一種真空吸附式樣品表面voc采樣裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公布了一種真空吸附式樣品表面VOC采樣裝置，使用這種采樣裝置可以對各種場館的表面進行揮發(fā)氣體的采集。VOC采樣裝置的箱體是一個一面開口的箱體，箱體內(nèi)有一個一面開口的儲氣袋，儲氣袋的開口處連接在箱體的開口處。儲氣袋的開口處有密封圈。箱體可罩在待測物表面上，密封圈與待測物表面結合，使儲氣袋和待測物表面閉合而形成一個密封的儲氣空間。箱體上安裝有至少一個氣體閥門，氣體閥門上連接一條連通儲氣空間與外界的氣體導管。本發(fā)明公布的這種VOC采樣裝置可以由操作人員攜帶至待采樣的場館中，對待測物的表面進行現(xiàn)場采樣，克服了傳統(tǒng)揮發(fā)性氣體采樣裝置破壞待測物的缺點。
【專利說明】—種真空吸附式樣品表面VOC采樣裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氣體采集裝置，特別是一種可吸附于樣品表面的VOC采樣裝置。【背景技術】
[0002]在氣體成分分析、氣味測試等檢測項目中，首先需要進行氣體采樣。例如，VOC (揮發(fā)性有機物)測試中，通常使用的一種方法是將待測物剪為合適的大小，裝入Tedlar氣體采樣袋中，放入烘箱，用合適的溫度烘烤一段時間，使待測物中的VOC揮發(fā)到袋子中，然后抽取袋子中的氣體，制成試樣上機測試。
[0003]這種方法屬于有損檢測，需要將待測物破壞，用于一般的批量生產(chǎn)的產(chǎn)品是合適的，但是對于不可破壞的待測物就無能為力了。例如，對體育場館中塑膠場地進行VOC檢測，必須要能夠在不破壞場地的前提下，對場地表面的揮發(fā)性有機物進行現(xiàn)場采集。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種可以在各種場館中現(xiàn)場采樣的VOC采樣裝置。
[0005]本發(fā)明為解決公知技術中存在的技術問題所采取的技術方案是:
[0006]VOC采樣裝置是一個敞口的箱體；箱體I是雙層結構，包括箱體內(nèi)層11和箱體外層12，兩層箱體之間由支架13連接和支撐，箱體內(nèi)層和箱體外層之間的空間為真空倉14 ；箱體內(nèi)層和箱體外層的開口處都有密封圈4，分別為內(nèi)密封圈41和外密封圈42 ;所述箱體外層12安裝真空閥門，接真空泵；所述箱體內(nèi)層11內(nèi)有一個一面開口的儲氣袋6，儲氣袋6的開口連接在內(nèi)密封圈41上；所述箱體I可罩在待測物表面上，密封圈與待測物表面結合，使儲氣袋6和待測物表面閉合而形成一個密封的儲氣空間5 ;所述VOC采樣裝置帶有空氣凈化裝置，與儲氣空間聯(lián)通；所述VOC采樣裝置帶有加熱裝置。
[0007]優(yōu)選方案為:
[0008]所述箱體內(nèi)層和箱體外層由金屬材料制成。
[0009]所述箱體內(nèi)層和箱體外層的側面由長條狀金屬板拼接而成，相鄰金屬板之間填充硅膠。
[0010]所述密封圈是可更換的。
[0011]加熱裝置7是安裝在箱體內(nèi)的紅外加熱器，置于儲氣空間5外，照射的方向為面向箱體I開口的方向。
[0012]加熱裝置是電阻式加熱器。
[0013]加熱裝置是微波加熱器
[0014]VOC采樣裝置具有控溫模塊，所述控溫模塊包括溫度傳感器、控制器，傳感器放置于待測物表面和箱體中。
[0015]所述VOC采樣裝置的溫度由控溫模塊的程序自動控制，即，由程序對溫度感應器反饋的溫度和預設溫度進行比較，根據(jù)比較的結果，控制加熱裝置的開關或功率大小，使采樣裝置內(nèi)的溫度穩(wěn)定地保持在預設溫度附近。
[0016]使用本發(fā)明提供的VOC采樣裝置，可以對大型的、不可破壞的待測物進行VOC的現(xiàn)場無損采樣，避免了傳統(tǒng)VOC采樣過程對待測物的破壞。由操作人員攜帶VOC采樣裝置至待采樣的場館中，將采樣裝置罩在待測物的表面上，形成密封空間，等待測物的VOC慢慢進入儲氣空間，取出測試即可。加熱裝置可以加快VOC從待測物中揮發(fā)出來的速度。雙層的箱體結構，可以在箱體內(nèi)層、箱體外層和待測物表面形成真空倉，大氣對箱體施加朝向待測物表面的壓力，使箱體吸附在待測物上，即使在普通采樣裝置不方便放置的位置，如側面和頂面，也能很好的安裝和采樣，同時在采樣時具有更好的密封性和隔熱性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是應用本發(fā)明的一種VOC采樣裝置的剖面結構示意圖；
[0018]圖2是箱體的雙層結構示意圖。
[0019]圖中標記:1_箱體，11-箱體內(nèi)層，12-箱體外層，13-支架，14-真空倉，2_氣體閥門，3-氣體導管，4-密封圈，41-內(nèi)密封圈，42-外密封圈，5-儲氣空間，6-儲氣袋，7-加熱裝置。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步的說明:
[0021]圖1所示的是一種應用本發(fā)明的VOC采樣裝置，其箱體I是一個底面開口的雙層箱體，箱體I的開口處有密封圈4。使用時，將箱體I罩在待測物表面上，內(nèi)密封圈41與待測物表面結合，形成為一個密封的儲氣空間5。箱體內(nèi)層、箱體外層和待測物表面形成真空倉，用真空泵通過真空閥門對真空倉進行抽氣，使箱體吸附在待測物上，在采樣時具有更好的密封性，同時，真空倉還可以代替保溫材料起到隔熱作用。為了保證儲氣空間5中的氣體不受外界干擾，箱體I的內(nèi)壁應選用無揮發(fā)的，無吸附，化學穩(wěn)定性高的材料(如，不銹鋼)制成，以確保除待測物VOC之外的氣體揮發(fā)物不會進入儲氣空間5，以及氣體不會與箱體I的內(nèi)壁發(fā)生化學反應。
[0022]箱體I上安裝有兩個氣體閥門2，一個氣體閥門2與空氣凈化裝置連接，另一個閥門連通儲氣空間5與外界。在進行VOC采樣之前，需要對儲氣空間5進行清洗，清洗的方法是:用氣泵將空氣壓入空氣凈化裝置，空氣中的水蒸氣，碳氧化物，氮氧化物和VOC等被空氣凈化裝置中的吸附物質(zhì)所吸附，純凈空氣輸入到儲氣空間中。
[0023]箱體I的開口處安裝兩個密封圈，其中內(nèi)層的密封圈的彈性模量較小，并比外層密封圈略微突出。當箱體I放置在待測物表面上時，首先接觸到待測物表面的是內(nèi)層的密封圈，對于平整性不好的待測物表面，內(nèi)層密封圈會產(chǎn)生較大的彈性形變，與待測物表面盡可能的貼合；而外層密封圈對于光滑表面的適應性比較好。這樣兩層密封圈可以有效地提高整個裝置的密封性。
[0024]由于箱體開口處留有多個密封圈槽，因此,密封圈的數(shù)量、大小、質(zhì)地有較大的選擇余地，方便根據(jù)不同的待測物表面選擇不同的密封圈的組合，以達到最好的密封效果。
[0025]VOC采樣裝置安裝加熱裝置7，作用是加快VOC的揮發(fā)速度。在本例中，加熱裝置7是安裝在箱體I內(nèi)的紅外加熱器，置于儲氣空間5外,照射的方向為面向箱體I的開口方向，即面向待測物的方向。
[0026]如發(fā)現(xiàn)紅外加熱的效率不高，也可采用電阻式加熱方式。
[0027]VOC采樣裝置具有控溫模塊，所述控溫模塊包括溫度感應器、計算機芯片和控制面板?？販啬K的作用是使采樣裝置內(nèi)儲氣空間5維持在適當?shù)臏囟?。開始加熱之前，操作人員通過控制面板設定所需要的溫度和加熱時間?？販氐倪^程由程序自動控制，即，由程序對溫度感應器反饋的溫度和預設溫度進行比較，根據(jù)比較的結果，控制加熱裝置的開關或功率大小，使采樣裝置內(nèi)的溫度穩(wěn)定地保持在預設溫度附近。
[0028]在加熱結束前約5min時，將氣體收集設備如Tenax TA以及DNPH吸附管、流量計等連接到采樣箱的氣體閥門2。加熱結束時，打開內(nèi)部氣體閥門2，開始收集。
[0029]VOC采樣裝置帶有真空吸附裝置8，如圖2所示，箱體I外安裝兩個真空吸附裝置8，該裝置是一個帶有真空閥門9的吸盤10，將吸盤10貼緊待測物表面，用真空泵通過真空閥門9抽出吸盤10內(nèi)的空氣，則吸盤會受到大氣壓力的作用而固定在待測物上。真空吸附裝置8可以對箱體I施加一個朝向待測物表面的壓力，使VOC采樣裝置更牢固地固定在待測物上，并且提高儲氣空間5的密封性。安裝真空吸附裝置以后，VOC采樣裝置能夠固定在建筑物的側面及頂面，可以用于采集墻面、屋頂?shù)膿]發(fā)性氣體。箱體I四周應留有多個安裝真空吸附裝置的接口，使VOC采樣裝置可以滿足多種情況的采集需求。
[0030]以上所述，僅是用以說明本發(fā)明的具體實施案例而已，并非用以限定本發(fā)明的可實施范圍，舉凡本領域熟練技術人員在未脫離本發(fā)明所指示的精神與原理下所完成的一切等效改變或修飾，仍應由本發(fā)明權利要求的范圍所覆蓋。
【權利要求】
1.一種真空吸附式樣品表面VOC采樣裝置，其特征在于:voc采樣裝置是一個敞口的箱體；箱體(I)是雙層結構，包括箱體內(nèi)層(11)和箱體外層(12)，兩層箱體之間由支架(13)連接和支撐，箱體內(nèi)層和箱體外層之間的空間為真空倉(14);箱體內(nèi)層和箱體外層的開口處都有密封圈(4)，分別為內(nèi)密封圈(41)和外密封圈(42);所述箱體外層(12)安裝真空閥門，接真空泵；所述箱體內(nèi)層(11)內(nèi)有一個一面開口的儲氣袋(6)，儲氣袋(6)的開口連接在內(nèi)密封圈(41)上；所述箱體(I)可罩在待測物表面上，密封圈與待測物表面結合，使儲氣袋(6)和待測物表面閉合而形成一個密封的儲氣空間(5);所述VOC采樣裝置帶有空氣凈化裝置，與儲氣空間聯(lián)通；所述VOC采樣裝置帶有加熱裝置。
2.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述箱體內(nèi)層和箱體外層由金屬材料制成。
3.根據(jù)權利要求2所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述箱體內(nèi)層和箱體外層的側面由長條狀金屬板拼接而成，相鄰金屬板之間填充硅膠。
4.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述密封圈是可更換的。
5.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述加熱裝置(7)是安裝在箱體內(nèi)的紅外加熱器，置于儲氣空間(5)外,照射的方向為面向箱體(I)開口的方向。
6.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述加熱裝置是電阻式加熱器。
7.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述加熱裝置是微波加熱器。
8.根據(jù)權利要求1所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述VOC采樣裝置具有控溫模塊，所述控溫模塊包括溫度傳感器、控制器，傳感器放置于待測物表面和箱體中。
9.根據(jù)權利要求8所述的VOC采樣裝置，其特征是:所述VOC采樣裝置的溫度由控溫模塊的程序自動控制，即，由程序對溫度感應器反饋的溫度和預設溫度進行比較，根據(jù)比較的結果，控制加熱裝置的開關或功率大小，使采樣裝置內(nèi)的溫度穩(wěn)定地保持在預設溫度附近。
【文檔編號】G01N1/22GK103728162SQ201410019099
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2014年1月16日 優(yōu)先權日:2014年1月16日
【發(fā)明者】董寧, 陳益思, 戴煦 申請人:深圳市華測檢測技術股份有限公司