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一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器

文檔序號:40575339發(fā)布日期:2025-01-03 13:03閱讀:32來源:國知局
一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(mems),尤其是涉及一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器。


背景技術(shù):

1、自上世紀(jì)80年代初期以來,微機(jī)電系統(tǒng)(mems)諧振式壓力傳感器逐漸成為壓力測量領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。在mems技術(shù)的支持下,壓力傳感器實(shí)現(xiàn)了微小化、高精度化和低成本化。然而,隨著應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,極端環(huán)境下的壓力傳感器應(yīng)用受到越來越多的關(guān)注,特別是在高端裝備、軍事武器、航空航天、深海探測等領(lǐng)域。在這些極端環(huán)境中,實(shí)現(xiàn)高靜壓下的微差壓檢測成為mems壓力傳感器面臨的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。

2、mems壓力傳感器可根據(jù)測試壓力的參考基準(zhǔn)分為差壓、絕壓和表壓類型,其核心敏感機(jī)制包括壓阻式、壓電式和諧振式三種。諧振式壓力傳感器因其高精度、高靈敏度和穩(wěn)定性的優(yōu)勢,在壓力測量領(lǐng)域廣受青睞,綜合精度可優(yōu)于0.01%fs。然而,對于差壓傳感器而言,如何在高靜壓背景下實(shí)現(xiàn)微小差壓檢測仍然是一項技術(shù)難題,提升差壓傳感器的靈敏度成為提升整體性能的關(guān)鍵。

3、在此背景下,國內(nèi)外許多公司和研究團(tuán)隊開始研發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。國外企業(yè)如druck、yokogawa、paroscientific和thales等早在20世紀(jì)80年代就開始了這類產(chǎn)品的研發(fā)工作。國內(nèi)的一些研究機(jī)構(gòu)和高校,如中國科學(xué)院電子學(xué)研究所、北京航空航天大學(xué)、電子科技大學(xué)、廈門大學(xué)和西北工業(yè)大學(xué)等,則于20世紀(jì)90年代開始涉足該領(lǐng)域的研究工作。成都飛機(jī)工業(yè)(集團(tuán))有限責(zé)任公司(專利文獻(xiàn):一種高靜壓環(huán)境下的微差壓mems傳感器及其制造方法,專利號:zl202010123456.9,公開日期:2022-04-05。)詳細(xì)回顧mems壓力傳感器技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用現(xiàn)狀,表明在高靜壓微差壓檢測領(lǐng)域仍存在巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展空間。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供在高靜壓環(huán)境下能夠?qū)崿F(xiàn)低靜壓誤差和高靈敏度比值的一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器。

2、為了達(dá)到這一目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

3、一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,自下至上依次設(shè)置上感壓層、平衡硅島層、諧振層、下感壓層及玻璃層;

4、所述上感壓層與平衡硅島層上部鍵合,上感壓層的上壓力膜位于一側(cè),上感壓層的上壓力膜與平衡硅島層的上主島位置匹配,以確保壓力傳遞的一致性和準(zhǔn)確性;

5、所述平衡硅島層包含上主島、下主島及副島,以及四個電極孔,用于與諧振層的電連接;平衡硅島層與諧振層緊密結(jié)合,用于平衡靜壓傳來的應(yīng)力變化,并將差壓應(yīng)力變化傳遞至諧振層;副島與下主島同一側(cè),四個電極孔在該層結(jié)構(gòu)的尾端分布且對應(yīng)諧振層電極結(jié)構(gòu),通過電極孔實(shí)現(xiàn)與諧振層的電連接;平衡硅島層可動結(jié)構(gòu)釋放槽用于鍵合固定諧振層并使得主梁有自由振動的空間;

6、所述諧振層包括平衡質(zhì)量塊、蓋板、主梁、副梁、檢測電極、驅(qū)動電極及接地電極,主梁與副梁相互連接,驅(qū)動電極用于驅(qū)動諧振副梁使得主梁產(chǎn)生初始振動幅值,根據(jù)不同壓力下輸出頻率不同,通過檢測電極檢測信號;平衡質(zhì)量塊位于上壓力膜與上主島之間,用來平衡及傳遞應(yīng)力,確保傳感器在高靜壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性;

7、所述下感壓層包括下壓力膜及下感壓層可動結(jié)構(gòu)釋放槽,下壓力膜的周邊部分與玻璃層粘結(jié),以固定整個傳感器芯體,確保傳感器的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和長期可靠性;下感壓層可動結(jié)構(gòu)釋放槽用來釋放諧振層主梁與副梁振動;

8、所述玻璃層用來固定上感壓層、平衡硅島層、諧振層、下感壓層結(jié)構(gòu),玻璃層上設(shè)有玻璃層通氣孔,玻璃層通氣孔用于下方氣體(液體)通入,使下感壓膜敏感介質(zhì)壓力并產(chǎn)生對應(yīng)的位移變化。

9、進(jìn)一步的,上感壓層的上壓力膜采用高彈性硅材料制成,以提高傳感器對壓力變化的響應(yīng)速度和靈敏度。

10、進(jìn)一步的,上感壓層采用單晶硅材料,厚度可為500微米;上感壓膜的厚度可為2微米。

11、進(jìn)一步的,平衡硅島層的上主島和下主島形成穩(wěn)定的力學(xué)結(jié)構(gòu),以減少靜壓誤差。

12、進(jìn)一步的,諧振層的平衡質(zhì)量塊采用高剛性硅材料制成,以提高諧振層的諧振穩(wěn)定性。

13、進(jìn)一步的,下感壓層的下壓力膜與玻璃層之間的粘結(jié)采用高密封性硅材料,以確保傳感器在高靜壓環(huán)境下的密封性能。

14、進(jìn)一步的,各層之間的通過高溫鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)層間緊密結(jié)合,確保傳感器的整體性和穩(wěn)定性。

15、進(jìn)一步的,電極孔通過濕法腐蝕技術(shù)制作,用于連接外部電路。

16、進(jìn)一步的,諧振層的電極通過微焊接技術(shù)與外部電路連接,以確保信號的準(zhǔn)確傳輸。

17、進(jìn)一步的,諧振層的厚度與差壓靈敏度有著密切聯(lián)系,為保證高靜壓載荷下對差壓的準(zhǔn)確敏感,諧振層的厚度經(jīng)分析優(yōu)化確定其范圍在60~70μm最佳。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:

19、1、通過上下感壓層抵抗靜壓載荷及主島夾持中間膜的設(shè)計,顯著降低靜壓對測量結(jié)果的影響,實(shí)現(xiàn)低靜壓誤差。

20、2、傳感器的差壓靈敏度與靜壓誤差的比值非常高,提高測量精度。

21、3、適用于多種高精度測量場景,尤其是在高靜壓環(huán)境下,如石油化工、航空航天、環(huán)境監(jiān)測和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。

22、4、采用先進(jìn)的微加工技術(shù),實(shí)現(xiàn)傳感器的小型化和低成本生產(chǎn),同時保證了長期穩(wěn)定性和重復(fù)性。



技術(shù)特征:

1.一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于自下至上依次設(shè)置上感壓層、平衡硅島層、諧振層、下感壓層及玻璃層;

2.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述上感壓層的上壓力膜采用高彈性硅材料制成,以提高傳感器對壓力變化的響應(yīng)速度和靈敏度。

3.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述上感壓層采用單晶硅材料,厚度為500μm;上感壓膜的厚度為2μm。

4.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述平衡硅島層的上主島和下主島形成穩(wěn)定的力學(xué)結(jié)構(gòu),以減少靜壓誤差。

5.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述諧振層的平衡質(zhì)量塊采用高剛性硅材料制成,以提高諧振層的諧振穩(wěn)定性。

6.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述下感壓層的下壓力膜與玻璃層之間的粘結(jié)采用高密封性硅材料,以確保傳感器在高靜壓環(huán)境下的密封性能。

7.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于各層之間的通過高溫鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)層間緊密結(jié)合,確保傳感器的整體性和穩(wěn)定性。

8.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述電極孔通過濕法腐蝕技術(shù)制作,用于連接外部電路。

9.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述諧振層的電極通過微焊接技術(shù)與外部電路連接,以確保信號的準(zhǔn)確傳輸。

10.如權(quán)利要求1所述一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,其特征在于所述諧振層的厚度在60~70μm。


技術(shù)總結(jié)
一種面向高靜壓環(huán)境的低靜壓誤差諧振差壓傳感器,涉及微機(jī)電系統(tǒng)。用于在高靜壓條件下實(shí)現(xiàn)低靜壓誤差和高靈敏度比值的差壓測量。傳感器采用單諧振器結(jié)構(gòu),通過中間膜的微動驅(qū)動,實(shí)現(xiàn)對流體壓力差的精確捕捉。特別在高靜壓環(huán)境下的靜壓誤差控制,通過上下感壓層抵抗靜壓載荷及主島夾持中間膜的設(shè)計,顯著降低靜壓對測量結(jié)果的影響。傳感器差壓靈敏度與靜壓誤差的比值高,在高靜壓環(huán)境下也能保持優(yōu)異的測量性能。適用于多種高精度測量場景,尤其是在石油化工、航空航天、環(huán)境監(jiān)測和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域,能為用戶提供可靠、精確的差壓測量解決方案。通過采用先進(jìn)的微加工技術(shù),實(shí)現(xiàn)小型化和低成本生產(chǎn),同時保證長期穩(wěn)定性和重復(fù)性。

技術(shù)研發(fā)人員:王凌云,李佳音,卜振翔,程至印
受保護(hù)的技術(shù)使用者:廈門大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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