純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法，該腔體結(jié)構(gòu)的形成方法包括步驟：提供硅襯底；在其正面形成二氧化硅層；對二氧化硅層作圖形化，形成凹槽；提供鍵合片，將其與二氧化硅層鍵合，在硅襯底與鍵合片之間形成密閉的側(cè)壁為二氧化硅的腔體結(jié)構(gòu)。該復(fù)合腔體的形成方法在先獲得該腔體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上包括步驟：在硅襯底的背面形成掩蔽層并對其作圖形化；以掩蔽層為掩模，從背面刻蝕硅襯底至正面的二氧化硅層，在硅襯底中形成大腔體；以掩蔽層和二氧化硅層為掩模，從背面穿過硅襯底刻蝕鍵合片，在鍵合片及二氧化硅層中形成小腔體。本發(fā)明提高了形成復(fù)合腔體時從硅襯底的背面刻蝕形成小腔體后小腔體介質(zhì)厚度的均勻性。
【專利說明】純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體來說，本發(fā)明涉及一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]普通SOI (Silicon On Insulator,絕緣體上娃)鍵合技術(shù)的含義包括將兩層娃或二氧化硅界面在特定的環(huán)境下進(jìn)行鍵合。
[0003]SOI技術(shù)演變出了 CSOI (Cavity S0I，空腔SOI)技術(shù)，即預(yù)先在襯底硅材料片上圖形化并刻蝕/腐蝕出一個空腔(一般為事先刻出一個硅腔體)，再進(jìn)行硅硅鍵合，從而形成一個近真空的封閉腔體。在實(shí)際產(chǎn)品應(yīng)用中，可以作為慣性器件縱向運(yùn)動空間或表層壓力器件的形變膜腔體。
[0004]在需要開放式背腔的MEMS應(yīng)用(如硅麥克風(fēng))中，經(jīng)常會使用到SOI片并在最后工藝階段用刻蝕方法打開背腔。但是普通的SOI結(jié)構(gòu)決定了形成的背面腔體相對比較單一；而CSOI結(jié)構(gòu)雖然可以提供預(yù)埋腔體，但是在經(jīng)過背面穿通刻蝕后預(yù)埋的底層空腔單晶硅介質(zhì)厚度會因?yàn)榭涛g工藝本身(刻蝕方法如DRIE，深反應(yīng)離子刻蝕)的均勻性而難以控制(約20%片內(nèi)均勻性)。
[0005]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種腔體結(jié)構(gòu)的形成工藝的流程圖。如圖1所示，在工藝步驟Sll中，提供硅襯底101。在工藝步驟S12中，在硅襯底101的正面形成二氧化硅層102。在工藝步驟S13中，對二氧化硅層102作圖形化，形成多個凹槽(未圖示)；接著以圖形化的二氧化硅層102為硬掩模，穿過多個凹槽刻蝕硅襯底101，在硅襯底101中形成多個小腔體103 ;然后去除二氧化硅層102。在工藝步驟S14中，提供鍵合片104，將鍵合片104與硅襯底101相鍵合，把多個小腔體103封閉，獲得一種復(fù)合基材。
[0006]而圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種復(fù)合腔體的形成工藝的流程圖，該復(fù)合腔體的形成工藝可以基于圖1中所獲得的復(fù)合基材的基礎(chǔ)上繼續(xù)進(jìn)行。如圖2所示，在工藝步驟S21中，提供復(fù)合基材，該復(fù)合基材包括硅襯底101和鍵合片104。其中，鍵合片104與硅襯底101相鍵合，將多個小腔體103封閉在內(nèi)。在工藝步驟S22中，在硅襯底101的背面形成掩蔽層105并對掩蔽層105作圖形化，該掩蔽層105的圖形與下述待形成的大腔體106的位置相對應(yīng)。在工藝步驟S23中，以掩蔽層105為掩模，從背面刻蝕硅襯底101，形成大腔體106。此時大腔體106的底部與小腔體103的底部近乎是連通的。為了確保能釋放所有的小腔體103，使之與大腔體106相連通，還要執(zhí)行工藝步驟S24。在工藝步驟S24中，以掩蔽層105為掩模，繼續(xù)從背面刻蝕硅襯底101，直至所有的小腔體103都被釋放出來，小腔體103與大腔體106的底部是相通的。
[0007]然而，在形成復(fù)合腔體的最后，即釋放所有的小腔體103的過程中，硅襯底在經(jīng)過背面穿通刻蝕后預(yù)埋的小腔體所在的襯底介質(zhì)厚度會因?yàn)榭涛g工藝本身導(dǎo)致均勻性不佳，甚至難以控制(如圖2中S24所指的附圖中的橢圓形虛線圈所示)。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)、復(fù)合腔體及其形成方法，提高在后續(xù)形成復(fù)合腔體時從硅襯底的背面刻蝕形成小腔體后小腔體介質(zhì)厚度的均勻性。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括步驟:
[0010]A.提供硅襯底；
[0011]B.在所述硅襯底的正面形成二氧化硅層；
[0012]C.對所述二氧化硅層作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽；
[0013]D.提供鍵合片，將所述鍵合片與圖形化的所述二氧化硅層相鍵合，把所述凹槽封閉，在所述硅襯底與所述鍵合片之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)。
[0014]可選地，形成所述二氧化硅層的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0015]可選地，圖形化所述二氧化硅層的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0016]可選地，所述鍵合片的材料為單晶硅或者玻璃。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種采用上述的形成方法形成的純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)，包括:
[0018]硅襯底；
[0019]圖形化的二氧化硅層，形成于所述硅襯底的正面，所述二氧化硅層中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽；
[0020]鍵合片，與所述二氧化硅層相鍵合，把所述凹槽封閉，在所述硅襯底與所述鍵合片之間形成了 一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)。
[0021]可選地，所述二氧化硅層的形成方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0022]可選地，所述二氧化硅層的圖形化方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0023]可選地，所述鍵合片的材料為單晶硅或者玻璃。
[0024]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種復(fù)合腔體的形成方法，包括步驟:
[0025]A.提供硅襯底；
[0026]B.在所述硅襯底的正面形成二氧化硅層；
[0027]C.對所述二氧化硅層作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽，所述二氧化硅層的圖形與下述步驟G中待形成的小腔體的位置相對應(yīng)；
[0028]D.提供鍵合片，將所述鍵合片與圖形化的所述二氧化硅層相鍵合，把所述凹槽封閉，在所述硅襯底與所述鍵合片之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)；
[0029]E.在所述硅襯底的背面形成掩蔽層并對所述掩蔽層作圖形化，所述掩蔽層的圖形與下述步驟F中待形成的大腔體的位置相對應(yīng)；
[0030]F.以所述掩蔽層為掩模，從背面刻蝕所述硅襯底至正面的所述二氧化硅層，在所述硅襯底中形成所述大腔體；
[0031]G.以所述掩蔽層和所述二氧化硅層為掩模，從背面穿過所述硅襯底刻蝕所述鍵合片，在所述鍵合片及所述二氧化硅層中形成一個或多個所述小腔體，所述大腔體和所述小腔體構(gòu)成了所述復(fù)合腔體。
[0032]可選地，形成所述二氧化硅層的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0033]可選地，圖形化所述二氧化硅層的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0034]可選地，所述鍵合片的材料為單晶硅或者玻璃。
[0035]可選地，所述掩蔽層的材料為光刻膠或者半導(dǎo)體介質(zhì)。
[0036]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種采用上述的形成方法形成的復(fù)合腔體，以復(fù)合基材為基礎(chǔ)，所述復(fù)合基材包括:
[0037]硅襯底；
[0038]圖形化的二氧化硅層，形成于所述硅襯底的正面，所述二氧化硅層中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽，所述二氧化硅層的圖形與下述小腔體的位置相對應(yīng)；以及
[0039]鍵合片，與所述二氧化硅層相鍵合，把所述凹槽封閉，在所述硅襯底與所述鍵合片之間形成有一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)；
[0040]所述復(fù)合腔體包括:
[0041]大腔體，穿通形成于所述硅襯底中，并以所述二氧化硅層為其底部；以及
[0042]小腔體，穿通形成于所述鍵合片及所述二氧化硅層中，并與所述大腔體相連通。
[0043]可選地，所述二氧化硅層的形成方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0044]可選地，所述二氧化硅層的圖形化方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0045]可選地，所述鍵合片的材料為單晶硅或者玻璃。
[0046]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0047]本發(fā)明在制備復(fù)合基材時直接省去傳統(tǒng)做法中從正面對硅襯底的刻蝕，以形成小腔體的做法。所形成的具有純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的復(fù)合基材將形成復(fù)合腔體中小腔體的正面刻蝕轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬗惭谀D形化，于形成側(cè)壁為二氧化硅的腔體結(jié)構(gòu)的背面刻蝕形成小腔體，可以解決傳統(tǒng)做法中小腔體介質(zhì)厚度(即小腔體深度)不一致的問題，提高了均勻性。
[0048]本發(fā)明能夠?yàn)楹罄m(xù)形成小腔體介質(zhì)厚度受控的復(fù)合腔體工藝提供質(zhì)量穩(wěn)定的復(fù)合基材。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0049]本發(fā)明的上述的以及其他的特征、性質(zhì)和優(yōu)勢將通過下面結(jié)合附圖和實(shí)施例的描述而變得更加明顯，其中:
[0050]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種腔體結(jié)構(gòu)的形成工藝的流程圖；
[0051]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種復(fù)合腔體的形成工藝的流程圖；
[0052]圖3為本發(fā)明一個實(shí)施例的純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成工藝的流程圖；
[0053]圖4為圖3所示實(shí)施例形成的一個純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的放大示意圖；
[0054]圖5為本發(fā)明一個實(shí)施例的復(fù)合腔體的形成工藝的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0055]下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，在以下的描述中闡述了更多的細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明顯然能夠以多種不同于此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況作類似推廣、演繹，因此不應(yīng)以此具體實(shí)施例的內(nèi)容限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0056]純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法的實(shí)施例
[0057]圖3為本發(fā)明一個實(shí)施例的純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成工藝的流程圖。需要注意的是，這些以及后續(xù)其他的附圖均僅作為示例，其并非是按照等比例的條件繪制的，并且不應(yīng)該以此作為對本發(fā)明實(shí)際要求的保護(hù)范圍構(gòu)成限制。
[0058]如圖3所示，該純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的工藝流程主要包括如下步驟:
[0059]執(zhí)行步驟S31，提供硅襯底301。
[0060]執(zhí)行步驟S32，在硅襯底301的正面形成二氧化硅層302。其中，形成二氧化硅層302的方式可以為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0061]執(zhí)行步驟S33，對二氧化硅層302作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽303。其中，圖形化二氧化硅層302的方式可以為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0062]執(zhí)行步驟S33，提供鍵合片304，將鍵合片304與圖形化的二氧化硅層302相鍵合，把凹槽303封閉，在硅襯底301與鍵合片304之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)305。其中，該鍵合片304的材料可以為單晶硅或者玻璃。
[0063]為了清楚地示出腔體結(jié)構(gòu)305的構(gòu)造，圖4為圖3所示實(shí)施例形成的一個純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的放大示意圖，對圖3中形成的一個腔體結(jié)構(gòu)305 (虛線圓圈內(nèi))進(jìn)行了放大。
[0064]純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的實(shí)施例
[0065]本實(shí)施例采用了前述方法實(shí)施例以形成該純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)，并沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號來表示相同或近似的元件，并且選擇性地省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。
[0066]請參考圖3和圖4所示，該純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)主要包括:硅襯底301、圖形化的二氧化硅層302和鍵合片304。其中，圖形化的該二氧化硅層302形成于硅襯底301的正面，該二氧化硅層302中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽303。鍵合片304的材料可以為單晶硅或者玻璃，其與二氧化硅層302相鍵合，把凹槽303封閉，在硅襯底301與鍵合片304之間形成了一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)305。
[0067]在本實(shí)施例中，該二氧化硅層302的形成方式可以為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積；該二氧化硅層302的圖形化方式可以為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0068]復(fù)合腔體的形成方法的實(shí)施例
[0069]本實(shí)施例可以采用前述腔體結(jié)構(gòu)的形成方法實(shí)施例以形成具有該純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的復(fù)合基材，并可以基于該復(fù)合基材的基礎(chǔ)上繼續(xù)進(jìn)行。本實(shí)施例沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號來表示相同或近似的元件。
[0070]請先參考圖3和圖4所示，該復(fù)合腔體的工藝流程主要包括如下步驟:
[0071]執(zhí)行步驟S31，提供硅襯底301。
[0072]執(zhí)行步驟S32，在硅襯底301的正面形成二氧化硅層302。其中，形成二氧化硅層302的方式可以為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
[0073]執(zhí)行步驟S33，對二氧化硅層302作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽303，二氧化硅層302的圖形與下述步驟S54中待形成的小腔體308的位置相對應(yīng)。其中，圖形化二氧化硅層302的方式可以為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0074]執(zhí)行步驟S34，提供鍵合片304，將鍵合片304與圖形化的二氧化硅層302相鍵合，把凹槽303封閉，在硅襯底301與鍵合片304之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)305，獲得一種復(fù)合基材。其中，該鍵合片304的材料可以為單晶硅或者玻
3? .
[0075]圖5為本發(fā)明一個實(shí)施例的復(fù)合腔體的形成工藝的流程圖。請參考圖5，接下來在圖3和圖4中所獲得的復(fù)合基材的基礎(chǔ)上繼續(xù)進(jìn)行。如圖5所示，執(zhí)行步驟S51，提供復(fù)合基材；該復(fù)合基材主要包括硅襯底301、圖形化的二氧化硅層302和鍵合片304。其中，圖形化的該二氧化硅層302形成于硅襯底301的正面，該二氧化硅層302中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽303 (圖5中未標(biāo)示)。鍵合片304的材料可以為單晶硅或者玻璃，其與二氧化硅層302相鍵合，把凹槽303封閉，在硅襯底301與鍵合片304之間形成了一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)305。
[0076]執(zhí)行步驟S52，在硅襯底301的背面形成掩蔽層306并對掩蔽層306作圖形化，掩蔽層306的圖形與下述步驟S53中待形成的大腔體307的位置相對應(yīng)。其中，該掩蔽層306的材料可以為光刻膠或者半導(dǎo)體介質(zhì)。
[0077]執(zhí)行步驟S53，以掩蔽層306為掩模，從背面刻蝕硅襯底301至正面的二氧化硅層302，在硅襯底301中形成大腔體307。
[0078]執(zhí)行步驟S54，以掩蔽層306和二氧化硅層302為掩模，從背面穿過硅襯底301刻蝕鍵合片304，在鍵合片304及二氧化硅層302中形成一個或多個小腔體308，大腔體307和小腔體308構(gòu)成了復(fù)合腔體。
[0079]復(fù)合腔體的實(shí)施例
[0080]本實(shí)施例采用了前述復(fù)合腔體的形成方法實(shí)施例以形成該復(fù)合腔體，并沿用前述實(shí)施例的元件標(biāo)號與部分內(nèi)容，其中采用相同的標(biāo)號來表示相同或近似的元件，并且選擇性地省略了相同技術(shù)內(nèi)容的說明。
[0081]請參考圖5所不，復(fù)合腔體以一復(fù)合基材為基礎(chǔ)，該復(fù)合基材包括娃襯底301、圖形化的二氧化硅層302和鍵合片304。其中，圖形化的二氧化硅層302形成于硅襯底301的正面，二氧化硅層302中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽303，二氧化硅層302的圖形與下述小腔體308的位置相對應(yīng)。鍵合片304的材料可以為單晶硅或者玻璃，其與二氧化硅層302相鍵合，把凹槽303封閉，在硅襯底301與鍵合片304之間形成有一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)305。
[0082]結(jié)合上述內(nèi)容，請再參考圖5中步驟S54所指的附圖，該復(fù)合腔體可以包括大腔體307和小腔體308。其中，該大腔體307穿通形成于硅襯底301中，并以二氧化硅層302為其底部。該小腔體308穿通形成于鍵合片304及二氧化硅層302中，并與大腔體307相連通。
[0083]在本實(shí)施例中，該二氧化硅層302的形成方式可以為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積；該二氧化硅層302的圖形化方式可以為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
[0084]本發(fā)明在制備復(fù)合基材時直接省去傳統(tǒng)做法中從正面對硅襯底的刻蝕，以形成小腔體的做法。所形成的具有純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的復(fù)合基材將形成復(fù)合腔體中小腔體的正面刻蝕轉(zhuǎn)變?yōu)檎嬗惭谀D形化，于形成側(cè)壁為二氧化硅的腔體結(jié)構(gòu)的背面刻蝕形成小腔體，可以解決傳統(tǒng)做法中小腔體介質(zhì)厚度(即小腔體深度)不一致的問題，提高了均勻性。
[0085]本發(fā)明能夠?yàn)楹罄m(xù)形成小腔體介質(zhì)厚度受控的復(fù)合腔體工藝提供質(zhì)量穩(wěn)定的復(fù)合基材。
[0086]本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何修改、等同變化及修飾，均落入本發(fā)明權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括步驟: A.提供硅襯底(301)； B.在所述硅襯底(301)的正面形成二氧化硅層(302)； C.對所述二氧化硅層(302)作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)； D.提供鍵合片(304)，將所述鍵合片(304)與圖形化的所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述二氧化硅層(302)的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述二氧化硅層(302)的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的腔體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。
5.一種采用權(quán)利要求1所述的形成方法形成的純二氧化硅側(cè)壁的腔體結(jié)構(gòu)，包括: 硅襯底(301)； 圖形化的二氧化硅層(302)，形成于所述硅襯底(301)的正面，所述二氧化硅層(302)中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)； 鍵合片(304)，與所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成了一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的形成方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的圖形化方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的腔體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。
9.一種復(fù)合腔體的形成方法，包括步驟: A.提供硅襯底(301)； B.在所述硅襯底(301)的正面形成二氧化硅層(302)； C.對所述二氧化硅層(302)作圖形化，形成一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽 (303)，所述二氧化硅層(302)的圖形與下述步驟G中待形成的小腔體(308)的位置相對應(yīng)； D.提供鍵合片(304)，將所述鍵合片(304)與圖形化的所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)； E.在所述硅襯底(301)的背面形成掩蔽層(306)并對所述掩蔽層(306)作圖形化，所述掩蔽層(306)的圖形與下述步驟F中待形成的大腔體(307)的位置相對應(yīng)； F.以所述掩蔽層(306)為掩模，從背面刻蝕所述硅襯底(301)至正面的所述二氧化硅層(302)，在所述硅襯底(301)中形成所述大腔體(307)； G.以所述掩蔽層(306)和所述二氧化硅層(302)為掩模，從背面穿過所述硅襯底(301)刻蝕所述鍵合片(304)，在所述鍵合片(304)及所述二氧化硅層(302)中形成一個或多個所述小腔體(308)，所述大腔體(307)和所述小腔體(308)構(gòu)成了所述復(fù)合腔體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，形成所述二氧化硅層(302)的方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，圖形化所述二氧化硅層(302)的方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的復(fù)合腔體的形成方法，其特征在于，所述掩蔽層(306)的材料為光刻膠或者半導(dǎo)體介質(zhì)。
14.一種采用權(quán)利要求9 所述的形成方法形成的復(fù)合腔體，以復(fù)合基材(309)為基礎(chǔ)，所述復(fù)合基材(309)包括: 硅襯底(301)； 圖形化的二氧化硅層(302)，形成于所述硅襯底(301)的正面，所述二氧化硅層(302)中形成有一個或多個側(cè)壁為二氧化硅材料的凹槽(303)，所述二氧化硅層(302)的圖形與下述小腔體(308)的位置相對應(yīng)；以及 鍵合片(304)，與所述二氧化硅層(302)相鍵合，把所述凹槽(303)封閉，在所述硅襯底(301)與所述鍵合片(304)之間形成有一個或多個密閉的側(cè)壁為二氧化硅材料的腔體結(jié)構(gòu)(305)； 所述復(fù)合腔體包括: 大腔體(307)，穿通形成于所述硅襯底(301)中，并以所述二氧化硅層(302)為其底部；以及 小腔體(308)，穿通形成于所述鍵合片(304)及所述二氧化硅層(302)中，并與所述大腔體(307)相連通。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的復(fù)合腔體，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的形成方式為熱氧化或者化學(xué)氣相淀積。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的復(fù)合腔體，其特征在于，所述二氧化硅層(302)的圖形化方式為干法刻蝕或者濕法腐蝕。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的復(fù)合腔體，其特征在于，所述鍵合片(304)的材料為單晶硅或者玻璃。
【文檔編號】B81C1/00GK103922272SQ201410172285
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】徐元俊 申請人:上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司