微機電結(jié)構(gòu)制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種微機電結(jié)構(gòu)制作方法，該方法不需使用額外的粘著劑，而包括：先在第一基板上制作微機電結(jié)構(gòu)；在第一或第二基板上形成覆蓋液體容置空間；及以壓力將第二基板固定到第一基板等步驟。在加壓之前，將兩基板翻轉(zhuǎn)，使得覆蓋液體包圍兩基板的接觸面。
【專利說明】微機電結(jié)構(gòu)制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明是涉及一種微機電結(jié)構(gòu)的制作方法，特別是涉及內(nèi)容納流體的微機電結(jié)構(gòu) 的制作方法，并且本發(fā)明公開一種以該方法制作的微機電結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 在微機電結(jié)構(gòu)中，有時需要在結(jié)構(gòu)中容納流體，以利用該流體的特性，提供一定的 功能。此種微機電結(jié)構(gòu)包括一般稱為"液體電容式傾斜微感測器"（liquid capacitive micro inclinometer)的產(chǎn)品。
[0003] 以液體電容式傾斜微感測器為例，在制作時需要先在基板上制作包括傾斜感測器 機構(gòu)的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)還可能包括相關(guān)的感測電路。其次，需要在另一個基板，通常是玻璃基 板上，制作包括容置空間的結(jié)構(gòu)。接著，在該傾斜感測器結(jié)構(gòu)內(nèi)或該容置空間的結(jié)構(gòu)內(nèi)加入 流體，再將兩結(jié)構(gòu)結(jié)合，固著，即形成所需的傾斜感測器。其他使用流體的微機電結(jié)構(gòu)，也可 使用與上述方法基本相同的工序制作。此種制作方法及以該方法制成的結(jié)構(gòu)，可參考同申 請人所申請的臺灣專利第101135550號專利申請案"液體電容式傾斜微感測器"的內(nèi)容。
[0004] 上述微機電結(jié)構(gòu)制作方法必須使用粘膠，以結(jié)合該感測器側(cè)的結(jié)構(gòu)與該容置空間 的結(jié)構(gòu)。雖然許多類型及種類的粘膠可以使用在這種微機電結(jié)構(gòu)，但是由于該感測器側(cè)的 結(jié)合界面可能包括多種材料，其物理、化學(xué)性質(zhì)各異；而該容置空間側(cè)的結(jié)合界面通常可使 用光阻材料，以便利制作。所選用的粘膠未必能夠與該結(jié)合界面所包括的材質(zhì)完全相容。在 此種微小的尺寸下，一些微小的不相容可能導(dǎo)致在制作、保管、運送或使用中發(fā)生流體泄漏 的問題。
[0005] 此外，在結(jié)合該感測器側(cè)的結(jié)構(gòu)與該容置空間的結(jié)構(gòu)時，需要使用高溫或高壓已 達成接合、固化或退火的目的。但高溫或高壓容易導(dǎo)致結(jié)構(gòu)中的流體汽化，產(chǎn)生高壓而泄 漏。流體泄漏的結(jié)果除了增加制作上的清理成本外，制成的微機電元件功能或精確度將受 到一定的影響。故而降低生產(chǎn)的合格率。
[0006] 因此目前業(yè)界亟須提供一種改良的微機電結(jié)構(gòu)制作方法，該方法不需使用粘膠， 即可結(jié)合感測器側(cè)的結(jié)構(gòu)與容置空間的結(jié)構(gòu)，形成完整的微機電結(jié)構(gòu)。
[0007] 同時也需要一種新穎的微機電結(jié)構(gòu)制作方法，該方法可防止流體在結(jié)構(gòu)制作過程 中泄漏。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的就是在提供一種改良的微機電結(jié)構(gòu)制作方法，該方法不需使用粘 膠，即可結(jié)合感測器側(cè)的結(jié)構(gòu)與容置空間的結(jié)構(gòu)，形成完整的微機電結(jié)構(gòu)。
[0009] 本發(fā)明的目的也在提供一種不需使用粘膠，即可結(jié)合感測器側(cè)的結(jié)構(gòu)與容置空間 的結(jié)構(gòu)，形成容納流體微機電結(jié)構(gòu)的方法，從而簡化工藝，降低成本。
[0010] 本發(fā)明之目的也在提供一種新穎的微機電結(jié)構(gòu)制作方法，該方法可防止流體在結(jié) 構(gòu)制作過程中泄漏。 toon] 一種微機電結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟：
[0012] 在第一基板上制作微機電結(jié)構(gòu)；
[0013] 在所述第一基板上制作隔板，以形成包括所述微機電結(jié)構(gòu)的容置空間；
[0014] 在所述容置空間內(nèi)注入流體；
[0015] 用第二基板覆蓋所述容置空間；
[0016] 翻轉(zhuǎn)所述第一基板與第二基板形成的組件，使所述隔板與第二基板的接觸面位于 所述流體表面下方；
[0017] 對所述第一基板和所述第二基板加壓，使所述接觸面形成熔接。
[0018] 一種微機電結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟：
[0019] 在第一基板上制作微機電結(jié)構(gòu)；
[0020] 在第二基板上制作隔板，以形成容置空間；
[0021] 在所述微機電結(jié)構(gòu)內(nèi)或所述容置空間內(nèi)，注入流體；
[0022] 將所述第一基板與所述第二基板對準接合，使所述容置空間包括所述微機電結(jié) 構(gòu)；
[0023] 選擇性翻轉(zhuǎn)所述第一基板與所述第二基板形成的組件，使所述隔板與所述第一基 板的接觸面位于所述流體表面下方；
[0024] 對所述第一基板和第二基板加壓，使所述接觸面形成熔接。
[0025] 其中，該第一基板上可形成電路結(jié)構(gòu)，與該微機電結(jié)構(gòu)連接。其中，該微機電結(jié)構(gòu) 可以是感測器結(jié)構(gòu)，且該電路結(jié)構(gòu)可以是感測器電路結(jié)構(gòu)。
[0026] 在本發(fā)明的優(yōu)選實例中，該隔板可使用任何可維持該容置空間內(nèi)壓力的材料，其 中以半導(dǎo)體工藝中所使用的光阻材料為佳。該第二基板可為硅、玻璃、金屬、金屬氧化物、塑 膠、橡膠、樹脂或其組合。該容置空間內(nèi)可另形成潤滑層，該潤滑層的材料可為任何界面活 性劑，而以鐵氟龍為佳。
[0027] 適用在本發(fā)明的流體，可為任何適用在微機電制作及應(yīng)用的流體。該流體通常是 液體或粘稠物質(zhì)。該流體可為導(dǎo)電性流體或介電性流體。在本發(fā)明的實例中，該流體為硅 酮油。
[0028] 適用在本發(fā)明接合步驟的壓力，可依據(jù)該流體的種類、成分，該隔板的材質(zhì)與該接 觸面所在材料層的材質(zhì)決定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029] 圖1示出使用本發(fā)明方法所制作的液體電容式傾斜微感測器。
[0030] 圖2示出本發(fā)明微機電結(jié)構(gòu)制作方法第一實施例的流程圖。
[0031] 圖3示出本發(fā)明液體電容式傾斜微感測器制作過程的示意圖。
[0032] 圖4示出本發(fā)明微機電結(jié)構(gòu)制作方法第二實施例的流程圖。
[0033] 符號說明
[0034] 10 第一基板
[0035] lla、llb、llc、lld 介電層
[0036] 12a、12b、12c、12d 金屬層
[0037] 13a、13b、13c 導(dǎo)通孔
[0038] 15 潤滑層
[0039] 24 支撐結(jié)構(gòu)
[0040] 25 隔板
[0041] 26 第二基板
[0042] 27 容置空間
[0043] 28 覆蓋液體
[0044] 30 讀取電路
[0045] 28 覆蓋液體

【具體實施方式】
[0046] 以下將以實施例說明本發(fā)明的構(gòu)造與制法。唯需要說明的是：所使用的實施例僅 例示本發(fā)明的可能或優(yōu)選實施方式，不得用以限制本發(fā)明的范圍。
[0047] 本發(fā)明的微機電結(jié)構(gòu)制作方法可以適用在任何包含流體的微機電結(jié)構(gòu)。該微機電 結(jié)構(gòu)可以是一種感測器，而該流體則可以是一種液體。適用的微機電結(jié)構(gòu)即包括使用液體 感測傾斜角度的液體電容式傾斜微感測器。因此，以下的說明將以該液體電容式傾斜微感 測器為例，說明本發(fā)明微機電結(jié)構(gòu)制作方法的實施例。
[0048] 圖1表示使用本發(fā)明方法所制作的液體電容式傾斜微感測器。如圖所示，該液體 電容式傾斜微感測器1〇〇,是形成在第一基板10上。圖中所顯示的基板10,是使用在標準 CMOS工藝當中的基板，即硅質(zhì)基板。在該基板10上，以標準CMOS工藝形成多層介電層11a、 1113、11(：、11(1，多層金屬層12&、1213、12(3、12(1，以及多個導(dǎo)通孔13&、1313、13(3等。
[0049] 該感測器100具有一對差動電極。在圖1所示的感測器構(gòu)造中，該三個電極(未圖 示）共同形成在同一金屬層，即第三層金屬層12c上。在該三個電極所在區(qū)域周圍，以多層 介電層、多層金屬層及多個導(dǎo)通孔形成支撐結(jié)構(gòu)24。在該支撐結(jié)構(gòu)24上方形成隔板25,隔 板25上方覆蓋第二基板26,使該三個電極所在的金屬層、該支撐結(jié)構(gòu)24、隔板25與第二基 板26定義容置空間27。覆蓋液體28即密封在該容置空間27中。
[0050] 在本發(fā)明的優(yōu)選實例中，該隔板25是使用光阻材料制作，該第二基板26是玻璃材 質(zhì)。但本發(fā)明可適用的材料并不限于此例所示。
[0051] 在本例中，該三個電極是形成在單一的金屬層內(nèi)，但是在其他實例中，該三個電極 是形成在多數(shù)的金屬層內(nèi)。也即，在標準CMOS工藝中所形成，中間夾有介電層的多個金屬 層。
[0052] 為抑制該覆蓋液體28因毛細作用粘附在該三個電極表面，可在該三個電極表面 全部或選定的部分施以潤滑層（未圖示)。該潤滑層的材質(zhì)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，例如 可為鐵氟龍。
[0053] 具有以上特征的傾斜角度偵測器，可以利用標準CMOS工藝制作，因此可與讀取電 路制作在相同基板上，并同時完成。足以簡化生產(chǎn)并降低成本。此外，并可解決現(xiàn)有技術(shù)偵 測器與讀取電路不易整合的難題。
[0054] 以下以實例說明本發(fā)明液體電容式傾斜微感測器的制造方法。圖2顯示本發(fā)明微 機電結(jié)構(gòu)制作方法第一實施例的流程圖。圖3則顯示本發(fā)明液體電容式傾斜微感測器制作 過程示意圖。如圖2所示，本實施例在制作微機電結(jié)構(gòu)時，首先在步驟201制作第一基板 10。該第一基板10的材質(zhì)并無任何限制，但通常而言可使用一般應(yīng)用在標準CMOS工藝的 基板材質(zhì)，即硅質(zhì)基板。以便使該微機電結(jié)構(gòu)可以利用CMOS工藝制作。但使用其他堅固的 材質(zhì)，或其他適合使用在CMOS工藝的材質(zhì)，也可得到相同的效果。
[0055] 其次，于202在該第一基板10上形成材料層。該材料層可能包括：形成在該基板 10上方的介電層11a，形成在該介電層11a上方，互相交替的多層金屬層12a、12b、12c、12d 與介電層lib、11c、lld，以及位在其內(nèi)的導(dǎo)通孔13a、13b、13c。這些材料層當中包括傾斜角 感測器100以及讀取電路30。適合制作該材料層的方法，包括任何商業(yè)上用來形成電路結(jié) 構(gòu)和/或微型結(jié)構(gòu)的工藝，其中較適的則為標準的CMOS工藝。
[0056] 該讀取電路30可以是以商用電路設(shè)計工具完成的電路結(jié)構(gòu)，例如為CMOS工藝所 制得的多層電路層。用來偵測電容值并將該電容值轉(zhuǎn)變成傾斜角度值的電路，可以使用任 何現(xiàn)有技術(shù)的電路設(shè)計。對于此行業(yè)的專家而言，設(shè)計具有上述功能的電路，并以適用的工 藝形成在該第一基板10上，應(yīng)該是顯而易見的，在此無需贅述相關(guān)技術(shù)細節(jié)。
[0057] 至于該偵測器100部份的制作，在本實例中是形成于該材料層當中的至少一個金 屬層，例如第三層金屬層12c。其制作方法包括在形成該金屬層12c后，以蝕刻等方法，形成 適用的電極。在該第三層金屬層12c形成電極板圖型，屬于現(xiàn)有技術(shù)。此外，在相同平面或 實質(zhì)相同平面上形成多對差動電極，也可利用已知的技術(shù)達成。此行業(yè)人士在閱讀本案專 利說明書與圖式后，當仍輕易完成。相關(guān)技術(shù)細節(jié)，在此也不贅述。
[0058] 在該材料層中也可包括以多層金屬層、多層介電層與多個導(dǎo)通孔共同形成的支撐 結(jié)構(gòu)24。該支撐結(jié)構(gòu)24通常是以導(dǎo)通孔貫穿多層介電層與金屬層，以提高其強度。如此完 成足以支撐將要形成的容置空間的結(jié)構(gòu)。制作此種支撐結(jié)構(gòu)的技術(shù)，也可使用上述CMOS工 藝，與該讀取電路及電極板在相同工藝步驟中完成。相關(guān)技術(shù)細節(jié)，也無庸贅述。所完成的 結(jié)構(gòu)即如圖3A所示。
[0059] 其次，在步驟203移除該電極板上方的介電層，直到電極板暴露出來。所得結(jié)果如 圖3B所示。在步驟204中在該電極板表面施加潤滑層15。該潤滑層15的材質(zhì)可為任何可 以消除或降低該電極板表面毛細作用的材質(zhì)。在本發(fā)明的優(yōu)選實例中，是采用鐵氟龍。當 然，其他可以提供相同或類似功能的材料，均可適用。其施加方法也無任何技術(shù)上的限制， 但以旋模涂覆方法，較為可行，效果也好。該潤滑層15厚度并無限制，但不宜太厚，以免影 響偵測效果。所形成的材料層即如圖3C所示。
[0060] 接著，在步驟205中在該材料層上方形成隔板25,以在該材料層上方形成包括該 偵測器100部份的容置空間27。在形成該容置空間27時，首先在該材料層上方形成隔板 材料層。該隔板材料層的材質(zhì)并無任何限制。但考慮到工藝便利，在本發(fā)明的優(yōu)選實例中， 是以光阻材料制作。適用的光阻材料包括SU-8等。該隔板材料層25可以任何方式形成在 該第一基板的材料層上，其厚度也無任何限制，但以能形成足夠的容積，以容納覆蓋液體為 宜。通常而言，約可在100至2,000um之間，優(yōu)選在200至l，000um之間。其次，在該隔板 材料層25內(nèi)形成容置空間27,以作用來容納覆蓋液體的腔室。形成容置空間27的方法，主 要是除去該格板材料層一部份，例如以蝕刻方法形成。但以其他方式，例如燒除等技術(shù)，也 非所禁。如有必要，可另形成切割線(未圖示)。形成后的材料層包括該第一基板10,該偵測 器100部份，該讀取電路30,及定義該容置空間27的隔板25。如圖3D所示。
[0061] 接著，在步驟206中在該容置空間27內(nèi)注入覆蓋液體28。該覆蓋液體28可為導(dǎo) 電性液體或介電液體。如果是導(dǎo)電材料，則可為電解液、磁性液體、液態(tài)金屬、含納米金屬顆 粒的液體等材料。如果是介電液體，則以比重較高且粘性較低的材料較適用，例如硅酮油即 其適例。所加入的覆蓋液體28量并無任何限制，但以充滿該容置空間27容積的半數(shù)左右 為宜。
[0062] 其后，在步驟207中，將第二基板26覆蓋在所形成的材料層上。該第二基板26的 材質(zhì)并無任何限制，但以堅硬、容易加工為宜。在本發(fā)明的優(yōu)選實例中，該第二基板26為玻 璃基板。但是其他材料，例如塑膠、樹脂、玻璃纖維、金屬、陶瓷或其復(fù)合材料，均可適用。在 步驟208中翻轉(zhuǎn)該第一基板10 (及其材料層）與第二基板26所形成的組件，使隔板25與 第二基板26的接觸面位于該覆蓋液體28的液面以下。在此步驟視需要使用治具，使該覆 蓋液體28不致從該隔板25與第二基板26的接觸面泄漏。將該覆蓋液體28維持在該容置 空間27內(nèi)的方法，可以使用任何已知方法，包括在翻轉(zhuǎn)時夾緊該第一基板10與該第二基板 26。
[0063] 在步驟209加壓該第一基板10與該第二基板26,使該接觸面形成熔接，使兩表面 固著。其后，如有必要，可在步驟210加熱，使該熔接退火。該退火步驟的加熱溫度、維持時 間與次數(shù)可視需要而定。
[0064] 雖不欲為任何理論所限制，但發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，負光阻劑特別適用作為本發(fā)明的隔板 25。推其原因，可能因為負光阻劑在進行曝光時會使光阻內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生交鏈，進而使其 結(jié)構(gòu)強化。而在加熱的過程將會使其產(chǎn)生交鏈的結(jié)構(gòu)更為堅固。換言之，在進行加壓加熱 的過程中，借著光阻本身交鏈的反應(yīng)與元件表面產(chǎn)生粘合的力量。經(jīng)實驗結(jié)果，杜邦公司所 代理的PerMX干膜SU-8負光阻劑，提供的粘合特性特別適用在本發(fā)明。
[0065] 經(jīng)上述步驟所形成的微機電結(jié)構(gòu)，即如圖3E所示。
[0066] 在本發(fā)明另一實施例中，該隔板25是先制作在該第二基板26上。此種方法同樣 也可以得到適用的微機電結(jié)構(gòu)。圖4即表示本發(fā)明微機電結(jié)構(gòu)制作方法第二實施例的流程 圖。
[0067] 如圖所示，在步驟401中制作第一基板10。其次，在步驟402中在該第一基板10 上形成材料層。該材料層包括：形成在該基板10上方的介電層1 la，形成在該介電層1 la上 方，互相交替的多層金屬層12a、12b、12c、12d與介電層lib、11c、lid,以及位在其內(nèi)的導(dǎo)通 孔13a、13b、13c。該材料層可包括偵測器100部份與讀取電路30部分。其次，在步驟403 中移除該電極板上方的介電層，直到電極板暴露出來。在步驟404中在該電極板表面施加 潤滑層15。
[0068] 接著，在步驟405中在第二基板26上形成隔板材料層25。該隔板材料層的材質(zhì)、 厚度與第一實施例相同。其次，在步驟406中在該隔板材料層25內(nèi)形成容置空間27,以作 用來容納覆蓋液體28的腔室。形成容置空間27的方法也與第一實施例相同。如有必要， 可另形成切割線(未圖示)。
[0069] 其后，在步驟407中，將覆蓋液體28注入該第一基板10材料層的暴露部分內(nèi)，或 該第二基板26的容置空間27內(nèi)。所加入的覆蓋液體28量并無任何限制，但以加工后，能 充滿該容置空間27容積的半數(shù)左右為宜。在步驟408中將該第二基板26覆蓋在該第一基 板10的材料層上(在步驟207中是將液體28注入該第一基板10材料層的暴露部分內(nèi)時） 或?qū)⒃撛摰谝换?0的材料層覆蓋在第二基板26上(在步驟207中是將液體28注入該第 二基板10材料層的容置空間27內(nèi)時)，使第一基板10材料層的暴露部分面對該容置空間 27,而使該第一基板10的材料層與該容置空間27共同定義密閉空間。
[0070] 接著，在步驟409中視需要翻轉(zhuǎn)該第一基板10 (及其材料層）與第二基板26所形 成的組件，使隔板25與第一基板10材料層的接觸面位于該覆蓋液體28的液面以下。換言 之，如在步驟408的結(jié)果已經(jīng)使該接觸面位于該覆蓋液體28的液面以下，即不須翻轉(zhuǎn)。在 此步驟視需要使用治具，使該覆蓋液體28不致從該隔板25與第一基板10的接觸面泄漏。
[0071] 在步驟410中加壓該第一基板10與該第二基板26,使該接觸面形成熔接。其方法 與反應(yīng)條件、參數(shù)等，均與第一實施例相同。如有必要，可在步驟411加熱，使該熔接退火。 如此即完成本發(fā)明的微機電結(jié)構(gòu)，如圖3E所示。
[0072] 在上述實例中，適用的流體可為任何適用在微機電制作及應(yīng)用的流體。該流體通 常是液體或粘稠物質(zhì)。該流體可為導(dǎo)電性流體或介電性流體。在本發(fā)明的實例中，該流體 為娃油。
[0073] 本發(fā)明所揭示的微機電結(jié)構(gòu)制作方法不但步驟簡單，容易制作，且可節(jié)省粘著劑 的成本，并避免覆蓋液體在家工、保存、運送與使用中泄漏。
【權(quán)利要求】
1. 一種微機電結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟： 在第一基板上制作微機電結(jié)構(gòu)； 在所述第一基板上制作隔板，以形成容納所述微機電結(jié)構(gòu)的容置空間； 在所述容置空間內(nèi)注入流體； 用第二基板覆蓋所述容置空間； 翻轉(zhuǎn)所述第一基板與所述第二基板形成的組件，使所述隔板與所述第二基板的接觸面 位于所述流體表面下方；以及 對所述第一基板和所述第二基板加壓，使所述接觸面形成熔接。
2. -種微機電結(jié)構(gòu)制作方法，包括以下步驟： 在第一基板上制作微機電結(jié)構(gòu)； 在第二基板上制作隔板，以形成容置空間； 在所述微機電結(jié)構(gòu)內(nèi)或所述容置空間內(nèi)，注入流體； 將所述第一基板與所述第二基板對準接合，使所述容置空間容納所述微機電結(jié)構(gòu)； 選擇性翻轉(zhuǎn)所述第一基板與所述第二基板形成的組件，使所述隔板與所述第一基板的 接觸面位于所述流體表面下方；以及 對所述第一基板和所述第二基板加壓，使所述接觸面形成熔接。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括：使所述熔接退火的步驟。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一基板上形成電路結(jié)構(gòu)，該電路結(jié)構(gòu) 與所述微機電結(jié)構(gòu)連接。
5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述微機電結(jié)構(gòu)是感測器結(jié)構(gòu)，且所述電路結(jié)構(gòu)是 感測器電路結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述隔板包括半導(dǎo)體工藝中所使用的光阻材 料。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述隔板包括負光阻劑。
8. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述第二基板是選自硅、玻璃、金屬、金屬氧化 物、塑膠、橡膠和樹脂這些材料中的至少一種。
9. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括：在所述容置空間內(nèi)形成潤滑層的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述潤滑層的材料是鐵氟龍。
11. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述流體是液體。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述流體是導(dǎo)電性液體。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述流體是介電性液體。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述流體是硅酮油。
15. -種以權(quán)利要求1至14中任意一種方法制作的微機電結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】B81C3/00GK104058366SQ201310087534
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月19日
【發(fā)明者】陳榮祥, 陳政賜, 陳柏廷 申請人:碩英股份有限公司