1.一種基于硅硅鍵合的壓力傳感器，它包括有敏感硅片層及襯底硅片層，其特征是：敏感硅片層結(jié)構(gòu)如下：凹形敏感硅片層的上表面設(shè)置有隔離層，隔離層上表面設(shè)置有焊盤、金屬引線、屏蔽層、襯底焊盤，隔離層下表面設(shè)置有N+隔離區(qū)、P+連結(jié)區(qū)和壓敏電阻，屏蔽層與N+隔離區(qū)通過引線孔連通，焊盤與金屬引線連結(jié)在一起，金屬引線與P+連結(jié)區(qū)通過引線孔連通，P+連結(jié)區(qū)之間設(shè)置有壓敏電阻，凹形敏感硅片層的底部設(shè)置有截面為倒凹字形的硅杯，該硅杯區(qū)域為壓力膜片；敏感硅片層的硅杯杯口與襯底硅片層鍵合在一起，襯底硅片層的中心位置制備有導(dǎo)壓通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅硅鍵合的壓力傳感器，其特征在于：所述壓敏電阻和P+連接區(qū)外側(cè)隔離有一圈N+隔離區(qū)層。
3.一種基于硅硅鍵合的壓力傳感器的制造方法，它包括有敏感硅片層及襯底硅片層，其特征是：敏感硅片層結(jié)構(gòu)如下：凹形敏感硅片層的上表面設(shè)置有隔離層，隔離層上表面設(shè)置有焊盤、金屬引線、屏蔽層、襯底焊盤，隔離層下表面設(shè)置有N+隔離區(qū)、P+連結(jié)區(qū)和壓敏電阻，屏蔽層與N+隔離區(qū)通過引線孔連通，焊盤與金屬引線連結(jié)在一起，金屬引線與P+連結(jié)區(qū)通過引線孔連通，P+連結(jié)區(qū)之間設(shè)置有壓敏電阻，凹形敏感硅片層的底部設(shè)置有截面為倒凹字形的硅杯，該硅杯區(qū)域為壓力膜片；敏感硅片層的硅杯杯口與襯底硅片層鍵合在一起，襯底硅片層的中心位置制備有導(dǎo)壓通孔；
制造方法包括以下步驟：
(1)清洗敏感硅片，清洗液如下：
SPM（硫酸過氧化氫混合液）：H2SO4:H2O2=4:1
RCA1（1號液）：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5
RCA2（2號液）：HCL:H2O2:H2O=1:1:6；
(2)在敏感硅片層單晶硅材料上生長氧化層；
(3)使用光刻、擴散濃磷或注入使氧化層上形成N+隔離區(qū)；光刻、注入濃硼形成P+連接區(qū)；
(4)用離子注入工藝形成壓敏電阻；
(5)生長氧化隔離層；
(6)腐蝕背腔制作出硅杯；
(7)清洗襯底硅片，清洗液同步驟1；
(8)氧化，在襯底硅片上形成掩蔽膜；
(9)光刻，在襯底硅片上刻出腐蝕窗口；
(10)在襯底硅片上腐蝕盲孔；
(11)清洗敏感硅片、襯底硅片，清洗液同步驟1；
(12)采用等離子體處理，對硅片表面進行進一步清洗和表面活化，活化參數(shù)：O2：300 ml/min；N2：300 ml/min；射頻功率:300W；曝光時間：3min；
(13)預(yù)鍵合：真空度： 5×10-4Pa；鍵合溫度：420℃～450℃；鍵合時間：0.5hr升溫至420℃～450℃，恒溫2hr，然后2.5hr降至室溫；鍵合壓力：2000mbar；
(14)退火；隨爐升溫至1100℃，保溫2hr，停止加熱等待自然冷卻至室溫，退火過程中N2保護；
(15)形成硅硅鍵合絕壓腔體；
(16)在敏感硅片層采用光刻制出引線孔；
(17)濺射金屬、光刻形成引線及焊盤；
(18)合金化形成芯片內(nèi)部的電氣連接；
(19)濺射金屬、光刻形成屏蔽層；
(20)深反應(yīng)離子刻蝕（或機械研磨）將襯底硅片減薄直至盲孔通透，加工成導(dǎo)壓通孔，形成壓力傳感器微結(jié)構(gòu)；
(21)芯片中測，檢測敏感電阻、擊穿、漏電、表面質(zhì)量；
(22)劃片后即為加工完成的基于硅硅鍵合壓力傳感器成品。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于硅硅鍵合的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：襯底硅片層中心先腐蝕盲孔，再進行硅硅鍵合，形成絕壓腔體；之后再在敏感硅片層上制作金屬引線及焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于硅硅鍵合的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：金屬引線及焊盤制備完成后，采用深反應(yīng)離子刻蝕或機械減薄加工工藝將襯底硅片減薄，直至盲孔通透，加工成導(dǎo)壓通孔，形成壓力傳感器微結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于硅硅鍵合的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：襯底硅片導(dǎo)壓通孔的制作，先形成盲孔，在整體平面工藝制作完成后，最終形成導(dǎo)壓通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于硅硅鍵合的壓力傳感器的制造方法，其特征在于：敏感硅片層加工時，先加工敏感電阻，后腐蝕膜區(qū)。