專利名稱：區(qū)別光學(xué)記錄介質(zhì)的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及區(qū)別光學(xué)記錄介質(zhì)的設(shè)備和方法，尤其涉及能夠快速區(qū)別光學(xué)記錄介質(zhì)類型的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
例如CD、DVD這樣的光記錄介質(zhì)和類似的介質(zhì)已經(jīng)廣泛用作為記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的記錄介質(zhì)，并且近來(lái)正在積極地研發(fā)具有大數(shù)據(jù)記錄容量和極高數(shù)據(jù)傳輸速率的下一代光記錄介質(zhì)。
為了研發(fā)具有大數(shù)據(jù)記錄容量和極高數(shù)據(jù)傳輸速率的下一代光學(xué)記錄介質(zhì)，需要將用于記錄數(shù)據(jù)和還原數(shù)據(jù)的激光束斑的直徑減少到很小的尺寸。
為了減少激光束斑的直徑，需要將會(huì)聚激光束的物鏡的數(shù)值孔徑增加到0.7或者更大一些，例如，增加到大約0.85，并將激光束的波長(zhǎng)縮短到450nm或更短，例如，縮短到大約400nm。
然而，如果增加會(huì)聚激光束的物鏡的數(shù)值孔徑，則如方程式(1)所示，必須大大減少激光束到光記錄介質(zhì)的光軸的允許偏斜誤差，即偏斜容限T。
T∝λd·NA3---(1)]]>在方程式(1)中，λ是用于記錄和還原數(shù)據(jù)的激光束的波長(zhǎng)，且d是激光束透過(guò)的光透射層的厚度。
從方程式(1)可以明顯地看出，偏斜容限T隨著物鏡數(shù)值孔徑的增加而減小，隨著光透射層厚度的減少而增加。因此，能夠通過(guò)使光透射層厚度的變薄而有效地防止偏斜容限T的減少。
另一方面，表示彗形象差(coma)的波像差系數(shù)W通過(guò)方程式(2)來(lái)定義。
W=d·(n2-1)·n2·sinθ·cosθ·(NA)32λ(n2-sin2θ)52---(2)]]>在方程式(2)中，n是光透射層的折射率，θ是激光束的光軸傾角。
從方程式(2)可以明顯看出，通過(guò)使光透射層變薄也能夠非常有效地抑制彗形象差。
基于這些原因，為了確保有足夠的傾斜容限并且抑制彗形象差，有人提出下一代光記錄介質(zhì)的光透射層的厚度應(yīng)當(dāng)減少到大約100μm。
然而，由于現(xiàn)在正在研發(fā)下一代的光記錄介質(zhì)，所以預(yù)計(jì)會(huì)有兩個(gè)或更多個(gè)類型的光記錄介質(zhì)投入市場(chǎng)。
因此，例如，會(huì)需要使用波長(zhǎng)為430nm的激光束在一種類型的光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)和從這種類型的光記錄介質(zhì)還原數(shù)據(jù)，同時(shí)需要使用波長(zhǎng)為380nm的激光束在另一種類型的光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)和從該種類型的光記錄介質(zhì)上還原數(shù)據(jù)。
而且可以相信，一種類型的光記錄介質(zhì)將包含厚度為120μm的光透射層，而另一種類型的光記錄介質(zhì)也許包含厚度為50μm的光透射層。
另一方面，即使兩種或更多類型的光記錄介質(zhì)同時(shí)投入市場(chǎng)，可以設(shè)想，就象CD和DVD的情況一樣，外形和尺寸都將標(biāo)準(zhǔn)化。
因此，針對(duì)下一代光記錄介質(zhì)記錄數(shù)據(jù)和還原數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)需要能夠在兩種或更多類型的光記錄介質(zhì)間進(jìn)行區(qū)別。
可以通過(guò)將激光束投射在其上來(lái)區(qū)分被置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備上的光記錄介質(zhì)的類型。
例如，對(duì)于使用波長(zhǎng)430nm的激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)和使用波長(zhǎng)380nm激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)同時(shí)擁有市場(chǎng)的情形，通過(guò)使用波長(zhǎng)為430nm或380nm的激光束的照射光記錄介質(zhì)并判斷是否能夠獲得還原的正常信號(hào)，可區(qū)別置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中的光記錄介質(zhì)是使用波長(zhǎng)為430nm的激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，還是使用波長(zhǎng)為380nm的激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)。
具體地，對(duì)于使用波長(zhǎng)為430nm的激光束照射光記錄介質(zhì)并獲得正常還原信號(hào)的情形，判斷該光記錄介質(zhì)是使用波長(zhǎng)430nm的激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的，并且可以將數(shù)據(jù)記錄在該光記錄介質(zhì)上或從該光記錄介質(zhì)上還原出數(shù)據(jù)，而不需將該激光束變換到不同波長(zhǎng)的激光束。相反，對(duì)于使用波長(zhǎng)為430nm的激光束照射光記錄介質(zhì)，但沒(méi)有獲得正常還原信號(hào)的情形，該光記錄介質(zhì)就被判斷成使用波長(zhǎng)為380nm的激光束記錄和還原數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，因此需要將激光束切換為波長(zhǎng)380nm的激光束，以在該光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)或從該光記錄介質(zhì)上還原數(shù)據(jù)。
然而，對(duì)于通過(guò)以這樣的方式在光記錄介質(zhì)上投射激光束來(lái)區(qū)別光記錄介質(zhì)類型的情形，因?yàn)樾枰M(jìn)行例如聚焦搜索和類似的操作，區(qū)別光記錄介質(zhì)的類型需要較長(zhǎng)的時(shí)間，并且當(dāng)激光束必須切換到另一種不同波長(zhǎng)的激光束時(shí)，在光記錄介質(zhì)被置于驅(qū)動(dòng)器中的時(shí)間和數(shù)據(jù)實(shí)際能夠被記錄在該光記錄介質(zhì)上或從該光記錄介質(zhì)中還原的時(shí)間之間，需要一個(gè)較長(zhǎng)的周期。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的在于提供一種能夠迅速區(qū)別出光記錄介質(zhì)的類型的區(qū)別光記錄介質(zhì)的設(shè)備和方法。
本發(fā)明的上述目的能夠通過(guò)一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成的光透射層，用于區(qū)別該光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
本發(fā)明的上述目的也能夠通過(guò)一種用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，該設(shè)備被構(gòu)造成能夠區(qū)分第一種光記錄介質(zhì)和第二種光記錄介質(zhì)，所述第一種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有第一種材料的光透射層，并且所述第二種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有與第一種材料不同的第二種材料的光透射層，所述用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
本發(fā)明的上述目的也能夠通過(guò)一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，和在記錄層上形成光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備被構(gòu)造成能夠區(qū)分包含在光記錄介質(zhì)中的記錄層的數(shù)目，所述用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
本發(fā)明的上述目的也可以通過(guò)用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該光記錄介質(zhì)包括至少一層襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成的光透射層，所述用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近，將信號(hào)提供到第一電極，和檢測(cè)第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)別出光記錄介質(zhì)類型。
本發(fā)明的上述目的也能夠通過(guò)一種用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法被構(gòu)造成能夠區(qū)分第一種光記錄介質(zhì)和第二種光記錄介質(zhì)，所述第一種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有第一種材料的光透射層，并且所述第二種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有與第一種材料不同的第二種材料的光透射層，所述用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近，將信號(hào)提供給第一電極，和檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)別出光記錄介質(zhì)類型。
本發(fā)明的上述目的也能夠通過(guò)一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，和在記錄層上形成光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法被構(gòu)造成能夠區(qū)分包含在光記錄介質(zhì)中的記錄層的數(shù)目，所述用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近，將信號(hào)提供給第一電極，和檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)別出光記錄介質(zhì)類型。
在本說(shuō)明書中，有關(guān)第一電極和第二電極能夠布置在光透射層的表面的附近的記載包含第一電極和第二電極能夠布置成靠近光透射層的表面的情形，和第一電極和第二電極能夠布置成與光透射層的表面接觸的情形，并且有關(guān)第一電極和第二電極被布置在光透射層的表面的附近的記載包含將第一電極和第二電極定位成靠近光透射層的表面的情形，和將第一電極和第二電極定位成與光透射層的表面接觸的情形。
根據(jù)本發(fā)明，如果兩種或更多種在激光束入射平面和襯底上形成導(dǎo)電層之間具有不同的層結(jié)構(gòu)或使用不同的材料層的光記錄介質(zhì)同時(shí)擁有市場(chǎng)時(shí)，可迅速地彼此區(qū)別每種光記錄介質(zhì)，因此可顯著地縮短在光記錄介質(zhì)被置于驅(qū)動(dòng)器中之后，在光記錄介質(zhì)上實(shí)際記錄數(shù)據(jù)或從光記錄介質(zhì)上還原數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。


圖1示出的是作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)別光記錄介質(zhì)的設(shè)備的方框圖。
圖2的示意性橫截面圖示出了要由作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備來(lái)區(qū)分的光記錄介質(zhì)，其中圖2(a)示出的是在一次寫入型光記錄介質(zhì)或數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)的情形下要區(qū)分的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，圖2(b)示出的是在其被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)的情形下要區(qū)分的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖3的示意性橫截面圖示出了使用用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備區(qū)分光記錄介質(zhì)的類型的方法。
圖4是一組圖例，每個(gè)圖例示出的是在第一電極和第二電極之間形成的電路，其中圖4(a)示出了在光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為一次寫入型光記錄介質(zhì)的情形下所形成的電路，圖4(b)示出了在光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)，并且構(gòu)成記錄層的相變薄膜由導(dǎo)電材料制成的情形下所形成的電路，圖4(c)示出了在光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)的情形下所形成的電路，圖4(d)示出了在光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)，并且構(gòu)成L1記錄層和L0記錄層的相變薄膜由導(dǎo)電材料組成的情形下所形成的電路。
圖5的示意性橫截面圖示出了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中要區(qū)分的包含兩個(gè)記錄層的下一代光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖6的示意性透視圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備的方法的一個(gè)例子。
圖7的示意性橫截面圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備的方法的另一個(gè)例子。
圖8(a)的示意性縱向橫截面圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備的方法的進(jìn)一步例子，圖8(b)是圖8(a)沿線A-A得到的示意性橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將隨附圖一起描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
如圖1所示，作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10包含第一電極11和第二電極12，將交流信號(hào)提供到第一電極11的交流信號(hào)生成電路13，檢測(cè)第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B的電平的檢測(cè)電路14，控制交流信號(hào)生成電路13和檢測(cè)電路14的操作的控制電路15，在控制電路15中提供的表格15a。
圖2的示意性橫截面圖示出了要由作為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備來(lái)區(qū)分的光記錄介質(zhì)，其中圖2(a)示出的是在一次寫入型光記錄介質(zhì)或數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)的情形下要區(qū)分的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)，圖2(b)示出的是在其被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)的情形下要區(qū)分的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
在這個(gè)實(shí)施例中，在如圖2(a)所示的光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為一次寫入型光記錄介質(zhì)或數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)的情形下，光記錄介質(zhì)20包含襯底21，在該襯底21上形成的反射層22，在該反射層22上形成的記錄層23，和在記錄層23上形成的光透射層24，并且用孔25形成的光記錄介質(zhì)20的中心部分。
在所構(gòu)成的光記錄介質(zhì)20中，激光束從光透射層24的一邊被投射到該光記錄介質(zhì)20上，由此在光記錄介質(zhì)20上記錄數(shù)據(jù)或從該光記錄介質(zhì)20中還原數(shù)據(jù)。
支持襯底21作為支持以確保光記錄介質(zhì)20所需要的機(jī)械強(qiáng)度。
用于形成襯底21的材料不受特別的限制，只要支持襯底21能夠充當(dāng)光記錄介質(zhì)20的支持。支持襯底21可以由玻璃，陶瓷，樹脂和類似物制成。這些之中，因?yàn)闃渲軌蛉菀壮尚?，因此樹脂最適宜用于形成支持襯底21。作為舉例說(shuō)明，適宜制成支持襯底21的樹脂的例子包含聚碳酸酯樹脂，丙烯酸樹脂(acrylic resin)，環(huán)氧樹脂，聚苯乙烯樹脂，聚乙烯樹脂，聚丙烯樹脂(polypropylene resin)，硅樹脂，含氟聚合物，丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂，尿烷樹脂以及類似物。在這些之中，從容易處理，光學(xué)特性以及類似性質(zhì)的觀點(diǎn)看來(lái)，聚碳酸酯樹脂最適宜用來(lái)形成支持襯底21，在這個(gè)實(shí)施例中，支持襯底21就由聚碳酸酯的樹脂制成。
在這個(gè)實(shí)施例中，支持襯底21的厚度大約為1.1mm。
如圖2(a)所示，在支持襯底21的表面交替地形成凹槽21a和凸脊21b。當(dāng)數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄或數(shù)據(jù)還原時(shí)，凹槽21a和/或凸脊21b作為激光束的導(dǎo)軌。
反射層22用于反射經(jīng)過(guò)光透射層24進(jìn)入的激光束，使得激光束從光透射層24發(fā)射出來(lái)。
反射層22的厚度不受特別的限制，但是最適宜形成反射層22的厚度為10nm至300nm，形成的厚度為20nm至200nm則更好。
形成反射層22的材料并不受特別的限制，只要使得它能夠反射激光束就可以，反射層22能夠由鎂，鋁，鈦，鉻，鐵，鈷，鎳，銅，鋅，鍺，銀，鉑，金等等組成。在這些材料中，最好形成具有高反射率的金屬材料的反射層22，例如鋁，金，銀，銅或含有這些材料中至少一種的合金，例如鋁和銅的合金。在這個(gè)實(shí)施例中，反射層22由例如鋁，金，銀，銅或類似物的金屬組成。
在本說(shuō)明書中，例如具有導(dǎo)電性的反射層22這樣的層有時(shí)候被稱為“導(dǎo)電層”。
對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為一次寫入型的光記錄介質(zhì)的情形，記錄層23一般由有機(jī)染料制成，對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)的情形，記錄層23一般由相變材料組成的薄膜和三明治式夾住相變薄膜的電介質(zhì)薄膜組成。
在一次寫入型光記錄介質(zhì)中，通過(guò)利用激光束變換含在記錄層23中的有機(jī)染料的預(yù)定區(qū)域，將數(shù)據(jù)記錄在記錄層23中。
另一方面，在數(shù)據(jù)可重寫型的光記錄介質(zhì)中，通過(guò)利用激光束將含在記錄層23中的相變薄膜的相(phase)從晶態(tài)改變到非晶態(tài)，將數(shù)據(jù)記錄在記錄層23中。
對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)的情形，一般形成導(dǎo)電材料制成的記錄層23中的相變薄膜，并且記錄層23一般與“導(dǎo)電層”相對(duì)應(yīng)。
光透射層24用于透過(guò)激光束，并且在下一代的光記錄介質(zhì)中，形成的光透射層24比CD或DVD的光透射層薄得多，使得一般形成的厚度為10μm至300μm。
形成光透射層24的材料取決于光記錄介質(zhì)20的類型，但是例如紫外線固化樹脂(ultraviolet ray curable resin)，聚碳酸酯，聚烯烴或類似物的電介質(zhì)材料能夠用來(lái)形成光透射層24。
相反，對(duì)于要區(qū)分的光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)的情形，當(dāng)制備光記錄介質(zhì)20時(shí)，通過(guò)在襯底21的表面形成預(yù)坑(pre-pit)(沒(méi)有示出)來(lái)記錄數(shù)據(jù)，并且如圖2(b)所示，在襯底21的表面沒(méi)有形成凹槽和凸脊，也不形成記錄層23。
預(yù)計(jì)會(huì)建立有關(guān)具有上述結(jié)構(gòu)的下一代光記錄介質(zhì)20的襯底21的材料和厚度的標(biāo)準(zhǔn)，但是提供有例如記錄層23，光透射層24等等、由不同材料組成并且具有不同厚度的層的各種光記錄介質(zhì)會(huì)被提出并投入實(shí)用。
有鑒于此，在下一代的光記錄介質(zhì)中，不可缺少的是在針對(duì)其記錄數(shù)據(jù)和還原數(shù)據(jù)之前區(qū)分其類型，因此，用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10被構(gòu)成為能夠區(qū)分出下一代光記錄介質(zhì)的類型。
對(duì)于如圖3所示使用根據(jù)這個(gè)實(shí)施例用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10對(duì)光記錄介質(zhì)20的類型進(jìn)行區(qū)分的情形，首先將第一電極11和第二電極12布置在靠近光記錄介質(zhì)20的光透射層24或與其接觸的位置上。
因此，對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為一次寫入型光記錄介質(zhì)的情形，因?yàn)楣馔干鋵?4是由電介質(zhì)材料構(gòu)成而反射層22是由金屬材料構(gòu)成，在第一電極11和第二電極12之間形成圖4(a)所示的電路。另一方面，對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)，并且包含在記錄層23中的相變薄膜是由導(dǎo)電材料制成的情形，在第一電極11和第二電極12之間形成圖4(b)所示的電路。
相反，對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)的情形，在第一電極11和第二電極12之間形成圖4(c)所示的電路。
以這種方式，當(dāng)?shù)谝浑姌O11和第二電極12已經(jīng)布置在靠近光記錄介質(zhì)20的光透射層24或與其接觸的位置上，由此在第一電極11和第二電極12之間形成上述電路之一的時(shí)候，交流信號(hào)生成電路13生成的交流信號(hào)A在控制裝置15的控制下被提供到第一電極11上。
結(jié)果，交流信號(hào)A通過(guò)圖4(a)，圖4(b)或圖4(c)所示的電路傳遞到第二電極12。
因此，對(duì)于光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為一次寫入型光記錄介質(zhì)的情形，在第一電極11和第二電極12之間形成如圖4(a)所示的電路，出現(xiàn)在第二電極12上的交流信號(hào)B根據(jù)記錄層23和光透射層24的材料和厚度，尤其根據(jù)記錄層23的電介質(zhì)常數(shù)和厚度而發(fā)生變化。
相反，對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)，包含在記錄層23中的相變薄膜由導(dǎo)電材料制成，并且在第一電極11和第二電極12之間形成如圖4(b)所示電路的情形，以及對(duì)于光記錄介質(zhì)20被構(gòu)成為ROM型光記錄介質(zhì)，在第一電極11和第二電極12之間形成如圖4(c)所示電路的情形，第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B根據(jù)光透射層24的材料和厚度而發(fā)生變化。
因此，如果針對(duì)每種光記錄介質(zhì)20所獲得的交流信號(hào)B的電平預(yù)先確定并被存儲(chǔ)在控制電路15的表15a中，則光記錄介質(zhì)20的類型就能夠通過(guò)參照控制電路15的表15a根據(jù)檢測(cè)電路14實(shí)際檢測(cè)出的交流信號(hào)B的電平而被區(qū)分出來(lái)。相應(yīng)地，如果這樣的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10被預(yù)先安裝在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上，則可以在開始激光束的投射之前，迅速地將置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中的光記錄介質(zhì)的類型區(qū)分出來(lái)。
根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，對(duì)于兩種或更多種具有不同材料制成的記錄層23的下一代光記錄介質(zhì)同時(shí)擁有市場(chǎng)的情形，能夠大大縮短在光記錄介質(zhì)20置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中之后在其上記錄數(shù)據(jù)或從其中還原數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間，因?yàn)榭梢匝杆俚貐^(qū)分出置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中的光記錄介質(zhì)的類型，而不用進(jìn)行激光束聚焦操作和激光束的切換操作。
而且，盡管布置在光透射層24的表面和反射層20之間的層的結(jié)構(gòu)，材料和厚度對(duì)于不同類型的下一代光記錄介質(zhì)會(huì)有所不同，然而幾乎不可能通過(guò)將第一電極11和第二電極12定位于靠近襯底21或與其接觸的位置并將交流信號(hào)A提供到第一電極11來(lái)區(qū)分光記錄介質(zhì)的類型。這是因?yàn)樵诘诙?12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B的電平基本上是一樣的，而與下一代光記錄介質(zhì)20的類型無(wú)關(guān)，這歸因于布置在襯底21的表面和反射層22之間的層基本上具有相同的厚度，而與下一代光記錄介質(zhì)的類型無(wú)關(guān)，并且完全由聚碳酸酯樹脂制成的襯底來(lái)構(gòu)成。然而，在這個(gè)實(shí)施例中，第一電極11和第二電極12都位于靠近光透射層24的布置在與襯底21相反側(cè)的表面或與之接觸的位置上，并且交流信號(hào)被提供到第一電極11上。因此，通過(guò)檢測(cè)第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B的電平，可精確地區(qū)分出光記錄介質(zhì)20的類型。
圖5的示意性橫截面圖示出了本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中要區(qū)分的包含兩個(gè)記錄層的下一代光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
如圖5所示的下一代光記錄介質(zhì)30包含襯底31，中間層32，光透射層33，在襯底31和中間層32之間形成的反射層34，L1記錄層35和在中間層32和光透射層33之間形成的L0記錄層36，并且用孔37形成光記錄介質(zhì)30的中心部分。
在這樣構(gòu)成的光記錄介質(zhì)30中，激光束從光傳輸層33側(cè)投射到光記錄介質(zhì)30上，由此在光記錄介質(zhì)30上記錄數(shù)據(jù)或從該光記錄介質(zhì)30中還原數(shù)據(jù)。
支持襯底31用作支持，以確保光記錄介質(zhì)30所需要的機(jī)械強(qiáng)度，并且在如圖5所示的光記錄介質(zhì)30中，襯底31由聚碳酸酯樹脂制成，并且具有的厚度大約為1.1mm。
中間層32用于將L0記錄層35和L1記錄層36隔開足夠距離，并且一般形成為具有大約10μm至50μm的厚度。
可以選擇例如紫外線固化樹脂，聚碳酸酯，聚烯烴或類似物的電介質(zhì)材料作為形成中間層32的材料。
因?yàn)槿鐖D5所示的光記錄介質(zhì)30包含中間層32，所以形成的光透射層33比光記錄介質(zhì)20的光透射層24更薄，其薄出的厚度與中間層32的厚度對(duì)應(yīng)。
在光記錄介質(zhì)30中，沒(méi)有為記錄層L0 36提供反射層，使得足夠量的激光束能夠到達(dá)L1記錄層35。
對(duì)于光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為數(shù)據(jù)可重寫型下一代光記錄介質(zhì)30并且包含在L1記錄層35和L0記錄層36中的相變薄膜由導(dǎo)電材料制成的情形，當(dāng)?shù)谝浑姌O11和第二電極12位于靠近光記錄介質(zhì)30的光透射層33或與之接觸的位置時(shí)，在第一電極11和第二電極12之間形成圖4(d)所示的電路。
在光記錄介質(zhì)30中，L0記錄層36構(gòu)成最靠近光入射平面的導(dǎo)電層。因此，如圖4(d)所示，中間層32，L1記錄層35和布置在L0記錄層35之下的類似層基本上對(duì)第一電極11和第二電極12之間形成的電路沒(méi)有影響。因此，所形成的電路的電路常數(shù)基本上由光記錄介質(zhì)30的光透射層33的材料和厚度所決定。
在這種情形下，因?yàn)樾纬傻墓庥涗浗橘|(zhì)30的光透射層33比圖2(a)所示的光記錄介質(zhì)20的光透射層24更薄，所以圖4(d)所示的電路具有與圖4(a)所示的電路不同的電路常數(shù)。
因此，對(duì)于如圖5所示的包含兩個(gè)記錄層35，36的光記錄介質(zhì)30和圖2(a)所示的只包含一個(gè)記錄層23的光記錄介質(zhì)20同時(shí)擁有市場(chǎng)的情形，通過(guò)預(yù)先確定和在表15a中存儲(chǔ)當(dāng)?shù)谝浑姌O11和第二電極12位于靠近光記錄介質(zhì)30的光透射層33或與之接觸的位置并且交流信號(hào)A被提供到第一電極11時(shí)在第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B的電平，以及當(dāng)?shù)谝浑姌O11和第二電極12位于靠近光記錄介質(zhì)20的光透射層24或與之接觸的位置并且交流信號(hào)A被提供到第一電極11時(shí)在第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B的電平，可容易地區(qū)分出光記錄介質(zhì)是光記錄介質(zhì)30還是光記錄介質(zhì)20。
因?yàn)橥ㄟ^(guò)將第一電極11和第二電極12定位于靠近光記錄介質(zhì)的光透射層或與之接觸的位置而在第一電極11和第二電極12之間形成的電路常數(shù)根據(jù)光記錄介質(zhì)中記錄層的數(shù)目而不同，因此通過(guò)預(yù)先確定和在控制單元15的表15a中存儲(chǔ)針對(duì)每個(gè)包含不同層數(shù)的記錄層的光記錄介質(zhì)而獲得的交流信號(hào)B的電平，可區(qū)分光記錄介質(zhì)中的記錄層的數(shù)目。
另一方面，對(duì)于光記錄介質(zhì)被構(gòu)成為一次寫入型光記錄介質(zhì)或ROM型記錄介質(zhì)的情形，因?yàn)椴贾迷谝r底31和中間層32之間的反射層34與最靠近形成光入射面的光透射層33的表面的導(dǎo)電層相對(duì)應(yīng)，因此通過(guò)利用反射層34和光透射層33之間存在的記錄層23，35，36的數(shù)目的差別所引起的交流信號(hào)B的電平的差別，可區(qū)分出含在光記錄介質(zhì)20，30中記錄層23，35，36的數(shù)目。
對(duì)于光記錄介質(zhì)30的襯底31的厚度不同于光記錄介質(zhì)20的襯底21的厚度的情形，通過(guò)將第一電極11和第二電極12定位于靠近光記錄介質(zhì)30的襯底31或光記錄介質(zhì)20的襯底21的位置，將交流信號(hào)A提供到第一電極11并且檢測(cè)出現(xiàn)在第二電極12上的交流信號(hào)B，可區(qū)分出光記錄介質(zhì)20，30的類型。然而，對(duì)于襯底21，31之間的厚度差別很小的情形，就難以精確地區(qū)分出光記錄介質(zhì)的類型。另一方面，對(duì)于光記錄介質(zhì)30的襯底31的厚度等于光記錄介質(zhì)20的襯底21的厚度的情形，即使第一電極11和第二電極12被定位于靠近光記錄介質(zhì)30的襯底31或光記錄介質(zhì)20的襯底21的位置，交流信號(hào)A被提供到第一電極11并且檢測(cè)第二電極上出現(xiàn)的交流信號(hào)B，也不能區(qū)分出光記錄介質(zhì)20，30的類型。然而，這個(gè)實(shí)施例被構(gòu)造成通過(guò)將第一電極11和第二電極12定位于靠近光記錄介質(zhì)30的光透射層33的表面或光記錄介質(zhì)20的光透射層24的表面24，或與之接觸的位置，將交流信號(hào)A提供到第一電，11，并且檢測(cè)第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B，從而區(qū)分出光記錄介質(zhì)的類型。因此，因?yàn)楣馔干鋵?3和反射層34之間的距離與光透射層24和反射層22之間的距離大不相同，并且光透射層33和反射層34之間的層結(jié)構(gòu)與光透射層24和反射層22之間的層結(jié)構(gòu)也大不相同，因此可精確地區(qū)分出光記錄介質(zhì)20，30的類型。
于是，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，通過(guò)將第一電極11和第二電極12定位于靠近光記錄介質(zhì)20，30的與襯底21，31相反側(cè)的光透射層24，33的表面或與之接觸的位置，從而區(qū)分出光記錄介質(zhì)20，30的類型，因此，對(duì)于兩種或更多種包含不同數(shù)目記錄層的下一代光記錄介質(zhì)20，30同時(shí)擁有市場(chǎng)的情形，因?yàn)榭梢匝杆俚貐^(qū)分置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中的光記錄介質(zhì)20，30的類型而不用進(jìn)行激光束聚焦操作和激光束的切換操作，因此能夠顯著縮短在光記錄介質(zhì)20，30被置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中之后在光記錄介質(zhì)20，30上記錄數(shù)據(jù)和從光記錄介質(zhì)20，30還原數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。
圖6的示意性透視圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10的方法的一個(gè)例子。
如圖6所示，用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10被如此構(gòu)成，使得它能夠容進(jìn)數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備40的主體并且從中卸出，并且第一電極11和第二電極12被提供在其上要放置光記錄介質(zhì)20，30的托盤41上，由此根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10被安裝在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備40上。而且，光記錄介質(zhì)20，30被置于托盤41上，由此將第一電極11和第二電極12定位在使其與光記錄介質(zhì)20，30的光透射層24，33的表面接觸的位置。
圖7的示意性橫截面圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10的方法的另一個(gè)例子。
在圖7中，第一電極11和第二電極12被安裝在可垂直移動(dòng)支持件42的頂部，以及通過(guò)將其上放置光記錄介質(zhì)20，30的托盤41容進(jìn)數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備的主體40內(nèi)，并且在旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)20，30之前使支持件42的頂部靠近光記錄介質(zhì)20，30的光透射層24，33的表面，從而將第一電極11和第二電極12定位于靠近光記錄介質(zhì)20，30的光透射層24，33的表面或與之接觸的位置。
圖8(a)的示意性縱向橫截面圖示出了用于在數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)上裝配本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備10的方法的進(jìn)一步例子，圖8(b)是圖8(a)沿線A-A得到的示意性橫截面圖。
在這個(gè)實(shí)施例中，第一電極11和第二電極12由槽裝載型(s1ot-loading type)數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備(驅(qū)動(dòng)器)的滾筒43的軸構(gòu)成。
于是參照特定實(shí)施例已經(jīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了演示和描述。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，本發(fā)明并不限于在所描述內(nèi)容里的細(xì)節(jié)，而是可以對(duì)其進(jìn)行變更和修正，這并不違背所附權(quán)利要求的范圍。
例如，在上述實(shí)施例中，盡管通過(guò)使用第一電極11和第二個(gè)電極12并且當(dāng)交流信號(hào)A提供到第一電極11上時(shí)檢測(cè)第二電極12上出現(xiàn)的交流信號(hào)B來(lái)區(qū)分光記錄介質(zhì)20，30的類型，但是也可通過(guò)使用平面線圈式電極并且檢測(cè)提供電流給該平面線圈式電極的電流而生成的渦狀電流來(lái)區(qū)分光記錄介質(zhì)20，30的類型。
根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵趦煞N或更多種下一代光記錄介質(zhì)同時(shí)使用的情形下，能夠迅速地區(qū)分下一代光記錄介質(zhì)的類型，因此可顯著地縮短在光記錄介質(zhì)被置于數(shù)據(jù)記錄和還原設(shè)備中之后，在光記錄介質(zhì)上實(shí)際記錄和從該光記錄介質(zhì)上還原數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。
權(quán)利要求
1.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成的光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，其能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
2.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備，該設(shè)備被構(gòu)造成能夠區(qū)分第一種光記錄介質(zhì)和第二種光記錄介質(zhì)，所述第一種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有第一材料的光透射層，并且所述第二種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有與第一材料不同的第二材料的光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，其能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
3.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，和在記錄層上形成光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備被構(gòu)造成能夠區(qū)分包含在光記錄介質(zhì)中的記錄層的數(shù)目，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備包括第一電極和第二電極，能夠布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；用于將信號(hào)提供給第一電極的裝置；和用于檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)的裝置。
4.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法，該光記錄介質(zhì)包括至少一層襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成的光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；將信號(hào)提供到第一電極；和檢測(cè)第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)分出光記錄介質(zhì)類型。
5.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法，該方法被構(gòu)造成能夠區(qū)分第一種光記錄介質(zhì)和第二種光記錄介質(zhì)，所述第一種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有第一材料的光透射層，并且所述第二種光記錄介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的導(dǎo)電層，和在該導(dǎo)電層上形成并含有與第一材料不同的第二材料的光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；將信號(hào)提供給第一電極；和檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)分出光記錄介質(zhì)類型。
6.一種用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該介質(zhì)包括至少一個(gè)襯底，在該襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，和在記錄層上形成光透射層，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法被構(gòu)造成能夠區(qū)分包含在光記錄介質(zhì)中的記錄層的數(shù)目，所述用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的方法包括步驟將第一電極和第二電極布置在光透射層的位于與襯底側(cè)相反一側(cè)的表面的附近；將信號(hào)提供給第一電極；和檢測(cè)在第二電極上出現(xiàn)的信號(hào)，由此區(qū)分出光記錄介質(zhì)類型。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠迅速區(qū)分光記錄介質(zhì)類型的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備和方法。根據(jù)本發(fā)明的用于區(qū)分光記錄介質(zhì)的設(shè)備包含第一電極和第二電極，將交流電流A提供到第一電極的交流信號(hào)生成電路，檢測(cè)出現(xiàn)在第二電極上的交流電流B的電平的檢測(cè)電路，和控制交流信號(hào)生成電路和檢測(cè)電路的操作的控制電路，并且控制電路中提供一表格。根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于兩種或更多種光記錄介質(zhì)(其中激光束入射層和襯底上形成的導(dǎo)電層之間具有不同的層結(jié)構(gòu)和材料)同時(shí)擁有市場(chǎng)的情形，可迅速地區(qū)分出每種光記錄介質(zhì)的類型。
文檔編號(hào)G11B7/00GK1647164SQ03808829
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2003年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月19日
發(fā)明者浪岡高資, 高杉康史, 福永和男, 細(xì)渕利一, 涉谷義一, 平田秀樹, 須澤和樹 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社