本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體而言涉及一種mems器件及電子裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在傳感器類產(chǎn)品的市場(chǎng)上，智能手機(jī)、集成cmos和微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，朝著尺寸小、性能高和功耗低的方向發(fā)展。

2、其中，基于微機(jī)電系統(tǒng)(mems)工藝制備形成的mems麥克風(fēng)，因與傳統(tǒng)麥克風(fēng)相比具有體積小、成本低且性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。然而，相關(guān)技術(shù)的mems麥克風(fēng)在制備電連接背板結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電層的金屬層時(shí)，易損傷導(dǎo)電層，進(jìn)而導(dǎo)致器件短路，導(dǎo)致器件性能下降和產(chǎn)品良率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)用新型的實(shí)用新型內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

2、為至少部分地解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型一方面提供一種mems器件，包括：

3、襯底；

4、第一氧化層，位于所述襯底上；

5、導(dǎo)電層，位于所述第一氧化層上；

6、第一阻擋層，位于所述導(dǎo)電層上并露出所述導(dǎo)電層的部分表面；

7、介質(zhì)層，位于所述第一阻擋層上并露出所述第一阻擋層的部分表面和所述導(dǎo)電層的部分表面；

8、第二氧化層，覆蓋露出的所述第一阻擋層的表面并露出所述導(dǎo)電層的部分表面；

9、金屬層，覆蓋露出的所述導(dǎo)電層的表面、所述第二氧化層以及所述介質(zhì)層。

10、示例性地，所述第一阻擋層的材質(zhì)包括低應(yīng)力的氮化硅。

11、示例性地，還包括第二阻擋層，所述第二阻擋層位于所述第一氧化層與所述導(dǎo)電層之間。

12、示例性地，所述第二阻擋層的材質(zhì)包括低應(yīng)力的氮化硅。

13、示例性地，所述第二氧化層具有傾斜的側(cè)壁形貌。

14、示例性地，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。

15、示例性地，所述介質(zhì)層的材質(zhì)包括氮化硅。

16、示例性地，所述金屬層的材質(zhì)包括金、鉻或其組合。

17、示例性地，所述mems器件包括mems麥克風(fēng)。

18、本實(shí)用新型另一方面提供一種電子裝置，所述電子裝置包括上述的mems器件。

19、本實(shí)用新型的mems器件及電子裝置，在導(dǎo)電層和第二氧化層之間形成有第一阻擋層，能夠避免第二氧化層和導(dǎo)電層的直接接觸，從而能夠避免在刻蝕第二氧化層的過(guò)程中損傷到導(dǎo)電層，進(jìn)而提高了器件性能和產(chǎn)品良率；同時(shí)，第一阻擋層能夠增強(qiáng)背板結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，并能夠提高吹氣性能。

技術(shù)特征：

1.一種mems器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述第一阻擋層的材質(zhì)包括低應(yīng)力的氮化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，還包括第二阻擋層，所述第二阻擋層位于所述第一氧化層與所述導(dǎo)電層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的mems器件，其特征在于，所述第二阻擋層的材質(zhì)包括低應(yīng)力的氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述第二氧化層具有傾斜的側(cè)壁形貌。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)包括摻雜多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述介質(zhì)層的材質(zhì)包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述金屬層的材質(zhì)包括金、鉻或其組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems器件，其特征在于，所述mems器件包括mems麥克風(fēng)。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的mems器件。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種MEMS器件及電子裝置，該MEMS器件包括：襯底；第一氧化層，位于所述襯底上；導(dǎo)電層，位于所述第一氧化層上；第一阻擋層，位于所述導(dǎo)電層上并露出所述導(dǎo)電層的部分表面；介質(zhì)層，位于所述第一阻擋層上并露出所述第一阻擋層的部分表面和所述導(dǎo)電層的部分表面；第二氧化層，覆蓋露出的所述第一阻擋層的表面并露出所述導(dǎo)電層的部分表面；金屬層，覆蓋露出的所述導(dǎo)電層的表面、所述第二氧化層以及所述介質(zhì)層。本申請(qǐng)方案中的第一阻擋層，能夠避免第二氧化層和導(dǎo)電層的直接接觸，從而能夠避免在刻蝕第二氧化層的過(guò)程中損傷到導(dǎo)電層，進(jìn)而提高了器件性能和產(chǎn)品良率；同時(shí)，第一阻擋層能夠增強(qiáng)背板結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，并能夠提高吹氣性能。

技術(shù)研發(fā)人員：艾俊,馮曉磊,劉金磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240422
技術(shù)公布日：2025/1/2