功能性材料的制造方法和電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能細(xì)微地控制納米粒子的粒徑、使該納米粒子高密度靠近排列的功能性材料的制造方法。此外，還提供一種提高了電磁能量轉(zhuǎn)換效率的電子部件。本發(fā)明的功能性材料的制造方法是含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料的制造方法，包括在將構(gòu)成納米粒子的多個(gè)粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中后加熱到所希望的溫度，從而合成至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中的納米粒子的工序。此外，本發(fā)明提供一種具有使用上述功能性材料的電子部件元件的電子部件，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物。
【專利說明】功能性材料的制造方法和電子部件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料的制造方法和電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻(xiàn)I中記載了一種通過將表面附著有稀土類原子的量子點(diǎn)配置在發(fā)光層上而形成的發(fā)光強(qiáng)度大、還可得到半寬度窄的發(fā)光波長的發(fā)光元件。專利文獻(xiàn)I中公開的量子點(diǎn)的制作方法和排列方法如下。
[0003]作為量子點(diǎn)的制作方法，首先，對(duì)通過陽極氧化得到的多孔硅半導(dǎo)體基板進(jìn)行超聲波處理。其結(jié)果，由硅構(gòu)成的量子點(diǎn)被從多孔硅半導(dǎo)體抖落、分散在溶劑中。然后，用離心分離機(jī)將分散在溶劑中的量子點(diǎn)按尺寸篩選，得到粒徑基本一致的由硅構(gòu)成的量子點(diǎn)。
[0004]接著，作為量子點(diǎn)的排列方法，在混合量子點(diǎn)和烷氧基硅烷后，添加堿或酸作為催化劑，使烷氧基硅烷水解。這樣，能得到溶膠狀或凝膠狀的生成物。然后，通過絲網(wǎng)印刷使所得生成物附著在基板上后，再對(duì)生成物進(jìn)行退火處理，在一種分散狀態(tài)下使量子點(diǎn)排列。
[0005]專利文獻(xiàn):
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-198614號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]然而，就上述量子點(diǎn)的制作方法而言，在用離心分離機(jī)進(jìn)行的尺寸篩選中，處理復(fù)雜，對(duì)尺寸的控制存在極限。尤其是對(duì)小的納米粒子(幾nm)，尺寸控制困難。此外，就排列方法而言，如上所述，僅通過對(duì)溶膠狀或凝膠狀的生成物進(jìn)行退火處理，難以使納米粒子高密度地排列。
[0008]因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可細(xì)微地控制納米粒子的粒徑、使該納米粒子高密度靠近排列的功能性材料的制造方法。此外，提供一種在電子部件的電子部件元件中使用該功能性材料、提高了電磁能量轉(zhuǎn)換效率的電子部件。
[0009]本發(fā)明的功能性材料的制造方法是含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料的制造方法，該制造方法包括在將構(gòu)成納米粒子的多個(gè)粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中后，加熱到所希望的溫度，從而合成至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中的納米粒子的工序。
[0010]此外，本發(fā)明的功能性材料的制造方法是含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料的制造方法，該制造方法優(yōu)選包括:將作為用于構(gòu)成納米粒子的金屬化合物的第I粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中、制作第I混合溶劑的工序；將構(gòu)成納米粒子的第2粒子構(gòu)成原料和添加到溶劑中、制作第2混合溶劑的工序；將第2混合溶劑混合在第I混合溶劑中、合成至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中的納米粒子的工序。
[0011]此外，使用本發(fā)明的功能性材料的電子部件包含使用上述功能性材料的電子部件元件，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的功能性材料的制造方法，由于通過混合多孔金屬絡(luò)合物和納米粒子構(gòu)成原料來合成納米粒子，因此，納米粒子被至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中，這樣，能得到可細(xì)微地控制納米粒子的粒徑、還能使該納米粒子高密度靠近排列的功能性材料。
[0013]此外，本發(fā)明的電子部件包含使用上述功能性材料的電子部件元件，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子、使納米粒子高密度靠近排列的多孔金屬絡(luò)合物，因而，能得到電磁能量轉(zhuǎn)換效率提高的電子部件。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能獲得可細(xì)微地控制納米粒子的粒徑、使該納米粒子高密度靠近排列的功能性材料的制造方法，并能得到通過在電子部件的電子部件元件中使用該功能性材料而使電磁能量轉(zhuǎn)換效率提高的電子部件。
[0015]本發(fā)明的上述目的、其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)通過結(jié)合附圖進(jìn)行的下述發(fā)明實(shí)施方式的說明會(huì)變得更加清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是顯示用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的示意圖。
[0017]圖2是顯示本發(fā)明的功能性材料的制造方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子的流程圖。
[0018]圖3是用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的TEM(透射電子顯微鏡)的圖像，(a)是TEM(透射電子顯微鏡)的低倍率圖像，(b)是(a)的框內(nèi)的放大圖像，(C)是(b)的框內(nèi)的放大圖像，⑷是(C)的一部分的放大圖像。
[0019]圖4是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光元件的一個(gè)例子的截面示意圖。
[0020]圖5是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的另一實(shí)施方式的受光元件的一個(gè)例子的截面示意圖。
[0021]圖6是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的又一實(shí)施方式的單電子器件的一個(gè)例子的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022](功能性材料)
[0023]對(duì)用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的一個(gè)例子進(jìn)行說明。
[0024]圖1是顯示用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的示意圖。
[0025]該功能性材料由多孔金屬絡(luò)合物10和納米粒子12構(gòu)成。例如，作為多孔金屬絡(luò)合物10的材料，例如可以使用由硝酸鋅和2 —甲基咪唑構(gòu)成的多孔金屬絡(luò)合物ZIF-8(商品名，BASF公司產(chǎn)品)。該多孔金屬絡(luò)合物10具有含有多個(gè)金屬絡(luò)合物分子聚集形成的多個(gè)細(xì)孔14的結(jié)構(gòu)。
[0026]此外，如圖1所示，在該多孔金屬絡(luò)合物10的細(xì)孔14中至少擔(dān)載或包含有納米粒子12。例如，納米粒子12可擔(dān)載在多孔金屬絡(luò)合物10的細(xì)孔14中，也可擔(dān)載在多孔金屬絡(luò)合物10的表面上。這里，包含表示納米粒子12被封閉在多孔金屬絡(luò)合物10的內(nèi)部的狀態(tài)，擔(dān)載表示納米粒子12附著在多孔金屬絡(luò)合物上的狀態(tài)。該功能性材料通過納米粒子12在多孔金屬絡(luò)合物10中高密度靠近排列而構(gòu)成。
[0027]至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物10中的納米粒子12視使用該功能材料的電子部件而不同。即，就納米粒子12而言，例如在用于發(fā)光元件的發(fā)光層或受光元件的受光層的情況下，可以使用半導(dǎo)體納米粒子。作為半導(dǎo)體納米粒子，例如可以使用硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、磷化銦(InP)等。此外，例如在用于信息記錄介質(zhì)的磁記錄層的情況下，可以使用磁性納米粒子。作為磁性納米粒子，例如可以使用3d過渡元素、4f過渡元素、堿金屬、它們的合金。此外，例如在用于單電子器件的情況下，可以使用金屬納米粒子。作為金屬納米粒子，例如可以使用金、銀、銅。
[0028](功能性材料的制造方法)
[0029]接著對(duì)上述功能性材料的制造方法進(jìn)行說明。本發(fā)明的功能性材料的制造方法是通過使用多孔金屬絡(luò)合物和納米粒子構(gòu)成原料進(jìn)行合成來制造含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料的制造方法。下面對(duì)本發(fā)明的功能性材料的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0030]圖2是顯示本發(fā)明的功能性材料的制造方法的實(shí)施方式的一個(gè)例子的流程圖。首先，在步驟SI中，準(zhǔn)備第I粒子構(gòu)成原料、與第I粒子構(gòu)成原料相應(yīng)的第I絡(luò)合劑和多孔金屬絡(luò)合物。第I粒子構(gòu)成原料是構(gòu)成納米粒子用的金屬化合物。作為金屬化合物的金屬，例如可以使用鎘(Cd)、銦(In)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鉻(Cr)等。作為第I粒子構(gòu)成原料，可以使用氧化鎘(CdO)，準(zhǔn)備了純度為4N的氧化鎘(Cd0)213.6mg(l.6mmol)。作為第I絡(luò)合劑，例如可以使用硬脂酸(SA),準(zhǔn)備了純度為95%的硬脂酸(SA) 1.92g(6.4mmol)。此外,作為多孔金屬絡(luò)合物，可以使用由硝酸鋅和2 —甲基咪唑構(gòu)成的多孔金屬絡(luò)合物ZIF-8(商品名，BASF公司產(chǎn)品)，準(zhǔn)備了 5mg多孔金屬絡(luò)合物ZIF-8。
[0031]然后，在步驟S2中，將第I粒子構(gòu)成原料和第I絡(luò)合劑添加到溶劑中，再添加多孔金屬絡(luò)合物。這里，作為第I粒子構(gòu)成原料、第I絡(luò)合劑和多孔金屬絡(luò)合物的溶劑，例如可以使用十八烯(ODE)，準(zhǔn)備了純度90%的十八烯(ODE) 16ml。然后，將在步驟SI中準(zhǔn)備好的第I粒子構(gòu)成原料、第I絡(luò)合劑和多孔金屬絡(luò)合物添加到上述準(zhǔn)備好的溶劑中。
[0032]接著，在步驟S3中，對(duì)添加了第I粒子構(gòu)成原料、第I絡(luò)合劑和多孔金屬絡(luò)合物的溶劑在真空狀態(tài)下、例如在100°C下加熱，混合30分鐘。進(jìn)一步在步驟S4中，對(duì)混合好的溶劑在避免氧化用的氮?dú)夥罩小⒃?00°C下加熱I小時(shí)，然后在步驟S5中，使加熱過的溶劑冷卻至室溫(25°C )，制得第I混合溶劑。
[0033]接著，在步驟S6中，向第I混合溶劑中添加配體。作為配體，例如可以使用三辛基氧化膦(TOPO)和十八胺(ODA)的混合物，準(zhǔn)備了三辛基氧化膦(T0P0)4g、十八胺(ODA) 12g。將準(zhǔn)備好的各配體在步驟S7中添加到第I混合溶劑中，在真空狀態(tài)下加熱到100°C，混合30分鐘。另外，配體在粒子構(gòu)成原料有缺陷的情況下具有堵塞缺陷的作用。然后，在步驟S8中，對(duì)添加了配體的第I混合溶劑在氮?dú)夥障隆⒃?80°C下加熱I小時(shí)。
[0034]接著，在步驟S9中，準(zhǔn)備第2粒子構(gòu)成原料和與第2粒子構(gòu)成原料相應(yīng)的第2絡(luò)合劑。第2粒子構(gòu)成原料可以使用構(gòu)成納米粒子的元素，例如可以使用磷(P)、硒(Se)、碲(Te)等。作為第2粒子構(gòu)成原料，可以使用純硒(Se)，準(zhǔn)備了純度為4N的純硒(Se)1.26g(16mm0l)。作為第2絡(luò)合劑，例如可以使用三丁基膦(TBP)，準(zhǔn)備了純度90%的三丁基膦(TBP) 3.96g (17.6mmol)。
[0035]然后，在步驟SlO中，將第2粒子構(gòu)成原料和第2絡(luò)合劑添加到溶劑中。這里，作為添加第2粒子構(gòu)成原料和第2絡(luò)合物的溶劑，例如可以使用十八烯(ODE)，準(zhǔn)備了純度90%的十八烯(ODE)I0.96ml。然后，將在步驟S9中準(zhǔn)備好的第2粒子構(gòu)成原料和第2絡(luò)合劑添加到上述準(zhǔn)備好的溶劑中。
[0036]接著，在步驟Sll中，對(duì)添加了第2粒子構(gòu)成原料和第2絡(luò)合劑的溶劑在例如100°C下進(jìn)行加熱，混合，制得第2混合溶劑。
[0037]接著，在步驟S12中，使制得的第2混合溶劑冷卻至室溫(25 °C )，然后，在步驟S13中，將冷卻后的第2混合溶劑混合到添加了配體的第I混合溶劑中，制得第3混合溶劑。然后，使在步驟14中制得的第3混合溶劑冷卻至室溫(25°C )，得到ZIF-8中至少擔(dān)載或者包含有納米粒子的功能性材料。這樣，通過混合冷卻至室溫的第2混合溶劑，能終止納米粒子的核生長。
[0038]這里，圖3是用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的TEM(透射電子顯微鏡)的圖像。圖3(a)是TEM(透射電子顯微鏡)的低倍率圖像，圖3(b)是圖3(a)的框內(nèi)的放大圖像，圖3(c)是圖3(b)的框內(nèi)的放大圖像，圖3(d)是圖3(c)的一部分的放大圖像。根據(jù)圖3可知，CdSe納米粒子高密度靠近多孔金屬絡(luò)合物ZIF-8，至少擔(dān)載或包含在ZIF-8中。多孔金屬絡(luò)合物ZIF-8的細(xì)孔徑在1.2nm左右。因此，在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔外，形成有直徑2nm左右的納米粒子，在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔內(nèi)，形成有直徑Inm左右的納米粒子?？梢源_認(rèn)，被認(rèn)為存在于細(xì)孔內(nèi)的Inm左右的納米粒子的間隔在Inm?2nm左右，非常靠近。
[0039]另外，可通過調(diào)整清洗方法、合成方法來減少形成在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔外的納米粒子。
[0040]因此，根據(jù)本發(fā)明的功能性材料的制造方法，通過將納米粒子至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中，能細(xì)微地控制納米粒子的粒徑，并能使該納米粒子高密度靠近排列。即，多孔金屬絡(luò)合物能形成0.1nm以上的整齊的籠狀骨架。因此，通過將納米粒子包含或擔(dān)載在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔內(nèi)或表面上，能細(xì)微地控制納米粒子的粒徑。此外，多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔壁非常薄，在一片苯左右，通過將納米粒子包含或擔(dān)載在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔內(nèi)或表面上，能使納米粒子高密度靠近排列。(電子部件)
[0041]如上所述，用本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料能細(xì)微地控制納米粒子的粒徑，并能使納米粒子高密度靠近排列。所以，能將該功能性材料用于以下電子部件的電子部件兀件。
[0042]圖4是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的一實(shí)施方式的發(fā)光元件的一個(gè)例子的截面示意圖。發(fā)光元件20由玻璃基板22、陽極24、空穴輸送層26、發(fā)光層28、空穴阻擋層30、電子輸送層32和陰極34構(gòu)成。
[0043]玻璃基板22是發(fā)光元件20的支承物。玻璃基板22上設(shè)有陽極24。設(shè)置的陽極24用于將空穴36注入到空穴輸送層26。陽極24上設(shè)有空穴輸送層26?？昭ㄝ斔蛯?6上設(shè)有發(fā)光層28。通過向陽極24和陰極32加載電壓，發(fā)光層28使從陽極24注入的通過空穴輸送層26輸送的空穴36和從陰極34注入的通過空穴阻擋層30輸送的電子38高效地再結(jié)合，從而產(chǎn)生激子。發(fā)光層28中可以使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料。發(fā)光層28上設(shè)有空穴阻擋層30。設(shè)置的空穴阻擋層30用于阻擋從發(fā)光層28移動(dòng)過來的空穴36到達(dá)陰極，還用于將從陰極34注入的電子38高效地輸送到發(fā)光層28?？昭ㄗ钃鯇?0上設(shè)有陰極34，但為了進(jìn)一步提高發(fā)光元件20的發(fā)光效率，在空穴阻擋層30和陰極32之間設(shè)置電子輸送層32。電子輸送層32是為了通過在陽極24和陰極32上加載電壓、由此將從陰極34注入的電子38高效地向空穴阻擋層30的方向輸送而設(shè)置的。
[0044]在發(fā)光元件20中，通過在陽極24和陰極32上加載電壓，從各電極上分別注入空穴36和電子38。注入的電子38和空穴36在發(fā)光層28再結(jié)合，由此產(chǎn)生的激子發(fā)光。這樣，能使發(fā)光兀件20從發(fā)光層28向玻璃基板22的方向(箭頭A所不的方向)發(fā)光。
[0045]如上所述，在作為電子部件元件的發(fā)光層28中可使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料，作為納米粒子，可以使用半導(dǎo)體納米粒子。這樣，通過將作為使半導(dǎo)體納米粒子(量子點(diǎn))高密度排列的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料用于發(fā)光元件的發(fā)光層28，使亮度因量子點(diǎn)直徑的均一化而提高，且由于量子點(diǎn)的高密度化，能提高發(fā)光效率。作為這種半導(dǎo)體納米粒子，可以使用硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、磷化銦(InP)等。
[0046]另外，在作為發(fā)光元件的電子部件元件使用的情況下，通過在制作功能性材料時(shí)除去形成在多孔金屬絡(luò)合物的細(xì)孔外的納米粒子，能提高發(fā)光效率。
[0047]圖5是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的另一實(shí)施方式的受光元件的一個(gè)例子的截面示意圖。受光元件40由電極42、半導(dǎo)體基板44、n型半導(dǎo)體層46、i型半導(dǎo)體層48、p型半導(dǎo)體層50、柵電極(gridelectrode) 52和防反射膜54構(gòu)成。
[0048]半導(dǎo)體基板44的一方的表面上形成有η型半導(dǎo)體層46。η型半導(dǎo)體層46上形成有i型半導(dǎo)體層48。i型半導(dǎo)體層48中可以使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料。i型半導(dǎo)體層48上形成有P型半導(dǎo)體層50。即，該受光元件40為pin接合型。P型半導(dǎo)體層50上形成有柵電極52，各柵電極52之間形成有防反射膜54。柵電極52是取出i型半導(dǎo)體層48中產(chǎn)生的空穴用的電極。此外，半導(dǎo)體基板44的另一方的表面上形成有電極42。電極42是取出i型半導(dǎo)體層48中產(chǎn)生的電子用的電極。
[0049]在受光元件40中，太陽光從箭頭B所示的方向通過防反射膜54入射，照射到i型半導(dǎo)體層48，產(chǎn)生空穴和電子，電流流動(dòng)。
[0050]如上所述，可以在作為電子部件元件的i型半導(dǎo)體層48中使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料，作為納米粒子，可以使用半導(dǎo)體納米粒子。這樣，通過將作為使半導(dǎo)體納米粒子(量子點(diǎn))高密度靠近排列的多孔金屬絡(luò)合物的功能性材料用于作為受光元件受光層的i型半導(dǎo)體層48中，靈敏度因量子點(diǎn)直徑的均一化而提高，并且由于量子點(diǎn)的靠近而能夠使吸收帶區(qū)域廣域化，即能提高從光能向電能的轉(zhuǎn)換效率。
[0051]此外，在磁記錄介質(zhì)的磁記錄層中可以使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料。作為在作為電子部件元件的磁記錄層中使用的功能性材料的納米粒子，可以使用磁性納米粒子。通過使用使磁性納米粒子高密度靠近排列的多孔金屬絡(luò)合物，能實(shí)現(xiàn)因磁性納米粒子的靠近而具有納米粒子的電子、自旋相互影響的強(qiáng)相關(guān)性的器件的，并由于自旋高密度排列而能成為高密度的信息記錄介質(zhì)。作為磁性納米粒子，可以使用3d過渡元素、4f過渡元素、堿金屬、它們的合金等，例如可以使用鈷(Co)、鉻(Cr)、鎳(Ni)等。
[0052]圖6是顯示作為使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料的電子部件的又一實(shí)施方式的單電子器件的一個(gè)例子的示意圖。作為圖6所示的單電子器件的一個(gè)例子，顯示單電子晶體管60。該單電子晶體管60由源電極62、柵電極(gateelectrode) 64、漏電極66、傳導(dǎo)區(qū)域68和隧道勢(shì)壘70、72構(gòu)成。
[0053]在單電子晶體管60中，將源電極62、柵電極64、漏電極66連接到外部電路(圖中未示出)上，由此能在電極間加載電壓。在源電極62和漏電極66之間設(shè)有介由隧道勢(shì)壘70、72連接的傳導(dǎo)區(qū)域68。傳導(dǎo)區(qū)域68可以使用由本發(fā)明的功能性材料的制造方法制得的功能性材料。通過用柵極電壓控制該傳導(dǎo)區(qū)域68，能使電子74介由隧道勢(shì)壘70、72 —個(gè)一個(gè)地從源電極62向漏電極66轉(zhuǎn)移。
[0054]作為在作為電子部件元件的傳導(dǎo)區(qū)域68中使用的功能性材料的納米粒子，可以使用金屬納米粒子。這樣，若將使金屬納米粒子高密度靠近排列的多孔金屬絡(luò)合物用于單電子晶體管60中，就能用I個(gè)電子(單電子)使晶體管工作，從而能降低電耗、抑制發(fā)熱。作為金屬納米粒子的材料，可以使用金、銀、銅。
[0055]另一方面，若將金屬納米粒子用作作為電子部件元件的電磁波吸收體(電磁波吸收材料)，就能通過調(diào)節(jié)納米粒子的粒徑來提高吸收效率。
[0056]另外，在本實(shí)施方式中，在功能性材料的制造方法中，分別制作第I混合溶劑和第2混合溶劑，再將第I混合溶劑和第2混合溶劑混合，但不局限于此，也可將構(gòu)成納米粒子的多個(gè)粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中后，將該添加有上述物質(zhì)的溶劑加熱到所希望的溫度，從而將納米粒子至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中，由此進(jìn)行合成。
[0057]此外，在本實(shí)施方式中，在分別制作第I混合溶劑和第2混合溶劑時(shí)，向溶劑中添加了絡(luò)合劑，但不局限于此，也可不添加絡(luò)合劑。
[0058]用本發(fā)明的 功能性材料的制造方法制得的功能性材料能良好地用于例如發(fā)光元件、受光元件、磁記錄介質(zhì)、單電子器件等電子部件。
[0059]符號(hào)說明:
[0060]10 多孔金屬絡(luò)合物
[0061]12 納米粒子
[0062]14 細(xì)孔
[0063]20發(fā)光元件
[0064]22玻璃基板
[0065]24陽極
[0066]26 空穴輸送層
[0067]28發(fā)光層
[0068]30 空穴阻擋層
[0069]32電子輸送層
[0070]34陰極
[0071]36空穴
[0072]38電子
[0073]40受光元件
[0074]42電極
[0075]44 半導(dǎo)體基板[0076]46η型半導(dǎo)體層
[0077]48i型半導(dǎo)體層
[0078]50P型半導(dǎo)體層
[0079]52柵電極
[0080]54防反射膜
[0081]60單電子晶體管
[0082]62源電極
[0083]64柵電極
[0084]66漏電極
[0085]68傳導(dǎo)區(qū)域
[0086]70隧道勢(shì)壘
[0087]72隧道勢(shì)壘
[0088]74電子`
【權(quán)利要求】
1.功能性材料的制造方法，在該制造方法中，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物，所述制造方法包括將構(gòu)成納米粒子的多個(gè)粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中后加熱到所希望的溫度、由此合成至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中的納米粒子的工序。
2.功能性材料的制造方法，在該制造方法中，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物，所述制造方法包括: 將作為用于構(gòu)成所述納米粒子的金屬化合物的第I粒子構(gòu)成原料和多孔金屬絡(luò)合物添加到溶劑中、制作第I混合溶劑的工序、 將構(gòu)成所述納米粒子的第2粒子構(gòu)成原料添加到溶劑中、制作第2混合溶劑的工序、 將所述第2混合溶劑混合到第I混合溶劑中、合成至少擔(dān)載或包含在多孔金屬絡(luò)合物中的納米粒子的工序。
3.電子部件，其具有使用功能性材料的電子部件元件，所述功能性材料含有至少擔(dān)載或包含有納米粒子的多孔金屬絡(luò)合物。
【文檔編號(hào)】B82Y20/00GK103889889SQ201280052671
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年10月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月28日
【發(fā)明者】若岡拓生, 村山浩二, 鷹木洋, 宮田晴哉, 高野良比古, 海沼泰明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所