專利名稱：具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，尤指一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術：
微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System,簡稱MEMS)是一種兼具電子與機械功能的微小裝置，在制造上乃借由各種微細加工技術來達成，一般來說，微機電系統(tǒng)通過將微機電元件設置于基板的表面上，并以保護罩或底膠進行封裝保護，以使內(nèi)部的微機電元件不受外界環(huán)境的破壞，而得到一具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)。
請參閱圖1，其為現(xiàn)有具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖所示，現(xiàn)有的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)通過將例如為壓力感測元件的微機電元件11接置于平面柵格陣列(land grid array,簡稱LGA)型態(tài)的基板10上,并利用打線方式從微機電元件11的電性連接端111電性連接至該LGA基板10的電性連接端101，而使該微機電元件11與基板10電性連接，最終再于封裝基板10表面形成金屬蓋12，以將該微機電元件11包覆于其中，而該金屬蓋12用以保護該微機電元件11不受外界環(huán)境的污染破壞，而該微機電元件封裝結(jié)構(gòu)的缺點為體積過大，無法符合終端產(chǎn)品輕薄短小的需求。請參閱圖2，為了縮小具微機電壓力感測元件的整體封裝結(jié)構(gòu)體積，業(yè)界又于2005年申請一晶片級壓力感測封裝結(jié)構(gòu)的公開專利案(公開號為US 2006/0185429)，該封裝結(jié)構(gòu)通過將例如為壓力感測元件的微機電元件11直接制作于硅基板13上，最后并借由陽極接合(anodic bonding)于該微機電元件11上接合玻璃蓋體14。然而，于該硅基板13中形成感測腔體131及貫通硅基板13兩表面的通孔132，因此需要使用娃貫孔(Through Silicon Via,簡稱TSV)技術,而該技術通過應用氫氧化鉀(KOH)作為蝕刻劑以形成通孔或凹槽。相較于前述第一種現(xiàn)有技術結(jié)構(gòu)，第2006/0185429號公開專利案所揭示的結(jié)構(gòu)雖可大幅縮小具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的整體體積，但是以TSV技術形成通孔及凹槽的制程不僅價格昂貴，且技術精密度要求也高，故將微機電元件封裝結(jié)構(gòu)以晶片制程制作，雖可得到尺寸較小的封裝件，但該技術復雜且耗費成本甚鉅。因此，如何避免上述現(xiàn)有技術中的種種問題，以使具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制造成本與體積減少，實已成為目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述現(xiàn)有技術的缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，無需制作貫穿硅基板的開孔，以節(jié)省生產(chǎn)成本。本發(fā)明所提供的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)包括具有相對的第三表面與第四表面的晶片，該第三表面上具有多個微機電元件、多個電性接點與多個第二對位鍵；用來保護該微機電兀件的板體，其具有相對的第一表面與第二表面、及貫穿該第一表面與第二表面的板體開口，該第一表面上具有多個凹槽、與對應位于各該凹槽周緣的多個密封環(huán)，該板體與該晶片相結(jié)合，其結(jié)合方式為該板體的密封環(huán)接置于該晶片的第三表面上以氣密封裝，且各該微機電兀件對應設于各該凹槽與密封環(huán)中，各該電性接點與第二對位鍵外露于該板體開口，且該第二表面上形成有金屬層；多個透明體，借由黏著劑以對應設于各該第二對位鍵上，使得可于由上方觀察該第二對位鍵；封裝層，形成于該晶片的第三表面上，且包覆該板體、電性接點、與透明體；多個焊線，嵌設于該封裝層中，且各該焊線的一端連接該電性接點，而另一端外露于該封裝層的頂面；以及作為重新分配層的金屬導線，形成于該封裝層上，且該金屬導線借由該焊線以電性連接至該電性接點。本發(fā)明還揭露一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，包括準備一具有相對的第一表面與第二表面的板體、以及一具有相對的第三表面與第四表面的晶片，該第一表面上具有多個凹槽、多個第一對位鍵、與對應位于各該凹槽周緣的多個密封環(huán)，該第三表面上具有多個微機電元件、多個電性接點與多個第二對位鍵；將該板體與該晶片結(jié)合，其結(jié)合方式是借由將各該第一對位鍵對應至各該第二對位鍵，并將該板體的密封環(huán)接置于該晶片的第三表面上以達成氣密封裝，且各該微機電元件對應設于各該凹槽與密封環(huán)中；從該第二表 面移除部分厚度的板體以減少最終封裝結(jié)構(gòu)的厚度；于該第二表面上形成金屬層以供后續(xù) 焊線連接使用；切割該板體，以形成露出該等電性接點與該等第二對位鍵的板體開口 ；借由黏著劑以將多個透明體對應設于各該第二對位鍵上，該透明體可讓該第二對位鍵得由上方觀察；以多個焊線連接該電性接點與該金屬層；于該晶片的第三表面上形成封裝層，以包覆該板體、電性接點、透明體與焊線；從該封裝層的頂面移除部分厚度的該封裝層與部分該焊線，以外露該焊線的一端供該第二對位鍵至外部，且該封裝層的頂面高于該透明體的頂面；移除該透明體頂面上的該封裝層，以避免該封裝層遮蔽視線；以及借由該第二對位鍵來對位，并于該封裝層上形成金屬導線，該金屬導線是借由該焊線以電性連接至該電性接點。由上可知，本發(fā)明的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)無需制作貫穿硅基板的開孔(TSV)，故無需購買制作貫穿開孔專用的設備，而可降低生產(chǎn)成本；此外，本發(fā)明的板體僅罩設該微機電元件，而非罩設于該焊線上方，且移除部分該焊線，所以更能降低整體厚度與體積；又本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)于制作時可從上方透過該透明體來觀看該第二對位鍵，而能直接以一般具有俯視功能的對準儀進行形成該金屬導線或線路重布層(RDL)時所需的定位步驟，并因此不需于該晶片底面形成額外的對位鍵，以作為后續(xù)于封裝體上形成金屬導線或線路重布層的對位鍵的使用，而能減少至少一次的曝光、顯影與蝕刻制程，且無須購置價格昂貴的雙面對準儀，故可節(jié)省整體制程成本并縮短制程時間。


圖I為一種現(xiàn)有具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2為另一種現(xiàn)有具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖；以及圖3A至圖3K為本發(fā)明的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的剖視圖，其中，圖3E’為圖3E的俯視示意圖，圖3J’為圖3J的另一實施方式。主要元件符號說明10 基板
101、111電性連接端11,41微機電元件12金屬蓋13硅基板131感測腔體132 通孔14玻璃蓋體30 板體 30a 第一表面30b 第二表面300 凹槽301 板體開口31第一對位鍵32密封環(huán)33金屬層40 晶片40a第三表面40b第四表面42電性接點43第二對位鍵44 焊線51黏著劑52透明體53封裝層54金屬導線55 焊球56第一絕緣層560第一絕緣層開口57第二絕緣層570第二絕緣層開口58凸塊下金屬層6封裝結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉本領域的技術人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉本領域的技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“左”、“右”、“頂”、“底”及“一”等用語，也僅為便于敘述明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術內(nèi)容下，也當視為本發(fā)明可實施的范疇。請參閱圖3A至圖3K，其為本發(fā)明的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的剖視圖，其中，圖3E’為圖3E的俯視示意圖，圖3J’為圖3J的另一實施方式。
首先，如圖3A所示，準備一具有相對的第一表面30a與第二表面30b的板體30，該第一表面30a上具有多個第一對位鍵31，該板體30的材質(zhì)可為含硅的基材，并借由例如深反應式離子蝕刻(DRIE)、氫氧化鉀(KOH)或氫氧化四甲基銨(TMAH)以蝕刻形成多個凹槽300。如圖3B所示，于各該凹槽300周緣對應設置密封環(huán)32，該密封環(huán)32的材質(zhì)可為玻璃粉(glass frit)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、干膜(dry film)、金(Au)、銅(Cu)、金銦(AuIn)、焊料(solder)、鍺(Ge)、鍺化鋁(AlGe)、或硅鍺(SiGe)。如圖3C所不,提供一具有相對的第三表面40a與第四表面40b的晶片40,該第三表面40a上具有多個微機電元件41、多個電性接點42與多個第二對位鍵43，接著，將該板體30與該晶片40結(jié)合，其結(jié)合方式為借由將各該第一對位鍵31對應至各該第二對位鍵43，并將該板體30的密封環(huán)32接置于該晶片40的第三表面40a上，且各該微機電元件41對應設于各該凹槽300與密封環(huán)32中，其中，該微機電元件41可為陀螺儀、加速度計或射頻微機電元件，且此時該微機電元件41已被氣密封裝在該凹槽300中。如圖3D所示，可以研磨方式從該第二表面30b移除部分厚度的板體30，而剩下約200至300微米(ym)厚的板體30，并利用濺鍍或蒸鍍方式于該第二表面30b上形成金屬層33，該金屬層33的材質(zhì)可為鋁/銅(Al/Cu)(即依序形成鋁層與銅層)。如圖第3E所示，切割該板體30，以形成露出該等電性接點42與該等第二對位鍵43的板體開口 301，然后利用固晶機(die bonder)以借由黏著劑51將多個透明體52對應設于各該第二對位鍵43上，其中，該黏著劑51的材質(zhì)可為玻璃粉(glass frit)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、或干膜(dry f ilm),該透明體52的材質(zhì)可為玻璃。如圖3E’所示，該等透明體52的數(shù)量較佳為兩個，且分別置于該晶片40的周緣處任意相對兩側(cè)，要注意的是，圖3E’只是要清楚表達該等透明體52的位置(同樣是第二對位鍵43的位置)，因此并未顯示所有圖3E的構(gòu)件。如圖3F所示，以多個焊線44連接該電性接點42與該金屬層33。如圖3G所示，于該晶片40的第三表面40a上形成封裝層53，以包覆該板體30、電性接點42、透明體52與焊線44。如圖3H所示，借由研磨方式從該封裝層53的頂面移除部分厚度的該封裝層53與部分該焊線44，以外露該焊線44的一端，且該封裝層53的頂面略高于該透明體52的頂面，這是因為如果研磨至該透明體52的頂面，則會造成該透明體頂面因研磨而呈模糊霧面且不透光，而無法進行后續(xù)對位機臺的對位。如圖31所示，借由激光燒灼方式以移除該透明體52頂面上的該封裝層53，如此則該透明體頂面將會呈透明狀。如圖3J所示，借由該第二對位鍵43來對位，并于該封裝層53上形成金屬導線54，該金屬導線54是借由該焊線44以電性連接至該電性接點42，再于該金屬導線54上形成焊球55?；蛘撸鐖D3J’所示，于該封裝層53上形成第一絕緣層56，該第一絕緣層56具有多個外露該焊線44的第一絕緣層開口 560，且該金屬導線54形成于該第一絕緣層開口 560處以電性連接該焊線44，然后，于該第一絕緣層56與金屬導線54上形成第二絕緣層57，且該第二絕緣層57具有多個外露部分該金屬導線54的第二絕緣層開口 570，并于該第二絕緣層開口 570處形成凸塊下金屬層58及其上的焊球55，也就是進行線路重布(Redistribution Line,簡稱RDL)制程,而達到線路的電性連接墊擴散(Fan out)或內(nèi)聚(Fan in)的需求，以符合產(chǎn)品設計的需要。如圖3K所示，其是延續(xù)自圖3J，進行切單制程，以得到多個各具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)6。本發(fā)明還揭露一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，包括晶片40，具有相對的第三表 面40a與第四表面40b，該第三表面40a上具有多個微機電元件41、多個電性接點42與多個第二對位鍵43 ;板體30，具有相對的第一表面30a與第二表面30b、及貫穿該第一表面30a與第二表面30b的板體開口 301，該第一表面30a上具有多個凹槽300、與對應位于各該凹槽300周緣的多個密封環(huán)32，該板體30與該晶片40相結(jié)合，其結(jié)合方式為該板體30的密封環(huán)32接置于該晶片40的第三表面40a上，且各該微機電元件41對應設于各該凹槽300與密封環(huán)32中，各該電性接點42與第二對位鍵43外露于該板體開口 301，且該第二表面30b上形成有金屬層33 ;多個透明體52，借由黏著劑51以對應設于各該第二對位鍵43上；封裝層53，形成于該晶片40的第三表面40a上，且包覆該板體30、電性接點42、與透明體52 ;多個焊線44，嵌設于該封裝層53中，且各該焊線44的一端連接該電性接點42，而另一端外露于該封裝層53的頂面；以及金屬導線54，形成于該封裝層53上，且該金屬導線54借由該焊線44以電性連接至該電性接點42。所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)中，還可包括第一絕緣層56，形成于該封裝層53上，該第一絕緣層56具有多個外露該焊線44的第一絕緣層開口 560，且該金屬導線54形成于該第一絕緣層開口 560處以電性連接該焊線44，此外，還可包括第二絕緣層57，形成于該第一絕緣層56與金屬導線54上，該第二絕緣層57具有多個外露部分該金屬導線54的第二絕緣層開口 570。于上述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)中，還可包括焊球55，設于該金屬導線54上。又于前述的封裝結(jié)構(gòu)中，該密封環(huán)32的材質(zhì)可為玻璃粉(glass frit)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、干膜(dry film)、金(Au)、銅(Cu)、金銦(AuIn)、焊料(solder)、鍺(Ge)、鍺化招(AlGe)、或硅鍺(SiGe)。于所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)中，該金屬層33的材質(zhì)可為鋁/銅(Al/Cu)，且該透明體52的材質(zhì)可為玻璃。所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)中，該微機電元件41可為陀螺儀、加速度計或射頻微機電元件，且該黏著劑51的材質(zhì)可為玻璃粉(glass frit)、環(huán)氧樹脂(epoxy)、或干膜(dry film)。綜上所述，本發(fā)明的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)無需制作貫穿硅基板的開孔(TSV)，故無需購買TSV制作用設備，而可降低生產(chǎn)成本；此外，本發(fā)明的板體僅罩設該微機電元件，且移除部分該焊線，所以更能降低整體厚度與體積；又本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)于制作時可從上方透過該透明體來觀看該第二對位鍵，而能直接以一般的對準儀(aligner)進行形成該金屬導線或重布線路層(RDL)時所需的對位步驟，并因此不需于該晶片底面形成額外的對位鍵，以作為后續(xù)于封裝體上形成金屬導線或重布線路層的對位鍵的使用，而能減少至少一次曝光、顯影與蝕刻等制程步驟，且無須購置價格昂貴的雙面對準儀(double sidealigner)，故可節(jié)省整體制程成本并縮短制程時間。上述實施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉本領域的技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。 因此本發(fā)明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
權利要求
1.一種具微機電兀件的封裝結(jié)構(gòu)，其包括 晶片，具有相對的第三表面與第四表面，該第三表面上具有多個微機電兀件、多個電性接點與多個第二對位鍵； 板體，具有相對的第一表面與第二表面、及貫穿該第一表面與第二表面的板體開口，該第一表面上具有多個凹槽、與對應位于各該凹槽周緣的多個密封環(huán)，該板體與該晶片相結(jié)合，其結(jié)合方式為該板體的密封環(huán)接置于該晶片的第三表面上，且各該微機電元件對應設于各該凹槽與密封環(huán)中，各該電性接點與第二對位鍵外露于該板體開口，且該第二表面上形成有金屬層； 多個透明體，借由黏著劑以對應設于各該第二對位鍵上； 封裝層，形成于該晶片的第三表面上，且包覆該板體、電性接點、與透明體； 多個焊線，嵌設于該封裝層中，且各該焊線的一端連接該電性接點，而另一端外露于該封裝層的頂面；以及 金屬導線，形成于該封裝層上，且該金屬導線借由該焊線以電性連接至該電性接點。
2.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，還包括第一絕緣層，形成于該封裝層上，該第一絕緣層具有多個外露該焊線的第一絕緣層開口，且該金屬導線形成于該第一絕緣層開口處以電性連接該焊線。
3.根據(jù)權利要求2所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，還包括第二絕緣層，形成于該第一絕緣層與金屬導線上，該第二絕緣層具有多個外露部分該金屬導線的第二絕緣層開口。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，還包括焊球，設于該金屬導線上。
5.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該密封環(huán)的材質(zhì)為玻璃粉、環(huán)氧樹脂、干膜、金、銅、金銦、焊料、鍺、鍺化鋁、或硅鍺。
6.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層的材質(zhì)為鋁/銅。
7.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透明體的材質(zhì)為玻璃。
8.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該黏著劑的材質(zhì)為玻璃粉、環(huán)氧樹脂、或干膜。
9.根據(jù)權利要求I所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該微機電元件為陀螺儀、加速度計或射頻微機電元件。
10.一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其包括 準備一具有相對的第一表面與第二表面的板體、以及一具有相對的第三表面與第四表面的晶片，該第一表面上具有多個凹槽、多個第一對位鍵、與對應位于各該凹槽周緣的多個密封環(huán)，該第三表面上具有多個微機電元件、多個電性接點與多個第二對位鍵； 將該板體與該晶片結(jié)合，其結(jié)合方式為借由將各該第一對位鍵對應至各該第二對位鍵，并將該板體的密封環(huán)接置于該晶片的第三表面上，且各該微機電元件對應設于各該凹槽與密封環(huán)中； 從該第二表面移除部分厚度的板體； 于該第二表面上形成金屬層；切割該板體，以形成露出該等電性接點與該等第二對位鍵的板體開口 ； 借由黏著劑以將多個透明體對應設于各該第二對位鍵上； 以多個焊線連接該電性接點與該金屬層； 于該晶片的第三表面上形成封裝層，以包覆該板體、電性接點、透明體與焊線； 從該封裝層的頂面移除部分厚度的該封裝層與部分該焊線，以外露該焊線的一端，且該封裝層的頂面高于該透明體的頂面； 移除該透明體頂面上的該封裝層；以及 借由該第二對位鍵來對位，并于該封裝層上形成多個金屬導線，該金屬導線借由該焊線以電性連接至該電性接點。
11.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，還包括于形成該金屬導線之前，于該封裝層上形成第一絕緣層，該第一絕緣層具有多個外露該焊線的第一絕緣層開口，且該金屬導線形成于該第一絕緣層開口處以電性連接該焊線。
12.根據(jù)權利要求11所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，還包括于該第一絕緣層與金屬導線上形成第二絕緣層，且該第二絕緣層具有多個外露部分該金屬導線的第二絕緣層開口。
13.根據(jù)權利要求10、11或12所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，于形成該金屬導線之后，還包括于該金屬導線上形成焊球。
14.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該等凹槽是借由深反應式離子蝕刻、氫氧化鉀或氫氧化四甲基銨而蝕刻產(chǎn)生。
15.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該密封環(huán)的材質(zhì)為玻璃粉、環(huán)氧樹脂、干膜、金、銅、金銦、焊料、鍺、鍺化鋁、或硅鍺。
16.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該金屬層的材質(zhì)為鋁/銅。
17.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該透明體的材質(zhì)為玻璃。
18.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該黏著劑的材質(zhì)為玻璃粉、環(huán)氧樹脂、或干膜。
19.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該微機電元件為陀螺儀、加速度計或射頻微機電元件。
20.根據(jù)權利要求10所述的具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，還包括進行切單制程，以得到多個各具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，該具微機電元件的封裝結(jié)構(gòu)包括晶片、板體、透明體、封裝層、焊線與金屬導線，該晶片上具有多個微機電元件、多個電性接點與多個第二對位鍵，該板體罩設于該微機電元件上方且氣密封裝，該透明體對應設于各該第二對位鍵上，該封裝層設于該晶片上，且包覆該板體、電性接點、與透明體，該焊線嵌設于該封裝層中，且各該焊線的一端連接該電性接點，而另一端外露于該封裝層的頂面，該金屬導線設于該封裝層上，并借由該焊線以電性連接至該電性接點。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)無需制作貫穿硅基板的開孔，因此能節(jié)省生產(chǎn)成本，另外本發(fā)明僅以一般的對準儀即能實現(xiàn)相關線路布設制程，故可進一步減低設備成本。
文檔編號B81C1/00GK102786024SQ20111018027
公開日2012年11月21日 申請日期2011年6月24日 優(yōu)先權日2011年5月16日
發(fā)明者廖信一, 張宏達, 林辰翰, 邱世冠 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司