專利名稱：半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法、半導體器件及其 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件的測試技術(shù)，特別涉及用于老化等半導體器件的可靠性測試等的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法及半導體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
半導體器件在其開發(fā)過程和批量生產(chǎn)工序中，在試作、制造的狀態(tài)下，需要對該產(chǎn)品壽命進行測試，在通常各種環(huán)境下放置半導體器件，進行其可靠性測試。一般的半導體測試工序，首先對形成了構(gòu)成電路的半導體元件的半導體晶片進行電特性測試，進行半導體芯片的良好/不良的挑選。接著，進行劃片，將晶片分離成各個芯片。接著，在封裝狀態(tài)下進行組裝。隨后，進行電特性測試，進行封裝的良好/不良的挑選。接著，進行老化測試(高溫偏置測試)，進行可靠性鑒別。該老化測試在幾百℃下實施幾十至幾百小時，以便淘汰晶體管的柵極氧化膜破損和半導體元件的布線斷線或短路這樣的初期不良。
接著，作為最終檢查，進行電特性測試。在以往的半導體器件的可靠性測試中，需要長時間將半導體芯片進行封裝裝配后再進行測試。在一般的半導體測試工序中，沒有可靠性的芯片組裝成為成本上升的問題。特別是如MCM(Multi Chip Module；多芯片模塊)那樣在一個封裝中搭載多個芯片的情況下，為了供給COB(Chip On Board；芯片直接組裝)的管芯對，需要KGD(Known Good Die；確認優(yōu)質(zhì)管芯)技術(shù)，最好在組裝工序之前實施老化測試。
相反，作為芯片等級的老化測試，對每個劃片后的芯片收容在虛擬的封裝中，也可以進行老化測試。但是，在該方法中，由于KGD，所以存在增加成本、工序數(shù)和工序時間的問題。
因此，提出了晶片等級的老化測試。如(日本)特開平10-284556號公報等中披露的那樣，在晶片級老化測試中，使用老化裝置，在基座上使形成了電極的元件面朝上來保持晶片，該裝置包括在與該晶片上設(shè)置的電極對置的位置上具有突起電極的多層薄片，在與該電極對置的位置上具有導電性的柔軟部件，具有形成了對測試電路的布線的良好平坦性的老化基材單元，以及施加壓力的機構(gòu)。
在以上那樣的現(xiàn)有的半導體測試裝置中，產(chǎn)生以下的課題。在晶片等級老化測試中，由于帶有晶片中設(shè)置的電極突點的高度偏差，所以需要施加大的壓力，特別是在薄晶片的情況下，施加負荷的晶片有產(chǎn)生缺口、破裂等危險性。此外，在多層的薄片中，對于電極，用100μm細的節(jié)距、50μm長度的電極來設(shè)置導電體部，但在推進電極間的窄節(jié)距化、電極尺寸的縮小化的情況下，被認為不能獲得充分的接觸面積。
特別是在作為被測試電子部件的晶片的電極上有凹凸，如果晶片自身在其自重下歪斜到達，則即使例如在強壓力下將晶片壓縮到測試基板上，也不能獲得穩(wěn)定的測試結(jié)果。此時，為了使晶片上的所有電極被集中接觸，在現(xiàn)有的老化裝置的構(gòu)造中，為了避免對晶片施加局部的載荷，在基材上需要嚴格的平坦性。而且，為了緩和基材與晶片的熱膨脹率的差造成的電極間位置偏移和機械應力，需要多層薄片和部件這兩個構(gòu)成元件，這些構(gòu)成元件基本上是消耗品，所以部件的成本上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決以上的現(xiàn)有技術(shù)的課題。本發(fā)明的目的更在于提供能夠保持良好的電接觸來進行具有微細電極構(gòu)造的被測試電子部件的測試的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法及半導體器件的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的特征在于，提供一種半導體測試裝置，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用絕緣性材料形成，有上表面和下表面，并至少設(shè)置一個以上的通孔；多層布線基板，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置在所述接觸基板的下表面上，設(shè)置至少一個以上的通孔；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件、所述接觸基板、以及所述多層布線基板。
本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體測試裝置，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用絕緣性材料形成，有上表面和下表面，并至少設(shè)置一個以上的通孔；布線電路，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置在所述接觸基板的上表面或下表面的其中一個上，或附著在兩方上；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件和所述接觸基板。
本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體測試裝置，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用通氣性的多孔的絕緣性材料形成，有上表面和下表面；多層布線基板，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置在所述接觸基板的下表面上，用通氣性的絕緣材料形成；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件、所述接觸基板、以及所述多層布線基板。
本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體測試裝置，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用通氣性的多孔的絕緣性材料形成，有上表面和下表面；布線電路，與所述測試信號布線和所述導電通路電連接，配置在所述接觸基板的上表面或下表面的其中一個上，或附著設(shè)置在兩方上；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件和所述接觸基板。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件測試用接觸基板，由PTFE、包含芳族聚酰胺的液晶性聚合物或聚酰亞胺的其中之一構(gòu)成的通氣性的絕緣材料形成，有上表面和下表面，在內(nèi)部具有將該上表面和下表面之間連接的導電通路。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件的測試方法，該方法包括以下步驟準備接觸基板，該接觸基板由通氣性的多孔的絕緣材料形成，在該多孔的絕緣材料內(nèi)部有電鍍或充填金屬形成的導電通路；準備被測試電子部件，該被測試電子部件在電極上形成電極端子、焊料突點或金突點；將該被測試電子部件的所述電極端子、焊料突點或金突點和所述接觸基板的導電通路進行連接；以及在所述被測試電子部件上，提供測試信號進行測試。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟準備由通氣的多孔的絕緣材料形成的基板、以及在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部有電鍍或填充金屬而形成的導電通路的接觸基板；在所述接觸基板上搭載所述電子部件，使得所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點可接觸到所述接觸基板的導電通路；連接所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點及所述接觸基板的導電通路；向所述電子部件提供測試信號并進行測試；以及結(jié)束對所述電子部件提供所述測試信號的步驟，提供半導體器件。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟在電子部件的表面上形成電極端子、焊料突點或金突點；準備由通氣的多孔的絕緣材料形成的基板、以及在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部有電鍍或填充金屬而形成的導電通路的接觸基板；在所述接觸基板上搭載所述電子部件，使得所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點可接觸到所述接觸基板的導電通路；連接所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點及所述接觸基板的導電通路；在所述接觸基板上填充具有任意的熱膨脹系數(shù)和彈性率的樹脂；向所述電子部件提供測試信號并進行測試；以及結(jié)束對所述電子部件提供所述測試信號的步驟，提供半導體器件。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件，它包括電子部件，將電子電路元件形成在內(nèi)部，在其表面上形成電極端子、焊料突點或金突點；以及接觸基板，由通氣性的多孔的絕緣材料形成，在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部電鍍或填充金屬來形成，有連接到所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點的導電通路。
而且，本發(fā)明的另一特征在于，提供一種半導體器件，它包括半導體器件測試用接觸基板，由PTFE、包含芳族聚酰胺的液晶性聚合物或聚酰亞胺的其中之一構(gòu)成的通氣性的多孔絕緣材料形成，有上表面和下表面，在內(nèi)部具有將該上表面和下表面之間連接的導電通路，所述導電通路在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部電鍍或填充金屬來形成，在所述導電通路以外的所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部填充具有任意的熱膨脹系數(shù)和彈性率的樹脂；以及半導體芯片，被搭載在該半導體器件測試用接觸基板上。


圖1表示本發(fā)明第1實施方式的半導體測試裝置的剖面圖。
圖2表示本發(fā)明第1實施方式的半導體測試裝置的俯視圖。
圖3(A)是本發(fā)明第1實施方式的接觸基板的剖面圖，圖3(B)是放大表示本發(fā)明第1實施方式的接觸基板的局部剖面圖。
圖4表示本發(fā)明第1實施方式的變形例的半導體測試裝置的剖面圖。
圖5表示本發(fā)明第2實施方式的被測試電子部件的剖面圖。
圖6表示本發(fā)明第2實施方式的半導體測試裝置的剖面圖。
圖7(A)是表示本發(fā)明第2實施方式的一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(B)是表示本發(fā)明第2實施方式的另一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(C)是表示本發(fā)明第2實施方式的另一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(D)是表示本發(fā)明第2實施方式的另一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(E)是表示本發(fā)明第2實施方式的另一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(F)是表示本發(fā)明第2實施方式的另一例通孔構(gòu)造的斜視圖，圖7(G)是表示本發(fā)明第2實施方式的一例通孔構(gòu)造的斜視圖。
圖8表示本發(fā)明第3實施方式的接觸基板的斜視圖。
圖9(A)是表示本發(fā)明第3實施方式的一例接觸基板的剖面圖，圖9(B)是表示本發(fā)明第3實施方式的一例接觸基板的剖面圖，圖9(C)是表示本發(fā)明第3實施方式的一例接觸基板的俯視圖，圖9(D)是表示本發(fā)明第3實施方式的一例接觸基板的俯視圖，圖9(E)是表示本發(fā)明第3實施方式的一例接觸基板的俯視圖。
圖10表示本發(fā)明第4實施方式的接觸基板的斜視圖。
圖11表示本發(fā)明第4實施方式的半導體測試裝置的剖面圖。
圖12(A)是表示本發(fā)明第4實施方式的一例接觸基板的剖面圖，圖12(B)是表示本發(fā)明第4實施方式的一例接觸基板的剖面圖，圖12(C)是表示本發(fā)明第4實施方式的一例接觸基板的剖面圖。
圖13(A)是表示本發(fā)明第5實施方式的接觸基板構(gòu)造的剖面圖，圖13(B)是放大表示本發(fā)明第5實施方式的接觸基板的局部剖面圖。
圖14表示本發(fā)明第6實施方式的變形例的半導體測試裝置的剖面圖。
圖15(A)是表示本發(fā)明第7實施方式的半導體器件的測試方法的一步驟的剖面圖，圖15(B)是表示本發(fā)明第7實施方式的半導體器件的測試方法的一步驟的剖面圖，圖15(C)是表示本發(fā)明第7實施方式的半導體器件的測試方法的一步驟的剖面圖。
圖16(A)是表示本發(fā)明第8實施方式的半導體器件的制造方法的一工序的剖面圖，圖16(B)是表示本發(fā)明第8實施方式的半導體器件的制造方法的一工序的剖面圖。
具體實施例方式
(第1實施方式)使用圖1至圖3來說明本發(fā)明的第1實施方式的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板。圖1表示本實施方式的半導體測試裝置的剖面圖。在作為測試對象的被測試電子部件的半導體晶片1中，將多個電極2設(shè)置在晶片元件面3的表面上。該半導體晶片1的晶片元件面3的反面為晶片背面4。在該半導體晶片1下，設(shè)置接觸基板(接觸薄片)5。該接觸基板5有上表面和下表面，在遍及接觸基板5的上表面和下表面設(shè)置的通孔6分別與半導體晶片1進行電氣及機械連接。
在接觸基板5中，在與被測試電子部件的半導體晶片1的電極2相同的位置上設(shè)置通孔5。即，在與半導體晶片的電極2對置的位置上設(shè)置通孔6。
在接觸基板5的下方設(shè)置多層布線基板7。在該多層布線基板7中，在其表面及內(nèi)部設(shè)置布線10，被電連接到接觸基板5的通孔6。在與接觸基板5的通孔6對置的位置，將電極端子8設(shè)置在多層布線基板7的上表面上。在沒有設(shè)置該電極端子8的部分，設(shè)置從多層布線基板7的上表面連通至下表面的貫通孔9。電極端子8通過布線10，經(jīng)測試信號布線12連接到測試器13。在該多層布線基板7內(nèi)，設(shè)置具有多個層構(gòu)造的布線10，布線10上下貫通多層布線基板7并與設(shè)置的上下布線35進行一對一連接。該上下布線35按照連接的布線10的位置來設(shè)定其長度。
然后，半導體晶片1、接觸基板5、及多層布線基板7通過吸附機構(gòu)11被固定。即，這些構(gòu)成元件由穿過接觸基板5的吸附力、以及通過貫通多層布線基板7的上下表面的貫通孔9的吸附保持力來固定。即，該吸附力在圖1中表示為向下的箭頭。然后，通過外殼14來包圍半導體晶片1、接觸基板5、多層布線基板7、吸附機構(gòu)11。在該半導體測試裝置為老化裝置時，在外殼14中，為了使被測試電子部件上升到期望的老化溫度，在被測試電子部件中容納產(chǎn)生供熱環(huán)境的加熱元件(未圖示)?；蛘撸O(shè)置半導體晶片的發(fā)熱等吸熱機構(gòu)(未圖示)和半導體晶片的發(fā)熱等放熱機構(gòu)(未圖示)。
此外，在吸附機構(gòu)11中，將搭載多層布線基板7的載物臺構(gòu)成為金屬箱，在多層布線基板7的接受部分設(shè)置孔或槽來吸附多層布線基板7。作為另一例，將多孔陶瓷板設(shè)置在多層布線基板7的接受部分，來吸附多層布線基板7。
表示該半導體測試裝置的外殼內(nèi)部構(gòu)造的俯視圖示于圖2。這里，透視表示半導體晶片1的電極2。即，如圖1的剖面圖所示，半導體晶片1的電極2與接觸基板5的上表面對置設(shè)置，實際上從上面不能觀察到。半導體晶片的電極2被設(shè)置多個，在每個半導體芯片20中以相同個數(shù)、相同配置來設(shè)置。在接觸基板5的下面，設(shè)置多層布線基板7。這里，接觸基板5也可以是圖示的圓盤狀形狀以外的四角形，只要與被測試電子部件的電極一致來配置通孔，其外形為容易獲得的形狀就可以。
下面，用圖3說明接觸基板5的構(gòu)造。在表示接觸基板5的剖面的圖3(A)中，表示在多個通孔6之間設(shè)置貫通上下表面的貫通孔25的情況。在作為圖3(A)的一部分X的放大圖的圖3(B)中，如剖面圖所示，由網(wǎng)孔狀的不規(guī)則構(gòu)造的多孔體的薄片基材26來形成接觸基板5。在該薄片基材26中，設(shè)置多個空孔27。該空孔27不僅設(shè)置在該剖面上，而且遍及薄片基材26整體來設(shè)置。
這里，在通孔部28中，在空孔27內(nèi)形成填充導電性金屬、例如銅的通孔6。該空孔27有可相互連接的部分，在該部分，形成接觸基板5的從上到下的通孔6。就接觸基板5的薄片基材來說，通過使用包含PTFE(Polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)和聚酰亞胺或芳族聚酰胺的液晶性聚合物等絕緣性的多孔(網(wǎng)孔狀)薄片，可獲得非常良好的吸附力。這是因為除了多孔薄片的通氣性良好以外，還利用其彈性來吸收接觸基板5及半導體晶片1表面的凹凸。
在該接觸基板5中，例如以70％至80％的開口率來設(shè)置空孔，所以在接觸基板5的上表面和下表面間，可進行充分的氣壓傳遞。此外，還通過在老化加熱時通孔6以外的薄片部彎曲，來吸收與半導體晶片1的熱膨脹率的差，具有不造成電極2間的位置偏移的效果。
這里，將銅用作布線和通孔的原因在于，其電阻率非常小，也可以使用其他電阻率小的導電材料取代銅。通過將該多孔的薄片基材26用作接觸基板5，由于形成通孔6，所以不需要在通孔部28中設(shè)置開口的工序。這里，作為通孔形狀，可以為圓形、長方形、圓錐型、梯形等任意的形狀。再有，作為接觸基板，也可以設(shè)置多個貫通孔來取代多孔薄片，使用開口率高的薄片。此外，如圖3(B)所示，在設(shè)置多個空孔，成為可吸附狀態(tài)的接觸基板的情況下，不設(shè)置貫通孔也可以。再有，為了具有接觸基板的通用性，也可以將通孔設(shè)置在被測試電子部件的電極數(shù)目以上，以便可用于多種被測試電子部件。
此外，多層布線基板7中設(shè)置的貫通孔9最好設(shè)置在與接觸基板5的貫通孔25相同的位置，以便氣體的流動。這樣的多層布線基板7也可以是從在用作布線的布線部分以外設(shè)置多個的開口部通過氣體，可以使氣壓在其上下間傳遞的構(gòu)造。將高溫施加在被測試電子部件上，進行測試電特性的老化測試的吸附機構(gòu)的吸附力使被測試電子部件緊貼在接觸基板上，同時使接觸基板緊貼在多層布線基板上，并且獲得可從測試電路向被測試電子部件的測試信號輸入輸出端子以小電阻流過電流的接觸面積就可以。
根據(jù)本實施方式，即使在被測試電子部件的電極數(shù)多時，也可以在接觸基板的下面設(shè)置布線基板，實現(xiàn)必要的通孔和布線，通過吸附力在整個面為均勻的壓力下使被測試電子部件的電極與接觸基板的電極接觸，即使在被測試電子部件大的情況下，也可以獲得穩(wěn)定的測試結(jié)果。
這樣，在半導體測試裝置中，通過用于半導體晶片和測試電路之間電連接的接觸基板為多孔體，在接受接觸基板的載物臺上設(shè)置吸附機構(gòu)，即使不對半導體晶片和測試基板進行加壓控制，在半導體晶片的電極和接觸基板的突點之間也可以施加均勻的載荷，容易獲得穩(wěn)定的電接觸。
特別是在本實施方式中，在使半導體晶片的電極和接觸基板的突點接觸時利用吸附力，所以可對半導體晶片所有的電極施加均勻的力。這樣，可以對半導體晶片上的電極施加均等的載荷，即使在更薄、尺寸大的半導體晶片情況下，也可以使電極、突點間接觸而不對半導體晶片產(chǎn)生過剩的負荷。此外，接觸基板為多孔體，所以可從接觸基板全面進行吸附，特別是在電極數(shù)大的情況下，也可以獲得充分的接觸。
在本實施方式中，被測試的被測試電子部件不限于半導體晶片，也可以是半導體芯片、搭載于封裝中的半導體器件等電子部件。
這樣，根據(jù)本實施方式，即使在作為被測試電子部件的半導體晶片的電極上有凹凸，半導體晶片本身在其自重下歪斜到達，在形成半導體晶片電極的整個面上以均勻的吸附力將半導體晶片壓縮在接觸基板上，所以也可以防止半導體晶片的每個電極與接觸基板的突點的接觸面積有所不同，可以獲得穩(wěn)定的測試結(jié)果。
與現(xiàn)有的晶片等級的老化測試裝置相比，可以削減測試中的制造工序數(shù)、測試裝置的部件材料數(shù)。
(第1實施方式的變形例)在本變形例中，提供圖4所示構(gòu)造的半導體測試裝置。這里，接觸基板的構(gòu)造與第1實施方式有所不同，并且不使用多層布線基板，而除此以外具有與第1實施方式相同的構(gòu)造。該接觸基板29有上表面和下表面，在接觸基板29的上表面和下表面中，設(shè)置布線30。在該布線30中，將一對一連接的通孔31遍及接觸基板29的上表面和下表面來設(shè)置。再有，在通孔31中，也可以存在僅配置在接觸基板29的上表面，而不貫通至下表面來設(shè)置的電極通孔33。僅設(shè)置在該接觸基板29的上表面的電極通孔33被連接到接觸基板29的上表面中設(shè)置的布線30。各通孔31和電極通孔33與半導體晶片1的電極分別進行電氣及機械連接。即，在接觸基板29中，在與被測試電子部件的半導體晶片1的電極2相同的位置上，對置設(shè)置通孔31。
該布線30通過測試信號布線12連接到測試器13。半導體晶片1和接觸基板29通過吸附機構(gòu)11，在由貫通接觸基板29的上下表面的貫通孔或多孔體構(gòu)成時，通過多孔體內(nèi)的空孔的吸附保持力來固定。再有，在本變形例中，在也用多孔體構(gòu)成接觸基板29時，在接觸基板29內(nèi)的空孔中埋入銅來形成通孔31。
這樣，在被測試電子部件的電極數(shù)比較少時，以及在被測試電子部件的電極間的間隔較大時，如本實施方式那樣，在接觸基板29的上下圍上布線，可連接到測試信號布線12。這種情況下，不需要第1實施方式那樣的多層布線基板，可以減少半導體測試裝置的部件數(shù)。
(第2實施方式)使用圖5至圖7來說明本實施方式的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板。在圖5中，表示作為被測試電子部件的半導體晶片50的局部剖面圖。在半導體晶片50的下面，設(shè)置多個電極51和高載荷電極52。高載荷電極52與其他電極51相比，對其表面產(chǎn)生大的載荷。該高載荷電極52產(chǎn)生其高度比其他電極51高的情況，以及因被測試電子部件歪斜等使高載荷電極52周邊突出的情況等。在存在這樣的高載荷電極的半導體晶片中，采用第1實施方式的接觸基板進行測試時，有產(chǎn)生對高載荷電極的沖擊、以及其他電極和接觸基板的通孔的連接不良的危險。
在對有這樣的高載荷電極的被測試電子部件進行測試時，在本實施方式中，使用圖6所示剖面的接觸基板。在作為測試對象的被測試電子部件的半導體晶片50下面，設(shè)置接觸基板53。該接觸基板53有上表面和下表面，遍及上表面和下表面設(shè)置的通孔55與半導體晶片50的電極51分別進行電氣及機械連接。該通孔55為圓筒形狀的空心形狀。此外，在高載荷電極52下面，電氣并且機械連接其形狀比其他通孔55壓縮的壓縮通孔56。
該通孔55和壓縮通孔56與接觸基板63的下表面或上表面中形成的布線30相連接。接觸基板53在與被測試電子部件的半導體晶片50的電極51相同的位置上設(shè)置通孔55。半導體晶片50和接觸基板53通過吸附機構(gòu)58，通過貫通接觸基板53的上下表面的貫通孔59及布線30周圍的貫通孔49的吸附保持力來固定。該吸附力在圖6中表示為向下的箭頭。這些半導體晶片50、電極51、及吸附機構(gòu)58被收容在未圖示的外殼內(nèi)。
下面，使用剖面圖的圖6和圖7來說明用于本實施方式的通孔的形狀。如圖6所示，接觸基板53上形成的通孔55為在接觸基板53的多孔部分填充了鍍銅的狀態(tài)。該通孔55為空心的，從而通孔55本身具有可壓縮的彈簧作用，如果施加應力，則通孔容易凹陷。于是，可以緩和對半導體晶片50的電極51和接觸基板53的通孔55的應力和沖擊。
在通孔為空心的情況下，作為通孔的形狀，除了圓筒形狀以外，如圖7(A)所示，也可以是將圓筒的側(cè)面進行部分切除的形狀。即，在上下設(shè)置接觸面60，接觸面60間用連結(jié)面61來連接，在連結(jié)面61的一部分中，設(shè)置空洞62。
此外，如圖7(B)所示，也可以是將四角柱的側(cè)面進行部分切除的形狀。即，在上下設(shè)置接觸面63，接觸面63間用連結(jié)面64來連接，在連結(jié)面64的一部分中，設(shè)置空洞62。
此外，如圖7(C)所示，也可以是將圖7(B)所示的四角柱的側(cè)面進行部分切除的形狀，在連結(jié)面64的一部分上還設(shè)置槽口66。
而且，如圖7(D)所示，也可以是電鍍的網(wǎng)孔狀構(gòu)造。即，在上下設(shè)置接觸面67，接觸面67間用線狀的連結(jié)體68來連接，在連結(jié)體68的內(nèi)部設(shè)置空洞。
此外，如圖7(E)所示，連結(jié)體69為彈簧狀，也可以是將上表面和下表面的接觸面67間進行連接的形狀。
而且，如圖7(F)所示，也可以是上表面的接觸面67和下表面的接觸面67在上下方向上偏移，將其之間部分連接到S字狀的連結(jié)面64的形狀。
而且，如圖7(G)所示，也可以是將上表面的接觸面67和下表面的接觸面67用柱狀的連結(jié)面64部分連接的形狀。
通過將這樣構(gòu)成的接觸基板用于第1實施方式的半導體器件測試裝置，可以獲得與第1實施方式相同的效果。
再有，本實施方式的接觸基板可適用于配有圖1所示的吸附機構(gòu)的半導體測試裝置，但也可適用于將接觸基板放置在載物臺上，未配有吸附機構(gòu)型的半導體測試裝置。
而且，根據(jù)本實施方式的半導體器件測試用接觸基板，對接觸基板的彈性和通孔形狀下工夫，可以獲得緩和晶片電極應力的效果。
(第3實施方式)使用圖8來說明本實施方式的半導體器件測試用接觸基板。作為第1實施方式中使用的接觸基板的材料所考慮的PTFE和聚酰亞胺與半導體晶片相比，熱膨脹率非常大。在老化測試時，因來自半導體晶片的發(fā)熱等，半導體測試裝置內(nèi)環(huán)境也達到125℃，所以接觸基板產(chǎn)生變形，并擔心電極間的位置偏移。為了解決這樣的課題，在本實施方式中，如圖8所示，在接觸基板40的半導體晶片的接觸面?zhèn)染植侩婂僋i等熱膨脹率低的材料來形成變形抑制部41。通過將該變形抑制部41設(shè)置在形成通孔42的區(qū)域以外，在半導體晶片和接觸基板的連接上沒有障礙。
通過設(shè)置該變形抑制部41來抑制接觸基板40的熱膨脹，可以維持電連接。這里，在圖8中，接觸基板40為方形，但也可以是其他形狀。再有，接觸基板最好根據(jù)被測試電子部件的整體形狀來構(gòu)成。
下面使用圖9來說明該接觸基板的剖面構(gòu)造。在圖9(A)所示的例中，貫通接觸基板40的上下表面，設(shè)置變形抑制部41，在該變形抑制部41間，多個通孔42貫通接觸基板40的上下表面來設(shè)置。此外，如圖9(B)所示，變形抑制部41也可以僅形成在接觸基板40的上表面和下表面上。
其次，接觸基板40的變形抑制部41的形狀不限于圖8所示的棋盤分割形狀，只要是一體相互連接的形狀，圖9(C)所示的變形抑制部41多孔狀地包圍通孔42來形成，也可以如圖9(D)所示波狀地構(gòu)成，而且，如圖9(E)所示，也可以為鎖狀構(gòu)造。即，每隔多個通孔來包圍其周圍，設(shè)置多個變形抑制部并相互連接就可以。這樣，通過增大變形抑制部的密度，可增強抑制接觸基板變形的效果。
這里，相對于測試對象的電子部件的熱膨脹系數(shù)，接觸基板上形成的變形抑制部用抑制熱膨脹的材料來形成，使得接觸基板整體的熱膨脹系數(shù)在±6ppm/K以下，在抑制接觸基板的變形上較好?？筛鶕?jù)晶片的熱膨脹率，通過在接觸基板中熱膨脹率低的金屬電鍍或進行樹脂浸漬來形成變形抑制部。
此外，構(gòu)成變形抑制部的材料也可以是除了Ni以外的Cu、Au、Sn等金屬。
而且，構(gòu)成變形抑制部的材料可以是取代Ni的樹脂類，例如環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、PEEK樹脂、丁二烯樹脂等作為印刷電路板的絕緣體以往經(jīng)常使用的樹脂，另外也可以是聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烴類、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚乙撐乙烯等的聚二烯類、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等的丙烯系樹脂、聚苯乙烯衍生物、聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈等的聚丙烯腈衍生物、聚氧化甲烯的聚縮醛類、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、包含芳香族聚酯類的聚酯類、多芳基化合物類、芳族聚酰胺樹脂等的芳香族聚酰胺或尼龍等的聚酰胺類、聚酰亞胺類、環(huán)氧樹脂類、聚p-苯撐醚等的芳香族聚醚類、聚醚砜類、聚砜類、聚硫化物類、PTFE等的氟系聚合物、聚苯并噁唑類、聚苯并噻唑類、聚對二甲苯等的聚亞苯基類、聚對二甲苯亞乙烯基衍生物、聚硅氧烷衍生物、酚醛樹脂類、三聚氰胺樹脂類、尿烷樹脂類、聚喹啉胺樹脂類等。
而且，構(gòu)成變形抑制部的材料也可以是陶瓷類，例如氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、鈦酸鉀等金屬氧化物，碳化硅、氮化硅、氮化鋁等金屬。
通過將本實施方式的接觸基板用于第1實施方式的半導體測試裝置，可以獲得與第1實施方式同樣的效果，而且，如上所述，根據(jù)晶片的熱膨脹率，通過在接觸基板中熱膨脹率低的金屬電鍍或進行樹脂浸漬，可以防止測試時溫度上升造成的接觸基板和作為被測試電子部件的半導體晶片的電極間位置偏移。
(第4實施方式)在上述各實施方式中，在作為老化等測試時的被測試電子部件的半導體晶片的電極中，有形成高度高的突點或BGA焊球等情況。這種情況下，不能僅靠接觸基板的彈性來吸收臺階差，不能獲得充分的吸附力。即，在膜厚為10μm至100μm左右的膜厚薄的接觸基板中，沒有可以吸收具有接觸基板的膜厚以上高度的高電極的凸部的凹陷。這種情況下，會從接觸基板和半導體晶片之間的間隙中泄漏壓力，不能用充分的吸附力將半導體晶片連接到接觸基板的電極上。本實施方式的半導體器件測試用接觸基板可抑制這樣的現(xiàn)象。
圖10表示本實施方式的接觸基板的斜視圖。該接觸基板70在遍及上表面和下表面上設(shè)置通孔72。在該通孔72的最外側(cè)的通孔的外側(cè)上表面上設(shè)置突起部73。該突起部73由樹脂或陶瓷或金屬等材料形成。根據(jù)接觸基板70上搭載的作為被測試電子部件的半導體晶片的形狀，將突起部73設(shè)置在接觸基板70上來抑制空氣泄漏。再有，該突起部73也可以設(shè)置在下表面上。
在表示在接觸基板70上搭載了被測試電子部件的狀態(tài)的剖面的圖11中，突起部73接觸到半導體晶片1的周邊部的下表面，防止半導體晶片1和接觸基板70之間的空氣泄漏。而且，在搭載了接觸基板70的多層布線基板7后，可防止接觸基板70和多層布線基板7之間的空氣泄漏。再有，在圖10中，僅在接觸基板70的外周設(shè)置突起部73，但在圖11所示的剖面中，表示按固定間隔在接觸基板的內(nèi)部也設(shè)置突起部73的構(gòu)造。
再有，接觸基板70除了設(shè)置突起部73以外，具有與第1實施方式的接觸基板同樣的構(gòu)造。
這里，需要以完全覆蓋半導體晶片1的外周的形狀來設(shè)置突起部73，以便防止空氣泄漏。通過將該突起部73設(shè)置在形成通孔72的區(qū)域以外，在半導體晶片1和接觸基板70的連接上沒有障礙。這里，在圖10中，接觸基板70為方形，但也可以是其他形狀。再有，接觸基板最好根據(jù)被測試電子部件的整體形狀來構(gòu)成。
下面，用圖12來說明該接觸基板70的剖面構(gòu)造。在圖12(A)所示的例中，在與接觸基板70的上表面和下表面兩面相同的位置中設(shè)置突起部73。而在圖12(B)所示的構(gòu)造中，表示僅在接觸基板70的上表面中設(shè)置突起部73的例子。在圖12(C)所示的構(gòu)造中，表示僅在接觸基板70的下表面中設(shè)置突起部73的例子。這樣，根據(jù)被測試電子部件的多層布線基板的電極的凹凸，可以僅在接觸基板的上表面?zhèn)?、下表面?zhèn)?、上下表面兩面的任何一個上設(shè)置突起部。
具有防止空氣泄漏功能的突起部73可兼用作第3實施方式中說明的變形抑制部41。即，如圖8所示，通過在接觸基板40的外周上形成變形抑制部41，也具有作為防止空氣泄漏的突起部的功能。在本實施方式中除了可獲得與第1實施方式同樣的效果以外，在半導體晶片的電極凸部高度大的情況下，可防止空氣泄漏，獲得半導體晶片的充分吸附力。
(第5實施方式)使用圖13來說明本實施方式的半導體器件測試用接觸基板的構(gòu)造。圖13(A)中表示了剖面構(gòu)造的接觸基板110按固定間隔貫通上下表面來設(shè)置多個通孔111。該通孔111形成在與被測試電子部件的電極端子和多層布線基板的電極端子對置的位置上。
在該接觸基板110中，在吸附機構(gòu)中不設(shè)置用于固定接觸基板110的空氣貫通孔，接觸基板110為多孔體，其多孔部分的空孔起到與貫通孔同樣的功能。圖13(B)表示圖13(A)的Y部分的放大圖。接觸基板100由薄片基材115形成，設(shè)置多個空孔113。在通孔部112中，在空孔部中填充導電體。這樣，通孔111和薄片基材115成為一體。該填充的導電體可利用銅等。這里，相鄰的空孔113相互連接，所以填充的銅連續(xù)。作為在該空孔113內(nèi)填充銅的方法，可利用電鍍。
(第6實施方式)下面說明本實施方式的半導體器件的測試方法。首先，準備第1實施方式中說明的圖1所示構(gòu)造的半導體測試裝置。準備具有上述結(jié)構(gòu)的接觸基板5。
接著，安裝接觸基板5，使得通孔6處于與形成了被測試電子部件的半導體晶片1的電極2的面的表面對置的位置，并進行連接。
接著，將接觸基板5搭載在多層布線基板7上。此時，在與接觸基板5的通孔6的位置對置的位置上進行定位，使得多層布線基板7的電極端子進行定位。
接著，進行密閉，使得半導體晶片1、接觸基板5、多層布線基板7、吸附機構(gòu)11被吸持在外殼14內(nèi)。該外殼14包圍的半導體測試裝置內(nèi)例如用氮吹洗。
接著，使吸附機構(gòu)11工作，進行抽真空，使半導體晶片1的電極2和接觸基板5的通孔6的接觸強化接合。這樣，半導體晶片1和接觸基板5在沒有相互位置偏移的狀態(tài)下被牢固地貼緊。
接著，按照需要使溫度控制裝置(未圖示)工作，進行半導體晶片1的加熱，直至達到測試所需的溫度。此外，根據(jù)情況，進行冷卻直至必要的溫度。半導體測試裝置與外部環(huán)境溫度切斷，得到測試所需的溫度。
然后，使測試器13工作，進行半導體晶片1的測試。這樣，可以在晶片狀態(tài)下進行所有的測試。
于是，在半導體測試裝置中，用于半導體晶片和測試電路之間電連接的接觸基板為多孔體，通過在接受接觸基板的載物臺上設(shè)置吸附機構(gòu)，即使沒有對半導體晶片和測試基板的加壓控制，也可以在半導體晶片的電極和接觸基板間施加均勻的載荷，容易獲得穩(wěn)定的電接觸。
特別是在本實施方式中，在使半導體晶片的電極和接觸基板接觸時利用吸附力，所以可在整個半導體晶片的電極上施加均勻的力。這樣，可以在半導體晶片上的電極上施加均等的載荷，即使在更薄、尺寸大的半導體晶片的情況下，也可以使電極間接觸而不在半導體晶片上產(chǎn)生過剩的負載。此外，接觸基板為多孔體，所以可從接觸基板整個面進行吸附，即使在電極數(shù)大的情況下，也可以獲得充分的接觸。
在本實施方式中，被測試的被測試電子部件不限于半導體晶片，也可以是半導體芯片、搭載于封裝中的半導體器件等的電子部件。
于是，根據(jù)本實施方式，即使在作為被測試電子部件的半導體晶片的電極上有凹凸，半導體晶片本身在其自重下歪斜到達，在形成半導體晶片電極的整個面上以均勻的吸附力將半導體晶片壓縮在接觸基板上，所以也可以防止半導體晶片的每個電極與接觸基板的突點的接觸面積有所不同，可以獲得穩(wěn)定的測試結(jié)果。此外，與現(xiàn)有的晶片等級方式的老化測試裝置相比，可以削減測試中的制造工序數(shù)、測試裝置的部件材料數(shù)。
(第6實施方式的變形例)在本變形例中，使用圖14所示構(gòu)造的半導體測試裝置進行測試。在圖14所示構(gòu)造的半導體測試裝置中，取代吸附機構(gòu)，用載物臺122來保持多層布線基板120，在該多層布線基板120中，不設(shè)置貫通孔。而且，設(shè)置加壓機構(gòu)123來對半導體晶片1進行壓縮。其他構(gòu)造與圖1的半導體測試裝置相同。這里，使半導體晶片1和接觸基板5連接，以便使接觸基板5的通孔6處于面對半導體晶片1的電極2的位置。而且，多層布線基板120的電極端子121和接觸基板5的通孔6處于相互對置的位置，進行位置對準后，通過加壓機構(gòu)123被壓縮固定。
通過將這樣構(gòu)成的半導體測試裝置執(zhí)行除了使第6實施方式的吸附機構(gòu)工作的步驟之外的步驟，可實施半導體晶片的測試。
根據(jù)本實施方式，在作為被測試電子部件的半導體晶片的電極上有凹凸，半導體晶片自身通過其自重緩慢進入，形成半導體晶片電極的整個面上以均勻的壓縮力將半導體晶片壓縮在按照應力伸縮的接觸基板上，所以可以防止半導體晶片的每個電極與接觸基板的突點的接觸面積有所不同，可以獲得穩(wěn)定的測試結(jié)果。再有，在應力緩和上選擇最適合形狀的通孔，通過使用具有第2實施方式中說明的構(gòu)造的通孔形狀的接觸基板，可以進一步緩和對被測試電子部件的電極的應力。
(第7實施方式)用圖15來說明本實施方式的半導體器件的測試方法。首先，如圖15(A)所示，作為被測試電子部件，準備在下表面形成了多個焊料突點85的半導體芯片83。而且，準備具有與第1實施方式的接觸基板相同構(gòu)造的接觸基板80。在該接觸基板80中形成多個通孔82。再有，焊料突點85也可以是金突點。
接著，如圖15(B)所示，將半導體芯片83連接在接觸基板80上。此時，進行位置對準后進行熔融接合，使得半導體芯片83的焊料突點85和接觸基板80的通孔處于對置的位置。
接著，進行與第6實施方式相同的半導體芯片的測試。即，取代第6實施方式中的半導體晶片，將半導體芯片作為被測試電子部件進行測試。
接著，如圖15(C)所示，將半導體芯片83從測試基板80上剝離。這里在，剝離來的半導體芯片83被確認為良品的情況下，可以搭載在其他基板上來使用。
這里，接觸基板80為通氣性的多孔的薄片形狀，通孔82通過鍍銅被填充在多孔體的空孔中，與接觸基板80成為一體，使測試后焊料突點85的損傷為最小限度，可以可剝離半導體晶片83。即，通孔82以在接觸基板80內(nèi)的空孔中鍍銅進入的方式來形成，在其上用焊料接合被測試電子部件的情況下，在剝離被測試電子部件時，通孔內(nèi)的同原樣保留，焊料容易分離。這樣，可以將被測試電子部件容易地從接觸基板上剝離，所以被測試電子部件的電極損傷小，可以正常使用。
再有，被測試電子部件和接觸基板被焊料接合，只要獲得充分的接合強度，即使不進行吸附，在進行測試時也不產(chǎn)生位置偏移，所以通過使用本實施方式的半導體芯片和接觸基板而不使用吸附裝置來實施與第6實施方式的變形例相同的測試，可以獲得與第6實施方式相同的效果。而且，通過使用本實施方式的半導體芯片和接觸基板來實施與第6實施方式同樣的測試，可以獲得與第6實施方式同樣的效果。
(第8實施方式)使用圖16來說明本實施方式的半導體器件及其制造方法。如圖16(A)所示，將在下表面設(shè)置了多個焊料突點95的半導體芯片98與接觸基板91相連接。這里，接觸基板91具有與第1實施方式所示的接觸基板相同的構(gòu)造。接觸基板91的通孔92和半導體芯片98的焊料突點95被連接到對置的位置。接著，取代半導體晶片，對半導體芯片進行與第6實施方式相同的測試。即，在制造半導體芯片后，搭載在兼用作CSP基板的帶有通孔的接觸基板上，并進行測試。
在確認了測試結(jié)果為良品后，在將這樣的半導體芯片98和接觸基板91連接后，通過具有最佳物性值的樹脂99，來覆蓋半導體芯片98周圍和接觸基板91的上表面。這里，接觸基板91由多孔薄片形成，所以樹脂含浸在多孔體的空孔中。這樣，樹脂99進入到接觸基板91內(nèi)，樹脂99和接觸基板91成為一體，使接觸基板91和半導體芯片98的連接強度增加。這里，樹脂99的最佳物性值是熱膨脹率或彈性率，成為提高半導體器件的封裝可靠性的指標。通過模擬，根據(jù)半導體芯片的尺寸或厚度來求出接觸基板的熱膨脹率、彈性率的最佳解，可在樹脂密封時使用最佳的樹脂。
接著，如圖16(B)所示，在接觸基板91下表面的通孔92中分別連接焊料突點100，獲得半導體器件。再有，半導體芯片98的焊料突點95和接觸基板91的焊料突點100也可以是金突點。這樣，可獲得一個CSP(芯片尺寸封裝)型半導體器件。再有，被測試電子部件和接觸基板用焊料和樹脂進行接合，只要獲得充分的接合強度，即使不進行吸附，在進行測試時也不產(chǎn)生位置偏移，所以即使不使用吸附裝置，本實施方式也可以實施。
于是，根據(jù)本實施方式，按照半導體芯片的特性，選擇具有最佳物性的樹脂，通過將該樹脂填充到接觸基板上，可以提供具有可靠性高的封裝的半導體器件及其制造方法。
而且，根據(jù)本實施方式，不需要將用于測試連接的接觸基板從半導體芯片上分離的工序，以及將半導體芯片搭載在CSP基板上的工序，可以削減制造工序數(shù)。
各實施方式可以組合實施。在各實施方式中，被測試電子部件也可以是預先從半導體晶片中切出的半導體芯片。這種情況下，在測試完成后，可原封不動地獲得半導體器件。再有，在各實施方式中，說明了半導體器件的測試裝置、測試方法及半導體器件測試用接觸基板，但各實施方式也可以應用于電子部件的測試裝置、測試方法和電子部件測試用接觸基板。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠保持良好的電接觸來進行具有微細電極構(gòu)造的被測試電子部件的測試的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法及半導體器件的制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導體測試裝置，其特征在于，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，設(shè)置有用絕緣性材料形成的、有上表面和下表面的至少一個以上的通孔；多層布線基板，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置有在所述接觸基板的下表面上的至少一個以上的通孔；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件、所述接觸基板、以及所述多層布線基板。
2.一種半導體測試裝置，其特征在于，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，設(shè)置有用絕緣性材料形成的、有上表面和下表面的至少一個以上的通孔；布線電路，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置在所述接觸基板的上表面或下表面的其中一個上，或附著在兩方上；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件和所述接觸基板。
3.一種半導體測試裝置，其特征在于，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用通氣性的多孔的絕緣性材料形成，有上表面和下表面；多層布線基板，與所述導電通路和所述測試信號布線電連接，配置在所述接觸基板的下表面上，用通氣性的絕緣材料形成；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件、所述接觸基板、以及所述多層布線基板。
4.一種半導體測試裝置，其特征在于，包括測試電路，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線，與該測試電路電連接；接觸基板，與所述被測試電子部件的電極電連接，配有傳送所述測試信號的導電通路，用通氣性的多孔的絕緣性材料形成，有上表面和下表面；布線電路，與所述測試信號布線和所述導電通路電連接，配置在所述接觸基板的上表面或下表面的其中一個上，或附著設(shè)置在兩方上；以及吸附機構(gòu)，吸附并保持所述被測試電子部件和所述接觸基板。
5.一種半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，由PTFE、包含芳族聚酰胺的液晶性聚合物或聚酰亞胺的其中之一構(gòu)成的通氣性的絕緣材料形成，有上表面和下表面，在內(nèi)部具有將該上表面和下表面之間連接的導電通路。
6.如權(quán)利要求5所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，還有變形抑制部，抑制熱膨脹，使得在所述上表面上對于被測試電子部件的熱膨脹系數(shù)，半導體器件測試用接觸基板整體的熱膨脹系數(shù)在±6ppm/K以下。
7.如權(quán)利要求6所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，構(gòu)成所述變形抑制部的材料是從金屬、樹脂類、陶瓷類中選擇的任何一種材料。
8.如權(quán)利要求6所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，構(gòu)成所述變形抑制部的材料是從Cu、Ni、Au、Sn中選擇的任何一種金屬。
9.如權(quán)利要求6所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，構(gòu)成所述變形抑制部的材料選自環(huán)氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、PEEK樹脂、丁二烯樹脂的樹脂類、聚乙烯或聚丙烯的聚烯烴類、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚乙撐乙烯的聚二烯類、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯的丙烯系樹脂、聚苯乙烯衍生物、聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈的聚丙烯腈衍生物、聚氧化甲烯的聚縮醛類、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、包含芳香族聚酯類的聚酯類、多芳基化合物類、芳族聚酰胺樹脂的芳香族聚酰胺或尼龍的聚酰胺類、聚酰亞胺類、環(huán)氧樹脂類、聚p-苯撐醚的芳香族聚醚類、聚醚砜類、聚砜類、聚硫化物類、PTFE的氟系聚合物、聚苯并噁唑類、聚苯并噻唑類、聚對二甲苯的聚亞苯基類、聚對二甲苯亞乙烯基衍生物、聚硅氧烷衍生物、酚醛樹脂類、三聚氰胺樹脂類、尿烷樹脂類、聚喹啉胺樹脂類中的任何一種。
10.如權(quán)利要求6所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，構(gòu)成所述變形抑制部的材料是從氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、鈦酸鉀的任何一種的金屬氧化物的陶瓷類、或碳化硅、氮化硅、氮化鋁中選擇的材料。
11.如權(quán)利要求5所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，所述導電通路由在所述多孔體內(nèi)部電鍍或充填金屬來形成。
12.如權(quán)利要求11所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，在所述導電通路以外的所述多孔體內(nèi)部充填具有任意的熱膨脹系數(shù)和彈性率的樹脂。
13.如權(quán)利要求5所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，在所述導電通路中設(shè)置空洞或通過連結(jié)體來連接上下表面。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，所述導電通路根據(jù)所述上表面上連接的被測試電子部件的電極或所述下表面上配置的多層布線基板的電極形狀而為凸形狀或凹形狀。
15.如權(quán)利要求5所述的半導體器件測試用接觸基板，其特征在于，根據(jù)被測試電子部件的電極配置形狀，在所述上表面或所述下表面上還有覆蓋所述通路周圍的以樹脂、陶瓷、或金屬作為主要構(gòu)成材料的突起部。
16.一種半導體器件的測試方法，其特征在于，該方法包括以下步驟準備接觸基板，該接觸基板由通氣性的多孔的絕緣材料形成，在該多孔的絕緣材料內(nèi)部有電鍍或充填金屬形成的導電通路；準備被測試電子部件，該被測試電子部件在電極上形成電極端子、焊料突點或金突點；將該被測試電子部件的所述電極端子、焊料突點或金突點和所述接觸基板的導電通路進行連接；以及在所述被測試電子部件上，提供測試信號進行測試。
17.如權(quán)利要求16所述的半導體器件測試方法，其特征在于，還包括在提供所述測試信號進行測試的步驟后，將被測試電子部件從所述接觸基板拆除分離的步驟。
18.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟準備由通氣的多孔的絕緣材料形成的基板、以及在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部有電鍍或填充金屬而形成的導電通路的接觸基板；在所述接觸基板上搭載所述電子部件，使得所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點可接觸到所述接觸基板的導電通路；連接所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點及所述接觸基板的導電通路；向所述電子部件提供測試信號并進行測試；以及結(jié)束對所述電子部件提供所述測試信號的步驟，提供半導體器件。
19.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟在電子部件的表面上形成電極端子、焊料突點或金突點；準備由通氣的多孔的絕緣材料形成的基板、以及在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部有電鍍或填充金屬而形成的導電通路的接觸基板；在所述接觸基板上搭載所述電子部件，使得所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點可接觸到所述接觸基板的導電通路；連接所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點及所述接觸基板的導電通路；在所述接觸基板上填充具有任意熱膨脹系數(shù)和彈性率的樹脂；向所述電子部件提供測試信號并進行測試；以及結(jié)束對所述電子部件提供所述測試信號的步驟，提供半導體器件。
20.一種半導體器件，其特征在于，它包括電子部件，將電子電路元件形成在內(nèi)部，在其表面上形成電極端子、焊料突點或金突點；以及接觸基板，由通氣性的多孔的絕緣材料形成，在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部電鍍或填充金屬來形成，有連接到所述電子部件的電極端子、焊料突點或金突點的導電通路。
21.一種半導體器件，其特征在于，它包括半導體器件測試用接觸基板，由PTFE、包含芳族聚酰胺的液晶性聚合物或聚酰亞胺的其中之一構(gòu)成的通氣性的多孔絕緣材料形成，有上表面和下表面，在內(nèi)部具有將該上表面和下表面之間連接的導電通路，所述導電通路在所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部電鍍或填充金屬來形成，在所述導電通路以外的所述基板內(nèi)的多孔體內(nèi)部填充具有任意的熱膨脹系數(shù)和彈性率的樹脂；以及半導體芯片，被搭載在該半導體器件測試用接觸基板上。
全文摘要
提供能夠保持良好的電接觸來進行具有微細電極構(gòu)造的被測試電子部件的測試的半導體測試裝置、半導體器件測試用接觸基板、半導體器件的測試方法及半導體器件的制造方法。該半導體測試裝置包括測試電路(13)，將測試信號輸入輸出到被測試電子部件；測試信號布線(12)，與該測試電路電連接；接觸基板(5)，與被測試電子部件的電極電連接，配有傳送測試信號的導電通路(6)，設(shè)置有用絕緣性材料形成的、有上表面和下表面的至少一個以上的通孔；多層布線基板(7)，與導電通路和測試信號布線電連接，配置有在接觸基板的下表面上的至少一個以上的通孔(9)；以及吸附機構(gòu)(11)，吸附并保持被測試電子部件、接觸基板、以及多層布線基板。
文檔編號G01R31/28GK1449010SQ0310839
公開日2003年10月15日 申請日期2003年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月29日
發(fā)明者山口直子, 杉崎吉昭, 青木秀夫, 平岡俊郎, 堀田康之, 青竹茂, 澤登美紗 申請人:株式會社東芝