本發(fā)明涉及引線框架、電子元件裝置以及制造引線框架和電子元件裝置的方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，存在用于安裝諸如半導(dǎo)體芯片等電子元件的引線框架。在這種引線框架上，安裝在芯片焊盤(pán)上的半導(dǎo)體芯片通過(guò)導(dǎo)線與周?chē)囊€連接，并且使用密封樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)線(專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)no.2012-69886)。

如將對(duì)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行描述的，為了防止引線框架從密封樹(shù)脂中滑出，在引線框架的端子部分的側(cè)表面的上端處形成突出部。然而，由使用刻蝕抑制劑的濕法刻蝕形成的突出部非常薄且尖銳。

因此，存在這樣的問(wèn)題：如果將豎直應(yīng)力施加于引線框架，由于端子部分的突出部碎裂，因此起不到錨定物的作用，不能實(shí)現(xiàn)足夠的可靠性。

另外，當(dāng)通過(guò)引線接合法將半導(dǎo)體芯片與端子部分連接時(shí)，突出部也可能碎裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的各示例性實(shí)施例提供了能夠獲得端子部分與密封樹(shù)脂之間的足夠附著力的引線框架和電子元件裝置以及制造引線框架和電子元件裝置的方法。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的引線框架，包括：

端子部分，其由金屬板形成；以及

芯片焊盤(pán)部分，其由所述金屬板形成，

其中，所述端子部分和所述芯片焊盤(pán)部分中的每一個(gè)均包括：

第一側(cè)表面，其在自相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的表面方向的深度，以及

第二側(cè)表面，其在自所述第一側(cè)表面的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的所述表面方向的深度，并且

其中，在所述端子部分和所述芯片焊盤(pán)部分中的每一個(gè)中，

所述第一側(cè)表面和所述第二側(cè)表面的邊界部分成為向外突出的突出部，

所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度大于所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度，

所述第二側(cè)表面的上端與下端之間的距離長(zhǎng)于所述第一側(cè)表面的上端與下端之間的距離，并且

所述芯片焊盤(pán)部分的位于形成有所述第一側(cè)表面的一側(cè)的表面是電子元件安裝表面。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的電子元件裝置，包括：

引線框架，包括：

端子部分，其由金屬板形成，以及

芯片焊盤(pán)部分，其由所述金屬板形成，

其中，所述端子部分和所述芯片焊盤(pán)部分中的每一個(gè)均具有：

第一側(cè)表面，其在自相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的表面方向的深度，以及

第二側(cè)表面，其在自所述第一側(cè)表面的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述相應(yīng)的端子部分或所述芯片焊盤(pán)部分的表面方向的深度，并且

在所述端子部分和所述芯片焊盤(pán)部分中的每一個(gè)中，

所述第一側(cè)表面和所述第二側(cè)表面的邊界部分成為向外突出的突出部，

所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度大于所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度，

所述第二側(cè)表面的上端與下端之間的距離長(zhǎng)于所述第一側(cè)表面的上端與下端之間的距離，并且

所述芯片焊盤(pán)部分的位于形成有所述第一側(cè)表面的一側(cè)的表面是電子元件安裝表面；

電子元件，其安裝在所述引線框架的所述電子元件安裝表面上并且與所述端子部分電連接；以及

密封樹(shù)脂，其形成為覆蓋所述電子元件以及所述端子部分和所述芯片焊盤(pán)部分各自的所述第一側(cè)表面和所述第二側(cè)表面。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造引線框架的方法，包括：

在金屬板的上表面上形成具有開(kāi)口的第一抗蝕層的步驟；

第一刻蝕步驟，其經(jīng)由所述第一抗蝕層的所述開(kāi)口對(duì)所述金屬板實(shí)施濕法刻蝕，以將所述金屬板刻蝕至所述金屬板的厚度的中部，從而形成第一凹部；

移除所述第一抗蝕層的步驟；

在所述金屬板的上表面上形成第二抗蝕層使得所述第二抗蝕層在覆蓋所述第一凹部的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分的同時(shí)在所述第一凹部上具有開(kāi)口的步驟；以及

第二刻蝕步驟，其經(jīng)由所述第二抗蝕層的所述開(kāi)口從所述第一凹部的底表面對(duì)所述金屬板實(shí)施刻蝕，

其中，通過(guò)實(shí)施所述第二刻蝕步驟，

形成第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，所述第一側(cè)表面從所述第一凹部的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分得到并且形成為凹曲線形狀，所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述金屬板的表面方向的深度，并且所述第二側(cè)表面與所述第一側(cè)表面的下端鄰接且形成為凹曲線形狀，所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀具有沿所述金屬板的所述表面方向的深度，

所述第一側(cè)表面和所述第二側(cè)表面的邊界部分成為向外突出的突出部，

所述第二側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度形成為大于所述第一側(cè)表面的所述凹曲線形狀的深度，并且

所述第二側(cè)表面的上端與下端之間的距離被設(shè)定為長(zhǎng)于所述第一側(cè)表面的上端與下端之間的距離。

根據(jù)以下公開(kāi)內(nèi)容，引線框架的端子部分和芯片焊盤(pán)部分中的每一個(gè)具有第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，第一側(cè)表面在自其上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，并且第二側(cè)表面在自第一側(cè)表面的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。此外，第一側(cè)表面與第二側(cè)表面之間的邊界部分成為向外突出的突出部。

由于包括突出部的第一側(cè)表面具有上端與下端之間的所需距離，因此第一側(cè)表面在某種程度上較厚。因此，即使將豎直應(yīng)力施加于引線框架，突出部也不會(huì)碎裂，并且足以用作錨定物。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1a至圖1d是用于解釋根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架中的問(wèn)題的剖視圖。

圖2a至圖2c是用于解釋根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架中的問(wèn)題的其它剖視圖。

圖3a和3b是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第一部分的剖視圖。

圖4a至圖4d是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第二部分的剖視圖。

圖5a至圖5d是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第三部分的剖視圖。

圖6是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第四部分的剖視圖。

圖7是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第五部分的剖視圖。

圖8a和圖8b是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第六部分的剖視圖。

圖9a和圖9b是示出制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的第七部分的剖視圖。

圖10a和圖10b是示出第一實(shí)施例的引線框架和電子元件裝置的剖視圖。

圖11a和圖11b是示出第一實(shí)施例的另一引線框架的剖視圖。

圖12a至圖12c是示出制造第一實(shí)施例的變型例的引線框架的方法的剖視圖。

圖13a和13b是示出制造第二實(shí)施例的引線框架的方法的第一部分的剖視圖。

圖14a至圖14c是示出制造第二實(shí)施例的引線框架的方法的第二部分的剖視圖。

圖15a和圖15b是示出制造第二實(shí)施例的引線框架的方法的第三部分的剖視圖。

圖16a和圖16b是示出第二實(shí)施例的引線框架的剖視圖。

圖17是示出第二實(shí)施例的電子元件裝置的剖視圖。

圖18a至圖18c是示出制造根據(jù)第三實(shí)施例的引線框架的方法的剖視圖。

圖19a和圖19b是示出第三實(shí)施例的引線框架的剖視圖。

圖20是示出第三實(shí)施例的電子元件裝置的剖視圖。

圖21a至圖21c是示出制造根據(jù)第四實(shí)施例的引線框架的方法的剖視圖。

圖22a和圖22b是示出第四實(shí)施例的引線框架的剖視圖。

圖23是示出第四實(shí)施例的電子元件裝置的剖視圖。

圖24a至圖24c是示出制造根據(jù)第五實(shí)施例的引線框架的方法的剖視圖。

圖25a和圖25b是示出第五實(shí)施例的引線框架的剖視圖。

圖26是示出第五實(shí)施例的電子元件裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參照附圖來(lái)描述各實(shí)施例。

在說(shuō)明各實(shí)施例之前，將對(duì)作為各實(shí)施例的基礎(chǔ)的現(xiàn)有技術(shù)(初步技術(shù))進(jìn)行說(shuō)明。

圖1a至圖2c是用于解釋根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架中的問(wèn)題的視圖。對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明包括作為發(fā)明人的個(gè)人研究?jī)?nèi)容的非公知新技術(shù)的內(nèi)容。

在制造根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的引線框架的方法中，如圖1a所示，首先，準(zhǔn)備由壓延銅箔等制成的薄銅板100。隨后，在銅板100的頂表面上形成第一抗蝕層120，并且第一抗蝕層120通過(guò)圖案化處理而形成為具有開(kāi)口120a。此外，在銅板100的整個(gè)底表面上形成第二抗蝕層140，從而保護(hù)底表面。

隨后，如圖1b所示，經(jīng)由第一抗蝕層120的開(kāi)口120a對(duì)銅板100實(shí)施濕法刻蝕，并將銅板100刻蝕至銅板的厚度的中部(即，銅板的厚度的一半)，從而形成凹陷部c。通過(guò)使用能夠用于銅并含有刻蝕抑制劑的濕法刻蝕溶液的噴蝕來(lái)實(shí)施濕法刻蝕。

在這種情況下，刻蝕抑制劑附著在位于第一抗蝕層120的開(kāi)口120a的側(cè)表面的正下方的刻蝕表面，并且由于刻蝕抑制劑的作用而抑制了在水平方向上的刻蝕。由于附著到側(cè)表面的刻蝕抑制劑的量隨著刻蝕的進(jìn)行而下降，因此，在銅板100的凹陷部c的側(cè)表面的中間部分處，側(cè)面刻蝕的量增加，并且在水平方向上刻蝕側(cè)表面，從而使得每一個(gè)側(cè)表面形成為具有水平方向上的深度的形狀。

結(jié)果，在凹陷部c的側(cè)表面的上端處形成檐形突出部t。如下文所述，在構(gòu)造電子元件裝置時(shí)，將密封樹(shù)脂填充到凹陷部c中，并且突出部t用作錨定物以防止引線框架從密封樹(shù)脂中滑出。

然后，如圖1c所示，移除第一抗蝕層120和第二抗蝕層140。

隨后，如圖1d所示，將半導(dǎo)體芯片(未示出)安裝在銅板100的將作為芯片焊盤(pán)部分的區(qū)域上，并且通過(guò)導(dǎo)線150將半導(dǎo)體芯片與銅板100的將作為端子部分的部分連接。在圖1d中，示出了銅板100的將作為端子部分的一些區(qū)域。

然后，如圖2a所示，使用密封樹(shù)脂200密封半導(dǎo)體芯片、導(dǎo)線150和銅板100。隨后，在銅板100的底表面上形成第三抗蝕層160，并且將第三抗蝕層160形成為具有位于與凹陷部c對(duì)應(yīng)的區(qū)域處的開(kāi)口160a。

接下來(lái)，如圖2b所示，經(jīng)由第三抗蝕層160的開(kāi)口160a對(duì)銅板100的底表面實(shí)施濕法刻蝕，直至露出位于凹陷部c的底部處的密封樹(shù)脂200。然后，移除第三抗蝕層160。

這樣，通過(guò)從頂表面和底表面實(shí)施濕法刻蝕，如圖2c所示，在銅板100中形成具有預(yù)定圖案的通孔。因此，分開(kāi)形成芯片焊盤(pán)部分(未示出)和端子部分300。在上述方法中，半導(dǎo)體芯片電連接至引線框架，從而構(gòu)成電子元件裝置。

如上文所述，端子部分300的上端的突出部t用作錨定物以防止引線框架從密封樹(shù)脂200中滑出。然而，由刻蝕抑制劑的作用而形成的突出部t非常薄且尖銳。因此，如果將豎直應(yīng)力施加于電子元件裝置，則突出部t會(huì)碎裂并且起不到錨定物的作用。因此，存在電子元件裝置不能實(shí)現(xiàn)足夠的可靠性的問(wèn)題。

另外，使用刻蝕抑制劑作為添加劑的濕法刻蝕具有這樣的問(wèn)題：由于凹陷部c的尺寸因諸如添加的刻蝕抑制劑的量以及在凹陷部c形成時(shí)刻蝕溶液的壓力和溫度等一些原因而容易發(fā)生變化，因此端子部分300的表面的尺寸不穩(wěn)定。

上述問(wèn)題可以通過(guò)將在后文中描述的實(shí)施例的引線框架得到解決。

(第一實(shí)施例)

圖3a至圖9b是用于解釋制造第一實(shí)施例的引線框架的方法的視圖，并且圖10a和圖10b是示出第一實(shí)施例的引線框架和電子元件裝置的視圖。

在下文中，在對(duì)制造引線框架和電子元件裝置的方法進(jìn)行說(shuō)明的情況下，也將對(duì)引線框架和電子元件裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

在制造第一實(shí)施例的引線框架的方法中，首先，準(zhǔn)備如圖3a所示的銅板10?？梢允褂煤穸仍?5μm與200μm之間的壓延銅箔作為銅板10。銅板10是金屬板的優(yōu)選實(shí)例，并且可以使用能夠用作引線框架的各種金屬板。

接下來(lái)，在銅板10的頂表面上形成第一抗蝕層21，并且第一抗蝕層21通過(guò)圖案化處理形成為具有如圖3b所示的開(kāi)口21a。另外，在銅板10的整個(gè)底表面上形成第二抗蝕層22，從而保護(hù)底表面。

可以使用液體抗蝕劑、干膜抗蝕劑或電沉積抗蝕劑作為第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。第一抗蝕層21的開(kāi)口21a基于光刻法通過(guò)實(shí)施曝光和顯影而形成。

可以將鍍金層用作掩模，以替代第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。

在銅板10中，存在限定為設(shè)置用于安裝半導(dǎo)體芯片的芯片焊盤(pán)部分的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”以及限定為設(shè)置端子部分的端子區(qū)域“b”。

下面將參考示出圖3b的銅板10的端子區(qū)域“b”的一部分的一些附圖進(jìn)行說(shuō)明。圖4a是圖3b的銅板10的端子區(qū)域“b”的一部分的放大視圖。

接下來(lái)，如圖4b所示，經(jīng)由第一抗蝕層21的開(kāi)口21a，對(duì)銅板10的頂表面實(shí)施濕法刻蝕，并將銅板10刻蝕至銅板的厚度的中部，從而形成第一凹陷部c1。

在本實(shí)施例的濕法刻蝕中，使用不含任何刻蝕抑制劑的刻蝕溶液。霧化濕法刻蝕設(shè)備適于用作刻蝕設(shè)備；然而，諸如浸漬型和旋轉(zhuǎn)型等其它刻蝕設(shè)備也可以用作刻蝕設(shè)備。

可以使用氯化鐵溶液、氯化銅溶液、堿性刻蝕溶液等作為用于銅板10的刻蝕溶液。可以使用例如氯化銅銨溶液作為堿性刻蝕溶液。

由于在濕法刻蝕中使用不含任何刻蝕抑制劑的刻蝕溶液，因此銅板10通過(guò)完全各向同性刻蝕被從第一抗蝕層21的開(kāi)口21a的內(nèi)部刻蝕。在各向同性刻蝕中，在厚度方向上的刻蝕量與在水平方向上的刻蝕量相同。

因此，自第一抗蝕層21的每個(gè)開(kāi)口21a的側(cè)表面的下端起在水平方向上的深度與自每個(gè)開(kāi)口21a的相應(yīng)側(cè)表面的下端起在厚度方向上所得到的深度具有相同的尺寸，從而每個(gè)第一凹陷部c1的內(nèi)表面形成為具有凹曲線形狀。第一凹陷部c1在厚度方向上的深度被設(shè)定在10μm與50μm之間。在下文的描述中，“在厚度方向上的深度”將被簡(jiǎn)稱(chēng)為“深度”。

如上文所述，在本實(shí)施例中，與現(xiàn)有技術(shù)不同，由于不使用任何刻蝕抑制劑，因此，在該階段，在第一凹陷部c1的上端不形成任何突出部。

然后，如圖4c所示，移除第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。在該移除抗蝕層的過(guò)程中，通過(guò)抗蝕劑剝離液剝?nèi)タ刮g層?？梢詫溲趸c或胺基有機(jī)溶劑用作抗蝕劑剝離液。

接下來(lái)，在圖4c的銅板10的頂表面上形成第三抗蝕層23，從而如圖4d所示在第一凹陷部c1上具有開(kāi)口23a。第三抗蝕層23的開(kāi)口23a布置在第一凹陷部c1的中央部分上，并且第三抗蝕層23覆蓋第一凹陷部c1的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分。

第三抗蝕層23自每個(gè)第一凹陷部c1的邊緣起覆蓋在相應(yīng)凹陷部上的量被設(shè)定在10μm與50μm之間。

由于第三抗蝕層23形成在具有第一凹陷部c1的銅板10的不平坦的頂表面上，因此通過(guò)使用真空層壓機(jī)對(duì)比第一抗蝕層21厚的干膜抗蝕劑進(jìn)行壓層來(lái)形成第三抗蝕層23。這樣，第三抗蝕層23甚至可以在沒(méi)有任何間隙的情況下形成在第一凹陷部c1上，并且可以可靠地形成第三抗蝕層23的圖案。

另外，類(lèi)似地，如圖4d所示，在銅板10的整個(gè)底表面上形成第四抗蝕層24，從而保護(hù)底表面。

接下來(lái)，如圖5a所示，經(jīng)由第三抗蝕層23的開(kāi)口23a，對(duì)銅板10實(shí)施濕法刻蝕，并從第一凹陷部c1的底表面起將銅板10刻蝕至銅板的厚度的中部。即使這時(shí)，也使用不含任何刻蝕抑制劑的濕法刻蝕溶液。因此，銅板10通過(guò)完全各向同性刻蝕被從第三抗蝕層23的開(kāi)口23a的內(nèi)部刻蝕。

結(jié)果，第一凹陷部c1變深并且第一側(cè)表面s1殘留在第一凹陷部c1的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分處，從而形成第二凹陷部c2。每個(gè)第二凹陷部c2形成為具有相應(yīng)第一凹陷部c1的第一側(cè)表面s1以及與第一側(cè)表面鄰接的第二側(cè)表面s2。然后，如圖5b所示，移除第三抗蝕層23和第四抗蝕層24。

第二凹陷部c2的深度可以被設(shè)定為例如銅板10的整個(gè)厚度的約三分之二。

如圖5b所示，銅板10由于第三抗蝕層23的覆蓋而從殘留的相應(yīng)第一側(cè)表面s1的下端起被刻蝕，從而第二凹陷部c2的第二側(cè)表面s2形成為具有銅板10的水平方向上的深度的凹曲線形狀。

因此，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為突出部t。包括如圖5b所示的突出部t的第一側(cè)表面用作這樣的錨定物：如現(xiàn)有技術(shù)所描述的，在構(gòu)造電子元件裝置時(shí)防止引線框架從密封樹(shù)脂中滑出。

包括如圖5b所示的突出部t的第一側(cè)表面形成為在某種程度上較厚，使得第一側(cè)表面在上端與下端之間具有所需距離。因此，即使將豎直應(yīng)力施加于電子元件裝置，突出部t也不會(huì)碎裂。因此，電子元件裝置能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的可靠性。

接下來(lái)，在銅板10的頂表面上形成第五抗蝕層25，從而通過(guò)圖案化處理如圖5c所示覆蓋第二凹陷部c2。此外，在銅板10的底表面上形成第六抗蝕層26，從而通過(guò)圖案化處理與第二凹陷部c2對(duì)應(yīng)。

隨后，如圖5d所示，通過(guò)使用銅板10作為電鍍用的供電通道的電解電鍍，在銅板10的從第五抗蝕層25和第六抗蝕層26露出的頂表面和底表面的區(qū)域上分別形成金屬鍍層28a和金屬鍍層28b。

金屬鍍層28a和金屬鍍層28b均由單個(gè)金屬層或多個(gè)金屬層形成，金屬層由金(au)、鈀(pd)、鎳(ni)、銀(ag)、錫(sn)、鋅(zn)等制成。

然后，如圖6所示，移除第四抗蝕層24和第五抗蝕層25。圖7示出了該階段的整個(gè)銅板10的形狀。如圖7所示，即使在銅板10的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”中，第二凹陷部c2也形成為相同形狀。形成在芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”中的第二凹陷部c2的底表面成為電子元件安裝表面，并且半導(dǎo)體芯片被安裝在該表面上。

這樣，圖案化被實(shí)施至厚度的中部，從而得到具有將作為端子部分的區(qū)域和將作為芯片焊盤(pán)部分的區(qū)域的引線框架。

金屬鍍層28b的圖案布置在銅板10的底表面上，從而與芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”和將作為端子部分的端子區(qū)域“b”的部分對(duì)應(yīng)。然后，經(jīng)由金屬鍍層28b的開(kāi)口28x對(duì)銅板10的底表面實(shí)施濕法刻蝕，從而分別得到芯片焊盤(pán)部分和各個(gè)端子部分。

然后，如圖8a和圖8b所示，將半導(dǎo)體芯片30安裝在圖7的銅板10的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”的第二凹陷部c2的底表面上。此外，通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與位于銅板10的端子區(qū)域“b”中的金屬鍍層28a的部分連接。可以使用金線、銅線等作為導(dǎo)線32。

隨后，如圖9a和圖9b所示，將密封樹(shù)脂34形成為密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32和銅板10。在此時(shí)，銅板10的第二凹陷部c2被密封樹(shù)脂34填滿。

這樣，銅板10的一個(gè)表面?zhèn)?、位于將作為端子部分的區(qū)域和將作為芯片焊盤(pán)部分的區(qū)域中的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2以及半導(dǎo)體芯片30被密封樹(shù)脂34密封。

此外，如圖10a和圖10b所示，經(jīng)由位于銅板10的下側(cè)的金屬鍍層28b的開(kāi)口28x從底表面?zhèn)葘?duì)銅板10實(shí)施濕法刻蝕，直至露出位于第二凹陷部c2的底部處的密封樹(shù)脂34。

這樣，在銅板10中形成通孔，從而將頂表面與底表面連接起來(lái)，由此使銅板10被圖案化。此外，在第二側(cè)表面s2的下端的下方形成第三側(cè)表面s3。第三側(cè)表面s3形成為從密封樹(shù)脂34露出并且從密封樹(shù)脂34向下突出。

金屬板的一個(gè)表面?zhèn)鹊膶?shí)例為銅板10的頂表面?zhèn)?，并且金屬板的另一表面?zhèn)鹊膶?shí)例為銅板10的底表面?zhèn)取?/p>

結(jié)果，銅板10的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”和端子區(qū)域“b”被分開(kāi)，并且具有安裝在其上的半導(dǎo)體芯片30的銅板10的圖案成為芯片焊盤(pán)部分40。另外，銅板10的端子區(qū)域“b”被圖案化，從而得到彼此分離的端子部分50。

在上述方法中，在得到第一實(shí)施例的引線框架1的同時(shí)，也得到具有安裝在引線框架1上的半導(dǎo)體芯片30的電子元件裝置2。半導(dǎo)體芯片30是電子元件的實(shí)例，并且可以通過(guò)在引線框架上安裝各種電子元件來(lái)構(gòu)造電子元件裝置。

如圖10a所示，第一實(shí)施例的引線框架1具有芯片焊盤(pán)部分40以及布置在芯片焊盤(pán)部分周?chē)亩俗硬糠?0。芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50分離開(kāi)，從而電絕緣。在芯片焊盤(pán)部分40的下方，存在金屬鍍層28b的一部分。

另外，如圖10b的局部放大剖視圖所示，在端子部分50的頂表面上存在金屬鍍層28a的部分，并且在端子部分的底表面上存在金屬鍍層28b的部分。如上文所述，通過(guò)對(duì)銅板10進(jìn)行圖案化處理來(lái)形成芯片焊盤(pán)部分40和端子部分50。銅板10是金屬板的實(shí)例，并且芯片焊盤(pán)部分40和端子部分50可以由各種金屬板制成。

芯片焊盤(pán)部分40的厚度被設(shè)定為小于端子部分50的厚度。芯片焊盤(pán)部分40的高度位置低于端子部分50的頂表面的高度位置。此外，芯片焊盤(pán)部分40的頂表面成為電子元件安裝表面，并且將半導(dǎo)體芯片30安裝在電子元件安裝表面上。芯片焊盤(pán)部分40形成為具有與端子部分50的第三側(cè)表面s3相同的側(cè)表面。

通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與形成在端子部分50上的金屬鍍層28a的部分連接起來(lái)。這樣，半導(dǎo)體芯片30與引線框架1的端子部分50電連接。另外，通過(guò)密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、芯片焊盤(pán)部分40、端子部分50和導(dǎo)線32。

另外，如圖10b的局部放大剖視圖所示，每個(gè)端子部分50從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2和第三側(cè)表面s3。

第一側(cè)表面s1在自端子部分50的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。另外，第二側(cè)表面s2在自第一側(cè)表面s1的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第二側(cè)表面s2的上端與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。每個(gè)凹曲線形狀的側(cè)表面形成為如剖視圖中所觀看到的形成圓的一部分的圓弧形狀。

另外，通過(guò)自第一側(cè)表面s1的下端起刻蝕端子部分50來(lái)形成第二側(cè)表面s2，使得第二側(cè)表面s2形成為具有水平方向的深度的形狀。

結(jié)果，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

作為優(yōu)選實(shí)例，第一側(cè)表面s1的上端與下端之間的距離d1在1μm與20μm之間的范圍內(nèi)。另外，第一側(cè)表面s1的上端與下端之間的在水平方向上的長(zhǎng)度l1在5μm與30μm之間的范圍內(nèi)。另外，第二側(cè)表面s2的自第一側(cè)表面s1的下端起在水平方向上的深度m在5μm與30μm之間的范圍內(nèi)。

另外，第二側(cè)表面s2的上端與下端之間的距離d2被設(shè)定為長(zhǎng)于第一側(cè)表面s1的上端與下端之間的距離d1。

第二側(cè)表面s2位于端子部分50的自第一側(cè)表面s1的位置起的內(nèi)側(cè)。換言之，各個(gè)第二側(cè)表面s2在水平方向(其為銅板10的表面方向)上的深度大于各個(gè)第一側(cè)表面s1在水平方向上的深度。

此外，第三側(cè)表面s3在自第二側(cè)表面s2的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第三側(cè)表面s3的上端與第二側(cè)表面s2的下端鄰接。第三側(cè)表面s3的下端與端子部分50的下表面鄰接。第三側(cè)表面s3從密封樹(shù)脂34露出，并且從密封樹(shù)脂34的下端向下突出。

在第一實(shí)施例中，由于每個(gè)端子部分50的側(cè)表面具有三個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面s1至第三側(cè)表面s3，因此每個(gè)端子部分50在第一側(cè)表面至第三側(cè)表面的邊界處具有從側(cè)表面向外突出的兩個(gè)側(cè)表面突出部p。

密封樹(shù)脂34形成為密封端子部分50的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2，并且使第三側(cè)表面s3露出而不被密封樹(shù)脂34密封。

形成在端子部分50的上端側(cè)上的突出部t用作防止引線框架1從密封樹(shù)脂34中滑出的錨定物。

在本實(shí)施例中，如上文參考圖4d至圖5b所描述的，在第一凹陷部c1的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分(將作為第一側(cè)表面s1)被第三抗蝕層23覆蓋的情況下，在第一凹陷部c1的底部中形成第二凹陷部c2。

因此，在形成第二凹陷部c2時(shí)，可靠地確保了第一側(cè)表面s1具有在上端與下端之間的必要距離d1。此外，由于通過(guò)對(duì)第一側(cè)表面s1實(shí)施刻蝕來(lái)形成第二凹陷部c2，因此第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

由于包括突出部t的第一側(cè)表面s1具有在上端與下端之間的必要距離d1，因此第一側(cè)表面s1在某種程度上較厚。因此，即使將豎直應(yīng)力施加于電子元件裝置2，突出部t也不會(huì)碎裂，并且足以用作錨定物。因此，實(shí)現(xiàn)了電子元件裝置的足夠可靠性。

另外，現(xiàn)有技術(shù)的每個(gè)端子部分300的側(cè)表面具有形成于中央部分的僅一個(gè)側(cè)表面突出部。與之相反，在第一實(shí)施例中，每個(gè)端子部分50具有三個(gè)側(cè)表面，即，第一側(cè)表面s1至第三側(cè)表面s3，因此具有兩個(gè)側(cè)表面突出部p。

因此，端子部分50的截面形狀變得復(fù)雜，并且端子部分50與密封樹(shù)脂34的接觸面積增加。因此，端子部分50具有使端子部分50難以從密封樹(shù)脂34中滑出的這種結(jié)構(gòu)。

通過(guò)調(diào)節(jié)第一凹陷部c1的刻蝕深度和第二凹陷部c2的刻蝕深度(圖4b和圖5a)可以使兩個(gè)側(cè)表面突出部p的位置沿豎直方向移動(dòng)。

另外，基于上述圖4c的第一凹陷部c1的尺寸大致確定端子部分50的表面尺寸。第一凹陷部c1的刻蝕深度相對(duì)較淺，具體而言為10μm至50μm，并且第一凹陷部c1由不使用任何刻蝕抑制劑的各向同性濕法刻蝕形成。

因此，可以抑制第一凹陷部c1的尺寸的變化，從而可以使端子部分50的表面尺寸穩(wěn)定。

結(jié)果，在用于形成端子部分50等的光掩模的設(shè)計(jì)期間變得容易獲得圖案校正，并且得到成本優(yōu)勢(shì)。

另外，通過(guò)調(diào)節(jié)第一凹陷部c1的刻蝕深度和第二凹陷部c2的刻蝕深度(圖4b和圖5a)以及圖4d的第三抗蝕層23的覆蓋量w，可以調(diào)節(jié)突出部t的形狀和第二側(cè)表面s2在水平方向上的深度m。

另外，在第一實(shí)施例中，由于通過(guò)在兩個(gè)單獨(dú)的步驟中分別形成第一凹陷部c1和第二凹陷部c2來(lái)形成與現(xiàn)有技術(shù)的圖1c的凹陷部c對(duì)應(yīng)的部分，因此可以減少端子部分50中的第二凹陷部c2在水平方向上的深度。結(jié)果，當(dāng)通過(guò)引線接合法用導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30和端子部分50連接起來(lái)時(shí)，可以防止端子部分50損壞。

另外，在本實(shí)施例中，每個(gè)端子部分50的第一側(cè)表面s1具有上端與下端之間的在水平方向上的長(zhǎng)度l。因此，如果在俯視圖中觀察每個(gè)端子部分50，可觀察到兩個(gè)外圓周線。因此，可以推斷出突出部t已形成在端子部分50的側(cè)表面上。

此外，由于通過(guò)實(shí)施三次刻蝕在銅板10中形成通孔，因此與實(shí)施兩次刻蝕的現(xiàn)有技術(shù)相比，可以減少圖10b的側(cè)表面突出部p的突出量。

因此，可以減少端子部分50的布置間距，并且可以使端子部分50的圖案小型化。

上述圖7的結(jié)構(gòu)可以用作圖11a所示的引線框架1x。在第一實(shí)施例的引線框架1x中，在銅板10中，芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”的芯片焊盤(pán)部分40與端子區(qū)域“b”的端子部分50連接。

在圖11a中，芯片焊盤(pán)部分40布置在第二凹陷部c2的底表面處，并且端子部分50形成為從平面狀銅板10的一個(gè)表面?zhèn)认蛏贤怀觥?/p>

另外，在圖11b的另一引線框架1y中，類(lèi)似地，在銅板10中，芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”的芯片焊盤(pán)部分40與端子區(qū)域“b”的端子部分50連接。在圖11b中，芯片焊盤(pán)部分40和端子部分50全部形成為從具有平板形狀的銅板10的一個(gè)表面?zhèn)认蛏贤怀觥?/p>

另外，在圖11b中，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40形成為具有第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。

在使用圖11b的引線框架1y構(gòu)造電子元件裝置的情況下，如上述圖10a所示，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40形成為具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2和第三側(cè)表面s3，并且芯片焊盤(pán)部分40和端子部分50各自的第三側(cè)表面s3從密封樹(shù)脂34中露出。

在圖12a至圖12c中，示出了制造第一實(shí)施例的變型例的引線框架的方法。在制造變型例的引線框架的方法中，首先，與上述圖5b類(lèi)似，在銅板10中形成第二凹陷部c2，從而具有圖12a所示的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。

接下來(lái)，如圖12b所示，與上述圖8a中實(shí)施形成金屬層的過(guò)程不同，將半導(dǎo)體芯片30安裝在銅板10的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”上，并且通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30與銅板10的端子區(qū)域“b”連接起來(lái)。然后，使用密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32等。

隨后，如圖12c所示，對(duì)銅板10的整個(gè)底表面實(shí)施濕法刻蝕，以便露出位于第二凹陷部c2的底部的密封樹(shù)脂34。這樣，與上述圖10a類(lèi)似，分開(kāi)形成芯片焊盤(pán)部分40和端子部分50。

另外，作為另一變型例，在上述圖8a的過(guò)程中，半導(dǎo)體芯片可以以倒裝芯片的方式連接。在這種情況下，盡管未具體地示出，但在上述圖7的過(guò)程中，銅板10的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”形成為端子區(qū)域“b”，并且半導(dǎo)體芯片的突出電極以倒裝芯片的方式連接到將作為端子部分的圖案上。

隨后，使用底部填充樹(shù)脂填充半導(dǎo)體芯片下方的間隙，并且使用密封樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片和銅板，并且從底表面對(duì)銅板實(shí)施刻蝕，從而得到各個(gè)端子部分。

如上文所述，通過(guò)引線連接或倒裝芯片連接將電子元件電連接至引線框架的端子部分，從而構(gòu)造電子元件裝置。

(第二實(shí)施例)

圖13a至圖15b是示出制造第二實(shí)施例的引線框架的方法的視圖，圖16a和圖16b是示出第二實(shí)施例的引線框架的視圖，并且圖17是示出第二實(shí)施例的電子元件裝置的視圖。

在上述第一實(shí)施例中，在從銅板的頂表面實(shí)施兩次刻蝕之后，從底表面實(shí)施第三次刻蝕，從而形成端子部分，使得每個(gè)端子部分具有三個(gè)側(cè)表面，即，依次連接的第一側(cè)表面至第三側(cè)表面。

通過(guò)同時(shí)對(duì)銅板的頂表面和底表面實(shí)施第一刻蝕，并且同時(shí)對(duì)頂表面和底表面實(shí)施第二刻蝕，從而形成第二實(shí)施例的引線框架。因此，每個(gè)端子部分的側(cè)表面形成為具有四個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面至第四側(cè)表面。

在制造第二實(shí)施例的引線框架的方法中，如圖13a所示，準(zhǔn)備與第一實(shí)施例的圖3a相同的銅板10。接下來(lái)，如圖13b所示，在銅板10的頂表面上形成第一抗蝕層21，并且第一抗蝕層21形成為具有開(kāi)口21a。此外，在銅板10的底表面上形成第二抗蝕層22，并且第二抗蝕層22形成為具有位于與第一抗蝕層21的開(kāi)口21a對(duì)應(yīng)的部分處的開(kāi)口22a。

與第一實(shí)施例類(lèi)似，在銅板10中，存在限定為設(shè)置用于安裝半導(dǎo)體芯片的芯片焊盤(pán)部分的芯片焊盤(pán)區(qū)域“a”以及限定為設(shè)置端子部分的端子區(qū)域“b”。

與第一實(shí)施例類(lèi)似，下面將參考示出圖13b的銅板10的端子區(qū)域“b”的一部分的一些附圖進(jìn)行說(shuō)明。圖14a是圖13b的銅板10的端子區(qū)域“b”的一部分的放大視圖。

與第一實(shí)施例的圖4b的過(guò)程類(lèi)似，經(jīng)由在銅板10的頂表面上形成的第一抗蝕層21的開(kāi)口21a，從頂表面對(duì)銅板10實(shí)施刻蝕，從而形成如圖14b所示的第一凹陷部c1。

另外，類(lèi)似地，經(jīng)由在銅板10的底表面上形成的第二抗蝕層22的開(kāi)口22a，從銅板10的底表面實(shí)施濕法刻蝕，從而形成第二凹陷部c2。即使在第二實(shí)施例中，在濕法刻蝕中，也使用不含任何刻蝕抑制劑的刻蝕溶液。

然后，如圖14c所示，移除第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。

接下來(lái)，與第一實(shí)施例的圖4d的過(guò)程類(lèi)似，在圖14c的銅板10的頂表面上形成第三抗蝕層23，從而如圖15a所示在第一凹陷部c1上具有開(kāi)口23a。與第一實(shí)施例類(lèi)似，第三抗蝕層23的開(kāi)口23a布置在第一凹陷部c1的中央部分上，并且第三抗蝕層23覆蓋第一凹陷部c1的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分。

另外，類(lèi)似地，在銅板10的底表面上形成第四抗蝕層24，從而在第二凹陷部c2上具有開(kāi)口24a。類(lèi)似地，第四抗蝕層24的開(kāi)口24a布置在第二凹陷部c2的中央部分上，并且第四抗蝕層24覆蓋第二凹陷部c2的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分。

接下來(lái)，如圖15b所示，經(jīng)由在銅板10的頂表面上形成的第三抗蝕層23的開(kāi)口23a，沿厚度方向?qū)牡谝话枷莶縞1的底部露出的銅板10實(shí)施濕法刻蝕。

另外，同時(shí)，經(jīng)由在銅板10的底表面上形成的第四抗蝕層24的開(kāi)口24a，沿厚度方向?qū)牡诙枷莶縞2的底部露出的銅板10實(shí)施濕法刻蝕。

在此時(shí)，將來(lái)自銅板10的頂表面的刻蝕表面與來(lái)自銅板10的底表面的刻蝕表面連接起來(lái)，從而以一定圖案在銅板10的頂表面與底表面之間形成通孔。然后，移除第三抗蝕層23和第四抗蝕層24。

在上述方法中，得到如圖16a和圖16b所示的第二實(shí)施例的引線框架1a。

圖16a示出了整個(gè)引線框架1a的形狀。對(duì)上述圖13b的銅板10進(jìn)行刻蝕，從而得到圖16a的引線框架1a。

第二實(shí)施例的引線框架1a具有芯片焊盤(pán)部分40以及布置在芯片焊盤(pán)部分周?chē)亩俗硬糠?0。芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50分離開(kāi)，從而電絕緣。在該階段，通過(guò)連接桿(未示出)連接芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50，并且通過(guò)連接桿連接各個(gè)端子部分50。

如圖16b的局部放大剖視圖所示，每個(gè)端子部分50從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2、第三側(cè)表面s3和第四側(cè)表面s4。第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2與第三側(cè)表面s3和第四側(cè)表面s4相對(duì)于第二側(cè)表面s2和第三側(cè)表面s3的邊界線對(duì)稱(chēng)布置。

與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第一側(cè)表面s1在自端子部分50的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。另外，與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第二側(cè)表面s2在自第一側(cè)表面s1的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第二側(cè)表面s2的上端與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。

通過(guò)自第一側(cè)表面s1的下端起刻蝕端子部分50形成第二側(cè)表面s2，使得第二側(cè)表面s2形成為具有水平方向上的深度的形狀。結(jié)果，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

此外，第三側(cè)表面s3在自第二側(cè)表面s2的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第三側(cè)表面s3的上端與第二側(cè)表面s2的下端鄰接。

另外，第四側(cè)表面s4在自第三側(cè)表面s3的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第四側(cè)表面s4的上端與第三側(cè)表面s3的下端鄰接。第四側(cè)表面s4的下端與端子部分50的下表面鄰接。

在第二實(shí)施例中，由于每個(gè)端子部分50的側(cè)表面具有四個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面s1至第四側(cè)表面s4，因此每個(gè)端子部分50在第一側(cè)表面至第四側(cè)表面的邊界處具有三個(gè)側(cè)表面突出部p。

另外，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2、第三側(cè)表面s3和第四側(cè)表面s4。此外，具有布置在內(nèi)部的第一側(cè)表面s1的芯片焊盤(pán)部分40的表面成為電子元件安裝表面。

在第二實(shí)施例中，端子部分50的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2與圖10a和圖10b所示的第一實(shí)施例的端子部分50類(lèi)似地形成，從而形成突出部t。因此，第二實(shí)施例的引線框架1a實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施例的引線框架1相同的效果。

另外，在第二實(shí)施例中，由于對(duì)銅板10的頂表面和底表面中的每一個(gè)實(shí)施兩次刻蝕，因此在每個(gè)端子部分50的側(cè)表面上形成三個(gè)側(cè)表面突出部p。結(jié)果，截面形狀變得更復(fù)雜。因此，可以進(jìn)一步提高密封樹(shù)脂34與引線框架1a之間的附著力。

另外，在第二實(shí)施例中，由于通過(guò)實(shí)際上實(shí)施四次刻蝕在銅板10中形成通孔，因此進(jìn)一步減少了側(cè)表面突出部p的突出量。因此，第二實(shí)施例有益于端子部分50的小型化。

在第二實(shí)施例中，如圖17所示，將半導(dǎo)體芯片30安裝在引線框架1a的芯片焊盤(pán)部分40的電子元件安裝表面上。此外，通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與端子部分50連接起來(lái)。

然后，使用密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32和引線框架1a。然后，切斷引線框架1a的連接桿(未示出)，從而使芯片焊盤(pán)部分40和各個(gè)端子部分50彼此分離。

在上述方法中，得到第二實(shí)施例的電子元件裝置2a。

即使在第二實(shí)施例中，端子部分50也可以形成為代替引線框架1a的芯片焊盤(pán)部分40。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片30的突出電極可以以倒裝芯片的方式連接至相應(yīng)的端子部分50。

(第三實(shí)施例)

圖18a至圖18c是示出制造第三實(shí)施例的引線框架的方法的視圖，圖19a和圖19b是示出第三實(shí)施例的引線框架的視圖，并且圖20是示出第三實(shí)施例的電子元件裝置的視圖。

通過(guò)同時(shí)對(duì)銅板的頂表面和底表面實(shí)施第一刻蝕，并且從頂表面實(shí)施第二刻蝕，來(lái)形成第三實(shí)施例的引線框架。因此，每個(gè)端子部分的側(cè)表面形成為具有三個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面至第三側(cè)表面。

在制造第三實(shí)施例的引線框架的方法中，首先，如圖18a所示，通過(guò)與上述第二實(shí)施例的圖14a和圖14b相同的方法制備具有與圖14c相同的結(jié)構(gòu)的銅板10。在銅板10的頂表面中形成第一凹陷部c1，并且在底表面中形成第二凹陷部c2。

接下來(lái)，與第一實(shí)施例的圖4d的過(guò)程類(lèi)似，如圖18b所示，在圖18a的銅板10的頂表面上形成第一抗蝕層21，并且第一抗蝕層21形成為具有在第一凹陷部c1上的開(kāi)口21a。

與第一實(shí)施例類(lèi)似，第一抗蝕層21的開(kāi)口21a布置在第一凹陷部c1的中央部分上，并且第一抗蝕層21覆蓋第一凹陷部c1的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分。

此外，在銅板10的整個(gè)底表面上形成第二抗蝕層22，從而保護(hù)具有第二凹陷部c2的底表面。

接下來(lái)，如圖18c所示，經(jīng)由在銅板10的頂表面上形成的第一抗蝕層21的開(kāi)口21a，沿厚度方向?qū)牡谝话枷莶縞1的底部露出的銅板10實(shí)施濕法刻蝕。在此時(shí)，實(shí)施刻蝕直至第二抗蝕層22從第二凹陷部c2露出。

即使在第三實(shí)施例中，在濕法刻蝕中，也使用不含任何刻蝕抑制劑的刻蝕溶液。

然后，移除第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。

在上述方法中，得到如圖19a和圖19b所示的第三實(shí)施例的引線框架1b。

圖19a示出了整個(gè)引線框架1b的形狀。對(duì)與圖13b的銅板10相同的銅板10進(jìn)行刻蝕，從而得到圖19a的引線框架1b。

如圖19a所示，第三實(shí)施例的引線框架1b具有芯片焊盤(pán)部分40以及布置在芯片焊盤(pán)部分周?chē)亩俗硬糠?0。芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50分離開(kāi)，從而電絕緣。在該階段，通過(guò)連接桿(未示出)連接芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50，并且通過(guò)連接桿連接各個(gè)端子部分50。

如圖19b的局部放大剖視圖所示，每個(gè)端子部分50從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2和第三側(cè)表面s3。

與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第一側(cè)表面s1在自端子部分50的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。

另外，與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第二側(cè)表面s2在自第一側(cè)表面s1的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第二側(cè)表面s2的上端與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。

通過(guò)自第一側(cè)表面s1的下端起刻蝕端子部分50形成第二側(cè)表面s2，使得第二側(cè)表面s2形成為具有水平方向上的深度的形狀。

結(jié)果，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

此外，第三側(cè)表面s3自第二側(cè)表面s2的下端起形成凹曲線形狀，使得第三側(cè)表面s3的上端與第二側(cè)表面s2的下端鄰接。第三側(cè)表面s3的下端與端子部分50的下表面鄰接。

在第三實(shí)施例中，由于每個(gè)端子部分50的側(cè)表面具有三個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面s1至第三側(cè)表面s3，因此每個(gè)端子部分50在第一側(cè)表面至第三側(cè)表面的邊界處具有兩個(gè)側(cè)表面突出部p。

在第三實(shí)施例中，端子部分50的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2與圖10a和圖10b所示的第一實(shí)施例的端子部分50類(lèi)似地形成，從而形成突出部t。因此，第三實(shí)施例的引線框架1b能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施例的引線框架1相同的效果。

另外，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1、第二側(cè)表面s2和第三側(cè)表面s3。此外，具有布置在內(nèi)部的第一側(cè)表面s1的芯片焊盤(pán)部分40的表面成為電子元件安裝表面。

接下來(lái)，與第二實(shí)施例的圖17類(lèi)似，如圖20所示，將半導(dǎo)體芯片30安裝在引線框架1b的芯片焊盤(pán)部分40的電子元件安裝表面上。然后，通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與端子部分50連接起來(lái)。

接下來(lái)，使用密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32和引線框架1b。然后，切斷引線框架1b的連接桿(未示出)，從而使芯片焊盤(pán)部分40和各個(gè)端子部分50彼此分離。

在上述方法中，得到第三實(shí)施例的電子元件裝置2b。

即使在第三實(shí)施例中，端子部分50也可以形成為代替引線框架1b的芯片焊盤(pán)部分40。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片30的突出電極可以以倒裝芯片的方式連接至相應(yīng)的端子部分50。

(第四實(shí)施例)

圖21a至圖21c是示出制造第四實(shí)施例的引線框架的方法的視圖，圖22a和圖22b是示出第四實(shí)施例的引線框架的視圖，并且圖23是示出第四實(shí)施例的電子元件裝置的視圖。

通過(guò)對(duì)銅板的頂表面實(shí)施第一刻蝕從而形成凹陷部，并且在頂表面上實(shí)施第二刻蝕，來(lái)形成第四實(shí)施例的引線框架。因此，每個(gè)端子部分的側(cè)表面形成為具有兩個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并連接起來(lái)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。

如圖21a所示，通過(guò)實(shí)施上述第一實(shí)施例的圖3a至圖4c的過(guò)程得到與圖4c的銅板10相同的銅板10。在銅板10的頂表面中形成第一凹陷部c。

接下來(lái)，與第一實(shí)施例的圖4d的過(guò)程類(lèi)似，在圖21a的銅板10的頂表面上形成第一抗蝕層21，從而如圖21b所示在凹陷部c上具有開(kāi)口21a。

與第一實(shí)施例類(lèi)似，第一抗蝕層21的開(kāi)口21a布置在凹陷部c的中央部分上，并且第一抗蝕層21覆蓋凹陷部c的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分。另外，在銅板10的整個(gè)底表面上形成第二抗蝕層22，從而保護(hù)底表面。

接下來(lái)，如圖21c所示，經(jīng)由在銅板10的頂表面上形成的第一抗蝕層21的開(kāi)口21a，沿厚度方向?qū)陌枷莶縞的底部露出的銅板10實(shí)施濕法刻蝕。

在此時(shí)，實(shí)施刻蝕直至在銅板10的底表面上形成的第二抗蝕層22露出。

即使在第四實(shí)施例中，在濕法刻蝕中，也使用不含任何刻蝕抑制劑的刻蝕溶液。

然后，移除第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。

在上述方法中，得到如圖22a和圖22b所示的第四實(shí)施例的引線框架1c。

圖22a示出了整個(gè)引線框架1c的形狀。對(duì)與圖3b的銅板10相同的銅板10進(jìn)行刻蝕，從而得到圖22a的引線框架1c。

如圖22a所示，第四實(shí)施例的引線框架1c具有芯片焊盤(pán)部分40以及布置在芯片焊盤(pán)部分周?chē)亩俗硬糠?0。芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50分離開(kāi)，從而電絕緣。在該階段，通過(guò)連接桿(未示出)連接芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50，并且通過(guò)連接桿連接各個(gè)端子部分50。

如圖22b的局部放大剖視圖所示，每個(gè)端子部分50從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。

與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第一側(cè)表面s1在自端子部分50的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。

另外，與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第二側(cè)表面s2在自第一側(cè)表面s1的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第二側(cè)表面s2的上端與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。第二側(cè)表面s2的下端與端子部分50的下表面鄰接。

通過(guò)自第一側(cè)表面s1的下端起刻蝕端子部分50形成第二側(cè)表面s2，使得第二側(cè)表面s2形成為具有水平方向上的深度的形狀。

結(jié)果，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

在第四實(shí)施例中，由于每個(gè)端子部分50的側(cè)表面具有兩個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并連接起來(lái)的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2，因此每個(gè)端子部分50在第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的邊界處具有一個(gè)側(cè)表面突出部p。

在第四實(shí)施例中，端子部分50的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2與圖10a和圖10b所示的第一實(shí)施例的端子部分50類(lèi)似地形成，從而形成突出部t。因此，第四實(shí)施例的引線框架1c能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施例的引線框架1相同的效果。

另外，在第四實(shí)施例中，由于自銅板10的頂表面起實(shí)施兩次刻蝕，使得每個(gè)端子部分50具有一個(gè)側(cè)表面突出部p，因此可以通過(guò)第一刻蝕的深度調(diào)節(jié)側(cè)表面突出部p的高度位置。

另外，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。此外，具有布置在內(nèi)部的第一側(cè)表面s1的芯片焊盤(pán)部分40的表面成為電子元件安裝表面。

此外，與圖17類(lèi)似，如圖23所示，將半導(dǎo)體芯片30安裝在引線框架1c的芯片焊盤(pán)部分40的電子元件安裝表面上。接下來(lái)，通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與端子部分50連接起來(lái)。然后，使用密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32和引線框架1c。

然后，切斷引線框架1c的連接桿(未示出)，從而使芯片焊盤(pán)部分40和各個(gè)端子部分50彼此分離。

在上述方法中，得到第四實(shí)施例的電子元件裝置2c。

即使在第四實(shí)施例中，端子部分50也可以形成為代替引線框架1c的芯片焊盤(pán)部分40。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片30的突出電極可以以倒裝芯片的方式連接至相應(yīng)的端子部分50。

(第五實(shí)施例)

圖24a至圖24c是示出制造第五實(shí)施例的引線框架的方法的視圖，圖25a和圖25b是示出第五實(shí)施例的引線框架的視圖，并且圖26是示出第五實(shí)施例的電子元件裝置的視圖。

通過(guò)第一刻蝕在銅板的頂表面中形成凹陷部以及從底表面實(shí)施第二刻蝕而形成第五實(shí)施例的引線框架。因此，每個(gè)端子部分的側(cè)表面形成為具有兩個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并依次連接的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面。

如圖24a所示，通過(guò)實(shí)施與上述第一實(shí)施例的圖3a至圖4c相同的過(guò)程得到與圖4c的銅板10相同的銅板10。在銅板10的頂表面中形成第一凹陷部c。

接下來(lái)，如圖24b所示，在銅板10的整個(gè)頂表面上形成第一抗蝕層21，從而保護(hù)具有凹陷部c的頂表面。此外，在銅板10的底表面上形成第二抗蝕層22，并且第二抗蝕層22形成為具有位于與上述凹陷部c對(duì)應(yīng)的部分處的開(kāi)口22a。

隨后，如圖24c所示，經(jīng)由在銅板10的底表面上形成的第二抗蝕層22的開(kāi)口22a，在底表面上沿厚度方向?qū)︺~板10實(shí)施濕法刻蝕。

在此時(shí)，實(shí)施刻蝕直至第一抗蝕層21從銅板10的凹陷部c露出。因此，由凹陷部c的內(nèi)壁表面的周向邊緣部分構(gòu)成第一側(cè)表面s1布置在銅板10的上端側(cè)上，并且通過(guò)從銅板10的底表面實(shí)施刻蝕而形成的第二側(cè)表面s2與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。

這樣，以一定圖案在銅板10的頂表面與底表面之間形成通孔。

即使在第五實(shí)施例中，在濕法刻蝕中，也使用不含任何刻蝕抑制劑的濕法刻蝕溶液。

然后，移除第一抗蝕層21和第二抗蝕層22。

在上述方法中，得到如圖25a和圖25b所示的第五實(shí)施例的引線框架1d。

圖25a示出了整個(gè)引線框架1d的形狀。對(duì)與圖3b的銅板10相同的銅板10進(jìn)行刻蝕，從而得到圖25a的引線框架1d。

如圖25a所示，第四實(shí)施例的引線框架1d具有芯片焊盤(pán)部分40以及布置在芯片焊盤(pán)部分周?chē)亩俗硬糠?0。芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50分離開(kāi)，從而電絕緣。在該階段，通過(guò)連接桿(未示出)連接芯片焊盤(pán)部分40與端子部分50，并且通過(guò)連接桿連接各個(gè)端子部分50。

如圖25b的局部放大剖視圖所示，每個(gè)端子部分50從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。

與第一實(shí)施例的圖10a和圖10b類(lèi)似，第一側(cè)表面s1在自端子部分50的上端起的下側(cè)形成凹曲線形狀。

另外，第二側(cè)表面s2在自第一側(cè)表面s1的下端起的下側(cè)形成凹曲線形狀，使得第二側(cè)表面s2的上端與第一側(cè)表面s1的下端鄰接。第二側(cè)表面s2的下端與端子部分50的下表面鄰接。

通過(guò)自第一側(cè)表面s1的內(nèi)表面起刻蝕端子部分50形成第二側(cè)表面s2，使得第二側(cè)表面s2形成具有水平方向上的深度的形狀。結(jié)果，第一側(cè)表面s1與第二側(cè)表面s2之間的邊界部分成為向外突出的突出部t。

在第五實(shí)施例中，由于每個(gè)端子部分50的側(cè)表面具有兩個(gè)側(cè)表面，即，具有凹曲線形狀并連接起來(lái)的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2，因此每個(gè)端子部分50在第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的邊界處具有一個(gè)側(cè)表面突出部p。

在第五實(shí)施例中，端子部分50的第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2與圖10a和圖10b所示的第一實(shí)施例的端子部分50類(lèi)似地形成，從而形成突出部t。因此，第五實(shí)施例的引線框架1d能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實(shí)施例的引線框架1相同的效果。

另外，在第五實(shí)施例中，由于從銅板10的頂表面和底表面實(shí)施若干次刻蝕，使得每個(gè)端子部分50具有一個(gè)側(cè)表面突出部p，因此可以通過(guò)從頂表面進(jìn)行刻蝕的深度調(diào)節(jié)側(cè)表面突出部p的高度位置。

另外，與端子部分50類(lèi)似，芯片焊盤(pán)部分40從頂部起依次具有第一側(cè)表面s1和第二側(cè)表面s2。此外，具有布置在內(nèi)部的第一側(cè)表面s1的芯片焊盤(pán)部分40的表面成為電子元件安裝表面。

然后，與圖17類(lèi)似，如圖26所示，將半導(dǎo)體芯片30安裝在引線框架1d的芯片焊盤(pán)部分40的電子元件安裝表面上。然后，通過(guò)導(dǎo)線32將半導(dǎo)體芯片30的連接部分與端子部分50連接起來(lái)。

隨后，使用密封樹(shù)脂34密封半導(dǎo)體芯片30、導(dǎo)線32和引線框架1d。然后，切斷引線框架1b的連接桿(未示出)，從而使芯片焊盤(pán)部分40和各個(gè)端子部分50彼此分離。

在上述方法中，得到第五實(shí)施例的電子元件裝置2d。

即使在第五實(shí)施例中，端子部分50也可以形成為代替引線框架1d的芯片焊盤(pán)部分40。在這種情況下，半導(dǎo)體芯片30的突出電極可以以倒裝芯片的方式連接至相應(yīng)的端子部分50。

如上文第一實(shí)施例至第五實(shí)施例所述，在各實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)節(jié)對(duì)銅板10的頂表面和底表面中的每一個(gè)實(shí)施刻蝕的次數(shù)以及每個(gè)刻蝕深度，可以根據(jù)設(shè)計(jì)來(lái)制造具有各種截面形狀的引線框架。