技術(shù)編號(hào)：40575309
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種芯片故障定位方法。背景技術(shù)、為了在不破壞芯片的器件結(jié)構(gòu)的情況下找到故障點(diǎn)，常采用熱輻射定位的方法，其原理是利用高分辨率紅外照相機(jī)，接收芯片中故障點(diǎn)在通電后所產(chǎn)生的熱輻射，由此定位故障點(diǎn)位置。當(dāng)芯片為高壓芯片時(shí)，由于芯片在定位時(shí)施加了很高的電壓，在測(cè)試時(shí)經(jīng)常發(fā)生空氣擊穿導(dǎo)致打火，對(duì)芯片產(chǎn)生不可逆的損傷，導(dǎo)致定位被迫中斷。例如在高壓芯片測(cè)試時(shí)，將芯片背面作為正極，芯片正面作為負(fù)極，當(dāng)正負(fù)極電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到空氣擊穿電壓時(shí)，就會(huì)在正負(fù)極間發(fā)生放電，也稱為打火。、圖為現(xiàn)有技...
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