本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種芯片故障定位方法。

背景技術：

1、為了在不破壞芯片的器件結構的情況下找到故障點，常采用熱輻射定位的方法，其原理是利用高分辨率紅外照相機，接收芯片中故障點在通電后所產(chǎn)生的熱輻射，由此定位故障點位置。當芯片為高壓芯片時，由于芯片在定位時施加了很高的電壓，在測試時經(jīng)常發(fā)生空氣擊穿導致打火，對芯片產(chǎn)生不可逆的損傷，導致定位被迫中斷。例如在高壓芯片測試時，將芯片背面作為正極，芯片正面作為負極，當正負極電場強度達到空氣擊穿電壓時，就會在正負極間發(fā)生放電，也稱為打火。

2、圖1為現(xiàn)有技術中芯片產(chǎn)生擊穿時電壓和電流的關系圖。請參考圖1，以1200v?sicmos芯片為例，在進行idss測試電壓升至620v時，電流突然增大，此時芯片已經(jīng)發(fā)生擊穿(圖1中圓形圈中所示)。

3、圖2為現(xiàn)有技術中芯片產(chǎn)生擊穿后的熱輻射定位圖，圖3為現(xiàn)有技術中芯片產(chǎn)生擊穿后的光學檢查圖。請參考圖2和圖3，圖2和圖3為圖1為例的芯片產(chǎn)生擊穿后的示例圖，通過對擊穿后的芯片進行熱輻射定位，在芯片的環(huán)區(qū)發(fā)現(xiàn)熱點(圖2中紅色框中所示)，此熱點為芯片的擊穿點；對熱點位置進行光學檢查后，發(fā)現(xiàn)熱點位置存在燒傷(圖3中紅色框中所示)。

4、目前，芯片發(fā)生空氣擊穿產(chǎn)生打火現(xiàn)象，可以使用耐電強度高的介質替代空氣，能夠減少打火現(xiàn)象的產(chǎn)生。例如在不影響熱信號偵測的前提下，盡可能避免空氣擊穿，可以在真空環(huán)境下或是保護氣體氛圍下進行測試，以真空環(huán)境測試為例，將芯片置于一個密閉腔體中，在測試時將腔體內(nèi)抽真空，可改善高壓測試過程中的擊穿問題。然而，為了滿足高壓測試需求，在設備中增加了真空腔體和真空泵，提高了設備成本；并且每次測試前都需要將腔體抽真空，花費大量測試時間，降低了測試效率。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種芯片故障定位方法，避免芯片在故障定位時產(chǎn)生空氣擊穿，且提高定位的準確性。

2、為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種芯片故障定位方法，包括：

3、提供芯片，所述芯片的表面具有若干焊盤；

4、提供絕緣聚合物薄膜，在所述絕緣聚合物薄膜上開設與若干所述焊盤位置對應的若干孔；

5、將所述芯片置于所述導電基板上，并將有機溶劑覆蓋于所述芯片的表面；

6、將所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的表面，且所述孔與所述焊盤位置對應以暴露出所述焊盤；

7、將所述絕緣聚合物薄膜與所述芯片貼合；

8、將所述焊盤引出，對所述芯片進行故障定位以獲得所述芯片的故障點。

9、可選的，所述絕緣聚合物薄膜的材質包括醋酸纖維素。

10、可選的，所述有機溶劑包括丙酮。

11、可選的，所述芯片的背面與所述導電基板接觸以引出所述芯片的背面電極。

12、可選的，所述有機溶劑覆蓋所述芯片的正面和側面。

13、可選的，在提供所述芯片時，所述芯片的正面具有若干所述焊盤；在將所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的表面時，所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的正面和側面，透過所述絕緣聚合物薄膜開設的孔暴露出所述焊盤。

14、可選的，采用壓縮空氣槍從所述芯片的頂部往所述芯片的四周吹氣，使得所述有機溶劑揮發(fā)將所述絕緣聚合物薄膜與所述芯片貼合。

15、可選的，采用熱輻射定位法對所述芯片進行故障定位。

16、可選的，在對所述芯片進行故障定位后，采用鑷子將所述絕緣聚合物薄膜揭下去除。

17、可選的，所述芯片的表面具有金屬層，將所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的表面時，所述絕緣聚合物薄膜與所述金屬層接觸。

18、在本發(fā)明提供的芯片故障定位方法中，提供芯片，芯片的表面具有若干焊盤；提供絕緣聚合物薄膜，在絕緣聚合物薄膜上開設與若干焊盤位置對應的若干孔；將芯片置于導電基板上，并將有機溶劑覆蓋于芯片的表面；將絕緣聚合物薄膜覆蓋芯片的表面，且孔與焊盤位置對應以暴露出焊盤；將絕緣聚合物薄膜與芯片貼合；將焊盤引出，對芯片進行故障定位以獲得芯片的故障點。本發(fā)明通過在芯片的表面覆蓋絕緣聚合物薄膜，將芯片與空氣隔絕，提高了測試耐壓，避免芯片在故障定位時產(chǎn)生空氣擊穿；并且方法中不需要加熱處理以及不使用強酸堿試劑，不會破壞芯片結構，同時絕緣聚合物薄膜能夠增強熱信號，提高定位的準確性。

技術特征：

1.一種芯片故障定位方法，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，所述絕緣聚合物薄膜的材質包括醋酸纖維素。

3.如權利要求2所述的芯片故障定位方法，其特征在于，所述有機溶劑包括丙酮。

4.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，所述芯片的背面與所述導電基板接觸以引出所述芯片的背面電極。

5.如權利要求4所述的芯片故障定位方法，其特征在于，所述有機溶劑覆蓋所述芯片的正面和側面。

6.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，在提供所述芯片時，所述芯片的正面具有若干所述焊盤；在將所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的表面時，所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的正面和側面，透過所述絕緣聚合物薄膜開設的孔暴露出所述焊盤。

7.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，采用壓縮空氣槍從所述芯片的頂部往所述芯片的四周吹氣，使得所述有機溶劑揮發(fā)將所述絕緣聚合物薄膜與所述芯片貼合。

8.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，采用熱輻射定位法對所述芯片進行故障定位。

9.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，在對所述芯片進行故障定位后，采用鑷子將所述絕緣聚合物薄膜揭下去除。

10.如權利要求1所述的芯片故障定位方法，其特征在于，所述芯片的表面具有金屬層，將所述絕緣聚合物薄膜覆蓋所述芯片的表面時，所述絕緣聚合物薄膜與所述金屬層接觸。

技術總結
本發(fā)明提供了一種芯片故障定位方法，包括：提供芯片，芯片的表面具有若干焊盤；提供絕緣聚合物薄膜，在絕緣聚合物薄膜上開設與若干焊盤位置對應的若干孔；將芯片置于導電基板上，并將有機溶劑覆蓋于芯片的表面；將絕緣聚合物薄膜覆蓋芯片的表面，且孔與焊盤位置對應以暴露出焊盤；將絕緣聚合物薄膜與芯片貼合；將焊盤引出，對芯片進行故障定位以獲得芯片的故障點。本發(fā)明能夠避免芯片在故障定位時產(chǎn)生空氣擊穿，并且提高定位的準確性。

技術研發(fā)人員：崔壯,李瑞椿
受保護的技術使用者：芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2