技術(shù)特征：

1.一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s1中，注入的離子為以下任意一種：o離子、h離子、he離子或任意組合離子，注入時表面傾斜5°～10°。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：所述第一損傷層(2a)和所述第二損傷層(2b)的厚度均為10nm～50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：所述第一損傷層(2a)和所述第二損傷層(2b)的離子注入條件不同以使退火分離條件不同；所述離子注入條件包括離子濃度、離子種類、注入能量和注入角度；所述第一損傷層(2a)退火溫度小于所述第二損傷層(2b)的退火溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s5中，退火溫度在300℃～450℃之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s8中，退火溫度在450℃～600℃之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s2中，沉積sio2的方法為以下任意一種：pvd、cvd、pecvd或ald；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：步驟s3中，所述第一通孔、所述第二通孔的刻蝕方法為以下任意一種：等離子體刻蝕法、激光燒灼、電化學(xué)法，所述第一通孔和所述第二通孔均填充金屬cu；

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：所述裸芯片通過底部植球bga(9)與pcb的互連得到玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種玻璃基和硅基轉(zhuǎn)接板混合堆疊的射頻微系統(tǒng)制備方法，首先，在兩片晶圓一定深度處通過離子注入形成損傷層，然后晶圓表面生長氧化層(SiO<subgt;2</subgt;層)，將兩片晶圓氧化層中的通孔對準(zhǔn)后低溫鍵合到一起，形成玻璃通孔(TGV)；完成轉(zhuǎn)接板工藝后再利用退火使晶圓在損傷層處分離。本發(fā)明兩片晶圓可分離成三片使用，提高了晶圓的利用效率，降低了生產(chǎn)成本；通過將中間層轉(zhuǎn)接板從硅材料替換為具有天然電絕緣屬性、低插入損耗的玻璃，降低信號在硅轉(zhuǎn)接板傳輸過程中的損耗；由于SiO<subgt;2</subgt;本身為絕緣體，因此在制作通孔時無需側(cè)壁絕緣化處理，簡化了工藝流程，從而降低了成本。

技術(shù)研發(fā)人員：崔素寧,劉德喜,景翠,尹蒙蒙,康楠,史磊,劉亞威,薛廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京遙測技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2