專利名稱：多晶硅結晶質量檢測裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體薄膜的檢測裝置，尤其涉及多晶硅結晶質量檢測裝置。
背景技術：
低溫多晶硅工藝是利用準分子激光退火處理使非晶硅薄膜轉變?yōu)槎嗑Ч杞Y構。多 晶硅薄膜晶體管的電子移動速度隨著多晶硅薄膜的晶粒尺寸增加而增加，而多晶硅薄膜的 晶粒尺寸又與施加于非晶硅薄膜的激光能量密度有關。因此，需要對多晶硅薄膜進行檢測 以調整所施加的激光能量，以便獲得最佳的多晶硅薄膜的結晶品質。 為了檢測多晶硅薄膜的結晶品質，一般通過用500至1000倍以上的光學顯微鏡 來觀察薄膜表面粗糙度來作為多晶硅薄膜的結晶品質指標，這種方式主要依賴人的肉眼判 斷，因此難以獲得精確的測量結果，也不適用于大尺寸的多晶硅薄膜。另一種方法是采用掃 描電子顯微鏡來檢測多晶硅薄膜的結晶質量，但這種方法為破壞性檢測，并且須耗費許多 時間來制作樣本及進行觀測，效率低，影響產能。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠快速、精確的檢測多晶硅薄膜結晶 質量的檢測裝置，從而取代原有的破壞性檢測方式，更加有效的監(jiān)控多晶硅薄膜質量，同時 還能夠提高產能。 為了解決上述技術問題，本實用新型通過以下的技術方案予以實現(xiàn) —種多晶硅結晶質量檢測裝置，包括襯底，所述襯底斜上方設置有激光光源，所述
激光光源的光路上設置有可形成第一光束和第二光束的分光器，所述第一光束的光路上設
置有第一光強度檢測器，所述第二光束于襯底的折射光路上設置有第二光強度檢測器，所
述第一光強度檢測器與第二光強度檢測器共同連接有計算單元。所述激光光源的激光波長為266nm 316nm。 所述第一光束與第二光束的分光比為30 40% : 70 60%。 所述襯底為玻璃襯底。 本實用新型的有益效果是 由于經(jīng)過多晶硅層反射的光束，其光強度會隨著表面粗糙度的增加而降低，在形 成最大晶粒之后，光強度也會隨著晶粒尺寸下降而增加。另一方面，測量光源會因衰減或受 干擾而影響測量的光強度，本裝置利用光強度比率作為檢測結晶質量的指標，有效地拍排 除了這一問題。因此本裝置可以快速而精確的即時檢測多晶硅薄膜的結晶質量，從而有效 地監(jiān)控多晶硅薄膜的結晶效果并提高產能。同時利用本裝置進行檢測為非破壞性檢測，因 此可以降低生產成本。
圖1是本實用新型一種實施例的結構示意圖。 圖中激光光源——l，襯底——2，分光器——3，第一光強度檢測器——4，第二光 強度檢測器——5，計算單元——6，多晶硅層——7。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細描述 如圖l所示，本實用新型提供了一種多晶硅結晶質量檢測裝置，包括襯底2，其表 面覆蓋有一多晶硅層7，例如，所述襯底2以是玻璃襯底。所述襯底2斜上方設置有激光光 源1 ，所述激光光源1光路上分光器3，所述分光器3接受激光光源1所發(fā)出的測量光，并將 其分成第一光束和第二光束。在本實施例中，所述測量光具有既定的波長，例如在266nm到 316nm的范圍內。其中，所述第一光束與第二光束的分光比為30 40% : 70 60%。第 二光束用于照射到多晶硅層7。 所述第一光束的光路上設置有第一光強度檢測器4，第一光強度檢測器4用于檢 測第一光束的光強度；所述第二光束于襯底的折射光路上設置有第二光強度檢測器5，第 二光強度檢測器5用于檢測第二光束的光強度。 所述第一光強度檢測器4與第二光強度檢測器5共同連接有計算單元6，用以計算
第一光束和第二光束的光強度比率，根據(jù)此比率來監(jiān)測多晶硅層7的結晶品質。 盡管上面結合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進行了描述，但是本實用新型并不
局限于上述的具體實施方式
，上述的具體實施方式
僅僅是示意性的，并不是限制性的，本領
域的普通技術人員在本實用新型的啟示下，在不脫離本實用新型宗旨和權利要求所保護的
范圍情況下，還可以作出很多形式德變換，這些均在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求一種多晶硅結晶質量檢測裝置，包括襯底，其特征在于，所述襯底斜上方設置有激光光源，所述激光光源的光路上設置有可形成第一光束和第二光束的分光器，所述第一光束的光路上設置有第一光強度檢測器，所述第二光束于襯底的折射光路上設置有第二光強度檢測器，所述第一光強度檢測器與第二光強度檢測器共同連接有計算單元。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種多晶硅結晶質量檢測裝置，其特征在于，所述激光光源的激光波長為266nm 316nm。
3. 根據(jù)權利要求1所述的一種多晶硅結晶質量檢測裝置，其特征在于，所述第一光束與第二光束的分光比為30 40% : 70 60%。
4. 根據(jù)權利要求1所述的一種多晶硅結晶質量檢測裝置，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底。
專利摘要本實用新型公開了一種多晶硅結晶質量檢測裝置，包括襯底，所述襯底斜上方設置有激光光源，所述激光光源的光路上設置有可形成第一光束和第二光束的分光器，所述第一光束的光路上設置有第一光強度檢測器，所述第二光束于襯底的折射光路上設置有第二光強度檢測器，所述第一光強度檢測器與第二光強度檢測器共同連接有計算單元。本實用新型能夠快速、精確的檢測多晶硅薄膜結晶質量，從而取代原有的破壞性檢測方式，更加有效的監(jiān)控多晶硅薄膜質量，同時還能夠提高產能。
文檔編號G01N21/01GK201444141SQ20092002895
公開日2010年4月28日 申請日期2009年7月6日 優(yōu)先權日2009年7月6日
發(fā)明者劉豐 申請人:濟寧凱倫光伏材料有限公