本發(fā)明涉及半導體裝置及其制造方法、引線框架及其制造方法。
背景技術：
：現(xiàn)已有在引線框架上裝設半導體芯片，并用樹脂進行密封的半導體裝置。作為一例可以舉出，柱狀或角柱狀的端子部的一端側被樹脂部密封，另一端側從樹脂部露出的半導體裝置。在該半導體裝置中，端子部的一端側在樹脂部內通過接合線與半導體芯片連接，端子部的另一端被鍍膜覆蓋并能夠與外部連接。在該半導體裝置的制造工序中，通過從金屬制板材的下面?zhèn)乳_始進行蝕刻，形成端子部。<現(xiàn)有技術文獻><專利文獻>專利文獻1：(日本)特開2001-24135號公報技術實現(xiàn)要素：<本發(fā)明要解決的課題>然而，如上述半導體裝置那樣從金屬制板材的下面?zhèn)乳_始進行蝕刻來形成端子部的情況下，無法在端子部設置防脫離結構(錨)。因此，端子部有可能從樹脂部脫落。鑒于以上問題開發(fā)了本發(fā)明，其目的在于提供一種端子部從樹脂部脫落的可能性降低的半導體裝置。<解決上述課題的手段>本發(fā)明的半導體裝置包括引線框架、裝設在引線框架上的半導體芯片、覆蓋引線框架及半導體芯片的密封樹脂。引線框架具有柱狀的端子。端子具有第1端面、與第1端面為相反側的第2端面、以及在第1端面與第2端面之間沿縱方向延伸的側面。在側面設有階差，形成與第2端面為相反側且具有凹凸的階差面。在端子中，從第1端面朝向第2端面延伸且包括階差面的第1部分被密封樹脂覆蓋，從第1部分延伸至第2端面的第2部分從密封樹脂突出。<發(fā)明的效果>根據(jù)以上公開的技術，能夠提供一種端子部從樹脂部脫落的可能性降低的半導體裝置。附圖說明圖1A是例示第1實施方式的半導體裝置的平面圖。圖1B是例示第1實施方式的半導體裝置的剖面圖。圖1C是例示第1實施方式的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖1D是例示第1實施方式的半導體裝置的局部擴大平面圖。圖2是說明S比率的圖。圖3A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖(其1)。圖3B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖(其1)。圖4A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖(其2)。圖4B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖(其2)。圖4C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖(其2)。圖4D是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖(其2)。圖5A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖(其3)。圖5B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖(其3)。圖5C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖(其3)。圖5D是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖(其3)。圖6A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖(其4)。圖6B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖(其4)。圖6C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖(其4)。圖6D是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖(其4)。圖7A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其5)。圖7B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其5)。圖7C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其5)。圖8A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖(其6)。圖8B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖(其6)。圖9A是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其7)。圖9B是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其7)。圖9C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖(其7)。圖10A是例示第2實施方式的半導體裝置的平面圖。圖10B是例示第2實施方式的半導體裝置的剖面圖。圖10C是例示第2實施方式的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖10D是例示第2實施方式的半導體裝置的局部擴大平面圖。圖11A是例示第2實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖。圖11B是例示第2實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖。圖11C是例示第2實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖。圖11D是例示第2實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖12A是例示第3實施方式的半導體裝置的平面圖。圖12B是例示第3實施方式的半導體裝置的剖面圖。圖12C是例示第3實施方式的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖12D是例示第3實施方式的半導體裝置的局部擴大平面圖。圖13A是例示第3實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖。圖13B是例示第3實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖。圖13C是例示第3實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖。圖14A是例示第4實施方式的半導體裝置的平面圖。圖14B是例示第4實施方式的半導體裝置的剖面圖。圖14C是例示第4實施方式的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖14D是例示第4實施方式的半導體裝置的局部擴大平面圖。圖15A是例示第4實施方式的半導體裝置的制造工序的平面圖。圖15B是例示第4實施方式的半導體裝置的制造工序的剖面圖。圖15C是例示第4實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大平面圖。圖15D是例示第4實施方式的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖16是例示變形例1的半導體裝置的圖。圖17是例示變形例2的半導體裝置的圖。圖18A是例示變形例2的半導體裝置的制造工序的圖。圖18B是例示變形例2的半導體裝置的制造工序的圖。圖18C是例示變形例2的半導體裝置的制造工序的圖。圖19A是例示變形例3的半導體裝置的圖。圖19B是例示變形例3的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖20A是例示變形例3的半導體裝置的制造工序的圖。圖20B是例示變形例3的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖21A是例示變形例4的半導體裝置的圖。圖21B是例示變形例4的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖22A是例示變形例4的半導體裝置的制造工序的圖。圖22B是例示變形例4的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖23是例示變形例5的半導體裝置的圖。圖24是例示變形例5的半導體裝置的制造工序的圖。圖25是例示變形例6的半導體裝置的圖。圖26A是例示變形例7的半導體裝置的圖。圖26B是例示變形例7的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖27A是例示變形例7的半導體裝置的制造工序的圖。圖27B是例示變形例7的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖28A是例示變形例8的半導體裝置的圖。圖28B是例示變形例8的半導體裝置的局部擴大剖面圖。圖29A是例示變形例8的半導體裝置的制造工序的圖。圖29B是例示變形例8的半導體裝置的制造工序的局部擴大剖面圖。圖30A是說明杯剪切試驗的試驗用樣本等的圖。圖30B是說明杯剪切試驗的試驗用樣本等的圖。圖31是例示實施例1的杯剪切試驗結果的圖。圖32是例示實施例2的杯剪切試驗結果的圖。圖33是例示實施例3的杯剪切試驗結果的圖。符號說明1、1A-1G、2、3、4半導體裝置10、10S引線框架11芯片墊11g、12引線12d、12e階差面12T突起部12x、12y階差部13、14、15金屬膜17黏著材18高密度凹凸部20半導體芯片30金屬線40樹脂部50凸點300、310、320、330保護層300x、330y、320x、330x、330y開口部具體實施方式以下，參照附圖說明用于實施本發(fā)明的形態(tài)。在此，各附圖中對相同的結構部分采用相同的符號，有時會省略重復的說明?！吹?實施方式〉[第1實施方式的半導體裝置的結構]首先，關于第1實施方式的半導體裝置的結構進行說明。圖1A-圖1D是例示第1實施方式的半導體裝置的圖，圖1A是平面圖，圖1B是沿著圖1A的A-A線的剖面圖，圖1C是圖1B中B的局部擴大剖面圖、圖1D是圖1B的B的局部擴大平面圖。并且，圖1A中，方便起見省略了金屬線30及樹脂部40的圖示。另外，圖1D中，方便起見省略了樹脂部40的圖示。參照圖1A-圖1D，半導體裝置1大體包括引線框架10、半導體芯片20、金屬線30(接合線)以及樹脂部40。另外，在本實施方式中，方便起見，將半導體裝置1的半導體芯片20側稱為上側或一側，將引線框架10側稱為下側或另一側。另外，將各部位的半導體芯片20側的面稱為一個面或上面，將引線框架10側的面稱為另一面或下面。在此，也可以將半導體裝置1以上下顛倒的狀態(tài)使用，或配置成任意的角度。另外，俯視是指從引線框架10的一個面的法線方向觀察對象物的情況，平面形狀是指從引線框架10的一個面的法線方向觀察對象物時的形狀。在半導體裝置1中，引線框架10包括裝設半導體芯片20的芯片墊11(芯片裝設部)以及多個引線12(端子部)。作為引線框架10的材料，例如可以使用銅(Cu)或銅合金、42合金(Fe與Ni的合金)等。芯片墊11的上面11a(除了裝設有半導體芯片20的區(qū)域)被樹脂部40覆蓋，側面與下面從樹脂部40露出。在芯片墊11的下面形成有金屬膜13。作為金屬膜13，例如可以使用Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(將Ni膜與Au膜按該順序進行疊層的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(將Ni膜與Pd膜與Au膜按該順序進行疊層的金屬膜)等。引線12與芯片墊11電獨立，俯視時，在芯片墊11的周圍以規(guī)定間距設有多個引線12。然而，引線12并非必須以2列設置在芯片墊11的周圍，也可以是1列或3列以上。另外，也可以只設在芯片墊11的兩側。引線12被形成為大致圓柱狀。引線12具有位于上端的上面12a(第1端面)、位于下端的下面12b(第2端面)、在上面12a與下面12b之間沿縱(垂直)方向延伸的側面(周面)12c。引線12上形成有階差部12x，階差部12x是引線12的側面12c的下部(下面12b側)比上部(上面12a側)更向外周側擴大的部分。階差部12x具有平面形狀呈大致圓環(huán)狀的階差面12d。即，在引線12的側面12c形成有面向引線12上面?zhèn)鹊碾A差面12d。另外，階差部12x表示包含階差面12d的階差面12d的近旁。引線12的下面12b的直徑(面積)比引線12的上面12a的直徑(面積)大。引線12的上面12a的直徑可以是例如0.20mm-0.25mm程度。階差面12d的寬度(圓環(huán)的寬度)例如可以是50μm-75μm程度。在引線12的上面12a形成有金屬膜14，在引線12的下面12b形成有金屬膜15。金屬膜15覆蓋俯視時與引線12的上面12a及階差面12d重疊的位置(區(qū)域)?？梢允菇饘倌?5的下面與形成于芯片墊11下面的金屬膜13的下面成為大致同一平面。作為金屬膜14及15，例如可以使用Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(將Ni膜與Au膜按該順序進行疊層的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(將Ni膜與Pd膜與Au膜按該順序進行疊層的金屬膜)等。另外，方便起見雖然對形成在芯片墊11的下面的金屬膜13、形成在引線12的上面12a及下面12b的金屬膜14及15分別采用了不同符號，但是可以通過同一工序使用同一材料形成這些金屬膜。半導體芯片20以面朝上的狀態(tài)被裝設在芯片墊11上。半導體芯片20例如可以通過粘片膜等黏著材17被裝設在芯片墊11上(芯片接合)。作為黏著材17，還可以使用膏狀黏著材來取代粘片膜等膜狀黏著材。形成在半導體芯片20上面?zhèn)鹊母麟姌O端子，通過金線或銅線等金屬線30，與形成在引線12的上面12a的金屬膜14電連接(引線接合)。樹脂部40是覆蓋引線框架10的一部分、半導體芯片20及金屬線30的密封樹脂。即，樹脂部40以露出芯片墊11及引線12的一部分的方式，密封半導體芯片20等。引線12的上面12a側被樹脂部40覆蓋，下面?zhèn)葟臉渲?0突出。引線12的從樹脂部40突出的部分(比階差面12d更為下側的部分)成為外部連接端子。另外，階差面12d被樹脂部40覆蓋。作為樹脂部40，例如可以使用環(huán)氧樹脂中包含充填物的所謂的鑄模樹脂等。如圖1C及圖1D所示，在引線12的階差面12d(與樹脂部40接觸的面)上，設置有高密度凹凸部18。在此，圖1A中以梨皮紋樣、圖1B中以粗線分別示意表示了設有高密度凹凸部18的區(qū)域。高密度凹凸部18是例如平面形狀為大致圓形的微小凹部(凹坑)被高密度縱橫排列的部分。高密度凹凸部18例如可以被排列成面心格子等格子狀。凹部的直徑優(yōu)選為0.020mm-0.060mm，更優(yōu)選為0.020mm-0.040mm。凹部的間距優(yōu)選為0.040mm-0.080mm。凹部的深度優(yōu)選為引線框架10的板厚的35-70％程度，例如可以是0.010mm-0.050mm程度。在此，高密度凹凸部18中，凹部的平面形狀也可以不是大致圓形，例如可以是六邊形等的多邊形。在此情況下，多邊形的外接圓的直徑優(yōu)選為0.020mm-0.060mm，更優(yōu)選為0.020mm-0.040mm。多邊形的外接圓的間距優(yōu)選為0.040mm-0.080mm。另外，在本申請中，高密度凹凸部是指，凹凸部中的凹部的平面形狀是直徑0.020mm以上0.060mm以下的圓形，或是與直徑0.020mm以上0.060mm以下的外接圓相接的多邊形，且凹凸部的S比率為1.7以上的結構。在此，S比率是指，如圖2所示，在表面積為S0的平坦面形成有凹凸部，且凹凸部的表面積為S的情況下的S0與S的比率。即，S比率＝S/S0。凹部的直徑或多邊形的外接圓的直徑小于0.020mm的情況下，或大于0.06mm的情況下，難以使S比率增加，而無法提高與樹脂部40的密接性。如上所述，通過在引線12設置階差部12x，并在階差部12x的階差面12d設置高密度凹凸部18，能夠增加引線12與樹脂部40接觸的部分的表面積。因此，產生錨效果，能夠提高引線12與樹脂部40的密接性。其結果，能夠降低引線12從樹脂部40脫落的可能性。另外，使用歷來的圓柱狀或角柱狀引線的情況，有時水份會從引線的側面與樹脂部的界面侵入，達到樹脂部內。若有水份侵入到半導體裝置的樹脂部內(樹脂部與引線框架的界面)，在基板上安裝半導體裝置時的回流焊工序等中，樹脂部內的水份會急劇膨脹及汽化，從而造成樹脂部發(fā)生裂紋等的問題(所謂的爆米花現(xiàn)象)。若發(fā)生爆米花現(xiàn)象，半導體裝置就會被破壞。半導體裝置1中，引線12上設有階差部12x，并且，階差部12x的階差面12d上設有高密度凹凸部18。因此，實質上能夠延長水份流入的路徑，降低水份從引線12的側面12c與樹脂部40的界面侵入而達到樹脂部40內的可能性。其結果，能夠降低爆米花現(xiàn)象的發(fā)生。[第1實施方式的半導體裝置的制造方法]以下，關于第1實施方式的半導體裝置的制造方法進行説明。圖3A-圖9C是例示第1實施方式的半導體裝置的制造工序的圖。首先，在圖3A及圖3B所示的工序中，準備規(guī)定形狀的金屬制板材10B。板材10B是最終將沿著虛線所示切斷線被切斷，即按每個單片化區(qū)域C被單片化，成為多個引線框架10(參照圖1A)的部件。作為板材10B的材料，例如可以使用銅(Cu)或銅合金、42合金等。板材10B的厚度可以是例如100μm-200μm程度。另外，圖3A是平面圖、圖3B是沿著圖3a的A-A線的剖面圖。圖3A的平面圖中，方便起見，加有與圖3B的剖面圖對應的影線。然后，在圖4A-圖4D所示的工序中，在板材10B的上面10Ba形成感光性的保護層300，在板材10B的下面10Bb形成感光性的保護層310。并且，對保護層300進行曝光及顯影，從而在規(guī)定位置形成開口部300x及330y。參照圖4A-圖4D,開口部300x是用于在板材10B上形成作為芯片墊11的部分以及作為引線12的部分的開口部。另外，開口部330y是用于形成引線12的階差部12x的開口部，例如是多個圓形開口縱橫排列的結構。圓形開口的直徑可以是0.020mm-0.040mm。圓形開口的間距可以是例如0.040mm-0.080mm程度。保護層300的開口部330y的平面形狀還可以是六邊形等的多邊形，此時，多邊形的外接圓的直徑可以是0.020mm-0.040mm，間距可以是0.040mm-0.080mm。在此，圖4A-圖4D表示的是圖3A中的一個單片化區(qū)域C，圖4A是平面圖，圖4B是沿著圖4A的A-A線的剖面圖，圖4C是圖4B中B的局部擴大剖面圖、圖4D是圖4B中B的局部擴大平面圖。另外，圖4A及圖4D中，方便起見，加有與圖4B的剖面圖對應的影線。并且，在圖4A中以梨皮紋樣、圖4B中以粗線分別示意表示了設有用于形成階差部12x的開口部330y的區(qū)域。以下的圖5A-圖5D、圖6A-圖6D也與此相同。然后，在圖5A-圖5D所示的工序中，以保護層300及310作為蝕刻掩膜，對板材10B進行蝕刻(例如，濕蝕刻)。在形成有開口部300x的部分，板材10B被進行半蝕刻，板材10B的將成為芯片墊11的部分等被薄型化，并在板材10B的上面10Ba形成將成為引線12的柱狀突起部12T，形成引線框架10S。突起部12T也可以是沿縱方向延伸的柱狀。至此形成引線框架10S。例如，可以對將成為芯片墊11的部分等進行薄型化，使其厚度成為蝕刻前的板材10B的厚度的70％程度。另外，在本實施方式中，突起部12T可以是圓柱狀、四角柱或六角柱等角柱狀(參照下述的變形例)。另外，在形成有開口部330y的部分，由于蝕刻初期蝕刻液向各圓形開口周圍(形成有保護層300的部分)的侵入受到限制，因此板材10B的一部分不被蝕刻。此后，在蝕刻中期至末期，周圍的蝕刻液侵入，開口部330y的整體被腐蝕。其結果，各圓形開口周圍的蝕刻深度會比各圓形開口內的蝕刻深度淺，因此，各圓形開口內相對于各圓形開口周圍凹陷而成為平面形狀為圓形的凹部，形成高密度凹凸部18的同時被薄型化。在開口部330y，通過變更開口的平面形狀或大小、間距，能夠形成具有各種各樣的形狀或深度的凹部的高密度凹凸部18。另外，在開口部330y，通過變更開口的平面形狀或大小、間距，能夠變更蝕刻量，因此能夠進行任意厚度的薄型化。在本實施方式中，將開口的平面形狀或大小、間距設定成可以使形成有開口部330y的部分與形成有開口部300x的部分同程度薄型化的值。因此，高密度凹凸部18的凹部的最深部與成為芯片墊11的部分的上面成為大致同一高度。另外，圖5C中高密度凹凸部18的各凹部的剖面被表示為矩形狀，而實際上會形成凹部底面向下方彎曲的曲面狀剖面。然后，在圖6A-圖6D所示的工序中，除去圖5A-圖5D所示的保護層300及310。然后，在圖7A所示的工序中，在包含突起部12T的上面及側面在內的引線框架10S的上面形成感光性的保護層320，并在引線框架10S的下面形成感光性的保護層330。然后，對保護層320及330進行曝光及顯影，形成開口部320x、330x及330y。以露出突起部12T的上面的方式形成開口部320x。另外，以露出將成為芯片墊11的部分的方式形成開口部330x。另外，以露出引線框架10S下面的、俯視時與突起部12T的上面及高密度凹凸部18的形成區(qū)域重疊的部分的方式，形成開口部330y。即，在高密度凹凸部18的形成區(qū)域為圓環(huán)狀、且外徑為φ1的情況下，作為開口部330y形成直徑為φ1的圓形開口部。然而，高密度凹凸部18的形成區(qū)域的外周與開口部330y的外周可不必完全一致，例如，俯視時開口部330y也可以僅覆蓋高密度凹凸部18的圓環(huán)的一部分。另外，開口部330y也可以比高密度凹凸部18的圓環(huán)大(此情況如第3實施方式所示)。接下來，在圖7B所示的工序中，在開口部320x內露出的突起部12T的上面形成金屬膜14，在開口部330x內露出的引線框架10S下面的、將成為芯片墊11的區(qū)域形成金屬膜13。并且，在開口部330y內露出的引線框架10S下面的、將成為引線12的部分形成金屬膜15。以覆蓋引線框架10S下面的、俯視時與突起部12T的上面及高密度凹凸部18的形成區(qū)域重疊的部分的方式，形成金屬膜15。作為金屬膜13、14及15，例如可以使用Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(將Ni膜與Au膜按該順序疊層的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(將Ni膜與Pd膜與Au膜按該順序疊層的金屬膜)等。例如，可以通過以引線框架10S作為供電路徑的電鍍法來形成金屬膜13、14及15。然后，在圖7C所示的工序中，除去圖7B所示的保護層320及330。至此，完成如圖8A及圖8B所示的平面形狀的引線框架10S。圖8A及圖8B所示的引線框架10S是一個在金屬制板材上以行列狀配置了將成為引線框架10的多個單片化區(qū)域C的結構。在單片化區(qū)域C的上面，設有將成為外部連接端子的突起部12T及用于裝設半導體芯片的芯片裝設區(qū)域。單片化區(qū)域C上面的被突起部12T包圍的區(qū)域是芯片裝設區(qū)域。另外，在單片化區(qū)域C上面的各突起部12T的周圍，形成有高密度凹凸部18。包括形成有高密度凹凸部18的區(qū)域在內的單片化區(qū)域C的上面，是被樹脂部40覆蓋的覆蓋區(qū)域。繼續(xù)說明半導體裝置1的作制工序。首先，在圖9A所示的工序中，在各單片化區(qū)域C的將成為芯片墊11的部分上，以面朝上的狀態(tài)裝設半導體芯片20。半導體芯片20例如可以通過粘片膜等黏著材17被裝設(芯片接合)在將成為芯片墊11的部分上。在此情況下，加熱至規(guī)定溫度使粘片膜硬化。作為黏著材17，也可以使用膏體狀黏著材來取代粘片膜等膜狀黏著材。并且，通過金線或銅線等金屬線30，將半導體芯片20的上面?zhèn)刃纬傻碾姌O端子電連接于金屬膜14。金屬線30例如可以通過引線接合法，與半導體芯片20的電極端子及金屬膜14連接。然后，在圖9B所示的工序中，形成用于密封引線框架10S、半導體芯片20及金屬線30的樹脂部40。作為樹脂部40，例如可以使用環(huán)氧樹脂中包含充填物的所謂的鑄模樹脂等。例如可以通過傳遞模塑法或壓縮模塑，形成法等樹脂部40。然后，在圖9C所示的工序中，從引線框架10S的下面?zhèn)乳_始對其進行蝕刻(例如，濕蝕刻)。此時，通過對金屬膜13及15(Ni/Pd/Au鍍膜等)使用能夠選擇性地除去引線框架10S(Cu等)的蝕刻液，可使金屬膜13及15發(fā)揮蝕刻掩膜的功能。因此，只有未形成金屬膜13及15部分的引線框架10S被蝕刻，芯片墊11與多個引線12彼此獨立，且從樹脂部40的下面突出，形成引線框架10(凹蝕工序)。然后，通過沿著切斷線切斷圖9C所示的構造體，按每個單片化區(qū)域C進行單片化，完成多個半導體裝置1(參照圖1A)。例如可以通過切片機等進行切斷。在此，可以將半導體裝置1作為1個產品出貨，也可以將圖8A所示的單片化前的引線框架10S作為1個產品出貨。在此情況下，作為產品購入單片化前的引線框架10S的用戶，可以實施圖9A-圖9C所示的各工序，制作多個半導體裝置1。如上所述，在引線框架10S的制造工序中，在通過對板材進行蝕刻來形成突起部12T時使用的蝕刻掩膜上，制作用于形成高密度凹凸部18的規(guī)定圖形。由此，能夠在形成突起部12T等的工序中一并形成高密度凹凸部18，從而能夠提高制造工序的效率化，降低制造成本。另外，由于能夠通過1個蝕刻掩膜同時形成突起部12T等以及高密度凹凸部18，因此這些部分原理上不會發(fā)生偏位。從而，能夠在突起部12T等的所期望的位置上形成高密度凹凸部18。對此，如歷來的技術，除了形成突起部12T等的蝕刻之外還另行進行表面粗化蝕刻的方法中，因制造工序的復雜化而導致成本上升，并且粗化區(qū)域的位置精度降低?！吹?實施方式〉第2實施方式中將說明階差面的位置與第1實施方式不同的例子。并且，第2實施方式中有時會省略與前文所述的實施方式相同的構成部的說明。圖10A-圖10D是例示第2實施方式的半導體裝置的圖，圖10A是平面圖，圖10B是沿著圖10AのA-A線的剖面圖，圖10C是圖10B中B的局部擴大剖面圖，圖10D是圖10B中B的局部擴大平面圖。在此，圖10A中，方便起見省略了金屬線30及樹脂部40的圖示。另外，圖10D中，方便起見省略了樹脂部40的圖示。第1實施方式的半導體裝置1(參照圖1A-1D)中，引線12的階差面12d與芯片墊11的上面11a為大致同一平面，高密度凹凸部18的凹部的最深部與芯片墊11的上面11a為大致同一高度。第2實施方式的半導體裝置2中，引線12的階差面12d位于比芯片墊11的上面11a更為上側的位置(接近樹脂40的上面)，階差面12d及比階差面12d更為下面?zhèn)鹊囊€12的側面12c的一部分被樹脂部40覆蓋。如上所述，通過將階差面12d配置在比芯片墊11的上面11a更為上側的位置，能夠防止在圖9C所示的凹蝕工序中引線12與樹脂部40之間出現(xiàn)縫隙。其結果，實質上能夠進一步延長水份流入的路徑，進一步降低水份從引線12的側面12c與樹脂部40的界面侵入而達到樹脂部40內的可能性。在第1實施方式的圖5A-圖5D所示的工序中，通過減小開口部330y的各開口的大小、縮短間距或者進行這兩者，能夠使階差面12d位于比芯片墊11的上面11a更為上側的位置。即，如圖11A-圖11D所示，通過以保護層300及310作為蝕刻掩膜對板材10B進行蝕刻，能夠使階差面12d位于比將成為芯片墊11的部分的上面更為上側的位置。圖11A-圖11D中，突起部12T上形成有階差部12x，該階差部12x是突起部12T側面的接近板材10B的上面10Ba的側比遠離板材10B的上面10ba的側更向外周側擴大而成的部分，在階差部12x的階差面12d形成高密度凹凸部18。階差面12d及擴大的階差部12x的側面的一部分將成為被樹脂部40覆蓋的覆蓋區(qū)域?！吹?實施方式〉第3實施方式中將說明引線具有2個階差面的例子。并且，在第3實施方式中有時會省略與前文所述的實施方式相同的構成部的說明。圖12A-圖12D是例示第3實施方式的半導體裝置的圖，圖12A是平面圖，圖12B是沿著圖12A的A-A線的剖面圖，圖12C是圖12B中B的局部擴大剖面圖，圖12D是圖12B中B的局部擴大平面圖。另外，圖12A中，方便起見省略了金屬線30及樹脂部40的圖示。另外，圖12D中，方便起見省略了樹脂部40的圖示。第3實施方式的半導體裝置3與第2實施方式的半導體裝置2的不同點在于，引線12的階差部12y上設有2個階差面12d及12e。與半導體裝置2的相同點是階差面12d位于比芯片墊11的上面11a更為上側的位置。階差部12y是形成在階差面12d的外周側的、具有階差面12e(第2階差面)的階梯狀結構，階差面12d及12e被樹脂部40覆蓋。更詳細而言，俯視時階差面12e位于階差面12d的外側且呈大致圓環(huán)狀，階差面12e的寬度(圓環(huán)的寬度)例如可以是50μm-75μm程度。剖面時階差面12e位于比階差面12d更為下側的位置，且階差面12e與芯片墊11的上面11a為大致同一面。階差面12e上未形成高密度凹凸部18。然而，也可以在階差面12e上形成高密度凹凸部18。如上所述，通過在引線12的側面12c設置階梯狀的階差部12y，與第2實施方式的半導體裝置2同樣，能夠防止在圖9C所示的凹蝕工序中引線12與樹脂部40之間發(fā)生縫隙。另外，通過階梯狀的階差部12y，實質上能夠進一步延長水份流入的路徑，即使水份從引線12的側面12c與樹脂部40的界面侵入，也能夠進一步降低水份達到樹脂部40內的可能性。在實施第2實施方式的圖11A-圖11D所示的工序之后，通過除去保護層300及310，并實施圖13A所示的工序，能夠形成具有階差面12d及12e的階梯狀階差部12y。在圖13A所示的工序中，與第1實施方式的圖7A所示的工序同樣，形成保護層320及330，并在保護層320及330上形成開口部320x、330x、及330y。在此，階差面12d(高密度凹凸部18的形成區(qū)域)為圓環(huán)狀且外徑為φ1時，作為開口部330y，形成中心與階差面12d的圓環(huán)大致相同，且直徑φ2比階差面12d的圓環(huán)的外徑φ1大的開口部。其次，通過實施與圖7B及圖7C同樣的工序，如圖13B所示，在引線框架10S的下面的設有開口部330y的位置，形成直徑為φ2的金屬膜15。然后，通過實施與圖9A-圖9C相同的工序，如圖13C所示，以金屬膜15作為蝕刻掩膜進行凹蝕，形成俯視時位于階差面12d外側的、大致圓環(huán)狀的階差面12e。由此，形成具有階差面12d及12e的階梯狀階差部12y?！吹?實施方式〉第4實施方式中將說明在芯片墊的裝設半導體芯片的面形成高密度凹凸部的例子。并且，第4實施方式中有時會省略與前文所述的實施方式相同的構成部的說明。圖14A-圖14D是例示第4實施方式的半導體裝置的圖，圖14A是平面圖，圖14B是沿著圖14A的A-A線的剖面圖、圖14C是圖14B中B的局部擴大剖面圖，圖14D是圖14B中B的局部擴大平面圖。另外，圖14A中，方便起見省略了金屬線30及樹脂部40的圖示。另外，圖14D中，方便起見省略了樹脂部40的圖示。參照圖14A-圖14D，第4實施方式的半導體裝置4與第1實施方式的半導體裝置1(參照圖1A-圖1D)的不同點在于，在芯片墊11的上面11a設有高密度凹凸部18。如上所述，通過在芯片墊11的上面11a設置高密度凹凸部18，除了第1實施方式的効果之外，還能夠獲得提高芯片墊11的上面11a與樹脂部40的密接性的效果。另外，實質上能夠延長水份流入的路徑，從而能夠降低水份從芯片墊11的上面11a與樹脂部40的界面侵入而達到樹脂部40內的可能性。另外，通過在芯片墊11的上面11a設置高密度凹凸部18，在使用黏著材(未圖示)將半導體芯片20接合于芯片墊11的上面11a的情況下，通過黏著材的錨効果，能夠提高接合強度。通過以圖15A-圖15D所示的工序取代第1實施方式的圖4A-圖4D所示的工序，能夠在芯片墊11的上面11a形成高密度凹凸部18。圖15A-圖15D所示的工序中，與圖4A-圖4D所示的工序不同，在板材10B上的將成為芯片墊11的部分配置了具有開口部330y的保護層300。然后，通過實施與圖5A-圖5D所示的工序同樣的工序，在板材10B上的突起部12T周圍形成高密度凹凸部18，并在板材10B上的將成為芯片墊11的部分(芯片裝設區(qū)域)形成高密度凹凸部18。以下的工序與第1實施方式同樣。另外，在圖15A-圖15D所示的工序中，在板材10B上的將成為芯片墊11的部分形成的開口部330y，還能夠通過變更開口的平面形狀或大小、間距，在芯片墊11的上面11a形成平坦的半蝕刻面。即，無須在芯片墊11的上面11a形成高密度凹凸部18，也能夠進行半蝕刻。例如，通過在板材10B上的將成為芯片墊11的部分形成的開口部330y，形成方格紋樣(格紋)的保護層圖形，能夠形成平面平坦的半蝕刻面。在此情況下，制造工序雖有不同，但能夠形成與圖1所示的半導體裝置1相同結構的半導體裝置。〈變形例〉以下，說明各實施方式的變形例。各變形例可應用于上述任何實施方式。圖16是例示變形例1的半導體裝置的圖。圖16所示的半導體裝置1A，其引線12為四角柱。即，在各實施方式的半導體裝置中，引線12的形狀并不限定于圓柱狀，也可以是四角柱或六角柱等的角柱狀。在此，沿著圖16的A-A線的剖面圖與圖1B同樣。圖17是例示變形例2的半導體裝置的圖。圖17所示的半導體裝置1B不具備芯片墊。即，各實施方式的半導體裝置也可以不具備芯片墊。制作半導體裝置1B時，例如在第1實施方式的圖7C的工序中，可以僅在引線12的形成部分設置金屬膜14及15，而不設置金屬膜13。然后，如圖18A-圖18C所示，通過實施與圖9A-圖9C相同的工序，能夠制作成不具備芯片墊的半導體裝置1B。在圖18C所示的工序中，半導體芯片20的下面(黏著材17的下面)從樹脂部40露出。圖19A及圖19B是例示變形例3的半導體裝置的圖。在圖19A及圖19B所示的半導體裝置1C中，芯片墊11的上面11a及上面?zhèn)鹊膫让姹粯渲?0覆蓋，在芯片墊11的上面11a形成有高密度凹凸部18。另外，圖19B是圖19A中B部的局部擴大剖面圖。制作半導體裝置1C時，例如在第2實施方式的圖11A-圖11D的工序中，可以在板材10B的將成為芯片墊11的部分的上面設置具有開口部330y的保護層300，并進行蝕刻。通過以上，如圖20A及圖20B所示，能夠在將成為芯片墊11的部分的上面形成高密度凹凸部18，并且，將成為芯片墊11的部分的上面被蝕刻成與階差面12d同程度的高度。在此，圖20B是圖20A中B部的局部擴大剖面圖。圖21A及圖21B是例示變形例4的半導體裝置的圖。圖21A及圖21B所示的半導體裝置1D中，芯片墊11的上面11a及上面?zhèn)鹊膫让姹粯渲?0覆蓋，在芯片墊11的側面形成有階差面11d，在階差面11d形成有高密度凹凸部18。在此，圖21B是圖21A中B部的局部擴大剖面圖。制作半導體裝置1D時，例如在第2實施方式的圖11A-圖11D的工序中，可以在板材10B的將成為芯片墊11的部分的上面設置周圍具有開口部330y的保護層300，并進行蝕刻。通過以上，如圖22A及圖22B所示，能夠對將成為芯片墊11的部分的上面的周圍進行蝕刻，形成高度與階差面12d同程度的階差面11d。另外，在階差面11d上形成高密度凹凸部18。圖23是例示變形例5的半導體裝置的圖。圖23所示的半導體裝置1E不具有芯片墊，僅具有引線12。并且，半導體芯片20以面朝下的方式，通過凸點50與引線12的上面12a上的金屬膜14連接(倒裝芯片連接)。在此情況下，為了半導體裝置1E的薄型化以及提高半導體芯片20的散熱性，可以使半導體芯片20的背面(圖23中的上側)從樹脂部40露出。另外，半導體芯片20的背面也可以被樹脂部40覆蓋。制作半導體裝置1E時，如圖24所示，例如與第2實施方式的圖11A-圖11D的工序同樣，可以設置僅用于形成引線12的保護層300，并進行蝕刻。然后，除去保護層300，與圖18A同樣，在引線12的形成部分設置金屬膜14及15，不設置金屬膜13，并將半導體芯片20面朝下，即倒裝芯片的方式安裝在金屬膜14上。然后，實施與圖18B及圖18C同樣的工序，能夠獲得只具有引線12的半導體裝置1E。圖25是例示變形例6的半導體裝置的圖。圖25所示的半導體裝置1F，在其相當于圖24的芯片墊11的位置具有引線11g，并在引線11g的上面形成有金屬膜14，金屬膜14通過凸點50與半導體芯片20連接。在此情況下，引線11g能夠用于地線或電源系的引線。另外，在引線11g上形成有高度與引線12的階差面12d幾乎相同的階差面11d，階差面11d上形成有高密度凹凸部18。圖26A及圖26B是例示變形例7的半導體裝置的圖。在圖26A所示的半導體裝置1G中，在引線12的上面12a形成有高密度凹凸部18，沿著高密度凹凸部18的凹凸表面形成有金屬膜14。制作半導體裝置1G時，例如，取代第1實施方式的圖5A-圖5D的工序，如圖27A所示，可以在用于形成突起部12T的保護層300整體設置開口部330y，并進行蝕刻。在此，圖27B是圖27A中B部的局部擴大剖面圖。圖28A及圖28B是例示變形例8的半導體裝置的圖。圖28A所示的半導體裝置1H，相當于在圖23所示的半導體裝置1E中的引線12的上面12a整體上設置高密度凹凸部18的結構。與圖26A所示的半導體裝置1G同樣，在引線12的上面12a形成有高密度凹凸部18，沿著高密度凹凸部18的凹凸表面形成有金屬膜14。制作半導體裝置1H時，如圖29A及圖29B所示，例如可以在用于形成突起部12T的保護層300的整體設置開口部330y并進行蝕刻。然后，除去保護層300，與圖18A同樣，在引線12的形成部分設置金屬膜14及15，不設置金屬膜13，將半導體芯片20面朝下，既倒裝芯片的方式，通過凸點50安裝在金屬膜14上。然后，實施與圖18B及圖18C同樣的工序，能夠獲得僅具有引線12的半導體裝置1H?！磳嵤├?〉首先，制作了如圖30A及圖30B所示的試驗用樣本。具體而言，引線框架材100是由銅構成的平坦金屬板，在該引線框架材100的上面形成有凹部的平面形狀為直徑0.020mm以上0.060mm以下的圓形的凹凸部。然后，對凹凸部的表面不進行鍍層，而是按照表1所示的制作條件在凹凸部上形成有樹脂杯140。在此，按照6種S比率，分別制作了6個試驗用樣本，并進行了6次測定。其中，S比率＝1表示未形成凹凸部的試驗用樣本(比較例：歷來品)。另外，求出S比率時的表面積的測定，使用了3維測定激光顯微鏡(奧林巴斯社制造LEXTOLS4100)?！颈?】樹脂的種類環(huán)氧類樹脂高度h3mm底面直徑d13.568mm上面直徑d23mm表面積10.2mm2熱歷史175℃×1h(N2)+230℃×10min樹脂的硬化條件175℃×6h(air)在此，如表1所示，作為試驗用樣本的熱歷史，先在氮氛圍中以175℃進行了1小時加熱，然后在大氣中以230℃進行了10分鐘加熱。熱歷史體現(xiàn)了在引線框架至半導體裝置的制造工序中，由樹脂部密封半導體芯片等之前進行的半導體芯片裝設工序(芯片貼裝工序)及引線接合工序的加熱過程。即，由于在這些工序加熱，引線框架發(fā)生氧化的情況并不少，其會影響樹脂部與引線框架的密著力。因此，本試驗中也對試驗用樣本的引線框架材100施加了相當于實際的芯片貼裝工序及引線接合工序中進行加熱的熱歷史，然后形成樹脂杯140。由此，可獲得信賴性高的試驗結果。然后，按照SEMI標準規(guī)格G69-0996中規(guī)定的順序，實施了杯剪切試驗。具體而言，將各試驗用樣本的樹脂杯140按壓于測量儀(未圖示)上，并使其向圖30B的箭頭方向移動，測定了剪斷強度。在室溫(大概25℃)、測量儀的高度為20μm、速度200μm/秒的條件下進行了該試驗。結果如圖31所示。圖31中，比較例的試驗用樣本(S比率＝1)的剪斷強度的平均值為13[Kgf]程度，相對于此S比率為1.8以上的試驗用樣本的剪斷強的平均值為17[Kgf]以上。即，可知S比率為1.8以上時引線框架與樹脂的密接性相比于歷來品有大幅提高。另外，S比率成為2.5程度時剪斷強度的上升達到飽和，其理由在于，在引線框架與樹脂的界面發(fā)生剝離之前樹脂的一部分已發(fā)生剝離(破壞)?！磳嵤├?〉在由銅構成的引線框架材100的上面形成與實施例1同樣的凹凸部，并在凹凸部的表面進行銀鍍層，然后在銀鍍層的凹凸部上形成樹脂杯140，此外按照與實施例1同樣的方式實施了杯剪切試驗。在此，銀鍍膜的厚度為大致6μm。結果如圖32所示。圖32中，比較例的試驗用樣本(S比率＝1)的剪斷強度的平均值為13[Kgf]程度，相對于此S比率為1.7以上的試驗用樣本的剪斷強度的平均值為17[Kgf]以上。即，可知S比率為1.7以上時引線框架上形成的銀鍍膜與樹脂的密接性相比于歷來品有大幅提高。〈實施例3〉在由銅構成的引線框架材100的上面形成與實施例1同樣的凹凸部，并在凹凸部的表面進行Ni/Pd/Au鍍層，然后在Ni/Pd/Au鍍層的凹凸部上形成樹脂杯140，此外按照與實施例1相同的方式實施了杯剪切試驗。在此，Ni/Pd/Au鍍層是指，在引線框架材100的上面，將鎳鍍膜、鈀鍍膜及金鍍膜以該順序疊層而成的結構。本實施例中，鎳鍍膜的厚度為大致0.8μm、鈀鍍膜的厚度為大致0.03μm、金鍍膜的厚度為大致0.006μm。結果如圖33所示。圖33中，比較例的試驗用樣本(S比率＝1)的剪斷強度的平均值為6[Kgf]程度，相對于此S比率為1.8以上的試驗用樣本的剪斷強度的平均值為17[Kgf]以上。即，可知S比率為1.8以上時引線框架上形成的Ni/Pd/Au鍍膜與樹脂的密接性有大幅提高?！磳嵤├目偨Y〉在由銅構成的引線框架的上面，通過形成凹部的平面形狀為直徑0.020mm以上0.060mm以下的圓形、S比率為1.7以上的凹凸部，即，通過形成高密度凹凸部，能夠增加與樹脂部接觸的部分的表面積。由此，產生錨効果，能夠提高引線框架與樹脂部的密接性。另外，高密度凹凸部在進行銀鍍層或Ni/Pd/Au鍍層之后也能夠維持一定以上的S比率，因此在鍍層之后的表面上形成樹脂部的情況下，也能夠提高引線框架與樹脂部的密接性。另外，S比率為1.7-2.5程度是適合實用的范圍，而考慮到提高密著力的效果及密著力提高達到飽和，S比率更為優(yōu)選范圍是1.8-2.0程度。另外，在凹凸部的凹部是一個與平面形狀為直徑0.020mm以上0.060mm以下的外接圓相接的多邊形的情況下，也確認到了同樣効果。以上，詳細說明了優(yōu)選的實施方式等，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式等，在不脫離請求范圍所記載的范圍內，可以對上述實施方式等加以各種變形及置換。例如，可以根據(jù)需要對各實施方式進行組合。關于以上各實施方式及變形例，還公開以下附記。(付記1)一種半導體裝置，包括：引線框架，具有柱狀的端子；半導體芯片，被裝設在所述引線框架；以及密封樹脂，覆蓋所述引線框架及所述半導體芯片，所述端子具有第1端面、以及與該第1端面為相反側的第2端面，在所述第1端面形成有凹凸部，在所述端子部中，從所述第1端面朝向所述第2端面延伸的第1部分被所述密封樹脂覆蓋，從所述第1部分延伸至第2端面的第2部分從所述密封樹脂突出。(付記2)一種引線框架，所述引線框架包括板材，所述板材的一個面的一部分突出以形成柱狀的突起，該突起成為連接端子，在所述板材的所述一個面的所述突起的周圍形成有凹凸部，所述突起以及所述凹凸部位于所述板材的所述一個面上的被密封樹脂覆蓋的區(qū)域。(付記3)一種引線框架，所述引線框架包括板材，所述板材的一個面的一部分突出以形成柱狀的突起，該突起成為連接端子，在所述板材的所述一個面的所述突起的上部形成有凹凸部，所述突起位于所述板材的所述一個面上的被樹脂覆蓋的區(qū)域。當前第1頁1 2 3