本發(fā)明涉及一種選擇性電鍍治具技術(shù)設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具。

背景技術(shù)：

為了達(dá)到芯片、線路板的互聯(lián)，引線框架內(nèi)腿要求與金線具有鍵合性，這項功能需通過電鍍來完成，考慮到生產(chǎn)等因素，一般采用鍍銀的方法來解決。由于IC芯片的焊接、封裝等生產(chǎn)過程都是采用全自動大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，因此對于IC引線框架的鍍層質(zhì)量也提出很高的要求。批次間框架的鍍層厚度、均勻性、硬度、光亮度都要一致，且電鍍區(qū)域也要控制的非常嚴(yán)格，產(chǎn)品非功能區(qū)不允許有溢銀和銀漬產(chǎn)生。

常見的集成電路引線框架選擇性電鍍主要使用單模選擇性電鍍。而對于寬排高密度的產(chǎn)品，常規(guī)的電鍍方式中，由于在壓力相同情況下，每一電鍍單元所受到的壓強(qiáng)減小，導(dǎo)致壓力不均或不足，造成電鍍液溢流至非功能區(qū)，出現(xiàn)溢銀和銀漬現(xiàn)象，導(dǎo)致引線框架在使用環(huán)境下，非功能區(qū)域的溢銀產(chǎn)生銀遷移，使得產(chǎn)品存在短路的風(fēng)險；同時增加了銀耗成本，并且功能區(qū)銀層厚度受到影響，邊框上的銀漬嚴(yán)重影響產(chǎn)品外觀。

現(xiàn)有技術(shù)中，超寬排、高密度排樣的集成電路引線框架選擇性電鍍的不足之處為：1、普通全排式電鍍結(jié)構(gòu)的電鍍治具很難保證非功能區(qū)無溢銀現(xiàn)象；2、普通全排式電鍍結(jié)構(gòu)的電鍍治具很難保證引線框架電鍍區(qū)或邊框上無銀漬產(chǎn)生；3、普通全排式電鍍結(jié)構(gòu)的電鍍治具很難保證滲銀位置和銀漬吸收功能區(qū)電流，導(dǎo)致功能區(qū)的鍍層厚度不足，與其他位置膜厚極差增加的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具，針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，采用半體式選擇性電鍍，噴口背面設(shè)計傾斜的半體式電鍍液回流道，并將所述半體式回流道設(shè)置為向內(nèi)側(cè)擴(kuò)開的錐狀結(jié)構(gòu)，增加電鍍液在噴口處噴注與回流交換，加快銀離子補(bǔ)充；為防止壓料皮帶不能完全將引線框架和硅膠屏蔽帶貼合嚴(yán)實(shí)，在硅膠屏蔽帶噴口處邊緣增加斜坡式防滲凸臺；優(yōu)化密封性，防止電鍍液溢流到非鍍銀區(qū)域，造成的電鍍液成本的浪費(fèi)，乃至污染引線框架；從而使得電鍍區(qū)域規(guī)則，電鍍銀層均勻，電鍍區(qū)域一致。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具，包括治具本體、引線框架、硅膠屏蔽帶、定位孔、陶瓷定位針、排水槽、電鍍液流道、半體式回流道、硅膠引腳、硅膠柱腳、防滲凸臺、陽極噴頭、壓料皮、環(huán)鍍區(qū)，其特征在于：

所述治具本體為圓筒形結(jié)構(gòu)，其上下邊緣設(shè)有治具端面，所述治具本體半圓周面上設(shè)置有多個透孔式的電鍍單元，所述電鍍單元兩側(cè)設(shè)置有柱腳孔，所述柱腳孔內(nèi)裝配有硅膠柱腳；所述電鍍單元沿著所述治具本體半圓周面均勻排布有多個，所述治具本體中部與硅膠柱腳平行設(shè)置有多個硅膠引腳；所述電鍍單元沿著治具本體半圓周面設(shè)置有半體式回流道，所述半體式回流道為向內(nèi)側(cè)擴(kuò)開的傾斜喇叭口形狀,用于增加電鍍液在噴口處噴注與回流交換，加快銀離子補(bǔ)充；所述電鍍單元上的硅膠屏蔽帶設(shè)置有斜坡狀防滲凸臺，所述防滲凸臺截面為斜坡式設(shè)置，所述防滲凸臺沿所述屏蔽帶單元外側(cè)形狀四周布置；所述治具本體內(nèi)側(cè)靠近所述電鍍治具端面處設(shè)置有排水槽，所述治具本體外側(cè)面設(shè)置有多個硅膠屏蔽帶；所述硅膠屏蔽帶外部設(shè)置有引線框架，所述引線框架外部設(shè)置有壓料皮帶，所述治具本體中心裝配有陽極噴頭，由陽極噴頭從電鍍液流道將電鍍液噴射到半體式回流道內(nèi)的環(huán)鍍區(qū)，實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍。

所述硅膠屏蔽帶為長方形硅膠材料注塑成形，所述硅膠屏蔽帶底面的硅膠柱腳和硅膠引腳沿徑向相互對應(yīng)設(shè)置；所述硅膠屏蔽帶半邊設(shè)置有多個硅膠單元，所述硅膠屏蔽帶長度方向與所述治具本體的軸向一致設(shè)置，所述硅膠屏蔽帶寬度方向設(shè)置有對應(yīng)數(shù)量的硅膠單元，所述硅膠屏蔽帶上的硅膠單元數(shù)量、層數(shù)與所述治具本體上的電鍍單元匹配設(shè)置；所述硅膠屏蔽帶通過硅膠引腳和硅膠柱腳與所述治具本體上的對應(yīng)柱腳孔固定密封連接，所述硅膠屏蔽帶沿所述治具本體外側(cè)圓周面并列排布，并充滿所述治具本體的外圓周面上的電鍍單元。

所述治具本體外側(cè)靠近電鍍治具端面沿著圓周線設(shè)置有多個定位孔，所述定位孔內(nèi)裝配有陶瓷定位針，所述陶瓷定位針與所述定位孔通過尺寸過盈裝配。

所述硅膠屏蔽帶外側(cè)面與所述防滲凸臺高度相同，確保集成電路板的載片內(nèi)部不會發(fā)生余鍍。

所述引線框架為條形金屬薄板結(jié)構(gòu)，其上制備有多個拉腳單元，所述拉腳單元在所述引線框架上的排布位置、數(shù)量、層數(shù)均與所述治具本體上的電鍍單元一致設(shè)置，所述引線框架兩側(cè)邊上設(shè)置有定位孔，所述定位孔的位置與所述治具本體外側(cè)的陶瓷定位針匹配設(shè)置。

本發(fā)明的工作原理為：所述半體式集成電路引線框架選擇性電鍍的工藝，是在立式點(diǎn)鍍機(jī)或者臥式點(diǎn)鍍機(jī)上完成的，所述治具本體與所述硅膠屏蔽帶裝配好后，整體安裝在點(diǎn)鍍機(jī)上，所述治具本體內(nèi)部設(shè)置有陽極噴頭，所述治具本體外側(cè)為硅膠屏蔽帶層，所述硅膠屏蔽帶層外側(cè)設(shè)置有引線框架，所述引線框架外側(cè)設(shè)置有壓料皮帶，所述陽極噴頭從所述治具本體內(nèi)側(cè)徑向噴射電鍍液，所述電鍍單元、硅膠單元與所述引線框共同形成一種點(diǎn)鍍區(qū)域，即點(diǎn)鍍區(qū)；所述點(diǎn)鍍區(qū)可準(zhǔn)確對集成電路引線腳進(jìn)行鍍銀；所述點(diǎn)鍍機(jī)驅(qū)動所述引線框架條形帶運(yùn)動，所述引線框架通過陶瓷定位針帶動所述鍍治具本體旋轉(zhuǎn)，所述壓料皮帶從外側(cè)對所述引線框架擠壓固定，確保所述引線框架與所述硅膠屏蔽帶充分密封。

所述硅膠柱腳和所述柱腳孔過盈配合并將所述硅膠屏蔽帶固定在所述治具本體圓周面上；所述治具本體上的陶瓷定位針穿過所述引線框架上的定位孔，使需要電鍍的位置一一對應(yīng)硅膠屏蔽帶的硅膠單元；所述電鍍單元的開口形態(tài)與硅膠單元的開口形狀與引線框架相應(yīng)區(qū)域形狀一致設(shè)置；引線框架纏繞在治具本體表面上，在所述治具本體和所述引線框架的正上方有壓料皮帶壓住引線框架和硅膠屏蔽帶；所述陽極噴頭固定與中心軸上，電鍍液從陽極噴頭噴射至治具本體上的電鍍單元中的電鍍液流道內(nèi)，經(jīng)過電鍍反應(yīng)后，經(jīng)過半體式傾斜喇叭口形狀的回流道回收循環(huán)使用電鍍液，這樣增加電鍍液在噴口處的交換，加快銀離子補(bǔ)充；為防止壓料皮帶不能完全將引線框架和硅膠屏蔽帶貼合嚴(yán)實(shí)，在硅膠屏蔽帶噴口處邊緣設(shè)置了斜坡式的防滲凸臺；優(yōu)化密封性，防止電鍍液溢流到非鍍銀區(qū)域，造成的電鍍液成本的浪費(fèi)，乃至污染引線框架。所述半體式回流道圍繞治具本體半圓周面分布，分散壓力，避免噴鍍過程中硅膠屏蔽帶收到擠壓變形，導(dǎo)致電鍍液不能準(zhǔn)確對應(yīng)電鍍區(qū)域，發(fā)生鍍區(qū)偏移等不良現(xiàn)象，保證品質(zhì)的一致性和穩(wěn)定性。

通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明技術(shù)方案的有益效果是：采用半體式選擇性電鍍，噴口背面設(shè)計傾斜的半體式電鍍液回流道，并將所述半體式回流道設(shè)置為向內(nèi)側(cè)擴(kuò)開的錐狀結(jié)構(gòu)，增加電鍍液在噴口處噴注與回流交換，加快銀離子補(bǔ)充；為防止壓料皮帶不能完全將引線框架和硅膠屏蔽帶貼合嚴(yán)實(shí)，在硅膠屏蔽帶噴口處邊緣增加斜坡式防滲凸臺；優(yōu)化密封性，防止電鍍液溢流到非鍍銀區(qū)域，造成的電鍍液成本的浪費(fèi)，乃至污染引線框架；從而使得電鍍區(qū)域規(guī)則，電鍍銀層均勻，電鍍區(qū)域一致；所述半體式回流道圍繞治具本體的半圓周面分布，分散壓力，避免噴鍍過程中硅膠屏蔽帶收到擠壓變形，導(dǎo)致電鍍液不能準(zhǔn)確對應(yīng)電鍍區(qū)域，發(fā)生鍍區(qū)偏移等不良現(xiàn)象，電鍍治具結(jié)構(gòu)新穎、電鍍效率高、品質(zhì)穩(wěn)定。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具立體示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具剖視圖示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具單元展開主視圖示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具單元展開俯視圖示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具掩膜示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具環(huán)鍍示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例所公開的一種半體式集成電路引線框架示意圖。

圖中數(shù)字和字母所表示的相應(yīng)部件名稱：

1.治具本體 2.引線框架 3.硅膠屏蔽帶 4.定位孔

5.陶瓷定位針 6.排水槽 7.電鍍液流道 8.半體式回流道

9.硅膠引腳 10.硅膠柱腳 11.防滲凸臺 12.陽極噴頭

13.壓料皮帶 14.環(huán)鍍區(qū)

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

根據(jù)圖1至圖7，本發(fā)明提供了一種半體式集成電路引線框架選擇性電鍍治具，包括治具本體1、引線框架2、硅膠屏蔽帶3、定位孔4、陶瓷定位針5、排水槽6、電鍍液流道7、半體式回流道8、硅膠引腳9、硅膠柱腳10、防滲凸臺11、陽極噴頭12、壓料皮帶13、環(huán)鍍區(qū)14。

所述治具本體1為圓筒形結(jié)構(gòu)，其上下邊緣設(shè)有治具端面，所述治具本體1半圓周面上設(shè)置有多個透孔式的電鍍單元，所述電鍍單元兩側(cè)設(shè)置有柱腳孔，所述柱腳孔內(nèi)裝配有硅膠柱腳10；所述電鍍單元沿著所述治具本體1半圓周面均勻排布有多個，所述治具本體1中部與硅膠柱腳10平行設(shè)置有多個硅膠引腳9；所述電鍍單元沿著治具本體半圓周面設(shè)置有半體式回流道8，所述半體式回流道8為向內(nèi)側(cè)擴(kuò)開的傾斜喇叭口形狀,用于增加電鍍液在噴口處噴注與回流交換，加快銀離子補(bǔ)充；所述電鍍單元上的硅膠屏蔽帶3設(shè)置有斜坡狀防滲凸臺11，所述防滲凸臺11截面為斜坡式設(shè)置，所述防滲凸臺11沿所述屏蔽帶單元外側(cè)形狀四周布置；所述治具本體1內(nèi)側(cè)靠近所述電鍍治具端面處設(shè)置有排水槽，所述治具本體1外側(cè)面設(shè)置有多個硅膠屏蔽帶3；所述硅膠屏蔽帶3外部設(shè)置有引線框架2，所述引線框架2外部設(shè)置有壓料皮帶13，所述治具本體1中心裝配有陽極噴頭12，由陽極噴頭12從電鍍液流道7將電鍍液噴射到半體式回流道8內(nèi)的環(huán)鍍區(qū)14，實(shí)現(xiàn)選擇性電鍍。

所述硅膠屏蔽帶3為長方形硅膠材料注塑成形，所述硅膠屏蔽帶3底面的硅膠柱腳10和硅膠引腳9沿徑向相互對應(yīng)設(shè)置；所述硅膠屏蔽帶3半邊設(shè)置有多個硅膠單元，所述硅膠屏蔽帶3長度方向與所述治具本體1的軸向一致設(shè)置，所述硅膠屏蔽帶3寬度方向設(shè)置有對應(yīng)數(shù)量的硅膠單元，所述硅膠屏蔽帶3上的硅膠單元數(shù)量、層數(shù)與所述治具本體1上的電鍍單元匹配設(shè)置；所述硅膠屏蔽帶3通過硅膠引腳9和硅膠柱腳10與所述治具本體1上的對應(yīng)柱腳孔固定密封連接，所述硅膠屏蔽帶3沿所述治具本體1外側(cè)圓周面并列排布，并充滿所述治具本體1的外圓周面上的電鍍單元。

所述治具本體1外側(cè)靠近電鍍治具端面沿著圓周線設(shè)置有多個定位孔4，所述定位孔4內(nèi)裝配有陶瓷定位針5，所述陶瓷定位針5與所述定位孔4通過尺寸過盈裝配。

所述硅膠屏蔽帶3外側(cè)面與所述防滲凸臺11高度相同，確保集成電路板的載片內(nèi)部不會發(fā)生余鍍。

所述引線框架2為條形金屬薄板結(jié)構(gòu)，其上制備有多個拉腳單元，所述拉腳單元在所述引線框架2上的排布位置、數(shù)量、層數(shù)均與所述治具本體1上的電鍍單元一致設(shè)置，所述引線框架2兩側(cè)邊上設(shè)置有定位孔4，所述定位孔4的位置與所述治具本體1外側(cè)的陶瓷定位針5匹配設(shè)置。

本發(fā)明的具體電鍍操作步驟是：所述硅膠柱腳10和所述柱腳孔過盈配合并將所述硅膠屏蔽帶3固定在所述治具本體1表面上；所述治具本體1上的陶瓷定位針5穿過所述引線框架2上的定位孔4，使需要電鍍的位置一一對應(yīng)硅膠屏蔽帶的硅膠單元；所述電鍍單元的開口形態(tài)與硅膠單元的開口形狀與引線框架2相應(yīng)區(qū)域形狀一致設(shè)置；引線框架2纏繞在治具本體1表面上，在所述治具本體1和所述引線框架2的正上方有壓料皮帶13壓住引線框架2和硅膠屏蔽帶3；所述陽極噴頭12固定與中心軸上，電鍍液從陽極噴頭12噴射至治具本體1上的電鍍單元中的電鍍液流道7內(nèi)，經(jīng)過電鍍反應(yīng)后，經(jīng)過喇叭形狀的半體式回流道8回收循環(huán)使用電鍍液，這樣增加電鍍液在噴口處的交換，加快銀離子補(bǔ)充；為防止壓料皮帶13不能完全將引線框架2和硅膠屏蔽帶3貼合嚴(yán)實(shí)，在硅膠屏蔽帶3噴口處邊緣設(shè)置了防滲凸臺11；優(yōu)化密封性，防止電鍍液溢流到非鍍銀區(qū)域，造成的電鍍液成本的浪費(fèi)，乃至污染引線框架2。

通過上述具體實(shí)施例，本發(fā)明的有益效果是：采用半體式選擇性電鍍，噴口背面設(shè)計傾斜的半體式電鍍液回流道，并將所述半體式回流道設(shè)置為向內(nèi)側(cè)擴(kuò)開的錐狀結(jié)構(gòu)，增加電鍍液在噴口處噴注與回流交換，加快銀離子補(bǔ)充；為防止壓料皮帶不能完全將引線框架和硅膠屏蔽帶貼合嚴(yán)實(shí)，在硅膠屏蔽帶噴口處邊緣增加斜坡式防滲凸臺；優(yōu)化密封性，防止電鍍液溢流到非鍍銀區(qū)域，造成的電鍍液成本的浪費(fèi)，乃至污染引線框架；從而使得電鍍區(qū)域規(guī)則，電鍍銀層均勻，電鍍區(qū)域一致；所述半體式回流道圍繞治具本體的半圓周面分布，分散壓力，避免噴鍍過程中硅膠屏蔽帶收到擠壓變形，導(dǎo)致電鍍液不能準(zhǔn)確對應(yīng)電鍍區(qū)域，發(fā)生鍍區(qū)偏移等不良現(xiàn)象，電鍍治具結(jié)構(gòu)新穎、電鍍效率高、品質(zhì)穩(wěn)定。

對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。