專利名稱：光記錄媒體、磁光記錄媒體、信息記錄/再生裝置、信息記錄/再生方法及磁記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光記錄媒體、磁光記錄媒體、信息記錄/再生裝置、信息記錄/再生方法及磁記錄裝置。
背景技術(shù)：
迄今已實(shí)用化了的光記錄媒體、磁光記錄媒體的大多數(shù)，是在厚度為1.0mm左右的基板上，層疊例如保護(hù)層、記錄層、反射層(散熱層)等，從不存在這些層疊膜的基板側(cè)照射光束，進(jìn)行信息的記錄/再生。為了描述方便，將這樣的越過(guò)基板的照射方式稱為現(xiàn)有方式。例如，在特開2000-82245號(hào)公報(bào)中公開了采用現(xiàn)有方式的磁光記錄媒體的一例。
另外，作為實(shí)現(xiàn)高密度的光記錄媒體、磁光記錄媒體的方法之一，是縮小照射記錄膜的光束的光斑尺寸。一般說(shuō)來(lái)，假設(shè)光斑尺寸為，物鏡的數(shù)值孔徑為NA，光束(激光)的波長(zhǎng)為λ，則＝λ/2NA的關(guān)系式成立。即，為了縮小光斑尺寸，如果使波長(zhǎng)λ一定，則增大物鏡的數(shù)值孔徑NA是有效的。
可是，如果越增大數(shù)值孔徑NA，焦距變得越短，在發(fā)生了基板厚度不均勻或基板傾斜的情況下，像差增大，所以有必要使基板厚度盡可能地薄。
因此，為了實(shí)現(xiàn)高密度的光記錄媒體、磁光記錄媒體，最好從形成記錄層等層疊膜的一側(cè)照射光束，進(jìn)行記錄/再生。以下，為了方便，將從形成記錄層等層疊膜的一側(cè)照射光束的方式稱為前方照射方式。
圖1是表示現(xiàn)有的前方照射方式磁光記錄媒體的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。另外，圖1中的層疊結(jié)構(gòu)雖然表示剖面，但考慮到容易理解、容易看，而將表示剖面的平行斜線省略了(以下各圖中的層疊結(jié)構(gòu)也一樣)。磁光記錄媒體是一種在基板1上依次形成了反射層2、記錄層8、保護(hù)層13、覆蓋層14的層疊結(jié)構(gòu)。該層疊結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于前方照射方式，記錄/再生用的光束(激光)LB從覆蓋層14的外側(cè)通過(guò)物鏡L，朝向覆蓋層14、記錄層8照射。
基板1有由聚碳酸酯等形成的平行平面。通常用銀、鋁等金屬膜或合金形成反射層2，將入射的光束LB反射到入射側(cè)。反射層2還有必要具有散熱作用，所以通常取約50nm以上(“以上”即“≥”)的厚度。
在這樣的磁光記錄媒體的記錄/再生中，為了進(jìn)行高密度的記錄/再生，有必要形成小的記錄標(biāo)記。為此，記錄層8有必要具有微細(xì)的顆粒結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)?？墒?，記錄層8與表面上凹凸多的反射層2、保護(hù)層13銜接，由于受該凹凸的影響，所以顆粒結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)非常粗糙。其結(jié)果，被記錄的標(biāo)記呈歪斜的狀態(tài)，存在信號(hào)品質(zhì)下降等問(wèn)題。
該問(wèn)題不只是磁光記錄媒體的問(wèn)題，而且也是相變光記錄媒體等共同的問(wèn)題。
另外，在磁光記錄媒體中，如果記錄層8的飽和磁化Ms大，則記錄層8本身具有的反磁場(chǎng)的作用也增大，所以在不加外部磁場(chǎng)的狀態(tài)下、或者在施加了擦除方向的磁場(chǎng)的狀態(tài)下，還會(huì)發(fā)生不能記錄的問(wèn)題。即使在擦除方向的磁場(chǎng)中也能進(jìn)行記錄，這在進(jìn)行磁場(chǎng)調(diào)制記錄的情況下，需要較大的記錄磁場(chǎng)，所以不好。
另外，由于記錄層8的反磁場(chǎng)的影響，記錄時(shí)還存在標(biāo)記(記錄標(biāo)記)移位的問(wèn)題。特別是在緊跟長(zhǎng)標(biāo)記(長(zhǎng)記錄標(biāo)記)后面的標(biāo)記中，有效的記錄磁場(chǎng)增大(由磁頭的磁場(chǎng)加在記錄層8的反磁場(chǎng)上而產(chǎn)生的)，所以容易產(chǎn)生標(biāo)記的移位，也成為隨機(jī)圖形的跳動(dòng)惡化的原因。另外，雖然通過(guò)形成記錄輔助層，能降低記錄層產(chǎn)生的反磁場(chǎng)，降低記錄磁場(chǎng)，但由于記錄輔助層的作用，存在記錄層的矯頑力下降的問(wèn)題。矯頑力下降，就不能穩(wěn)定地保持微小標(biāo)記，所以不好。另外，作為公開了與記錄輔助層有關(guān)的技術(shù)的文獻(xiàn)，有特開平11-126384號(hào)公報(bào)。
本發(fā)明就是鑒于這樣的情況而完成的，目的在于設(shè)置核形成層作為記錄層的基底，謀求記錄層的微細(xì)化(微細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)、微細(xì)表面結(jié)構(gòu))。另外，目的在于通過(guò)形成具有微細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)、微細(xì)表面結(jié)構(gòu)的記錄層，能形成小的記錄標(biāo)記，提供一種能進(jìn)行高密度的記錄/再生的光記錄媒體。
另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種即使在設(shè)置了記錄輔助層的情況下，也能增加記錄層的矯頑力、能進(jìn)行高密度的記錄/再生的磁光記錄媒體。
另外，本發(fā)明的目的還在于提供一種使用上述的光記錄媒體或磁光記錄媒體的信息記錄/再生裝置、信息記錄/再生方法、磁記錄裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面的光記錄媒體是一種在基板上依次形成反射層及記錄層，從記錄層側(cè)照射光，進(jìn)行信息的記錄/再生的光記錄媒體，在反射層和記錄層之間具備表面上具有凹凸的核形成層。
本發(fā)明的第二方面的光記錄媒體是在本發(fā)明的第一方面中，用包含從W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd、以及Pd構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的元素的材料形成核形成層。
本發(fā)明的第三方面的光記錄媒體是在本發(fā)明的第一方面或第二方面中，使核形成層的表面粗糙度為0.3nm至1.5nm。
本發(fā)明的第四方面的光記錄媒體是在本發(fā)明的第一方面或第二方面中，形成多層核形成層，在記錄層側(cè)形成的核形成層的表面張力比在反射層側(cè)形成的核形成層的表面張力大。
本發(fā)明的第五方面的光記錄媒體是在本發(fā)明的第一方面或第二方面中，記錄層能進(jìn)行晶態(tài)及非晶態(tài)之間的相變，晶態(tài)下的反射率和非晶態(tài)下的反射率不同。
在本發(fā)明的第一方面至第五方面的光記錄媒體中，由于設(shè)置核形成層作為記錄層的基底，所以能實(shí)現(xiàn)記錄層的微細(xì)化(微細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)、微細(xì)表面結(jié)構(gòu))。另外，通過(guò)形成有微細(xì)的顆粒結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)的記錄層，能形成小的記錄標(biāo)記，即，能提供能進(jìn)行高密度的記錄/再生的光記錄媒體。
本發(fā)明的第六方面的磁光記錄媒體是一種在基板上依次形成反射層及具有垂直磁各向異性的記錄層，從記錄層側(cè)照射光，進(jìn)行信息的記錄/再生的磁光記錄媒體，在反射層和記錄層之間具備表面上具有凹凸的核形成層。
本發(fā)明的第七方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第六方面中，用包含從W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd、以及Pd構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的元素的材料形成核形成層。
本發(fā)明的第八方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第六方面或第七方面中，使核形成層的表面粗糙度為0.3nm至1.5nm。
本發(fā)明的第九方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第六方面或第七方面中，形成多層核形成層，在記錄層側(cè)形成的核形成層的表面張力比在反射層側(cè)形成的核形成層的表面張力大。
在本發(fā)明的第六方面至第九方面的磁光記錄媒體中，由于設(shè)置核形成層作為記錄層的基底，所以能實(shí)現(xiàn)記錄層的微細(xì)化(微細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)、微細(xì)表面結(jié)構(gòu))。另外，通過(guò)形成有微細(xì)的顆粒結(jié)構(gòu)、表面結(jié)構(gòu)的記錄層，能形成小的記錄標(biāo)記，即，能提供能進(jìn)行高密度的記錄/再生的磁光記錄媒體。
本發(fā)明的第十方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第六方面或第七方面中，為了消除由記錄層的磁化產(chǎn)生的反磁場(chǎng)，在反射層和核形成層之間具備具有垂直磁各向異性的記錄輔助層。
本發(fā)明的第十一方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第十方面中，在記錄層是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的情況下，記錄輔助層成為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜。
本發(fā)明的第十二方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第十方面中，在記錄層是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的情況下，記錄輔助層成為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜。
本發(fā)明的第十三方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第十方面中，在記錄層及記錄輔助層是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的情況下，使記錄輔助層的居里溫度比記錄層的居里溫度高。
本發(fā)明的第十四方面的磁光記錄媒體是在本發(fā)明的第十方面中，在記錄層及記錄輔助層是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的情況下，使記錄輔助層的居里溫度比記錄層的居里溫度高。
在本發(fā)明的第十方面至第十四方面的磁光記錄媒體中，即使在設(shè)置了記錄輔助層的情況下，也能增加記錄層的矯頑力，目的在于提供能進(jìn)行高密度的記錄/再生的磁光記錄媒體。
本發(fā)明的第十五方面的信息記錄/再生裝置，是使用本發(fā)明的第一方面或第二方面的光記錄媒體、或者使用本發(fā)明的第六方面或第七方面的磁光記錄媒體中的任意一種媒體，進(jìn)行信息的記錄/再生的裝置。
在本發(fā)明的第十五方面的信息記錄/再生裝置中，由于使用高密度的光記錄媒體或磁光記錄媒體中的任意一種，進(jìn)行信息的記錄/再生，所以能進(jìn)行高密度的信息記錄媒體的記錄/再生。
在本發(fā)明的第十六方面及第十七方面的信息記錄再生方法及裝置中，在基板上依次形成了散熱層及具有垂直磁各向異性的記錄層的磁記錄媒體的散熱層和記錄層之間，具備表面上有凹凸的核形成層，將光和磁場(chǎng)加在磁記錄媒體上，進(jìn)行信息的磁光記錄，從記錄層側(cè)檢測(cè)磁通，進(jìn)行信息的磁再生。
在本發(fā)明的第十六方面及第十七方面的信息記錄再生方法中，由于用高密度的磁記錄媒體，進(jìn)行信息的記錄再生，所以能進(jìn)行高密度的信息記錄媒體的記錄再生。
在本發(fā)明的第十八方面中，施加光進(jìn)行加熱用的元件和施加磁場(chǎng)的元件以及檢測(cè)磁通的元件被安裝在一個(gè)滑塊上。


圖1是表示現(xiàn)有的前方照射方式磁光記錄媒體的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是表示本發(fā)明的磁光記錄媒體的簡(jiǎn)略的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3(a)、(b)是表示反射層的表面形狀及狀態(tài)的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁光記錄媒體(媒體A)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5是表示現(xiàn)有的磁光記錄媒體(媒體C)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6是表示媒體A、B、C的Hw-CNR特性的曲線圖。
圖7是對(duì)媒體A、B、C進(jìn)行比較用的圖表。
圖8是表示媒體A、C的標(biāo)記長(zhǎng)度-跳動(dòng)特性的曲線圖。
圖9(a)、(b)是說(shuō)明層疊結(jié)構(gòu)中的表面張力和表面形狀的關(guān)系的示意圖。
圖10是表示元件等的表面張力的圖表。
圖11是表示核形成層材料的表面張力、表面粗糙度、表面粒徑周期、記錄層矯頑力等特性的圖。
圖12是表示層疊了核形成層的情況下的特性的圖表。
圖13是表示從媒體D將記錄輔助層除去后的磁光記錄媒體(媒體E)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖14是表示媒體D、E的Hw-CNR特性的曲線圖。
圖15(a)、(b)是說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁光記錄媒體(媒體F)的記錄輔助層的作用的示意圖。
圖16是說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁光記錄媒體(媒體G)的記錄輔助層的作用的示意圖。
圖17是表示媒體D、E、G的標(biāo)記長(zhǎng)度-跳動(dòng)特性的曲線圖。
圖18是說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施方式的RAD方式磁光記錄媒體(媒體H)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖19是表示現(xiàn)有的RAD方式磁光記錄媒體(媒體I)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖20是對(duì)媒體H、I、J的特性進(jìn)行比較用的圖表。
圖21是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的DWDD方式磁光記錄媒體(媒體K)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖22是表示現(xiàn)有的DWDD方式磁光記錄媒體(媒體L)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖23是對(duì)媒體K、L、M的特性進(jìn)行比較用的圖表。
圖24是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的相變方式磁光記錄媒體(媒體N)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖25是對(duì)媒體N、P的特性進(jìn)行比較用的圖表。
圖26是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的信息記錄/再生裝置的概略的框圖。
圖27是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的磁記錄裝置的概略的圖。
圖28是說(shuō)明本發(fā)明的磁記錄媒體的矯頑力和飽和磁化的溫度變化的圖。
圖29是表示本發(fā)明的磁記錄媒體的對(duì)應(yīng)于激光記錄功率的CNR特性的曲線圖。
圖30是表示本發(fā)明的磁記錄裝置中使用的一體型磁頭的圖。
圖31是表示對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的磁記錄媒體的記錄電流的CNR特性的曲線圖。
圖32是表示本發(fā)明的磁記錄媒體的基底層結(jié)構(gòu)的CNR特性的圖表。
具體實(shí)施例方式
以下，參照表示其實(shí)施方式的附圖，具體地說(shuō)明本發(fā)明。
(本發(fā)明的記錄媒體的簡(jiǎn)略的層疊結(jié)構(gòu))圖2是表示本發(fā)明的磁光記錄媒體的簡(jiǎn)略的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。本發(fā)明雖然舉例示出了磁光記錄媒體，但在光記錄媒體中也同樣能適用。另外，在光記錄媒體的情況下，不需要記錄輔助層。
本發(fā)明的磁光記錄媒體是在基板1上按照反射層2、記錄輔助層3、核形成基底層4、核形成層5(在層疊兩層以上的核形成層的情況下，位第一核形成層5)、記錄層8、保護(hù)層13、覆蓋層14的順序形成的層疊結(jié)構(gòu)。該層疊結(jié)構(gòu)與圖1相同，對(duì)應(yīng)于前方照射方式，記錄/再生用的光束LB從覆蓋層14的外側(cè)通過(guò)物鏡L，朝向覆蓋層14、記錄層8照射?；?與現(xiàn)有的磁光記錄媒體相同，用聚碳酸酯形成，有平行平面。記錄輔助層3、記錄層8由具有垂直磁各向異性的磁性膜構(gòu)成，例如，記錄輔助層3中稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)，記錄層8中過(guò)渡族金屬占優(yōu)勢(shì)。核形成層5的表面呈具有粒徑微小的核(突起部)5a的微小的凹凸形狀。保護(hù)層13防止由氮化膜等形成的記錄層8的氧化、氮化。覆蓋層14防止塵埃和劃傷。
圖3(a)、(b)是表示反射層的形成狀態(tài)的示意圖。反射層2為了獲得散熱效果而具有50nm左右以上的厚度，為了反映其下面的基板1的形狀而呈平滑的表面。作為平滑的表面，表面粗糙度Ra最好在0.3nm左右以下。另外，所謂表面粗糙度Ra，概略地表示表面的粗糙程度，一般說(shuō)來(lái)，用峰部高度的平均值和谷部高度的平均值的差表示。
作為反射層2的成膜方法，有使用金屬靶的濺射法。圖3(a)表示使用只由Ag構(gòu)成的固體靶，用濺射法形成的反射層2的斷面形狀。另外，與圖1中的層疊結(jié)構(gòu)的情況相同，省略了表示斷面的平行斜線。對(duì)于50nm的厚度來(lái)說(shuō)，由于產(chǎn)生其一半(25nm)左右的凹凸，所以不是平滑的平面。
圖3(b)表示使用在以Ag為主要成分的金屬中例如以規(guī)定量添加Pd、Cu、Si等構(gòu)成的合金靶，用濺射法形成的反射層2的斷面形狀。由于Pd、Cu、Si等的添加，對(duì)于50nm的厚度來(lái)說(shuō)，能使表面粗糙度Ra為0.3nm左右以下。Pd等添加材料是為了抑制Ag的粒徑擴(kuò)大用的。
作為使反射層2的表面平滑化的方法，除了添加Pd等材料的方法以外，還有使Ag再形成得厚一些以后，通過(guò)對(duì)表面進(jìn)行刻蝕，形成平滑的表面的方法。另外，通過(guò)使成膜時(shí)處理室內(nèi)的壓力為0.1Pa左右以下的低氣壓，延遲成膜速度，也是形成致密而平滑的表面的有效的方法。這樣在基板1上形成平滑的反射層2。
在平滑的反射層2上形成的記錄輔助層3有沿著抵消施加了記錄用的磁場(chǎng)時(shí)由記錄層產(chǎn)生的反磁場(chǎng)這樣的方向作用的磁化。即，記錄輔助層3能降低記錄磁場(chǎng)(記錄時(shí)必需的磁場(chǎng))。記錄層8在單層的情況下，特別是在長(zhǎng)標(biāo)記(標(biāo)記是有同一信號(hào)的信號(hào)區(qū)，所謂長(zhǎng)標(biāo)記，是有同一信號(hào)的信號(hào)區(qū)繼續(xù)的狀態(tài))之后的信號(hào)區(qū)中，雖然記錄時(shí)產(chǎn)生信號(hào)區(qū)的移動(dòng)(移位)，但由于設(shè)有抵消反磁場(chǎng)這樣的記錄輔助層3，所以沒有移位，能良好地進(jìn)行跳動(dòng)(參照?qǐng)D15、圖16)。
作為記錄輔助層3，形成例如稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜。為了使后來(lái)形成的記錄層8的磁化方向及大小均勻，作為基底的記錄輔助層3最好用低氣壓成膜，使表面平滑。在將這樣的記錄輔助層3作為基底，形成記錄層8的情況下，與在反射層2上直接形成了記錄層8的情況相比，記錄層8的矯頑力Hc低。其理由是由于有沿著與記錄層8的磁化相反方向作用的磁化的記錄輔助層3的影響，致使記錄層8的垂直磁各向異性下降。記錄層8能保持的最小的磁疇的大小d(通常，對(duì)應(yīng)于最短標(biāo)記的長(zhǎng)度)和矯頑力Hc、飽和磁化Ms之間，有d＝σ/(2MsHc)這樣的關(guān)系。另外，σ是由材料、成膜條件等決定的常數(shù)。
即，矯頑力Hc的下降，使得最小的磁疇的大小增大，造成磁光記錄媒體的記錄密度下降。因此，為了高密度化，有必要減小最小的磁疇的大小d，增大矯頑力Hc。
為了減小最小的磁疇的大小d，在記錄輔助層3和記錄層8之間形成表面上有凹凸形狀的核形成層5。核形成層5的表面最好呈周期為60nm左右以下、有粒徑微小的核5a的微小的凹凸形狀。利用核形成層5的表面形狀的作用，能由磁化方向一致的微小磁疇(圓柱狀磁疇)構(gòu)成記錄層8。由于記錄層8中的磁化方向一致，所以記錄層8的矯頑力Hc增大，能減小最小磁疇的大小d。即，通過(guò)形成核形成層5，能高密度化。
另外，作為核形成層5的基底，在形成核形成層5之前形成核形成基底層4。形成具有比核形成層5的表面張力低的表面張力的核形成基底層4，是為了可靠地控制核形成層5的表面的凹凸形狀。后面再說(shuō)明核形成基底層4的表面張力和核形成層5的表面張力的關(guān)系(參照?qǐng)D9)。
(第一實(shí)施方式)圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁光記錄媒體(以下稱媒體A)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。媒體A是在基板1上依次形成了反射層2、記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6(核助長(zhǎng)層6)、記錄層8、保護(hù)層13及覆蓋層14。在第一核形成層5及第二核形成層6的表面上形成各個(gè)粒徑微小的核5a、6a，構(gòu)成微小的凹凸形狀的表面。對(duì)應(yīng)于前方照射方式的事實(shí)與圖2等相同，省略詳細(xì)的說(shuō)明。另外，即使對(duì)于沿正反向形成膜，做成層疊結(jié)構(gòu)，越過(guò)基板進(jìn)行記錄的現(xiàn)有方式的磁光記錄媒體來(lái)說(shuō)，也能應(yīng)用本發(fā)明。
媒體A的各層的詳細(xì)結(jié)構(gòu)如下。另外，數(shù)值等并不限定于此，根據(jù)實(shí)際需要可以變更。
基板1在直徑為120mm、厚度為1.2mm的玻璃板上，形成感光高分子材料制的平臺(tái)·凹槽。平臺(tái)及凹槽的寬度分別為0.25微米。凹槽的(溝的)深度為30nm。通過(guò)進(jìn)行遠(yuǎn)紫外線(DUV)照射處理，形成表面粗糙度Ra為0.25nm左右以下(“以下”即“≤”)的極其平滑的表面形狀。
反射層2以Ag為主要成分的Ag、Pd、Cu、Si合金膜。厚度為50nm。
記錄輔助層3GdFeCo磁性膜。厚度為5nm。記錄層8為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)，所以記錄輔助層3呈稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的組成，具有比記錄層8的居里溫度高的居里溫度。即使在記錄層8的居里溫度下，也有垂直磁化，如果呈飽和磁化Ms大的組成，則記錄磁場(chǎng)降低效果大。這里，組成比為Gd25:Fe49:Co26。
核形成基底層4SiN膜，厚度為0.5nm。
第一核形成層5Cr膜，厚度為0.5n。
第二核形成層6C膜，厚度為0.5nm。
記錄層8TbFeCo(Tb19:Fe62:Co19)磁性膜，厚度為25nm。
保護(hù)層13SiN膜厚度為50nm。
覆蓋層14透明紫外線硬化樹脂，厚度為15微米。
媒體A的各層成膜條件的詳細(xì)說(shuō)明如下。該條件也隨裝置等的不同而變化，并不限定于此，根據(jù)實(shí)際需要可以變更。
反射層2以Ag為主要成分，添加了Pd、Cu的合金靶及Si靶，同時(shí)濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.95Pa，通電功率在合金靶的情況下為500W，在Si靶的情況下為320W。
記錄輔助層3GdFeCo合金靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，通電功率為500W。
核形成基底層4在氮?dú)庵袨R射B摻雜的Si靶成膜。氣體壓強(qiáng)為0.3Pa，通電功率為800W。
第一核形成層5Cr靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，通電功率為500W。
第二核形成層6C靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，通電功率為500W。
記錄層8GdFeCo合金靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為1.0Pa，通電功率為500W。
保護(hù)層13在氮?dú)庵袨R射B摻雜的Si靶成膜。氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，通電功率為800W。
覆蓋層14用旋涂法涂敷了厚度為15微米的透明紫外線硬化樹脂后，照射紫外線達(dá)30秒左右進(jìn)行硬化。
為了與媒體A進(jìn)行特性比較，做成了兩種呈現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體。一種是呈圖1所示結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體(以下稱媒體B)，一種是呈圖5所示結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體(以下稱媒體C)。圖5是表示媒體C的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。媒體B是省略了媒體A中的記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6的結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體。媒體C是省略了媒體A中的核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6的結(jié)構(gòu)的磁光記錄媒體。媒體B、媒體C的成膜方法、成膜條件、厚度等都與媒體A相同。圖6是表示媒體A、B、C的Hw-CNR特性曲線。橫軸Hw表示記錄磁場(chǎng)(單位Oe)，縱軸CNR(Carrier to Noise Ratio)表示信噪比(單位dB)。轉(zhuǎn)速為5.0m/s，標(biāo)記長(zhǎng)度為0.25微米，記錄功率(記錄時(shí)的照射功率)為9.0mW，再生功率(再生時(shí)的照射功率)為3.4mW。
對(duì)媒體B和媒體C進(jìn)行比較。在媒體C的情況下，由于記錄輔助層3的作用，記錄磁場(chǎng)Hw降低。另外，在記錄方向上(Hw＞0)，與媒體A進(jìn)行比較，媒體B、媒體C的CNR都下降，外部磁場(chǎng)減弱。這是因?yàn)橛涗泴?的矯頑力Hc降低了。
圖7是表示對(duì)媒體A、B、C的特性進(jìn)行比較的圖表。對(duì)應(yīng)于記錄輔助層3的有無(wú)、核形成層5的有無(wú)，表示記錄層矯頑力Hc(kOe)、記錄磁場(chǎng)的閾值Hwth(Oe)、標(biāo)記長(zhǎng)度0.20微米及0.25微米的CNR(dB)。轉(zhuǎn)速為5.0m/s，記錄功率為9.0mW，再生功率為3.4mW。與媒體C相比，在媒體A的情況下，記錄層的矯頑力增大，特別是短標(biāo)記長(zhǎng)度的CNR提高了。即，能確認(rèn)利用核形成層5的作用，能實(shí)現(xiàn)高密度化。
圖8是表示媒體A、C的標(biāo)記長(zhǎng)度-跳動(dòng)特性的曲線。橫軸表示標(biāo)記長(zhǎng)度(單位dB)，縱軸表示隨機(jī)跳動(dòng)(單位％)。能確認(rèn)利用核形成層的作用，能降低記錄時(shí)的移動(dòng)，特別是能改善短標(biāo)記長(zhǎng)度的隨機(jī)跳動(dòng)。
之所以在核形成層5的基底上核形成基底層4，是為了提供表面張力比作為核形成層5用的Cr低的基底。其次，說(shuō)明層疊結(jié)構(gòu)中的表面張力和表面形狀的關(guān)系。
圖9(a)、(b)是說(shuō)明層疊結(jié)構(gòu)中的表面張力和表面形狀的關(guān)系的示意圖。圖9(a)表示核形成基底層4的表面張力γ1比核形成層5的表面張力γ2低的情況。在該情況下，成膜時(shí)核形成層5的材料凝聚生長(zhǎng)容易，核5a的表面粒徑周期λ變短，如圖中λa所示。即，呈形成了微小的凹凸的表面形狀。圖9(b)表示核形成基底層4的表面張力γ1比核形成層5的表面張力γ2高的情況。在該情況下，成膜時(shí)核形成層5的材料難以凝聚，表面粒徑周期λ變長(zhǎng)，如圖中λb所示，核5b的粒徑也變大。即，呈形成了長(zhǎng)周期的凹凸的平緩的表面形狀。
圖10是表示元素等的表面張力的圖表。表示元素等各種材料30℃時(shí)的表面張力。為了使核形成層5的表面形狀呈圖9(a)所示的微小的凹凸形狀，參照材料的表面張力，根據(jù)核形成層5的材料，適當(dāng)?shù)剡x擇核形成基底層4的材料即可。
在媒體A的情況下，第一核形成層5的Cr膜的厚度為0.5nm，第二核形成層6的C膜的厚度為0.5nm。在使厚度為0.5nm以下的情況下，核5a的表面粒徑周期λ變長(zhǎng)，達(dá)60nm以上，表面粗糙度Ra變大，達(dá)1.5nm以上。如果表面粒徑周期λ變長(zhǎng)，則在它上面形成的記錄層8的粒徑(磁疇)也變大，記錄分辨率下降。另外，如果表面粗糙度Ra變大，則記錄層8的矯頑力Hc增大，產(chǎn)生記錄時(shí)記錄磁場(chǎng)不足的問(wèn)題。即，核形成層5的表面粗糙度Ra最好為0.5nm至1.5nm，表面粒徑周期λ最好為10nm至60nm左右。
在媒體A的情況下，雖然第一核形成層5的材料為Cr，但在核形成基底層4的材料為SiN的情況下，如果是表面張力比該SiN大的材料，則能形成與Cr同樣的核5a。另外，利用第一核形成層(核形成層5)的材料，能使表面粗糙度Ra、記錄層的矯頑力Hc進(jìn)行各種變更。
圖11是表示核形成層材料的表面張力、表面粗糙度、表面粒徑周期、記錄層的矯頑力等特性的圖表。例如，試樣1表示核形成層材料為Cr、所形成的膜的厚度為1nm的情況，表示表面張力在30℃時(shí)為2290mN/m，表面粗糙度Ra為1.3nm，表面粒徑周期λ為54nm，記錄層的矯頑力Hc在100℃時(shí)為7kOe，CNR在標(biāo)記長(zhǎng)度為0.2微米時(shí)為41.6dB。
在媒體A的情況下，即使不形成第二核形成層6，而只形成第一核形成層5(核形成層5)，也能使記錄層的矯頑力Hc比媒體C的值高。可是，通過(guò)形成第二核形成層6，在維持了由第一核形成層5形成的表面粒徑周期λ的狀態(tài)下，更加助長(zhǎng)表面粗糙度Ra，能使記錄層的矯頑力Hc更大。
圖12是表示層疊了核形成層的情況下的特性的圖表。例如，試樣18表示核形成層材料為Cr、所形成的膜的厚度為0.5nm的情況，表示表面粗糙度Ra為1.1nm，表面粒徑周期λ為50nm，記錄層的矯頑力Hc在100℃時(shí)為5.5kOe，CNR在標(biāo)記長(zhǎng)度為0.2微米時(shí)為41dB。試樣19雖然能用C作為第二核形成層材料，但也能使用C以外的材料。試樣20表示使用W作為第二核形成層材料的情況，試樣21表示使用Co作為第二核形成層材料的情況，試樣22表示使用Ta作為第二核形成層材料的情況。這樣，在層疊了核形成層的情況下，如用圖9說(shuō)明的那樣，上側(cè)層的核形成層材料如果選擇其表面張力比下層側(cè)的核形成層材料的表面張力高的材料，則材料凝聚、核生長(zhǎng)容易，能使表面粒徑周期λ小，使其為適當(dāng)?shù)闹怠?br> 另外，在第二核形成層6上還能形成第三核形成層、第四核形成層，試樣23表示形成第三核形成層的情況，試樣24表示形成第四核形成層的情況。試樣24表示第一核形成層材料為Cr、所形成的膜的厚度為0.5nm的情況，示出了第二核形成層材料為Co，所形成的膜的厚度為0.2nm，第四核形成層材料為W，所形成的膜的厚度為0.2nm，表面粗糙度Ra為1.5nm，表面粒徑周期λ為58nm，記錄層的矯頑力Hc在100℃時(shí)為7.3kOe，CNR在標(biāo)記長(zhǎng)度為0.2微米時(shí)為42.0dB。
通過(guò)形成多層核形成層，能改變核形成層表面的表面粗糙度Ra及表面粒徑周期λ，還能改善記錄層的矯頑力Hc及CNR。
在媒體A的情況下，記錄層8是作為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的組成的TbFeCo磁性膜，記錄輔助層3是作為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的組成的GdFeCo磁性膜?？墒牵涗泴?在稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的情況下，使記錄輔助層3為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的組成，能謀求降低記錄磁場(chǎng)。在任何情況下，最好在記錄層8的居里溫度Tcm附近記錄輔助層3為具有垂直磁化的組成。
例如，在媒體A中，改變記錄層8的Tb的組成比，使記錄層8為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的組成的TbFeCo磁性膜，改變記錄輔助層3的Gd的組成比，使記錄輔助層3為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的組成的GdFeCo磁性膜，將這樣的媒體作為媒體D。在媒體D中，其他的成膜方法、成膜條件、厚度等與媒體A的情況相同。
圖13是表示從媒體D將記錄輔助層除去后的磁光記錄媒體(以下稱媒體E)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。為了與媒體D進(jìn)行特性比較，媒體E是從媒體D的層疊結(jié)構(gòu)將記錄輔助層除去后的結(jié)構(gòu)，其他條件與媒體D(媒體A)的情況相同。因此，媒體E是基板1、反射層2、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6、記錄層8保護(hù)層13及覆蓋層14的層疊結(jié)構(gòu)。
圖14是表示媒體D、E的Hw-CNR特性曲線。橫軸Hw表示記錄磁場(chǎng)(單位Oe)，縱軸CNR表示信噪比(單位dB)。轉(zhuǎn)速為5.0m/s，標(biāo)記長(zhǎng)度為0.25微米，記錄功率(記錄時(shí)的照射功率)為9.0mW，再生功率(再生時(shí)的照射功率)為3.4mW。示出了即使采用作為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的記錄層8及作為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的記錄輔助層3的組合，也具有降低記錄磁場(chǎng)Hw的效果。
(第二實(shí)施方式)圖15(a)、(b)是說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁光記錄媒體(媒體F)的記錄輔助層的作用的示意圖。
圖15(a)表示標(biāo)記長(zhǎng)度Lm長(zhǎng)的情況，圖15(b)表示標(biāo)記長(zhǎng)度Lm短的情況。用箭頭LBS表示光束(LB)相對(duì)的傳播方向。模式地表示通過(guò)照射光束，在媒體中產(chǎn)生的溫度分布Tmed(在(b)中，由于與(a)中的溫度分布相同，所以省略了圖示)。在溫度分布Tmed上重疊示出了記錄輔助層3的居里溫度Tcs比記錄層8的居里溫度Tcm高的情況。在記錄輔助層3核記錄層8之間形成核形成基底層4、核形成層5。
在媒體A中，將記錄輔助層3做成與記錄層8同樣的過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，由于使記錄輔助層3的居里溫度Tcs比記錄層8的居里溫度Tcm高，所以能減少記錄時(shí)磁疇(標(biāo)記)的移動(dòng)。將滿足該條件的媒體作為媒體F。媒體F的結(jié)構(gòu)基本上與媒體A、媒體D的結(jié)構(gòu)相同，將記錄輔助層3做成過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，使居里溫度Tcs比居里溫度Tcm高的情況與媒體A、媒體D不同。例如，居里溫度Tcs為350℃，居里溫度Tcm為300℃。記錄層8與媒體A、媒體D相同，是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜。在媒體F中，其他的成膜方法、成膜條件、厚度等與媒體A、媒體D相同。
另外，在將記錄層8做成稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的情況下，使記錄輔助層3為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，即使使記錄輔助層3的居里溫度Tcs比記錄層8的居里溫度Tcm高，也能減少記錄時(shí)磁疇(標(biāo)記)的移動(dòng)。
在標(biāo)記長(zhǎng)度Lm長(zhǎng)的情況下(該圖a)記錄時(shí)，表示在記錄層8的區(qū)域(標(biāo)記邊界)8a1、8a2上存在用箭頭表示的磁化的情況。另外，在記錄輔助層3中，對(duì)應(yīng)于區(qū)域8a1、8a2，存在區(qū)域3a1、3a2。區(qū)域8b1表示由于達(dá)到居里溫度Tcm以上，所以呈磁化被消除的狀態(tài)，與此相對(duì)應(yīng)，區(qū)域3b1的磁化也被消除。另外，記錄層8的各區(qū)域的邊界核記錄輔助層3的各區(qū)域的邊界，由于居里溫度Tcs與居里溫度Tcm不同，所以對(duì)應(yīng)于居里溫度的差而產(chǎn)生偏移。
在該狀態(tài)下，如果沒有記錄輔助層3，則欲將標(biāo)記記錄在區(qū)域8b1中時(shí)，從磁頭(圖中未示出)施加的記錄磁場(chǎng)被反磁場(chǎng)Hmra抵消，所以記錄磁場(chǎng)不足，記錄標(biāo)記的位置(區(qū)域8b1)移動(dòng)。可是，這里由于存在對(duì)應(yīng)于區(qū)域8a2的區(qū)域3a2，所以由區(qū)域3a2產(chǎn)生的磁場(chǎng)Hssa具有抵消反磁場(chǎng)Hmra的作用，能防止記錄標(biāo)記位置的移動(dòng)。
在標(biāo)記長(zhǎng)度Lm短的情況下(該圖b)記錄時(shí)，表示在記錄層8的區(qū)域(標(biāo)記邊界)8a3、8a4、8a5、8a6上存在用箭頭表示的磁化的情況。另外，在記錄輔助層3中，對(duì)應(yīng)于區(qū)域8a3、8a4、8a5、8a6，存在區(qū)域3a3、3a4、3a5、3a6。區(qū)域8b2表示由于達(dá)到居里溫度Tcm以上，所以呈磁化被消除的狀態(tài)，與此相對(duì)應(yīng)，區(qū)域3b2的磁化也被消除。
在該狀態(tài)下，如果沒有記錄輔助層3，則由于區(qū)域8a6的磁化而產(chǎn)生的反磁場(chǎng)Hmrb的作用，區(qū)域8a2的邊界部分被磁化，記錄標(biāo)記的位置移動(dòng)?？墒?，這里由于存在對(duì)應(yīng)于區(qū)域8a6的區(qū)域3a6，所以由區(qū)域3a6產(chǎn)生的磁場(chǎng)Hssb具有抵消反磁場(chǎng)Hmrb的作用，能防止記錄標(biāo)記位置的移動(dòng)。
如果適當(dāng)?shù)卣{(diào)整居里溫度Tcm和居里溫度Tcs的差，則能產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于標(biāo)記長(zhǎng)度Lm長(zhǎng)時(shí)的反磁場(chǎng)Hmra的磁場(chǎng)Hssa，能產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于標(biāo)記長(zhǎng)度Lm短時(shí)的反磁場(chǎng)Hmrb的磁場(chǎng)Hssb。即，即使在標(biāo)記長(zhǎng)度Lm的長(zhǎng)短偏移的情況下，也能降低記錄層8產(chǎn)生的反磁場(chǎng)的影響，能防止標(biāo)記的移動(dòng)。
另外，再生時(shí)，由于記錄輔助層3和記錄層8在磁性上被核形成層5分開，所以記錄輔助層3的磁化狀態(tài)不能再生。
如媒體F的情況所示，使記錄輔助層3的組成與記錄層8為同一磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，在調(diào)整居里溫度Tcm和居里溫度Tcs的差的方法中，難以對(duì)抵消記錄層8的反磁場(chǎng)用的記錄輔助層3所產(chǎn)生的磁化的大小進(jìn)行微調(diào)。
圖16是說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式的磁光記錄媒體(媒體G)中的記錄輔助層的作用的示意圖。通過(guò)使記錄輔助層3的記錄分辨率惡化，能對(duì)抵消記錄層8的反磁場(chǎng)用的記錄輔助層3所產(chǎn)生的磁化的大小進(jìn)行微調(diào)。將這樣的使記錄輔助層3的記錄分辨率惡化的媒體作為媒體G。記錄輔助層3的記錄分辨率通過(guò)變更記錄輔助層3的成膜條件的氣體壓強(qiáng)，能進(jìn)行控制，所以比較容易調(diào)整。媒體G與媒體F結(jié)構(gòu)相同，使記錄輔助層3的成膜條件的氣體壓強(qiáng)從媒體F(媒體D、媒體A)的情況下的0.5Pa增大到了1.5Pa。
圖16表示與圖15(a)相同的狀態(tài)。記錄層8與媒體F相同，示出了從表面8s一側(cè)看到的區(qū)域8a1、8a2、8b1的邊界的情況。另外，示出了從表面8s一側(cè)看圖15(a)中的區(qū)域8a1、8a2的磁化方向，分別為AM1、AM2。區(qū)域3a1、3a2、3b1的邊界表示從表面3s一側(cè)看到的情況?？v向曲線表示各區(qū)域的邊界互相組合，使得記錄輔助層3的記錄分辨率惡化的情況。另外，示出了從表面3s一側(cè)看圖15(a)中的區(qū)域3a1、3a2的磁化方向，分別為AM3、AM4。
圖17是表示媒體C、F、G的標(biāo)記長(zhǎng)度-跳動(dòng)特性曲線。橫軸表示標(biāo)記長(zhǎng)度(單位dB)，縱軸表示隨機(jī)跳動(dòng)(單位％)。即使在使記錄輔助層3的居里溫度Tcs比記錄層8的居里溫度Tcm高的媒體F、使記錄輔助層3的記錄分辨率惡化了的媒體G中，由于記錄輔助層3的作用，在各標(biāo)記長(zhǎng)度中能改善隨機(jī)跳動(dòng)。
(第三實(shí)施方式)圖18是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的RAD方式磁光記錄媒體(媒體H)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。另外，RAD是后方孔檢測(cè)分辨(RearAperture Detection Resolution)，作為公開了這種技術(shù)的文獻(xiàn)，是特開平4-271039號(hào)公報(bào)。
媒體H是一種在基板1上依次形成了反射層2、記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6、記錄層8、中間層9、再生層12、保護(hù)層13及覆蓋層14的結(jié)構(gòu)。即，是一種對(duì)現(xiàn)有的RAD方式磁光記錄媒體，增加了記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6的結(jié)構(gòu)。在媒體A(圖4)的結(jié)構(gòu)中是一種增加了中間層9、再生層12的結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)于前方照射方式，與圖4等相同，詳細(xì)說(shuō)明從略。
媒體H的各層結(jié)構(gòu)基本上與媒體A相同，詳細(xì)情況從略。主要結(jié)構(gòu)如下。
記錄輔助層3GdFeCo(Gd25:Fe49:Co26)稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)磁性膜(由于記錄層8是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)，所以為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì))。
核形成基底層4SiN膜，厚度為0.5nm。
第一核形成層5Cr膜，厚度為0.5nm。
第二核形成層6C膜，厚度為0.5nm。
記錄層8TbFeCo(Tb22:Fe60:Co18)過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)磁性膜。
中間層9GdFeCoSi(Gd30:Fe60:Co2:Si:8)磁性膜。
再生膜12GdFeCo(Gd24:Fe63:Co13)磁性膜。
媒體H的各層成膜條件基本上與媒體相同，以下方面不同。該條件隨裝置等的不同而變化，不限定于該條件，能根據(jù)需要適當(dāng)?shù)刈兏?br> 中間層9將Si芯片置于GdFeCo合金靶上，濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.54Pa，通電功率為500W。
再生層12GdFeCo合金靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.86Pa，通電功率為800W。
圖19是表示現(xiàn)有的RAD方式磁光記錄媒體(媒體I)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。媒體I是一種從媒體H將記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6除外了的結(jié)構(gòu)，成膜條件等與媒體H相同。
在媒體H中，記錄層8是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，所以即使將記錄輔助層3做成了稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，也具有減少記錄時(shí)的標(biāo)記的移動(dòng)的效果。其理由，用圖15說(shuō)明過(guò)。與記錄層8同樣地將記錄輔助層3做成了過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的媒體作為媒體J。另外，記錄輔助層3的居里溫度Tcs為350℃，比記錄層8的居里溫度Tcm300℃高。
另外，在媒體H中，形成記錄輔助層3時(shí)的氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，但在媒體J中，形成記錄輔助層3時(shí)的氣體壓強(qiáng)為1.0Pa，比在媒體H的情況下高。適當(dāng)?shù)剡x擇確定該氣體壓強(qiáng)，以便隨機(jī)跳動(dòng)達(dá)到最小。因此，記錄輔助層3的分辨率下降，能減少記錄標(biāo)記的移動(dòng)，這一點(diǎn)用圖16說(shuō)明過(guò)。
圖20是對(duì)媒體H、I、J的特性進(jìn)行比較的圖表。關(guān)于媒體H、I、J示出了對(duì)應(yīng)于記錄層矯頑力Hc(kOe)、標(biāo)記長(zhǎng)度0.20微米、0.15微米的CNR(dB)、隨機(jī)跳動(dòng)(％)。相對(duì)于媒體I，媒體H、J的記錄層矯頑力Hc、CNR、隨機(jī)跳動(dòng)偏移的特性也能改善。即，由于第一核形成層5、第二核形成層6的效果，記錄層矯頑力Hc增加，短標(biāo)記記錄時(shí)的CNR能得以很大的改善。另外，由于記錄輔助層3的效果，記錄磁場(chǎng)降低，短標(biāo)記的隨機(jī)跳動(dòng)能得以很大的改善。
如果對(duì)媒體H和媒體J進(jìn)行比較，則由于變更(改善)了媒體J的記錄輔助層3，所以媒體J的隨機(jī)跳動(dòng)能進(jìn)一步改善。
(第四實(shí)施方式)圖21是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的DWDD方式磁光記錄媒體(媒體K)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。圖22是表示現(xiàn)有的DWDD方式磁光記錄媒體(媒體L)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。另外，DWDD是疇壁位移檢測(cè)(Domain Wall Displacement Detection)，作為公開了這種技術(shù)的文獻(xiàn)，是特開平1-143041號(hào)公報(bào)。另外，媒體L是使現(xiàn)有的DWDD對(duì)應(yīng)于前方照射方式的媒體。
媒體K是一種在基板1上依次形成了反射層2、記錄輔助層3、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6、記錄層8、開關(guān)層10、控制層11、再生層12、保護(hù)層13及覆蓋層14的結(jié)構(gòu)。媒體L是一種在基板1上依次形成了反射層2、電介質(zhì)層7、記錄層8、開關(guān)層10、控制層11、再生層12、保護(hù)層13及覆蓋層14的結(jié)構(gòu)。媒體K的核形成基底層4對(duì)應(yīng)于媒體L的電介質(zhì)層7，所以媒體K是對(duì)現(xiàn)有的DWDD方式磁光記錄媒體(媒體L)，增加了記錄輔助層3、第一核形成層5、第二核形成層6的結(jié)構(gòu)，對(duì)應(yīng)于前方照射方式，與圖18等相同，詳細(xì)的說(shuō)明從略。
媒體K的各層結(jié)構(gòu)基本上與媒體A、H相同，詳細(xì)情況從略。主要結(jié)構(gòu)如下。
記錄輔助層3GdFeCo(Gd23:Fe51:Co26)磁性膜。由于記錄層8是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，所以為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜。
核形成基底層4SiN膜，厚度為0.5nm。
第一核形成層5Cr膜，厚度為0.5nm。
第二核形成層6C膜，厚度為0.5nm。
記錄層8TbFeCo(Tb24:Fe56:Co20)磁性膜。
開關(guān)層10TbFeCo(Tb18:Fe80:Co2)磁性膜。
控制層11TbFeCo(Tb19:Fe74:Co7)磁性膜。
再生層12GdFeCo(Gd25:Fe65:Co10)磁性膜。
媒體K的各層成膜條件基本上與媒體A、H相同，以下方面不同。該條件隨裝置等的不同而變化，不限定于該條件，根據(jù)需要能適當(dāng)?shù)刈兏?br> 開關(guān)層10將Co芯片置于TbFe合金靶上，濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，通電功率為500W。
控制層11TbFeCo合金靶濺射成膜。氣體壓強(qiáng)為0.8Pa，通電功率為800W。
媒體L的成膜條件等與媒體K相同。
另外，在媒體L中，在反射層2和記錄層8之間形成電介質(zhì)層7。由于利用電介質(zhì)層7更能控制散熱性，所以能記錄更好的標(biāo)記。媒體K的核形成基底層4除了控制其散熱性以外，還進(jìn)行表面張力的調(diào)整，以便能適當(dāng)?shù)匦纬珊?a、6a，這一點(diǎn)已經(jīng)說(shuō)過(guò)。
在媒體K中，由于記錄層8是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，所以將記錄輔助層3做成了過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，但即使將記錄輔助層3做成稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜，也具有降低記錄時(shí)的標(biāo)記的移動(dòng)的效果。其理由，用圖15說(shuō)明過(guò)。與記錄層8同樣地將記錄輔助層3做成了稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)的磁性膜的媒體作為媒體M。另外，記錄輔助層3的居里溫度Tcs為350℃，比記錄層8的居里溫度Tcm300℃高。
另外，在媒體K中，形成記錄輔助層3時(shí)的氣體壓強(qiáng)為0.5Pa，但在媒體中，形成記錄輔助層3時(shí)的氣體壓強(qiáng)為1.0Pa，比在媒體K的情況下高。因此，記錄輔助層3的分辨率下降，能減少記錄標(biāo)記的移動(dòng)，這一點(diǎn)用圖16說(shuō)明過(guò)。
圖23是對(duì)媒體L、K、M的特性進(jìn)行比較的圖表。關(guān)于媒體L、K、M示出了對(duì)應(yīng)于記錄層矯頑力Hc(kOe)、標(biāo)記長(zhǎng)度0.12微米、0.10微米的CNR(dB)、標(biāo)記長(zhǎng)度0.15微米、0.10微米的隨機(jī)跳動(dòng)(％)。相對(duì)于媒體L，媒體K、M的記錄層矯頑力Hc、CNR、隨機(jī)跳動(dòng)偏移的特性也能改善。即，由于第一核形成層5、第二核形成層6的效果，記錄層矯頑力Hc增加，短標(biāo)記記錄時(shí)的CNR能得以很大的改善。另外，由于記錄輔助層3的效果，記錄磁場(chǎng)降低，短標(biāo)記的隨機(jī)跳動(dòng)能得以很大的改善。
如果對(duì)媒體K和媒體M進(jìn)行比較，則由于變更(改善)了媒體M的記錄輔助層3，所以媒體M的隨機(jī)跳動(dòng)能進(jìn)一步改善。
(第五實(shí)施方式)圖24是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的相變方式光記錄媒體(媒體N)的層疊結(jié)構(gòu)的示意圖。對(duì)應(yīng)于前方照射方式，與圖4等相同，詳細(xì)的說(shuō)明從略。另外，即使對(duì)于沿正反向成膜構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)，超越基板進(jìn)行記錄的現(xiàn)有方式的光記錄媒體來(lái)說(shuō)，也能適用本發(fā)明。
媒體N是一種在基板1上依次形成了反射層2、核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6、記錄層8、保護(hù)層13及覆蓋層14的結(jié)構(gòu)。
媒體N的各層結(jié)構(gòu)基本上與媒體A相同，只是記錄層8不同。記錄層8的結(jié)構(gòu)及成膜條件等如下。
記錄層8GeSbTe(Ge70:Sb21:Te9)相變膜。這里形成的相變膜，例如是一種在晶態(tài)和非晶態(tài)時(shí)的反射率不同的膜。規(guī)定組成的合金靶濺射成膜。氣體(Ar)壓強(qiáng)0.5Pa，通電功率500W。
為了與媒體N進(jìn)行特性比較，做成了呈現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)的光記錄媒體(以下稱媒體P)。媒體P是一種與圖1中的磁光記錄媒體相同的結(jié)構(gòu)，是從媒體N將核形成基底層4、第一核形成層5、第二核形成層6除去后的結(jié)構(gòu)。另外，與其他媒體同樣是前方照射方式。
圖25是對(duì)媒體N、P的特性進(jìn)行比較的圖表。在媒體N中，通過(guò)形成核形成層(第一核形成層5、第二核形成層6)，特別是在短標(biāo)記長(zhǎng)度中能大幅度改善隨機(jī)跳動(dòng)。
(第六實(shí)施方式)圖26是表示本發(fā)明的第六實(shí)施方式的信息記錄/再生裝置的概略框圖。作為信息記錄/再生裝置，雖然說(shuō)明使用磁光記錄再生裝置30的情況，但光記錄/再生裝置同樣能適用。
利用主軸電動(dòng)機(jī)31，使本發(fā)明的磁光記錄媒體32(以下稱媒體32)以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。從激光二極管33對(duì)媒體32照射激光。激光利用準(zhǔn)直透鏡34而呈平行光，通過(guò)分光器35，由物鏡36聚焦，將焦點(diǎn)控制在媒體32的記錄膜上。利用激光驅(qū)動(dòng)單元37中的脈沖調(diào)制單元(圖中未示出)調(diào)整激光二極管33，以便發(fā)生高電平的光輸出和低電平的光輸出。
記錄信息時(shí)，激光按照應(yīng)記錄的信息，由脈沖調(diào)制單元調(diào)制成脈沖狀，照射在媒體32上。然后，通過(guò)照射被控制成記錄用的激光，在媒體32的表面部形成的激光點(diǎn)附近，利用偏置磁場(chǎng)施加單元39，例如在圖中沿著向上的方向，施加規(guī)定大小的直流磁場(chǎng)，能記錄信息。另外，由控制器38控制偏置磁場(chǎng)施加單元39。
擦除信息時(shí)，通過(guò)照射被控制成擦除用的激光，在媒體32的表面部形成的激光點(diǎn)附近，例如在圖中施加方向向下的磁場(chǎng)，能擦除信息。
再生時(shí)，由控制器38通過(guò)激光驅(qū)動(dòng)單元37直流驅(qū)動(dòng)激光二極管33，照射激光，施加與記錄時(shí)方向相同的再生磁場(chǎng)。通過(guò)照射被控制成再生用的激光，在媒體32的表面部上產(chǎn)生溫度分布。利用該溫度分布，形成掩蔽區(qū)和開口區(qū)，從開口區(qū)獲得反射光。反射光利用分光器35變更光路，被導(dǎo)向透鏡40。透鏡40將反射光聚焦后導(dǎo)向光檢測(cè)器41。利用光檢測(cè)器41檢測(cè)被聚焦的反射光，通過(guò)用控制器38進(jìn)行信號(hào)處理，能使被記錄的信息具有良好的CNR再生。
另外，在前方照射方式的情況下，偏置磁場(chǎng)施加單元39被配置在媒體32和物鏡36之間，激光點(diǎn)與焦點(diǎn)重合在煤體32的表面上。
(第七實(shí)施方式)圖27是表示本發(fā)明的第七實(shí)施方式的磁記錄裝置的概略圖。
利用主軸電動(dòng)機(jī)51以規(guī)定的轉(zhuǎn)速使本發(fā)明的記錄媒體(磁記錄媒體)52旋轉(zhuǎn)。從激光二極管53對(duì)在記錄媒體52的表面上形成的記錄層68照射激光。激光利用準(zhǔn)直透鏡54而呈平行光，通過(guò)分光器55，由安裝在光頭滑塊58上的物鏡56聚焦，將焦點(diǎn)控制在記錄層68上。激光二極管53利用激光驅(qū)動(dòng)電路63進(jìn)行脈沖調(diào)制，能發(fā)生高電平的光輸出和低電平的光輸出。
記錄信息時(shí)，激光按照應(yīng)記錄的信息，由激光驅(qū)動(dòng)電路63調(diào)制成脈沖狀，照射在記錄層68上。然后，通過(guò)照射被控制成記錄用的激光，在記錄層68的表面上形成的激光點(diǎn)附近，利用記錄用線圈59，在圖中沿著向上的方向，施加規(guī)定大小的直流磁場(chǎng)，能記錄向上的磁場(chǎng)信息，另外，通過(guò)施加方向向下的磁場(chǎng)，能將向下的磁場(chǎng)信息作為磁疇記錄下來(lái)。使記錄用線圈59接近記錄層68，能將記錄用線圈59構(gòu)成得極小。使記錄用線圈59充分小，能進(jìn)行磁場(chǎng)調(diào)制記錄。另外，由記錄用線圈驅(qū)動(dòng)電路67控制記錄用線圈59。光頭滑塊58、記錄用線圈59等構(gòu)成磁光記錄部。
另外，在記錄層上反射的光由分光器55將光路變更到圖中右側(cè)，由光檢測(cè)器64變換成電信號(hào)，用聚焦信號(hào)檢測(cè)電路65檢測(cè)聚焦方向。根據(jù)用聚焦信號(hào)檢測(cè)電路65檢測(cè)的聚焦方向，控制聚焦用線圈驅(qū)動(dòng)電路66，聚焦電流流過(guò)聚焦用線圈57，使物鏡56在圖中上下動(dòng)作，控制激光點(diǎn)聚焦在記錄層68上。
另一方面，再生時(shí)，利用安裝在磁頭滑塊61上的作為檢測(cè)磁通的元件的磁再生元件60，檢測(cè)磁疇的變化(檢測(cè)磁疇的磁通)，利用再生元件驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路62，能使高密度記錄的信息具有良好的CNR再生。磁再生元件60、磁頭滑塊61等構(gòu)成磁再生部。
本發(fā)明的第七實(shí)施方式的記錄媒體(磁記錄媒體)52的結(jié)構(gòu)如下。在基板上形成散熱層、核形成層(記錄層一側(cè)的表面上有凹凸)、記錄層(有垂直磁各向異性)、保護(hù)層、以及潤(rùn)滑層。這里，散熱層是調(diào)整由照射的光發(fā)生的熱用的層，所以擔(dān)當(dāng)基本上與第六實(shí)施方式中說(shuō)明過(guò)的反射層大致相同的作用。
下面，說(shuō)明該記錄媒體52的制作方法。
基板采用平板玻璃基板，盤徑為2.5英寸。散熱層能使用金屬或合金系列材料，這里，組成為AlSi(Al60:Si40)，膜厚為40nm。在它上面形成了核形成層。核形成層作為兩層結(jié)構(gòu)，首先形成1nm的RuO，其次形成1nm的Ag。記錄層作為單層膜，形成了25nm的TbFeCo(Tb21:Fe40:Co39)。保護(hù)層中形成了3nm的SiN、1nm的Cr、1nm的C。用通常的磁控濺射法形成了這些層。另外，各層使用各自的材料的靶，濺射氣體使用Ar。另外，用Ru靶，在Ar和氧(O2)的混合氣體中，通過(guò)反應(yīng)性濺射，形成了RuO。SiN的形成也是用Si靶，在Ar和氮(N2)的混合氣體中，通過(guò)反應(yīng)性濺射形成的。將潤(rùn)滑材料涂敷在這樣制作的記錄媒體52的表面上。作為潤(rùn)滑材料使用氟系列樹脂，用旋涂法進(jìn)行涂敷。該潤(rùn)滑材料的厚度為1nm以下。圖28中示出了對(duì)應(yīng)于這樣形成的記錄媒體52的溫度的矯頑力的變化和飽和磁化的一例。室溫下的矯頑力為10kOe以上，但如果溫度上升，則如圖中的實(shí)線所示，在室溫下10kOe以上的矯頑力變小，大約在350℃時(shí)變?yōu)?。如果用安裝在光學(xué)用滑塊58上的記錄用線圈59發(fā)生的記錄磁場(chǎng)，加熱到達(dá)到能記錄的矯頑力的溫度，就能進(jìn)行記錄。
另外，該記錄媒體52在室溫下的飽和磁化值如圖中的虛線所示，為100emu/cc以上，所以能用通常的磁阻元件再生來(lái)自被記錄的標(biāo)記的磁通。
用圖27說(shuō)明信息記錄/再生方法。在通過(guò)光的照射，使記錄媒體52升溫，使記錄層的矯頑力下降的狀態(tài)下，通過(guò)施加磁場(chǎng)，進(jìn)行記錄(記錄磁疇)。此后，檢測(cè)來(lái)自被記錄的磁疇的漏磁通，使信號(hào)再生。
首先，為了確認(rèn)原理實(shí)驗(yàn)，在浮動(dòng)滑塊(光頭滑塊58)上形成小空心線圈(記錄用線圈59)，從空心部分入射光。由于照射光，記錄媒體52的矯頑力下降，所以在該狀態(tài)下使電流流過(guò)空心線圈，發(fā)生磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)與欲記錄的磁疇的尺寸相匹配，使磁通的方向向上和向下變化。為了檢測(cè)磁通，使用磁再生頭(磁頭滑塊61)。磁再生頭是磁阻元件(磁再生元件60)安裝在滑塊上構(gòu)成的。
圖29表示本發(fā)明的磁記錄媒體的激光記錄功率的CNR的變化。這里，記錄磁場(chǎng)為400奧斯特。另外，記錄的標(biāo)記尺寸為50nm。使用的磁再生頭的再生心寬度為0.2微米，屏蔽間隙長(zhǎng)度為0.09微米。記錄用激光的波長(zhǎng)為405nm，物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.85。
如圖29中的實(shí)線所示，使激光記錄功率為15mW，再生特性幾乎飽和。進(jìn)行磁再生時(shí)，即使是這樣的微小的標(biāo)記也能再生，可知與用光使熱磁記錄的標(biāo)記再生相比，再生特性能得以非常大的改善。
(第八實(shí)施方式)在第七實(shí)施方式中，作為散熱層使用AlSi膜?？墒牵瑢?shí)際上，這里也可以使用軟磁性膜。其理由是，因?yàn)榻饘倩蚝辖鸬膶?dǎo)熱系數(shù)隨材料的不同而不同，但與電介質(zhì)相比，其值大很多。另外，用軟磁性膜時(shí)，記錄用線圈的磁場(chǎng)集中在記錄膜中，所以能獲得大的磁場(chǎng)。下面說(shuō)明該例。另外，媒體和測(cè)定系統(tǒng)與第七實(shí)施方式大致相同。
這里作為軟磁性膜，使用CoZrNb、FeCSi、NiFe，膜厚為80nm。用圖29中的虛線表示這些記錄媒體(磁記錄媒體)激光記錄功率的CNR的變化。由于軟磁性膜的導(dǎo)熱系數(shù)比AlSi小，所以可知能用低功率記錄。另外，發(fā)現(xiàn)CNR發(fā)生與AlSi相同程度的若干增大。這能增大媒體上的磁場(chǎng)所產(chǎn)生的效果大。
(第九實(shí)施方式)圖30是表示本發(fā)明的磁記錄裝置的記錄/再生用的一體型頭的結(jié)構(gòu)圖。表示將光學(xué)系統(tǒng)(激光照射部由光開口部74、波導(dǎo)路徑75、光導(dǎo)入口81等構(gòu)成)、記錄用線圈79、以及磁再生元件(磁阻元件77)被一體化了的一體型頭71H安裝在一個(gè)滑塊70上的形態(tài)。光學(xué)系統(tǒng)采用波導(dǎo)路徑類型。在照射記錄媒體(磁記錄媒體)的光被射出的光開口部74的后側(cè)形成了記錄用線圈79。其理由是因?yàn)椋绻涗浢襟w高速旋轉(zhuǎn)，則實(shí)際上溫度上升的地方偏移到光點(diǎn)位置后側(cè)。在光開口部74和記錄用線圈79之間形成了檢測(cè)磁通的磁阻元件77。
該圖(A)表示將一體型頭71H安裝在構(gòu)成滑塊70的滑塊基板71的端部上的狀態(tài)。
該圖(B)是從該圖(A)中的箭頭B方向看到的圖。即，是從滑塊面(與記錄媒體相對(duì)的面)看到的圖。滑塊基板71采用AlTiC?；瑝K基板71表示從一個(gè)晶片切出的狀態(tài)。在滑塊基板71的表面上形成了用作基底的平坦化層72的一部分。此后，蒸鍍用于光屏蔽部73的Au。其厚度為100nm。在光刻技術(shù)(使用抗蝕劑和刻蝕的工藝)中，通過(guò)構(gòu)圖形成光屏蔽部73的下部面。用光刻膠作掩模，在它上面對(duì)與光開口部74對(duì)應(yīng)的部分和其他不要的部分蒸鍍Au。此后，用去除法等將光刻膠除去，形成了光開口部74和光屏蔽部73。這樣形成的光開口部74的大小為圖中的寬度方向100nm、高度方向60nm的大小，光屏蔽部73與波導(dǎo)路徑75相對(duì)，厚度為50nm。
用濺射法在光屏蔽部73上形成氧化鋁，研磨成平面，形成了平坦化層72。在平坦化層72上形成了厚度為200nm的坡莫合金(第一屏蔽層76)后，用光刻技術(shù)一邊構(gòu)圖，一邊形成了作為檢測(cè)磁通的磁阻元件77。在它上面形成200nm的FeCo(第二屏蔽層78)。再形成1微米的光刻膠，再在它上面形成記錄用線圈79及記錄用磁極80。記錄用磁極80的尺寸為寬＝100nm，高＝50nm。記錄用線圈79及記錄用磁極80成為對(duì)記錄媒體施加磁場(chǎng)的元件。
該圖(C)是從該圖(A)中的箭頭C方向看到的圖。即，表示一體型頭71H的側(cè)視圖。示出了在該圖(B)中難以表示的記錄用線圈79。這里，第二屏蔽層78和記錄用磁極80沿上下方向((B)中的上下方向。在(C)中為從圖紙表面至背面一側(cè)的方向)用FeCo連接，磁路中沒有空隙。另外，光導(dǎo)入口81從滑塊70的外部，通過(guò)光導(dǎo)纖維等導(dǎo)入激光，能將光從光開口部74照射(施加)在記錄媒體上。
用這樣試作的一體型頭71H，研究了記錄/再生特性。圖31是表示本發(fā)明的磁記錄媒體的記錄電流的CNR特性的曲線圖。所測(cè)定的標(biāo)記長(zhǎng)度為50nm。這里，作為記錄媒體(磁記錄媒體)，利用將軟磁性膜用作散熱層的記錄媒體。其方法是從記錄用磁極(80)發(fā)出的磁通通過(guò)軟磁性膜，返回第二屏蔽層(78)，所以欲記錄的磁疇的磁場(chǎng)增大。
如果采用上述的結(jié)構(gòu)，則用低的激光記錄功率也能記錄。記錄時(shí)的記錄電流Iw(流過(guò)記錄用線圈的電流)為20mA。另外，流過(guò)磁阻元件(77)的讀出電流Is為3mA。這些電流為通常的磁記錄中用的值的大小。
圖中實(shí)線表示將非磁性層用作散熱層時(shí)的CNR特性。從圖可知，將軟磁性膜用作散熱層的方法，其記錄電流少，具有更高的CNR特性。
(第十實(shí)施方式)圖32是表示本發(fā)明中用的磁記錄媒體的基底層結(jié)構(gòu)的CNR特性的圖表。這里，為了確認(rèn)基底層(核形成層)的效果，制作了使基底層進(jìn)行了各種變更的記錄媒體(磁記錄媒體)，進(jìn)行了特性評(píng)價(jià)?；镜闹谱鞣椒ㄅc上述的相同，制作了以下結(jié)構(gòu)的試樣。
基板/散熱層(軟磁性膜100nm)/基底層(核形成層)/記錄層(20nm)/保護(hù)層(5nm)記錄層中使用了TbFeCo(Tb19:Fe50:Co31)?；讓又兄皇褂肧iN，此外作為本發(fā)明的特征研究了利用權(quán)利要求中記載的材料的一例的特征等。圖32示出了試樣30～40。
作為進(jìn)行記錄/再生的頭，使用了第九實(shí)施方式的一體型頭。為了進(jìn)行記錄/再生的評(píng)價(jià)，研究了標(biāo)記長(zhǎng)度(ML)為50nm的CNR。圖32中示出了其結(jié)果。另外用基底層材料構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)中，左側(cè)是靠近散熱層的層。根據(jù)該結(jié)果，明顯地看出將核形成層用于基底層是有效的。另外，記錄電流是流過(guò)記錄用線圈的電流。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的光記錄媒體、磁光記錄媒體由于隨機(jī)跳動(dòng)特性、CNR良好，記錄磁場(chǎng)也小，所以能提供高密度化可能的信息記錄媒體。
本發(fā)明的信息記錄/再生裝置、信息記錄/再生方法及磁記錄裝置能提供高密度的信息記錄媒體的記錄/再生可能的信息記錄/再生裝置。
權(quán)利要求
1.一種光記錄媒體，在基板上依次形成反射層及記錄層，從該記錄層側(cè)照射光，進(jìn)行信息的記錄/再生，其特征在于在上述反射層和記錄層之間具備表面上具有凹凸的核形成層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光記錄媒體，其特征在于用包含從W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd以及Pd構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的元素的材料形成上述核形成層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光記錄媒體，其特征在于上述核形成層的表面粗糙度為0.3nm至1.5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光記錄媒體，其特征在于上述核形成層形成多層，在記錄層側(cè)形成的核形成層的表面張力比在反射層側(cè)形成的核形成層的表面張力大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光記錄媒體，其特征在于上述記錄層能進(jìn)行晶態(tài)及非晶態(tài)之間的相變，晶態(tài)下的反射率和非晶態(tài)下的反射率不同。
6.一種磁光記錄媒體，在基板上依次形成反射層及具有垂直磁各向異性的記錄層，從記錄層側(cè)照射光，進(jìn)行信息的記錄/再生，其特征在于在上述反射層和記錄層之間具備表面上具有凹凸的核形成層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁光記錄媒體，其特征在于用包含從W、Mo、Ta、Fe、Co、Ni、Cr、Pt、Ti、P、Au、Cu、Al、Ag、Si、Gd、Tb、Nd以及Pd構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的元素的材料形成上述核形成層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁光記錄媒體，其特征在于上述核形成層的表面粗糙度為0.3nm至1.5nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁光記錄媒體，其特征在于上述核形成層形成多層，在記錄層側(cè)形成的核形成層的表面張力比在反射層側(cè)形成的核形成層的表面張力大。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁光記錄媒體，其特征在于為了消除由上述記錄層的磁化產(chǎn)生的反磁場(chǎng)，在上述反射層和核形成層之間具備具有垂直磁各向異性的記錄輔助層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁光記錄媒體，其特征在于在上述記錄層是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)時(shí)，上述記錄輔助層為稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁光記錄媒體，其特征在于在上述記錄層是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)時(shí)，上述記錄輔助層為過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁光記錄媒體，其特征在于在上述記錄層及記錄輔助層是過(guò)渡族金屬磁化占優(yōu)勢(shì)時(shí)，使記錄輔助層的居里溫度比記錄層的居里溫度高。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁光記錄媒體，其特征在于在上述記錄層及記錄輔助層是稀土類磁化占優(yōu)勢(shì)時(shí)，使記錄輔助層的居里溫度比記錄層的居里溫度高。
15.一種信息記錄/再生裝置，其特征在于使用權(quán)利要求1或2所述的光記錄媒體、或者使用權(quán)利要求6或7所述的磁光記錄媒體中的任一種，進(jìn)行信息的記錄/再生。
16.一種信息記錄/再生方法，使用在基板上依次形成散熱層及具有垂直磁各向異性的記錄層，具備在上述散熱層和記錄層之間形成的表面上有凹凸的核形成層的磁記錄媒體，其特征在于將光和磁場(chǎng)加在上述磁記錄媒體上，進(jìn)行信息的磁光記錄，從上述記錄層側(cè)檢測(cè)磁通，進(jìn)行信息的磁再生。
17.一種磁記錄裝置，其特征在于具有在基板上依次形成散熱層及具有垂直磁各向異性的記錄層、具備在上述散熱層和記錄層之間形成的表面上有凹凸的核形成層的磁記錄媒體；將光和磁場(chǎng)加在該磁記錄媒體上，進(jìn)行信息的記錄的磁光記錄部；以及從上述記錄層側(cè)檢測(cè)磁通，進(jìn)行信息的再生的磁再生部。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁記錄裝置，其特征在于具有安裝有施加上述光，對(duì)上述磁記錄媒體加熱用的元件；施加上述磁場(chǎng)的元件；以及檢測(cè)上述磁通的元件的一個(gè)滑塊。
全文摘要
提供一種光記錄媒體、磁光記錄媒體、信息記錄/再生裝置、信息記錄/再生方法及磁記錄裝置。其中，在用聚碳酸酯等形成的有平行平面的基板上依次形成反射層、核形成基底層、核形成層、記錄層的層疊結(jié)構(gòu)，在反射層和記錄層之間形成的核形成層的表面呈有微小的核(突起部)的微小的凹凸形狀。
文檔編號(hào)G11B7/257GK1647183SQ0380908
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月22日
發(fā)明者上村拓也, 田中努, 松本幸治 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社