一種復(fù)合治具的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型適用于模具領(lǐng)域，提供了一種復(fù)合治具，其包括一個(gè)下模及一個(gè)上模。該上模壓設(shè)在該下模上。該下模包括多個(gè)電子元件、多個(gè)墊圈及多個(gè)銅柱。該多個(gè)電子元件彼此之間間隔一定距離。該多個(gè)墊圈分別設(shè)置在相鄰兩個(gè)電子元件之間，以將該多個(gè)電子元件隔開(kāi)。該多個(gè)銅柱貫穿該多個(gè)墊圈，用于支撐該多個(gè)墊圈，以保持該多個(gè)電子元件之間的間隔。該多個(gè)銅柱包括直徑為2.0毫米的銅柱。該直徑為2.0毫米的銅柱設(shè)置在該電子元件密集的位置，因此該復(fù)合治具的穩(wěn)定性被有效提高。
【專利說(shuō)明】
一種復(fù)合治具
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于模具領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合治具。
【背景技術(shù)】
[0002]復(fù)合治具包括上模具及下模具。由于上模具及下模具均有多層基板堆疊而成，且每相鄰兩層基板之間均需間隔一定距離，因此需要在多層基板間設(shè)置銅支柱進(jìn)行支撐?，F(xiàn)在一般采用外徑為5.0毫米或者3.0毫米的支柱，但是在集成電路(integratedcircuit，IC)或球柵陣列結(jié)構(gòu)(Ball Grid Array，BGA)密集的位置無(wú)法添加支柱給予支撐，導(dǎo)致該復(fù)合治具在對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行測(cè)試時(shí)容易接觸不良，從而影響測(cè)試良率。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種復(fù)合治具，旨在能有效提高其穩(wěn)定性。
[0004]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種復(fù)合治具，其包括一個(gè)下模及一個(gè)上模。該上模壓設(shè)在該下模上。該下模包括多個(gè)電子元件、多個(gè)墊圈及多個(gè)銅柱。該多個(gè)電子元件彼此之間間隔一定距離。該多個(gè)墊圈分別設(shè)置在相鄰兩個(gè)電子元件之間，以將該多個(gè)電子元件隔開(kāi)。該多個(gè)銅柱貫穿該多個(gè)墊圈，用于支撐該多個(gè)墊圈，以保持該多個(gè)電子元件之間的間隔。該多個(gè)銅柱包括直徑為2.0毫米的銅柱，該直徑為2.0毫米的銅柱設(shè)置在該電子元件密集的位置。
[0005]進(jìn)一步地，該復(fù)合治具還包括一個(gè)線盤(pán)。該下模壓設(shè)在該線盤(pán)上。
[0006]進(jìn)一步地，該下模還包括一層面板。該多個(gè)電子元件設(shè)置子該面板與該線盤(pán)之間。
[0007]進(jìn)一步地，該下模包括多個(gè)探針。該多個(gè)探針均與該線盤(pán)電連接，且貫穿該多個(gè)墊圈直至伸出該面板。
[0008]進(jìn)一步地，該上模與該下?；閷?duì)稱結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步地，該多個(gè)銅柱還包括直徑為5.0毫米的支柱及直徑為3.0毫米的支柱。該直徑為5.0毫米的支柱及該直徑為3.0毫米的支柱設(shè)置在該電子元件稀疏的位置。
[0010]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于:本實(shí)用新型的該復(fù)合治具，在電子元件密集處添加直徑為2.0毫米的支柱進(jìn)行支撐，因此能有效提高該復(fù)合治具的穩(wěn)定性，以避免對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行測(cè)試時(shí)接觸不良的問(wèn)題，從而提高測(cè)試良率。
【附圖說(shuō)明】
[0011 ]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的復(fù)合治具的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型所提供的一種復(fù)合治具100，其包括一個(gè)線盤(pán)10、一個(gè)下模20及一個(gè)上模(未圖不)。
[0014]該線盤(pán)10由五層板材依次堆疊組成。在本實(shí)施例中，該板材的厚度為3.0毫米。
[0015]該下模20壓設(shè)在該線盤(pán)10上。該下模20包括多個(gè)電子元件(比如IC或BGA)201、一層面板21、多個(gè)墊圈22、多個(gè)探針23及多個(gè)銅柱24。該多個(gè)電子元件201設(shè)置在該線盤(pán)10與該面板21之間，且彼此之間間隔一定距離。該多個(gè)墊圈22分別設(shè)置在相鄰兩個(gè)電子元件201之間，以將該多個(gè)電子元件201隔開(kāi)。該多個(gè)探針23均與該線盤(pán)10電連接，且貫穿該多個(gè)墊圈22直至伸出該面板21。該多個(gè)銅柱24貫穿該多個(gè)墊圈22，用于支撐該多個(gè)墊圈22，以保持該多個(gè)電子元件201之間的間隔。該多個(gè)銅柱24包括直徑為5.0毫米的支柱241、直徑為3.0毫米的支柱242及直徑為2.0毫米的支柱243。該2.0毫米的支柱243設(shè)置在該電子元件201密集的位置，該直徑為5.0毫米的支柱241及該直徑為3.0毫米的支柱242設(shè)置在該電子元件201稀疏的位置。
[0016]該上模與該下模20互為對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且該上模壓設(shè)在該下模20上。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實(shí)用新型的該復(fù)合治具，在電子元件密集處添加直徑為2.0毫米的支柱進(jìn)行支撐，因此能有效提高該復(fù)合治具的穩(wěn)定性，以避免對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行測(cè)試時(shí)接觸不良的問(wèn)題，從而提高測(cè)試良率。
[0018]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合治具，其包括一個(gè)下模及一個(gè)上模，該上模壓設(shè)在該下模上，該下模包括多個(gè)電子元件、多個(gè)墊圈及多個(gè)銅柱，該多個(gè)電子元件彼此之間間隔一定距離;該多個(gè)墊圈分別設(shè)置在相鄰兩個(gè)電子元件之間，以將該多個(gè)電子元件隔開(kāi);該多個(gè)銅柱貫穿該多個(gè)墊圈，用于支撐該多個(gè)墊圈，以保持該多個(gè)電子元件之間的間隔，其特征在于，該多個(gè)銅柱包括直徑為2.0毫米的銅柱，該直徑為2.0毫米的銅柱設(shè)置在該電子元件密集的位置。2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合治具，其特征在于，該復(fù)合治具還包括一個(gè)線盤(pán)，該下模壓設(shè)在該線盤(pán)上。3.如權(quán)利要求2所述的復(fù)合治具，其特征在于，該下模還包括一層面板，該多個(gè)電子元件設(shè)置子該面板與該線盤(pán)之間。4.如權(quán)利要求3所述的復(fù)合治具，其特征在于，該下模包括多個(gè)探針，該多個(gè)探針均與該線盤(pán)電連接，且貫穿該多個(gè)墊圈直至伸出該面板。5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合治具，其特征在于，該上模與該下?；閷?duì)稱結(jié)構(gòu)。6.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合治具，其特征在于，該多個(gè)銅柱還包括直徑為5.0毫米的支柱及直徑為3.0毫米的支柱，該直徑為5.0毫米的支柱及該直徑為3.0毫米的支柱設(shè)置在該電子元件稀疏的位置。
【文檔編號(hào)】G01R1/04GK205506866SQ201620049443
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年1月19日
【發(fā)明人】陳代樹(shù)
【申請(qǐng)人】競(jìng)?cè)A電子(深圳)有限公司