專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的封裝層及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件的封裝層及其制備方法，并涉及制備該封裝層方法的應(yīng)用，屬于有機電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。
1987年，美國Kodak公司的C.W.TANG等人(C.W.Tang，S.A.Slyke，Appl.Phys.Lett.51，913(1987))首次采用雙層結(jié)構(gòu)，以芳香二胺類衍生物作為空穴傳輸材料，以一種熒光效率很高且能用真空鍍膜法制成均勻致密的高質(zhì)量薄膜的有機小分子材料——8-羥基喹啉鋁(以下簡稱Alq3)作為發(fā)光層材料，制備出較高量子效率(1％)、高發(fā)光效率(＞1.5lm/W)、高亮度(＞1000cd/m2)和低驅(qū)動電壓(＜10V)的有機電致發(fā)光器件(OrganicElectroluminescent Devices，以下簡稱OLEDs)，使得該領(lǐng)域的研究工作進入一個嶄新的時代。1990年，英國Cambridge大學(xué)卡文迪許實驗室的Burroughes和他的同事發(fā)現(xiàn)聚合物材料也具有良好的電致發(fā)光性能，這個重要的發(fā)現(xiàn)將有機電致發(fā)光材料的研究推廣到聚合物領(lǐng)域。十余年來，人們不斷地提高有機電致發(fā)光器件的制備工藝，其相關(guān)技術(shù)得到了飛速的發(fā)展。
OLEDs產(chǎn)品從量產(chǎn)技術(shù)上講，目前還沒有達到產(chǎn)品化的要求，實現(xiàn)OLEDs量產(chǎn)所面臨的困難，主要有以下幾個方面(1)OLEDs的壽命問題，(2)生產(chǎn)技術(shù)和質(zhì)量管理問題，(3)相關(guān)技術(shù)問題(特別是驅(qū)動技術(shù))，其中，壽命是目前面臨的最大問題之一?？梢哉f，OLEDs的壽命問題得不到相應(yīng)的解決，新一代的顯示器的產(chǎn)品化和實用化就無從談起。目前，因為器件中的有機物和陰極對水汽和氧氣都非常敏感，就是說OLEDs的壽命問題很大程度上取決于器件封裝效果的好壞。大量的研究表明水汽和氧氣是造成OLEDs失效的主要原因，作為OLEDs陰極的活潑金屬很容易和水汽、氧氣反應(yīng)。我們可以做一個簡單的估算，Mg的原子量是24，密度是1.74g/cm3，如果OLEDs中的金屬陰極Mg層的厚度為50nm，則該器件含金屬Mg的量為3.6×10-7mol/cm2，只需要約6.4×10-6g水就能與之完全反應(yīng)。要使得Mg完全被破壞時間為一年，則封裝層必須使得水滲透率小于1.5×10-4g/m2/day。而實際上器件中陰極只要有10％被氧化，形成的不發(fā)光區(qū)域就非常明顯(如果陰極的氧化發(fā)生在金屬與有機物的界面處，即使被破壞的陰極僅為5也可能導(dǎo)致器件失效)，通常認為，忽略水、氧對有機層的破壞作用，OLEDs要求的封裝層水氧透過率應(yīng)小于10-5g/m2/day(Burrows PE，Graff GL，Gross ME，et al.Displays22，65 2001)。
如今，無論以有機小分子還是以聚合物為發(fā)光材料的OLEDs都已達到初步的產(chǎn)業(yè)化水平。OLEDs作為一種全固化的顯示器件(無論是小分子還是聚合物)，其最大優(yōu)越性在于能夠制備出柔性的顯示器件，如與柔性晶體管技術(shù)相結(jié)合，可以制成電子報刊、墻紙電視、可穿戴的顯示器等等產(chǎn)品，將淋漓盡致的展現(xiàn)出有機半導(dǎo)體技術(shù)的魅力。柔性O(shè)LEDs與普通OLEDs的不同僅僅在于基片的不同，但對于軟屏器件而言，基片是影響其效率和壽命的主要原因。軟屏器件采用的塑料基片與玻璃基片相比，有以下缺點(1)塑料基片的平整性通常比玻璃基片要差，基片表面的突起會給器件膜層結(jié)構(gòu)帶來缺陷，引起器件損壞；(2)塑料基片的水、氧透過率遠遠高于玻璃基片，而水、氧是造成器件迅速老化的主要因素。即使是在食品包裝等領(lǐng)域應(yīng)用的帶水氧阻隔層的薄膜，其水氧透過率也與OLEDs的要求相去甚遠。
為此，人們對塑料基片進行了改性，改善塑料基片的表面平整度，提高其水氧阻隔性能。美國專利US4,842,893(公告日1989年6月27日)、US4,954,371(公告日1990年9月4日)和US5,260,095(公告日1993年11月9日)提到的聚合物交替多層膜(Polymer Multilayer，以下簡稱PML)技術(shù)被認為是行之有效的一項改善塑料基片性能的技術(shù)。PML技術(shù)是在真空狀態(tài)下制備聚合物材料、陶瓷類材料的交替多層膜。其中聚合物層作為柔性的緩沖層，并起到使塑料基片表面平整均一的作用。采用的聚合物材料通常是室溫下為液態(tài)的聚合物單體，如丙烯酸類單體，蒸鍍到基片表面后因為表面張力作用形成非常平整的膜層，再通過紫外光照射使之聚合固化，形成聚丙烯酸酯類膜層。采用的陶瓷類材料通常是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅以及氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁等，水氧透過率極低，而且在可見光區(qū)透明。研究表明，經(jīng)PML技術(shù)改性后的塑料基片表面非常平整，而且水氧阻隔性能可以與玻璃相媲美。PML交替多層結(jié)構(gòu)的引入也改善了塑料基片與透明導(dǎo)電膜(如氧化銦錫，以下簡稱ITO)的結(jié)合力，從而提高OLEDs的性能。
PML技術(shù)還可用于OLEDs的封裝。玻璃基片的OLEDs所采用的粘合封裝片的方法不適用于軟屏，因為軟屏器件在彎曲時，粘合的封裝片有可能摩擦破壞金屬層。美國專利US6,146,225(公告日2000年11月14日)采用PML技術(shù)對OLEDs進行封裝，薄膜封裝層采用聚合物層、陶瓷層、聚合物層結(jié)構(gòu)，并在膜層中加入活潑金屬作為吸濕劑，薄膜封裝層直接制備在器件背面(器件陰極一側(cè))，提高了器件的壽命。但僅用PML薄膜封裝層還不能達到理想的封裝效果，而且PML薄膜封裝層對器件機械性能(主要指器件柔性，防止刮擦和防止外力破壞)改善不大，薄膜封裝層和有機層均易受到破壞。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝層的制備方法，以簡化器件的封裝工藝。
本發(fā)明的又一目的是把本發(fā)明制備封裝層的方法應(yīng)用于對塑料基片進行改性，制備出高水、氧阻隔性能的柔性基片。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一個技術(shù)方案是提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝層，該封裝層位于器件一側(cè)或兩側(cè)，包括由聚合物材料層和陶瓷材料層以一定周期數(shù)n交替重疊組成的薄膜層，其特征在于還包括位于薄膜層上的一層有機絕緣材料厚膜層，這層厚膜層采用聚合物材料。
在本發(fā)明的技術(shù)方案中所述的薄膜層周期數(shù)n為1～10(整數(shù))。
上述技術(shù)方案中被封裝的有機電致發(fā)光器件的基片為玻璃或塑料，塑料基片采用聚酯類或聚酰亞胺類化合物中一種材料，如聚對苯二甲酸乙二酯(以下簡稱PET)等。如果上述被封裝的有機電致發(fā)光器件的基片為玻璃的話，只需在器件陰極一側(cè)進行封裝即可。
器件封裝層的薄膜層上加上一層有機絕緣材料厚膜層還能提高軟屏OLEDs的柔性。如圖2所示，物體被彎曲時，上表面受到拉應(yīng)力，下表面受到壓應(yīng)力，在物體中間有一受力為零的應(yīng)力中軸層n0。距離中軸層距離為y的任意層n1所受的應(yīng)力為ϵ=yR]]>其中y為n1到n0的距離，R為n0層的曲率半徑。在有機電致發(fā)光器件中，ITO薄膜層、有機層、金屬電極層(以下稱為功能層)均制備在塑料基片之上，基片的厚度通常為數(shù)百微米，而上述功能層厚度僅為數(shù)十至數(shù)百納米。對未封裝的柔性器件而言，當(dāng)器件被彎曲時，因功能層位于塑料基片的表面，離應(yīng)力中軸層的距離y最大，在較大的曲率半徑R時，ε就達到使功能層被破壞的程度。而采用本發(fā)明提供的封裝層，通過調(diào)整有機絕緣材料厚膜層的膜厚(從數(shù)十到數(shù)千微米可以任意調(diào)節(jié))，可以使得功能層的位置接近應(yīng)力中軸層，減小了y，因此在彎曲到較小的曲率半徑R時，ε才能達到使功能層被破壞的程度，可以提高器件的柔性。當(dāng)功能層位于應(yīng)力中軸層時，甚至可以實現(xiàn)可折疊的柔性器件。而且，有機絕緣材料厚膜層也能增強器件的抗刮擦性能。
本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件的封裝層，具有以下優(yōu)點在該封裝層的薄膜層上加上一層有機絕緣材料厚膜層能夠進一步提高器件的柔性和水氧阻隔性能，進而提高了器件的壽命和機械性能。
本發(fā)明的另一個技術(shù)方案是提供一種有機電致發(fā)光器件的封裝層的制備方法，該方法包括以下步驟①在有機電致發(fā)光器件的一側(cè)蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；②在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料層；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成一層平整的有機絕緣材料厚膜層。
本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的封裝層的制備方法，具有以下優(yōu)點由于在具有n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上制備了一層有機絕緣材料厚膜層，那么同樣為達到提高器件的壽命和機械性能的目的，就可以減少相應(yīng)制備薄膜層的周期數(shù)，從而簡化了工藝。
本發(fā)明的又一個技術(shù)方案是提供一種采用上述技術(shù)方案提出的制備封裝層的方法對塑料基片進行改性，該方法包括以下步驟①在塑料基片上蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；②在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料層；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成一層平整的有機絕緣材料厚膜層。
本發(fā)明提供的制備封裝層方法的應(yīng)用，除達到對塑料基片進行改性的目的外，可制備出高水、氧阻隔性能的柔性基片。
下面結(jié)合附圖
通過具體實施方式
、實施例加以說明，本發(fā)明可變得更加清楚。
圖2是物體膜層應(yīng)力示意圖，其中n0為物體中間的一受力為零的應(yīng)力中軸層，n1為距離中軸層n0距離為y的任意層，y為n1到n0的距離，R為n0層的曲率半徑。
圖3是本發(fā)明實施例4在PET基片表面上制備一層不同厚度UV固化膠后的原子力顯微鏡圖(以下簡稱AFM圖)。
圖4是本發(fā)明實施例5封裝和未封裝的器件持續(xù)工作時的亮度衰減曲線。
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
詳細闡述本發(fā)明的內(nèi)容，應(yīng)該理解本發(fā)明并不局限于下述優(yōu)選實施方式，優(yōu)選實施方式僅僅作為本發(fā)明的說明性實施方案。
結(jié)合附圖，本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件的封裝層的一種制備方法詳細闡述如下①將有機電致發(fā)光器件置于真空鍍膜機中，抽真空度至10-4～10-3Pa，在上述器件的背面蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，用紫外線照射使其固化，照射時間根據(jù)所采用材料不同而不同，通常為1～10min，液態(tài)的單體層經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為50～1000nm；②在上述聚合物材料層上利用直流磁控濺射或射頻磁控濺射的方法制備陶瓷材料層，在背景壓強為10-4～10-3Pa條件下通入氮氣或氧氣，控制反應(yīng)起來的流量比，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.1～10Pa，采用高純鈦靶、鋁靶或硅靶在0.5～50W/cm2的直流功率密度下濺射，通過冷卻系統(tǒng)控制上述器件溫度在40℃以下，濺射時間為10s～60min，濺射的膜厚為10～1000nm；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射1～10min原位聚合成一層平整的有機絕緣材料層，膜厚為10～1000μm。
結(jié)合附圖，本發(fā)明提出的有機電致發(fā)光器件的封裝層的另一種制備方法詳細闡述如下①將有機電致發(fā)光器件置于真空鍍膜機中，抽真空度至10-4～10-3Pa，在上述器件的背面蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，用紫外線照射使其固化，照射時間根據(jù)所采用材料不同而不同，通常為1～10min，液態(tài)的單體層經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為50～1000nm；②在上述聚合物層上利用等離子增強型化學(xué)氣相淀積(以下簡稱PECVD)方法制備陶瓷材料層，在背景壓強為10-4～10-3Pa條件下通入反應(yīng)氣體(如生長氮化硅所用氣體為硅烷和氨氣)，控制反應(yīng)起來的流量比，調(diào)節(jié)反應(yīng)室氣壓為5～50Pa，反應(yīng)室溫度控制在50℃以下，在10～500W的功率下生長陶瓷層材料，生長時間為10s～30min，淀積的膜厚為10～1000nm；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射1～10min原位聚合成一層平整的有機絕緣材料層，膜厚為10～1000μm。
本發(fā)明制備封裝層的方法應(yīng)用于對塑料基片進行改性，即同時制備出高水、氧阻隔性能的柔性基片的具體步驟同上述兩種具體制備方法。
將玻璃基片的OLEDs置于真空鍍膜機中，抽真空至5×10-4pa。在器件的背面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UV STRCTL 352，樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為300nm。在背景壓強為10-4～10-3Pa條件下通入氮氣，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.40Pa，采用高純鈦靶在96W的直流功率下向UV固化膠上濺射，基片溫度控制在40℃以下，生長時間為10min，氮化鈦薄膜膜厚為50nm。重復(fù)上述步驟再制備1個周期的UV固化膠/氮化鈦復(fù)合薄膜層。最后，在手套箱內(nèi)通入惰性氣體氮氣，在上述薄膜層之上采用刮膜法制備一層液態(tài)的UV固化膠，用紫外線照射5min使其聚合，膜厚為70μm。
上述兩個實施例與傳統(tǒng)的玻璃封裝片封裝方法相比，該方法可以減輕器件的重量，使整個器件厚度下降。
因為常用氣體透過率檢測設(shè)備只能檢測10-2g/m2/day以上透過率，封裝后透過率均在此范圍以下，所以用活潑金屬Ca的氧化來檢測周期數(shù)對封裝性能的影響封裝結(jié)構(gòu)為玻璃片/Ca/(UV固化膠<100nm>/氮化鈦<80nm>)n/UV固化膠<100μm>在溫度50℃，濕度95％的環(huán)境下用肉眼對Ca完全氧化的時間進行觀察

5個周期以后壽命提高不大，而且工藝步驟復(fù)雜，所以5個周期為優(yōu)選的周期數(shù)。
我們從圖3可以看到，在塑料基片PET上面分別蒸鍍80nm、150nm和300nm厚的UV固化膠，利用紫外線照射聚合并與未制備UV固化膠的軟屏基片表面進行對比?？梢钥闯?，軟屏基片表面非常粗糙，有很多毛刺，不利于形成平整致密的陶瓷層。而基片蒸鍍了80nm的UV固化膠后，表面形貌雖然有一定的改善，但是仍然布滿了深度約為7nm的針孔，這些針孔的存在會使在其上形成的陶瓷材料層表面不平，而且會給水氧的滲入提供通道。當(dāng)UV固化膠的厚度增加到150nm，可以看到表面的針孔明顯減少，而且深度只有2nm左右，表面平整度有了很大改善。當(dāng)UV固化膠厚度增加到300nm，表面非常平整。但考慮到蒸鍍速率和時間的因素，下面的實施例中對PET基片進行改性的薄膜層中UV固化膠膜厚為150nm。
將PET基片放入真空鍍膜機，抽真空至4×10-4pa，在PET基片一側(cè)蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠(UV STRCTL 352，樂泰公司)，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為150nm。將鍍有UV固化膠的PET基片送入PECVD反應(yīng)室，抽真空至1×10-3Pa，通入反應(yīng)氣體，硅烷和氨氣的流量比為1，反應(yīng)室氣壓為10Pa，反應(yīng)室溫度控制在50℃，在100W的射頻功率下生長100nm的氮化硅，生長時間為2min。重復(fù)上述步驟再制備2個周期的(UV固化膠/氮化硅)復(fù)合薄膜層。最后，在手套箱內(nèi)通入惰性氣體氮氣，在上述薄膜層之上采用刮膜法制備一層液態(tài)的UV固化膠，用紫外線照射5min使其聚合，膜厚為70μm。
將制備好透明導(dǎo)電膜ITO的基片1從直流磁控濺射設(shè)備中取出，送入真空鍍膜機，抽真空至壓強3×10-4Pa，制備OLEDs器件。其制備過程為，在具有ITO的基片1上依次蒸鍍銅酞菁(以下簡稱CuPc)15nm，空穴傳輸材料N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-聯(lián)苯基-4，4-二胺(以下簡稱NPB)50nm，Alq350nm，Mg∶Ag合金(摩爾比10∶1)200nm。然后在器件背面蒸鍍一層液態(tài)的UV固化膠，用紫外線照射使其固化，照射時間為5min，UV固化膠經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜，膜厚為300nm。在背景壓強為10-4～10-3Pa條件下通入氧氣和氮氣，控制其流量比為1∶2，調(diào)節(jié)真空室的氣壓為0.50Pa，采用高純鋁靶在100W的直流功率下向UV固化膠上濺射，基片溫度控制在40℃以下，生長時間為10min，氮氧化鋁薄膜膜厚為50nm。重復(fù)上述步驟再制備1個周期的UV固化膠/氮氧化鋁復(fù)合薄膜層。最后，在手套箱內(nèi)通入惰性氣體氮氣，在上述薄膜層之上采用刮膜法制備一層液態(tài)的UV固化膠，用紫外線照射5min使其聚合，膜厚為70μm。
在基片1(另一片)上按照同樣的條件制備OLEDs器件，不封裝。
在20mA/cm2的電流下，測試器件的亮度衰減曲線，如附圖4中所示。
盡管結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明并不局限于上述實施例和附圖，尤其是本發(fā)明的封裝層可以制備在器件陰極一側(cè)，也可以制備在整個器件的表面。應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明構(gòu)思的引導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可進行各種修改和改進，所附權(quán)利要求概括了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件的封裝層，該封裝層位于器件一側(cè)或兩側(cè)，包括由聚合物材料層和陶瓷材料層以一定周期數(shù)n交替重疊組成的薄膜層，其特征在于還包括位于薄膜層上的一層有機絕緣材料厚膜層，這層厚膜層采用聚合物材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝層，其特征在于，所述的薄膜層周期數(shù)n為1～10(整數(shù))。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝層，其特征在于，所述的薄膜層中的聚合物材料層的膜厚為50～1000nm，采用聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、UV固化膠中的一種聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝層，其特征在于，所述的薄膜層中的陶瓷材料層，膜厚為10～1000nm，采用氮化物、氧化物或氮氧化物中的一種材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝層，其特征在于，所述的薄膜層中的陶瓷材料層是氮化硅、氮化鋁、氮化鈦、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮氧化硅、氮氧化鋁、氮氧化鈦中的一種材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝層，其特征在于，所述的有機絕緣厚膜層的膜厚為10～1000μm，采用UV固化膠。
7.一種制備權(quán)利要求1所述的封裝層的方法，該方法包括以下步驟①在有機電致發(fā)光器件的一側(cè)蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；②在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料層；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成一層平整的有機絕緣材料厚膜層。
8.一種采用權(quán)利要求7所述的制備封裝層的方法對塑料基片進行改性，該方法包括以下步驟①在塑料基片上蒸鍍一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成平整的固態(tài)薄膜；②在上述聚合物材料層上淀積一層陶瓷材料層；③重復(fù)上述步驟①～②，再制備(n-1)周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層；④在上述n周期的聚合物材料層和陶瓷材料層交替重疊組成的薄膜層上采用刮膜法制備一層液態(tài)的未聚合的聚合物單體層，經(jīng)紫外線照射原位聚合成一層平整的有機絕緣材料厚膜層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件的封裝層及其制備方法，并涉及制備該封裝層方法的應(yīng)用，屬于有機電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域。該封裝層位于器件一側(cè)或兩側(cè)，包括由聚合物材料層和陶瓷材料層以一定周期數(shù)n交替重疊組成的薄膜層，還包括位于薄膜層上的一層有機絕緣材料厚膜層。在該封裝層的薄膜層上加上一層有機絕緣材料厚膜層能夠進一步提高器件的柔性和水氧阻隔性能，進而提高了器件的壽命和機械性能，同時簡化了封裝層的制備工藝。本發(fā)明制備該封裝層的方法應(yīng)用于對塑料基片進行改性，還能制備出高水、氧阻隔性能的柔性基片。
文檔編號H01L51/50GK1418042SQ0214912
公開日2003年5月14日 申請日期2002年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月25日
發(fā)明者邱勇, 段煉, 李揚, 王立鐸 申請人:清華大學(xué)