專利名稱：具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制法，特別是涉及一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical System，MEMS)是一種兼具電子與機(jī)械功能的微小裝置，在制造上則通過(guò)各種微細(xì)加工技術(shù)來(lái)達(dá)成，可將微機(jī)電元件設(shè)置于芯片的表面上，且以保護(hù)罩或底膠進(jìn)行封裝保護(hù)，而得到一微機(jī)電封裝結(jié)構(gòu)。而微機(jī)電封裝的種類計(jì)有金屬封裝(metal package)、陶瓷封裝(ceramic package)、薄膜積層封裝 (thinfilm multi-layer package)、及塑料封裝(plastic package)等；其中，該塑料封裝將微機(jī)電芯片接置于封裝基板上，之后以打線方式進(jìn)行電性連接，再以封裝膠體進(jìn)行封裝， 即完成微機(jī)電封裝。例如美國(guó)專利第6，809，412 號(hào)、第 6，303，986 號(hào)、第 7，368，808 號(hào)、第 6，846，725 號(hào)、及第6，828，674號(hào)即公開一種現(xiàn)有的微機(jī)電封裝。請(qǐng)參閱圖IA至圖1F，為現(xiàn)有以塑料封裝微機(jī)電系統(tǒng)的示意圖。如圖IA所示，首先，準(zhǔn)備一晶圓10，該晶圓10上具有多個(gè)電性連接墊101與微機(jī)電元件102。如圖IB所示，在該晶圓10上設(shè)置多個(gè)蓋體11，所述蓋體11對(duì)應(yīng)罩住各該微機(jī)電元件102，其中，該蓋體11上形成有金屬層111。如圖IC所示，以焊線12電性連接該電性連接墊101與金屬層111 ；接著，在該晶圓10上形成封裝層13以包覆該蓋體11、焊線12、電性連接墊101與金屬層111。如圖ID所示，之后，移除部分該封裝層13及部分該焊線12，從而使該封裝層13頂面與該蓋體11頂面齊平，以令該焊線12分離成不相連的電性連接該電性連接墊101的第一子焊線121與電性連接該金屬層111的第二子焊線122，且該第一子焊線121及第二子焊線122的頂端均外露于該封裝層13頂面。如圖IE所示，在該封裝層13上形成多條金屬導(dǎo)線14，從而使各該金屬導(dǎo)線14電性連接該第一子焊線121 ；接著，在該金屬導(dǎo)線14上形成凸塊15。如圖IF所示，最后，進(jìn)行切單工藝，以得到多個(gè)具微機(jī)電元件102的封裝件1。但是，形成封裝層13以包覆該蓋體11、焊線12、電性連接墊101與金屬層111時(shí)， 該封裝層13的模流容易造成該焊線12產(chǎn)生偏移，使該第一子焊線121或第二子焊線122 頂端的外露位置改變，導(dǎo)致后續(xù)在該封裝層13表面上形成該金屬導(dǎo)線14時(shí)，使該金屬導(dǎo)線 14無(wú)法電性連接該第一子焊線121，因而導(dǎo)致電性連接失效的情況發(fā)生。因此，鑒于上述的問(wèn)題，如何避免現(xiàn)有該封裝層進(jìn)行包覆時(shí)，導(dǎo)致該封裝層的模流造成該焊線產(chǎn)生偏移，使金屬導(dǎo)線無(wú)法電性連接該第一子焊線，因而電性連接失效的問(wèn)題， 實(shí)已成為目前急欲解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺陷，本發(fā)明的主要目的是提供一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，能免除電性連接失效的問(wèn)題。為達(dá)到上述及其他目的，本發(fā)明提供一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其包括芯片，具有至少一微機(jī)電元件與多個(gè)第一電性連接墊；蓋體，設(shè)于該芯片上并罩住該微機(jī)電元件，且該蓋體上形成有多個(gè)第二電性連接墊；焊線，對(duì)應(yīng)電性連接各該第一電性連接墊與第二電性連接墊；第一凸塊，設(shè)于該第二電性連接墊上；封裝層，設(shè)于該芯片上以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與第一凸塊，且外露該第一凸塊的頂面；以及多條金屬導(dǎo)線，設(shè)于該封裝層上，且令該金屬導(dǎo)線電性連接該外露的第一凸塊。前述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)中，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁或該焊線端的相同位置。此外，該具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)還可包括多個(gè)第二凸塊，其形成于該金屬導(dǎo)線上。在另一實(shí)施例中，該具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)還可包括絕緣層，其形成于該封裝層及金屬導(dǎo)線上，其中，該絕緣層具有多個(gè)外露該金屬導(dǎo)線的絕緣層開口 ；以及多個(gè)第二凸塊，其形成于該外露的金屬導(dǎo)線上。本發(fā)明還提供一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其包括準(zhǔn)備一晶圓，該晶圓上具有多個(gè)第一電性連接墊與多個(gè)微機(jī)電元件；在該晶圓上對(duì)應(yīng)各該微機(jī)電元件設(shè)置蓋體，且該蓋體上形成有多個(gè)第二電性連接墊；以焊線對(duì)應(yīng)電性連接該第一電性連接墊與第二電性連接墊；在各該第二電性連接墊上形成第一凸塊；在該晶圓上形成封裝層，以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與各該第一凸塊；移除第一凸塊上的封裝層以外露出各該第一凸塊；在該封裝層上形成多條金屬導(dǎo)線，且令該金屬導(dǎo)線電性連接該第一凸塊；以及進(jìn)行切單工藝，以得到多個(gè)具微機(jī)電元件的封裝件。前述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法中，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁或該焊線端的相同位置。再者，形成外露出各該第一凸塊的步驟是在該封裝層頂面通過(guò)研磨封裝層或激光鉆孔第一凸塊正上方部分封裝層而外露出該第一凸塊。依上述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，該微機(jī)電元件為陀螺儀、加速度計(jì)或射頻微機(jī)電元件等。 依上所述，該第一電性連接墊位于該蓋體外圍。如上所述，形成該蓋體的材料可為金屬、硅、玻璃或陶瓷。上述的第二電性連接墊可由多個(gè)接合墊構(gòu)成，而形成該接合墊的材料可為鋁、銅、 金、鈀、鎳/金、鎳/鉛、鈦鎢/金、鈦/鋁、鈦鎢/鋁或鈦/銅/鎳/金或其組合。所述的第二電性連接墊是通過(guò)濺鍍或蒸鍍的方式形成。由上可知，本發(fā)明的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，是先提供具有多個(gè)第一電性連接墊與多個(gè)微機(jī)電元件的晶圓，在該晶圓相對(duì)于該微機(jī)電元件的位置上設(shè)置具有多個(gè)第二電性連接墊的蓋體，再以焊線對(duì)應(yīng)電性連接該第一電性連接墊與第二電性連接墊， 接著，在各該第二電性連接墊上形成第一凸塊，之后在該晶圓上形成封裝層以包覆該蓋體、 焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與各該第一凸塊的部分，并令該第一凸塊外露于該封裝層的頂面，再于該封裝層上形成多個(gè)電性連接該第一凸塊的金屬導(dǎo)線及第二凸塊，最后進(jìn)行切單工藝。由于該焊線無(wú)需外露，而是外露出該第一凸塊，該第一凸塊是設(shè)于該第二電性連接墊上，當(dāng)形成封裝層進(jìn)行封裝時(shí)，即使模流導(dǎo)致該焊線偏移，該焊線仍電性連接該第一電性連接墊及第二電性連接墊，且模流不會(huì)使該第一凸塊的位置發(fā)生改變，因此在移除第一凸塊上的封裝層后，該第一凸塊會(huì)在預(yù)定位置外露，可避免背景技術(shù)中焊線外露位置改變的缺陷。


圖IA至圖IF為現(xiàn)有具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法剖視示意圖。圖2A至圖2H為本發(fā)明具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法剖視示意圖；其中，該圖 2D’為圖2D的俯視圖；該圖2D”為第一凸塊與焊線端位于同一位置的實(shí)施例；圖2G’及圖 2G”為說(shuō)明以激光鉆孔外露第一凸塊的實(shí)施例；該圖2H’為自圖2D”而得的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)外形成絕緣層的剖視示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1封裝件10晶圓101電性連接墊 102微機(jī)電元件11蓋體111金屬層12焊線121第一子焊線122第二子焊線13封裝層14金屬導(dǎo)線15凸塊2封裝件20晶圓20，芯片201第一電性連接墊202微機(jī)電元件 21蓋體211第二電性連接墊211a尾端部211b前端部211c電性跡線22焊線23第一凸塊M封裝層25金屬導(dǎo)線洸第二凸塊27絕緣層270絕緣層開口。
具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。須知，本說(shuō)明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容，以供本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容所能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書中所引用的如“上”、“一”、“前”、“尾”及“頂”等技術(shù)用語(yǔ)， 亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在
6無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。第一實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖2A至圖2H，為本發(fā)明所提供的一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法。如圖2A所示，首先，準(zhǔn)備一晶圓20，在本圖中僅顯示部分晶圓的剖視圖，但是該晶圓20上具有多個(gè)第一電性連接墊201與多個(gè)微機(jī)電元件202，該微機(jī)電元件202可為陀螺儀、加速度計(jì)或射頻微機(jī)電元件。如圖2B所示，在該晶圓20上對(duì)應(yīng)各該微機(jī)電元件202設(shè)置例如金屬、硅、玻璃或陶瓷的蓋體21，且該第一電性連接墊201位于該蓋體21外圍；該蓋體21上具有通過(guò)濺鍍或蒸鍍的方式形成的多個(gè)第二電性連接墊211，該第二電性連接墊211是由多個(gè)例如為鋁、
銅、金、鈀、鎳/金、鎳/鉛、鈦鎢/金、鈦/鋁、鈦鎢/鋁或鈦/銅/鎳/金或其組合的接合墊構(gòu)成。如圖2C所示，以例如反向焊線(reverse bonding)的方式將焊線22對(duì)應(yīng)電性連接該第一電性連接墊201與第二電性連接墊211。如圖2D至圖2D”所示，在各該第二電性連接墊211上以例如利用打線機(jī)形成金屬凸塊(stud bump)，以作為第一凸塊23，但是第一凸塊23的形成方式不以打線機(jī)為限，且該第一凸塊23與該焊線22各自形成于該第二電性連接墊211上，也就是該第一凸塊23形成于該第二電性連接墊211上的焊線22端旁，如圖2D及圖2D’所示，其中，該第一凸塊23與焊線22分設(shè)不同位置的較佳實(shí)例中，可采用圖2D’左側(cè)所示的第二電性連接墊211，該第二電性連接墊211包括尾端部211a、前端部211b及連接其二者的電性跡線211c，該電性跡線211c的線寬小于尾端部211a及前端部211b的寬度，該第一凸塊23形成于尾端部211a， 該焊線22形成于前端部211b，以利于分別進(jìn)行打線及植設(shè)第一凸塊23。但是，當(dāng)然圖2D’ 所示的兩種第二電性連接墊211結(jié)構(gòu)，可視需要選擇單一種結(jié)構(gòu)或者搭配使用。另一方面， 如圖2D”所示，該第一凸塊23形成于各該焊線22的位置上，也就是該第一凸塊23形成于該第二電性連接墊211上的該焊線22端的相同位置，以令該第一凸塊23與該焊線22共同連接在該第二電性連接墊211上。此外，較佳地，該第一凸塊23的高度高于該焊線22的弧尚ο如圖2E所示，在該晶圓20上以如模制成形(molding)的方式形成封裝層M以包覆該蓋體21、焊線22、第一電性連接墊201、第二電性連接墊211與第一凸塊23。如圖2F所示，之后通過(guò)如研磨方式研磨該封裝層M頂面，以移除部分該封裝層 24 (可移除部分第一凸塊23)，從而使該封裝層M頂面外露出各該第一凸塊23。由于該焊線22無(wú)需外露，而是外露出該第一凸塊23，該第一凸塊23是設(shè)于該第二電性連接墊211 上，當(dāng)形成封裝層M進(jìn)行封裝時(shí)，即使模流導(dǎo)致該焊線22偏移，該焊線22仍電性連接該第一電性連接墊201及第二電性連接墊211，且模流不會(huì)使該第一凸塊23的位置發(fā)生改變，因此在移除該封裝層M頂面之后，該第一凸塊23會(huì)在預(yù)定位置外露，可避免背景技術(shù)中焊線外露位置改變的缺陷。如圖2G所示，在該封裝層M上形成多條金屬導(dǎo)線25，且令該金屬導(dǎo)線25電性連接該第一凸塊23 ；接著，在該金屬導(dǎo)線25上形成第二凸塊26。另請(qǐng)參閱圖2G’及圖2G”，若外露出各該第一凸塊23的方式通過(guò)激光鉆孔(laser drill)僅移除第一凸塊23上方的封裝層M，使封裝層M高度仍高于第一凸塊23，再于該封裝層M及外露的第一凸塊23上形成多條金屬導(dǎo)線25，則此時(shí)第一凸塊23可形成于該第二電性連接墊211上的焊線22端旁，且以正向打線方式以弧高高于該第一凸塊23的焊線 22電性連接該第一電性連接墊201與第二電性連接墊211，如圖2G’所示。當(dāng)然，也可如前述實(shí)施利以反向焊線的方式將焊線22對(duì)應(yīng)電性連接第一電性連接墊201與第二電性連接墊211，再于第二電電性連接墊211上形成第一凸塊23于該焊線22端的相同位置上，如圖 2G”所示。如圖2H及圖2H’所示，進(jìn)行切單工藝，以得到多個(gè)具微機(jī)電元件202的封裝件2， 且將該晶圓20分切成多個(gè)芯片20’ ；其中，該圖2H為接續(xù)圖2D的結(jié)構(gòu)，而該圖2H’為分別接續(xù)圖2D”的結(jié)構(gòu)。根據(jù)前述的制法，本發(fā)明還提供一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其包括芯片 20，、蓋體21、焊線22、第一凸塊23、封裝層M及多條金屬導(dǎo)線25。所述的芯片20’，具有至少一微機(jī)電元件202與多個(gè)第一電性連接墊201，該微機(jī)電元件202為陀螺儀、加速度計(jì)或射頻微機(jī)電元件。所述的蓋體21，可為金屬、硅、玻璃或陶瓷的材料并設(shè)于該芯片20’上并罩住該微機(jī)電元件202，且該第一電性連接墊201位于該蓋體21外圍，又該蓋體21上形成有多個(gè)第二電性連接墊211，該第二電性連接墊211是由多個(gè)例如為鋁、銅、金、鈀、鎳/金、鎳/鉛、鈦鎢/金、鈦/鋁、鈦鎢/鋁或鈦/銅/鎳/金或其組合的接合墊構(gòu)成。所述的焊線22，對(duì)應(yīng)電性連接各該第一電性連接墊201與第二電性連接墊211。所述的第一凸塊23，設(shè)于該第二電性連接墊211上，且該第一凸塊23與該焊線22 各自形成于該第二電性連接墊211上，也就是該第一凸塊23形成于該第二電性連接墊211 上的焊線22端旁，如圖2D所示；或該第一凸塊23形成于各該焊線22的位置上，也就是該第一凸塊23形成于該第二電性連接墊211上的該焊線22端的相同位置，如圖2D’所示。所述的封裝層24，設(shè)于該芯片20’上以包覆該蓋體21、焊線22、第一電性連接墊 201、第二電性連接墊211與第一凸塊23，且外露該第一凸塊23的頂面。所述的多條金屬導(dǎo)線25，設(shè)于該封裝層M上，且令該金屬導(dǎo)線25電性連接該外露的第一凸塊23。該具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)還可包括多個(gè)第二凸塊沈，各別對(duì)應(yīng)形成于該金屬導(dǎo)線25上。第二實(shí)施例。請(qǐng)參閱圖3，為本發(fā)明具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例，本實(shí)施例與前述實(shí)施例大致相同，其差異在于還包括在進(jìn)行切單工藝之前，在如圖2G所示的該封裝層M及金屬導(dǎo)線25上形成絕緣層27，其中，該絕緣層27具有多個(gè)外露該金屬導(dǎo)線25的絕緣層開口 270 ；以及在該外露的金屬導(dǎo)線25上形成第二凸塊26。因此，本實(shí)施例的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)還包括絕緣層27，其形成于該封裝層 24及金屬導(dǎo)線25上，其中，該絕緣層27具有多個(gè)外露該金屬導(dǎo)線25的絕緣層開口 270 ；以及第二凸塊沈，其形成于該外露的金屬導(dǎo)線25上。本發(fā)明的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，是先提供具有多個(gè)第一電性連接墊與多個(gè)微機(jī)電元件的晶圓，在該晶圓相對(duì)于該微機(jī)電元件的位置上設(shè)置具有多個(gè)第二電性連接墊的蓋體，再以焊線對(duì)應(yīng)電性連接該第一電性連接墊與第二電性連接墊，接著，在各該第二電性連接墊上形成第一凸塊，之后在該晶圓上形成封裝層以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與各該第一凸塊的部分，并令該第一凸塊外露于該封裝層的頂面，再于該封裝層上形成多個(gè)電性連接該第一凸塊的金屬導(dǎo)線及第二凸塊，最后進(jìn)行切單工藝。由于該焊線無(wú)需外露，而是外露出該第一凸塊，該第一凸塊是設(shè)于該第二電性連接墊上，當(dāng)形成封裝層進(jìn)行封裝時(shí)，即使模流導(dǎo)致該焊線偏移，該焊線仍電性連接該第一電性連接墊及第二電性連接墊，且模流不會(huì)使該第一凸塊的位置發(fā)生改變，因此在移除第一凸塊上的封裝層后，該第一凸塊會(huì)在預(yù)定位置外露，可避免背景技術(shù)中焊線外露位置改變的缺陷。 上述實(shí)施例是用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。 因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)以權(quán)利要求書的范圍為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 芯片，具有至少一微機(jī)電元件與多個(gè)第一電性連接墊；蓋體，設(shè)于該芯片上并罩住該微機(jī)電元件，且該蓋體上形成有多個(gè)第二電性連接墊； 焊線，對(duì)應(yīng)電性連接各該第一電性連接墊與第二電性連接墊； 第一凸塊，設(shè)于該第二電性連接墊上；封裝層，設(shè)于該芯片上以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與第一凸塊，且外露該第一凸塊的頂面；以及多條金屬導(dǎo)線，設(shè)于該封裝層上，且令該金屬導(dǎo)線電性連接該外露的第一凸塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁或該焊線端的相同位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁，且該第二電性連接墊包括前端部、尾端部及連接其二者的電性跡線，該第一凸塊形成于該尾端部，該焊線形成于該前端部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成該蓋體的材料為金屬、硅、玻璃或陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括多個(gè)第二凸塊，形成于該金屬導(dǎo)線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括絕緣層，形成于該封裝層及金屬導(dǎo)線上，其中，該絕緣層具有多個(gè)外露該金屬導(dǎo)線的絕緣層開口 ；以及多個(gè)第二凸塊，形成于該外露的金屬導(dǎo)線上。
7.一種具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，包括 準(zhǔn)備一晶圓，該晶圓上具有多個(gè)第一電性連接墊與多個(gè)微機(jī)電元件；在該晶圓上對(duì)應(yīng)各該微機(jī)電元件設(shè)置蓋體，且該蓋體上形成有多個(gè)第二電性連接墊； 以焊線對(duì)應(yīng)電性連接該第一電性連接墊與第二電性連接墊； 在各該第二電性連接墊上形成第一凸塊；在該晶圓上形成封裝層以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與各該第一凸塊；移除該第一凸塊上的封裝層以外露出各該第一凸塊； 在該封裝層上形成多條金屬導(dǎo)線，且令該金屬導(dǎo)線電性連接該第一凸塊；以及進(jìn)行切單工藝，以得到多個(gè)具微機(jī)電元件的封裝件。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁或該焊線端的相同位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一凸塊形成于該第二電性連接墊上的焊線端旁，且該第二電性連接墊包括前端部、尾端部及連接其二者的電性跡線，該第一凸塊形成于該尾端部，該焊線形成于該前端部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第一凸塊為打線機(jī)形成的金屬凸塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，形成外露出各該第一凸塊的步驟是在該封裝層頂面通過(guò)研磨或激光鉆孔而外露出該第一凸塊。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該第二電性連接墊是通過(guò)濺鍍或蒸鍍的方式形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，還包括在進(jìn)行切單工藝之前，在該金屬導(dǎo)線上形成第二凸塊。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，還包括在進(jìn)行切單工藝之前，在該封裝層及金屬導(dǎo)線上形成絕緣層，其中，該絕緣層具有多個(gè)外露該金屬導(dǎo)線的絕緣層開口 ；以及在該外露的金屬導(dǎo)線上形成第二凸塊。
全文摘要
本發(fā)明涉及具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制法，該具微機(jī)電元件的封裝結(jié)構(gòu)包括具有至少一微機(jī)電元件與多個(gè)第一電性連接墊的芯片；設(shè)于該芯片上并罩住該微機(jī)電元件的蓋體，且該蓋體上形成有多個(gè)第二電性連接墊；對(duì)應(yīng)電性連接各該第一與第二電性連接墊的焊線；設(shè)于該第二電性連接墊上的第一凸塊；設(shè)于該芯片上以包覆該蓋體、焊線、第一電性連接墊、第二電性連接墊與第一凸塊的封裝層；移除該第一凸塊上的封裝層以外露出各該第一凸塊；以及設(shè)于該封裝層上并電性連接該第一凸塊的金屬導(dǎo)線，由此能夠免除形成該封裝層時(shí)導(dǎo)致該焊線產(chǎn)生偏移的缺陷。
文檔編號(hào)B81C1/00GK102530824SQ20111000502
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者柯俊吉, 詹長(zhǎng)岳, 邱世冠, 黃建屏 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司