種用于晶片支撐裝置的調制樣片，所述調制樣片尺 寸與產品晶片尺寸相同，利用所述調制樣片調節(jié)所述晶片支撐裝置時，所述
調制樣片置于所述晶片支撐裝置內的清洗部件上方，所述調制樣片附有高度 檢測裝置，所述高度檢測裝置位于所述調制樣片邊緣。
所述調制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料；所述調制 樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物， 聚碳酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種；所述高度檢測裝置包括具有預定厚 度的標定物；所述標定物位于所述調制樣片邊緣；所述標定物的數目為2;所 述標定物的預定厚度分別為預定高度范圍的邊界值；所述高度檢測裝置為傳 感式數字顯示檢測裝置。
與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下優(yōu)點通過在調制樣片上附加一 空隙高度檢測裝置，繼而保證廢液收集裝置的側壁與調制樣片的空隙高度滿 足預定要求，即可同時保證廢液收集裝置的側壁不損傷調制樣片以及清洗污 染晶片背面的旋涂物質后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋 涂室或與另行接收的多余的旋涂物質混合。

圖1為現(xiàn)有旋涂系統(tǒng)中晶片支撐裝置的側視示意圖2為說明本實用新型第一實施例的用于晶片支撐裝置的調制樣片側視 示意圖3為說明本實用新型第二實施例的用于晶片支撐裝置的調制樣片側視 示意圖。
具體實施方式

盡管下面將參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，其中表示了本實 用新型的優(yōu)選實施例，應當理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用 新型而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列的描述應當被理解為對 于本領域技術人員的廣泛教導，而并不作為對本實用新型的限制。
為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述 公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應 當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的 特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪?個實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對 于具有本實用新型優(yōu)勢的本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下列 說明和權利要求書本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明 本實用新型實施例的目的。
當前的生產過程中，旋涂前，為保證噴射的旋涂材料清洗溶液既能保證 旋涂物質不能污染晶片背面，又不至于將旋涂物質噴濺至旋涂室內，需利用 調制樣片IO輔助進行各清洗部件的流速和噴射角度的調節(jié)。應用現(xiàn)有方法調 節(jié)清洗部件50時需首先將一調制樣片固定于晶片支撐體60上，此調制樣片IO 與生產用晶片尺寸相同；隨后，測試各清洗部件的流速和噴射角度。根據測 試結果，確定清洗部件的流速和噴射角度需要調節(jié)后，需將此位于復數個清 洗部件50上方的調制樣片10取下，方可調節(jié)清洗部件50，調節(jié)后再將此調制 樣片10恢復原位，重復測試，直至確定清洗部件50的流速和噴射角度已符合
預定要求。實際生產中，各清洗部件的調節(jié)通常需重復多次，而所述調制樣 片的材料通常為特制玻璃，如此反復取、放調制樣片IO，極易造成調制樣片 的改進。
本實用新型提供的調制樣片的材料為透明或半透明合成樹脂材料或塑
料，如曱基丙烯酸曱酯Ucryl, P醒A)、聚氯乙烯(PVC),丙烯腈/丁二烯 /苯乙烯共聚物(ABS)，聚^^友酸脂(PC)，聚醚酰亞胺(PEI)等。
本實用新型提供的用于晶片支撐裝置的調制樣片10尺寸與產品晶片尺寸 相同；作為本實用新型的實施例，對于300毫米晶片生產線，所述調制樣片直 徑為300毫米(mm)。
為保證廢液收集裝置的側壁在旋涂過程中不損傷調制樣片，及此混合溶 液不污染旋涂室以及不與另行接收的多余的旋涂物質混合，此側壁需具有一 定的高度，同時所述側壁與調制樣片間還需形成具有一定高度的空隙。
所述側壁高度及所述側壁與調制樣片間形成的高度空隙需滿足生產要求。
實際生產過程中，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，通常，要求此空隙的高度范圍 為1~1. 2毫米；對于300毫米顯影系統(tǒng)，要求此空隙的高度范圍為4 4. 5亳米。
為保證上述空隙高度在此范圍內，可在所述調制樣片上附加一空隙高度 檢測裝置。
圖2為說明本實用新型第 一 實施例的用于晶片支撐裝置的調制樣片側視 示意圖，如圖2所示，作為本實用新型的實施例，所述空隙高度^^測裝置包括 分別具有特定厚度的兩個標定物，所述兩個標定物的特定厚度為所述空隙的 高度范圍兩邊界值，所述標定物位于所述調制樣片邊緣，兩標定物在調制樣 片上的實際位置均無限定。所述標定物可附于所述調制樣片背面。所述標定 物材料可為任意固體材料，如合成樹脂材料、塑料或金屬等。
作為本實用新型的實施例，對于300毫米涂膠系統(tǒng)，所述標定物為高度分 別為l毫米和l. 2毫米的兩個鋼片，此兩標定物可位于所述調制樣片內邊緣處 任意位置。
實際搮作中，應用可附于所述調制樣片背面的標定物檢測空隙高度時， 首先，將對應所述空隙高度下限值高度的標定物71附于所述調制樣片背面， 旋轉所述調制樣片，若所述調制樣片可任意轉動，則說明所述空隙高度滿足
預定高度下限值；若所述調制樣片無法任意轉動一周，則說明有空隙高度超
出預定高度下限值；然后，將對應所述空隙高度上限值高度的標定物72附于 所述調制樣片背面，旋轉所述調制樣片，若所述調制樣片無法轉動，說明所 述空隙高度滿足預定高度上限值；若所述調制樣片可轉動，說明有空隙高度 超出預定高度上限值。即只有所述調制樣片在其背面附有對應所述空隙高度 下限值高度的標定物時，可任意轉動，且在其背面附有對應所述空隙高度上 限值高度的標定物時無法轉動，方可確定上述空隙高度在預定要求范圍內。
圖3為說明本實用新型第二實施例的用于晶片支撐裝置的調制樣片側視 示意圖，如圖3所示，所述空隙高度檢測裝置可為傳感式數字顯示檢測裝置80， 所述傳感式數字顯示檢測裝置包含檢測部83、固定部82及顯示部81。
所述固定部82用以將所述傳感式數字顯示檢測裝置固定于所述調制樣片 邊緣；所述顯示部81與所述固定部82相接，所述顯示部81可相對所述固定部 82轉動，所述顯示部81用以即時顯示所述空隙高度值；所述檢測部83與所述 固定部82相接，所述檢測部83可利用傳感裝置檢測所述空隙高度值；所述檢 測部83具有可伸縮結構，所述檢測部83包含連4矣部831與感應部832,所述連 接部831用以與所述固定部82相接，所述感應部832處具有一傳感裝置，所述 檢測部83利用所述傳感裝置檢測所述空隙高度值。
采用本實用新型提供的晶片支撐裝置調制晶片，通過在調制樣片上附加 一空隙高度檢測裝置，繼而保證廢液收集裝置的側壁與調制樣片的空隙高度 滿足預定要求，即可同時保證廢液收集裝置的側壁不損傷調制樣片以及清洗 污染晶片背面的旋涂物質后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染 旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質混合。
盡管通過在此的實施例描述說明了本實用新型，和盡管已經足夠詳細地描 述了實施例，申請人不希望以任何方式將權利要求書的范圍限制在這種細節(jié) 上。對于本領域技術人員來說另外的優(yōu)勢和改進是顯而易見的。因此，在較 寬范圍的本實用新型不限于表示和描述的特定細節(jié)、表達的設備和方法和說 明性例子。因此，可以偏離這些細節(jié)而不脫離申請人總的實用新型概念的精 神和范圍。
權利要求1.一種用于晶片支撐裝置的調制樣片，所述調制樣片尺寸與產品晶片尺寸相同，利用所述調制樣片調節(jié)所述晶片支撐裝置時，所述調制樣片置于所述晶片支撐裝置內的清洗部件上方，其特征在于所述調制樣片附有高度檢測裝置，所述高度檢測裝置位于所述調制樣片邊緣。
2. 根據權利要求1所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特征在于 所述調制樣片的材料為透明或半透明的合成樹脂材料或塑料。
3. 根據權利要求1或2所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特征在 于所迷調制樣片的材料為曱基丙烯酸曱酯、聚氯乙烯，丙烯腈/丁二烯/苯 乙烯共聚物，聚^f灰酸脂，聚醚酰亞胺等材料中的一種。
4. 根據權利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特 征在于所述高度^r測裝置包括具有預定厚度的標定物。
5. 根據權利要求4所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特征在于 所述標定物位于所述調制樣片邊緣。
6. 根據權利要求5所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特征在于 所述標定物的數目為2。
7. 根據權利要求6所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特征在于 所述標定物的預定厚度分別為預定高度范圍的邊界值。
8. 根據權利要求1或2或3所述的用于晶片支撐裝置的調制樣片，其特 征在于所述高度檢測裝置為傳感式數字顯示檢測裝置。
專利摘要一種用于晶片支撐裝置的調制樣片，所述調制樣片尺寸與產品晶片尺寸相同，利用所述調制樣片調節(jié)所述晶片支撐裝置時，所述調制樣片置于所述晶片支撐裝置內的清洗部件上方，所述調制樣片附有高度檢測裝置，所述高度檢測裝置位于所述調制樣片邊緣。通過在調制樣片上附加一空隙高度檢測裝置，繼而保證廢液收集裝置的側壁與調制樣片的空隙高度滿足預定要求，即可同時保證廢液收集裝置的側壁不損傷調制樣片以及清洗污染晶片背面的旋涂物質后獲得的混合溶液被廢液收集裝置接收，而不污染旋涂室或與另行接收的多余的旋涂物質混合。
文檔編號H01L21/00GK201004455SQ20062004903
公開日2008年1月9日 申請日期2006年12月15日 優(yōu)先權日2006年12月15日
發(fā)明者黃良志 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司