本發(fā)明涉及一種將兩面通透的超薄氧化鋁模板移植到任意固體襯底上的方法，屬于納米材料制備技術(shù)領域。

背景技術(shù)：

納米粒子陣列由于其周期性結(jié)構(gòu)排布、高納米粒子密度、表面等離子體特型等性質(zhì)受到廣泛的關注，納米粒子陣列可用來制作太陽能電池、納米磁性儲能材料，表面增強拉曼散射襯底等，是一種重要的納米材料。其中，使納米粒子陣列表現(xiàn)出不同性質(zhì)的關鍵在于納米粒子所沉積的襯底、納米粒子的排列方式以及納米粒子的種類等。以貴金屬納米粒子陣列的局域場增強為例，貴金屬納米粒子之間間距越小，之間的局域場增強因子將會以指數(shù)形式增長。所以，在功能性襯底上制備高度有序的納米粒子陣列以及對其結(jié)構(gòu)的控制是決定納米粒子陣列應用及性能的關鍵。

目前，對于制備納米粒子陣列的方法主要分為物理法和化學法兩類。物理法制備納米粒子陣列，主要是利用納米級別的刻蝕，包括聚焦離子束、電子束、極紫外刻蝕等。如michaelj.sepaniak等人利用電子束刻蝕制備了周期性良好的銀納米粒子陣列。物理法制備納米粒子陣列具有周期性良好、制備過程穩(wěn)定等優(yōu)點。但同時，物理法對于設備的要求較高、制作條件嚴格、納米粒子形貌單一，并且，對于10nm左右尺寸的微小結(jié)構(gòu)無法進行制備。由于物理法的限制，化學法制備納米粒子陣列成為主流。其中，陽極氧化鋁模板(aao)輔助制備納米粒子陣列的方法，由于其操作簡單、成本低廉、可在眾多不同的固體襯底上制備等優(yōu)點，成為一種十分常用的制備方法。

陽極氧化鋁模板法制備納米粒子陣列一般分為兩個步驟：在酸性環(huán)境下電解鋁片，制備出具有陣列結(jié)構(gòu)孔洞的超薄氧化鋁層，再將超薄氧化鋁層移植到襯底上，通過氧化鋁孔洞作為模板，在功能性襯底上鍍納米粒子陣列。在功能性襯底上制備納米粒子陣列，最重要的步驟是將陽極氧化鋁模板移植到襯底上后，才可以作為模板引導納米粒子在襯底上的附著。其中，陽極氧化鋁模板的厚度需要減薄到300nm左右才可以有足夠的吸附力附著在襯底上。

目前移植超薄氧化鋁模板的方法，主要是通過pmma作為支撐層保護超薄陽極氧化鋁模板在轉(zhuǎn)移的過程中不彎折、破裂的方法將陽極氧化鋁模板移植到襯底上，并且在襯底上成功制備出金的納米點陣列。minghongwu教授在2010年提出了將pmma鍍到超薄氧化鋁模板的表面后，再進行去鋁基、去阻擋層的操作，pmma作為支撐層可以很好的保護超薄氧化鋁模板在移植以及接下來的操作中不會破裂。但是，pmma在超薄氧化鋁模板移植到襯底上之后需要被去除，而pmma不溶于水、乙醇等常用溶劑，只在60℃的條件下溶于丙酮。所以，只能用丙酮沖洗超薄氧化鋁模板上的pmma。去除的過程中由于超薄氧化鋁模板脆弱，不能用加熱、超聲等方法處理帶有pmma的超薄氧化鋁模板，導致超薄氧化鋁模板表面的pmma難以被去除干凈，影響進一步利用超薄氧化鋁模板在襯底上鍍納米粒子陣列的效果。而且，丙酮本身具有毒性，排放也會對環(huán)境造成污染。

目前移植超薄氧化鋁模板的方法，還有通過在襯底上鍍一層鋁，再對襯底上的鋁進行陽極氧化，在襯底上制備出超薄氧化鋁模板。sidaliu等人通過在ito玻璃上鍍一層厚度約為4μm的鋁，再對鋁層進行陽極氧化的方法在ito玻璃上制備陽極氧化鋁模板。這種方法制備出的陽極氧化鋁模板與襯底之間的貼合完美、附著力強，并且不需要將超薄氧化鋁模板移植到襯底上的步驟，簡化了操作，保證了超薄氧化鋁模板的完整。但是，由于鋁是鍍到襯底上的，無法制備的過薄，無法保證鋁表面平整。所以，制備出的氧化鋁模板表面不平整、孔洞排布不規(guī)整，無法在襯底表面制備出具有良好形貌、規(guī)則孔洞排布的納米粒子陣列。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種將兩面通透的超薄氧化鋁模板移植到任意固體襯底上的方法，其特點是不需要在移植后去除支撐層，同時超薄氧化鋁模板具有規(guī)則的孔洞排布。

1、一種將兩面通透的超薄氧化鋁模板移植到任意固體襯底上的方法，利用二次陽極氧化法制備超薄氧化鋁模板，將超薄氧化鋁模板移植到襯底表面，其特征在于，包含以下步驟：(1)利用滴管吸取配置好的pmma溶液，并將滴管內(nèi)的pmma溶液置于襯底上形成pmma溶液浸潤襯底表面；(2)將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的襯底表面；(3)等待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后在中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于襯底上，即使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板周圍通過pmma連著襯底；(4)將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉，使得襯底表面不帶有鋁基、背面帶有氧化鋁阻擋層；(5)用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，在襯底上得到兩面通透的厚度為400-500nm的超薄氧化鋁模板。

2、進一步，配置所述的pmma溶液的溶劑為丙酮；pmma的濃度為5wt％-6wt％。

3、進一步，所述去鋁基液為在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。

4、進一步，所述去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。

5、進一步，所述超薄氧化鋁模板的去阻擋層時間為80-120min。

為達到上述目的，本發(fā)明提供一種將兩面通透的超薄氧化鋁模板移植到任意固體襯底上的方法，具體制備方法包括：

s1制備超薄氧化鋁模板。

利用二次陽極氧化法在鋁基上形成超薄氧化鋁層。

s2將pmma溶液浸潤襯底表面。

利用滴管吸取配置好的pmma溶液，并將滴管內(nèi)的pmma溶液置于襯底上形成pmma溶液浸潤襯底表面。

s3將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板移植到襯底表面。

將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的襯底表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與襯底的接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于襯底上。

s4將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板背面的鋁基腐蝕。

將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕。使得襯底表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。

s5將襯底表面帶有阻擋層的超薄氧化鋁模板進行去阻擋層操作。

用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，在襯底上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板。

該超薄氧化鋁模板移植到襯底上的方法可用來在襯底上制備具有規(guī)則排布的納米粒子陣列。

與現(xiàn)有超薄氧化鋁模板移植到襯底上的方法相比，本發(fā)明具有的有益效果是：

1、所使用的pmma溶液是作為粘合劑，不作為支撐層鍍在超薄氧化鋁模板表面，不需在移植到襯底之后再去除pmma。其他用pmma作為支撐層來移植超薄氧化鋁模板的方法，需要在移植到襯底之后去除pmma，由于pmma難以去除干凈，會影響超薄氧化鋁模板之后的應用。

2、使用鋁基作為移植過程中支撐超薄氧化鋁模板的支撐層，可以保證超氧化鋁模板不會由于自身厚度過薄，在移植過程中發(fā)生破碎、折疊、與襯底接觸不平的情況?？梢詫⒊⊙趸X模板完整的移植到襯底表面。

3、先將超薄氧化鋁模板移植到襯底上之后再進行去阻擋層的操作，去阻擋層的過程中襯底起到支撐超薄氧化鋁模板的作用，使得超薄氧化鋁模板不會在去阻擋層的過程中破裂。其他方法為先去阻擋層后移植到襯底上，在去阻擋層的過程中超薄氧化鋁模板沒有支撐容易破裂，導致去阻擋層時間不能超過20min，去阻擋層時間過短，阻擋層無法完全去除。

4、移植到襯底上的超薄氧化鋁模板具有規(guī)則的孔洞排布，可以控制孔洞的孔徑、孔間距，可以用來在襯底上制備出具有良好排布的納米粒子陣列。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所用的將兩面通透的超薄氧化鋁模板移植到任意固體襯底上的方法的示意圖。

圖2為一次氧化5min去阻擋層時間為80min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖3為一次氧化5min去阻擋層時間為90min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖4為一次氧化5min去阻擋層時間為100min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖5為一次氧化5min去阻擋層時間為110min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖6為一次氧化5.5min去阻擋層時間為120min的兩面通透超薄氧化鋁模板移植到ito玻璃上，模板和ito玻璃交界處的掃描電子顯微鏡照片。

圖7為一次氧化5.5min去阻擋層時間為120min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖8為一次氧化6min去阻擋層時間為120min的移植到ito玻璃上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖9為一次氧化5min去阻擋層時間為90min的移植到si襯底上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

圖10為一次氧化5min去阻擋層時間為80min，利用pmma作為支撐層，將超薄氧化鋁模板移植到si襯底上的兩面通透超薄氧化鋁模板的表面掃描電子顯微鏡照片。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。

如圖1所示，首先對超純鋁片進行一次陽極氧化，接著對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，然后對鋁片進行二次陽極氧化，在鋁基上形成超薄氧化鋁層。

然后用滴管將pmma溶液滴加到襯底表面，浸潤襯底表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的襯底表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與襯底的接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于襯底上，如圖1所示。

然后將已經(jīng)移植到襯底上的帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得襯底表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，在襯底上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板。

二次陽極氧化法制備超薄氧化鋁模板的方法為：將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5-6min，在鋁基上形成厚度為400-500nm的超薄氧化鋁層。

配制pmma溶液的方法為：將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到pmma的丙酮溶液，pmma濃度為5wt％-6wt％。

襯底可選用si襯底、ito玻璃、柔性襯底等各種固體襯底。

pmma溶液中溶劑的蒸發(fā)可通過自然蒸發(fā)或加熱蒸發(fā)方式進行；pmma中溶劑蒸發(fā)的過程中，由于表面張力pmma溶液向四周擴散，在超薄氧化鋁模板和襯底的接觸部分的中間位置形成空隙。

配置去鋁基液方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。

配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。

去阻擋層時間為80-120min，得到的兩面通透超薄氧化鋁模板的孔徑為40-80nm。

實施例1

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5min，在鋁基上形成厚度為400nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到5wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為80min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為40nm，如圖2所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為40nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例2

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5min，在鋁基上形成厚度為400nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到5wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為90min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為50nm，如圖3所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為50nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例3

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5min，在鋁基上形成厚度為400nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到5.5wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為100min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為60nm，如圖4所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為60nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例4

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5min，在鋁基上形成厚度為400nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為110min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為70nm，如圖5所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為70nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例5

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為5.5min，在鋁基上形成厚度為450nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為120min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，如圖6所示。超薄氧化鋁模板孔徑為80nm，如圖7所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為80nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例6

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為80min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為40nm。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為40nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例7

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為90min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為50nm。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為50nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例8

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為100min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為60nm。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為60nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例9

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為110min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為70nm。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為70nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例10

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到ito玻璃表面，浸潤ito玻璃表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的ito玻璃表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與ito玻璃接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于ito玻璃上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到ito玻璃上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得ito玻璃表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為120min，在ito玻璃上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為80nm，如圖8所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為80nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例11

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。pmma溶液可通過滴管滴加到si襯底表面，浸潤si襯底表面。之后將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板的超薄氧化鋁模板一面置于帶有pmma溶液的si襯底表面，pmma溶液在蒸發(fā)的過程中向四周擴散，待pmma溶液中溶劑蒸發(fā)后，在超薄氧化鋁模板與si襯底接觸面的中間部分形成空隙，使得帶有鋁基的超薄氧化鋁模板直接置于si襯底上。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)移植到si襯底上帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得si襯底表面的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。最后用滴管吸取去阻擋層液，并將滴管內(nèi)的去阻擋層液置于超薄氧化鋁模板背面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為90min，在si襯底上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為50nm，如圖9所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的ito玻璃上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在ito玻璃上得到具有規(guī)則排布，粒徑為50nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列。

實施例12

將超純鋁片放在0.4mol/l的草酸溶液中進行一次陽極氧化，反應時間為4h，陽極氧化電壓為40v。接著，用1.8wt％鉻酸、5wt％磷酸的混合水溶液在60℃的條件下，對一次陽極氧化形成的氧化層進行腐蝕，反應時間為12h。然后將鋁片放入0.4mol/l的草酸溶液中進行二次陽極氧化，反應時間為6min，在鋁基上形成厚度為500nm的超薄氧化鋁層。

然后將pmma的固體粉末置于丙酮中，用磁性加熱攪拌器對丙酮進行攪拌加熱，得到6wt％的pmma丙酮溶液。將帶有鋁基的超薄氧化鋁模板浸泡在6wt％的pmma丙酮溶液中3s后取出，在帶有鋁基的超薄氧化鋁模板上沾有的pmma丙酮溶液未凝固之前，將鋁基一面的pmma丙酮溶液用擦鏡紙擦除。等pmma的丙酮溶液凝固后，在超薄氧化鋁模板上保留一層pmma作為支撐層。

然后配置去鋁基液，配制方法為：在氯化銅的飽和水溶液中加入高氯酸，高氯酸的濃度為10wt％。將已經(jīng)鍍好pmma支撐層的帶有鋁基的超薄氧化鋁模板置入去鋁基液中，將背面的鋁腐蝕掉。使得已經(jīng)鍍好pmma支撐層的超薄氧化鋁模板不帶有鋁基、背面帶有阻擋層。配置去阻擋層液，去阻擋層液為濃度為6wt％磷酸的水溶液。然后將帶有pmma支撐層的超薄氧化鋁模板的氧化鋁模板一面朝下，漂浮在去阻擋層液液面，將超薄氧化鋁模板背面的氧化鋁阻擋層腐蝕，去阻擋層時間為80min。用si襯底將漂浮在液面上的超薄氧化鋁模板撈起，使得超薄氧化鋁模板與si襯底直接接觸。最后用丙酮溶液浸泡在si襯底上的超薄氧化模板，去除表面的pmma支撐層，浸泡時間為12小時，在si襯底上得到兩面通透的超薄氧化鋁模板，超薄氧化鋁模板孔徑為40nm，但表面的pmma無法去除干凈，有部分殘留，如圖10所示。

通過真空蒸鍍在帶有兩面通透的超薄氧化鋁模板的si襯底上鍍30nm厚的ag，用膠帶將超薄氧化鋁模板粘住撕掉后，在si襯底上得到粒徑為40nm、周期為120nm的銀的納米粒子陣列，該陣列納米粒子排布不均勻，部分區(qū)域由于pmma沒有去處干凈，沒有蒸鍍上納米粒子。

以上所述僅為本發(fā)明的幾類實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的基本方法和原理之中所做的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。