電子緩沖材料和包含其的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子緩沖材料和在電子緩沖層中包含其的有機(jī)電致發(fā)光裝置。通過使用根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料，有可能提供具有極佳發(fā)光功效和使用壽命特征的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
【專利說明】
電子緩沖材料和包含其的有機(jī)電致發(fā)光裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及電子緩沖材料和包含其的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在Eastman Kodak的Tang等人于1987年首先研發(fā)由發(fā)光層和電子傳輸層組成的 Tro/Alq3雙層小分子綠色有機(jī)電致發(fā)光裝置(0LED)之后，已快速進(jìn)行有機(jī)電致發(fā)光裝置的 研究并且如今變得商品化。目前，磷光材料(其具有極佳發(fā)光功效)主要用于有機(jī)電致發(fā)光 裝置的面板。在發(fā)紅光和發(fā)綠光的有機(jī)電致發(fā)光裝置的情況下，使用磷光材料的有機(jī)電致 發(fā)光裝置的商業(yè)化獲得成功，但在藍(lán)色磷光材料的情況下，由于缺失過度形成激子而引起 的高電流下的衰減率降低導(dǎo)致特征劣化，藍(lán)色磷光材料本身顯示在長期使用壽命穩(wěn)定性方 面的問題，并且色彩純度隨時(shí)間流逝而急劇降低，因此破壞全色顯示的實(shí)現(xiàn)。
[0003] 目前使用的藍(lán)色熒光材料也具有若干問題。首先，當(dāng)在制造面板的過程期間暴露 于高溫時(shí)，藍(lán)色熒光發(fā)光裝置的電流特征改變，從而引起亮度改變的問題，且發(fā)光層與電子 注入層之間的界面特征下降引起亮度降低。其次，在包含蒽類藍(lán)色熒光主體和芘類摻雜劑 的裝置的情形中，主體(Ah)的LUM0(最低未占用分子軌域(lowest unoccupied molecular orbital))能量的絕對值高于摻雜劑(Ad)，且電洞陷阱放大使得電子傳輸層與熒光發(fā)光層 之間的界面發(fā)光引起效率增加，但存在使用壽命降低的問題。
[0004] 在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)(Applied Physics Letters)》90,123506(2007)中，實(shí)現(xiàn)包含 電子緩沖層的發(fā)藍(lán)色熒光的裝置。然而，所述參考文獻(xiàn)僅關(guān)注通過將胺類摻雜劑摻雜到蒽 類主體中實(shí)現(xiàn)的坐標(biāo)偏移，并且未披露通過電子緩沖層對發(fā)光區(qū)域的控制和顏色坐標(biāo)增 強(qiáng)，以及通過插入電子緩沖層實(shí)現(xiàn)的發(fā)光功效增加或使用壽命的改良。
[0005] 日本專利第4947909號(hào)披露發(fā)藍(lán)色熒光的裝置，其包含電子緩沖層，與Alq3相比， 通過插入電子緩沖層使電子有效地注入發(fā)光層，并且通過防止發(fā)光界面的降級(jí)來改變迀移 率，從而降低驅(qū)動(dòng)電壓和增強(qiáng)使用壽命。然而，電子緩沖材料受限于Alq3衍生物，材料的群 組較小，并且因此有效發(fā)光功效和使用壽命改良的分析受到限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 待解決的問題
[0007] 本發(fā)明的目標(biāo)是提供電子緩沖層，其可產(chǎn)生具有極佳發(fā)光功效和使用壽命特征的 有機(jī)電致發(fā)光裝置，和包含所述電子緩沖層的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0008] 問題的解決方案
[0009] 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可通過包含有包含含氮雜芳基的化合物的電子緩沖材料實(shí)現(xiàn)以上 目標(biāo)。
[0010] 本發(fā)明的作用
[0011] 通過使用根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料，控制電子注入，并且改良發(fā)光層與電子注 入層之間的界面特征，并且因此可制造具有極佳發(fā)光功效和使用壽命特征的有機(jī)電致發(fā)光 裝置。
【附圖說明】
[0012] 圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包含電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置的示 意性截面圖。
[0013] 圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置的各層中的能隙關(guān)系。
[0014] 圖3說明包含電子緩沖層的有機(jī)電致發(fā)光裝置與不包含任何電子緩沖層的有機(jī)電 致發(fā)光裝置之間的發(fā)光功效對比。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 在下文中，將對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，以下描述意圖說明本發(fā)明，并且不打 算以任何方式限制本發(fā)明的范圍。
[0016] 本發(fā)明涉及電子緩沖材料，其包含有包含含氮雜芳基的化合物，和有機(jī)電致發(fā)光 裝置，其包含第一電極、面向第一電極的第二電極、在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層； 以及在發(fā)光層與第二電極之間電子傳輸區(qū)域和電子緩沖層，其中，電子緩沖層包含有包含 含氮雜芳基的化合物。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的電子緩沖材料可以是混合物或組合物，其額外包含在制造有機(jī)電致 發(fā)光裝置時(shí)通常使用的材料。
[0018] 在包含第一和第二電極以及發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，可在發(fā)光層與第二電 極之間插入電子緩沖層，以便集中于獲得由電子緩沖層的LUM0能級(jí)控制的電子注入引起的 高效率和長使用壽命。
[0019]最初，LUM0(最低未占用分子軌域）能量和HOMO (最高占用分子軌域（highest occupied molecular orbital))能級(jí)具有負(fù)值。然而，為方便起見，LUMO能級(jí)(A)和HOMO能 級(jí)在本發(fā)明中以絕對值表示。另外，LUM0能級(jí)的值基于絕對值進(jìn)行比較。
[0020] 在發(fā)光層與第二電極之間插入電子緩沖層和電子傳輸區(qū)域。電子緩沖層可位于發(fā) 光層與電子傳輸區(qū)域之間，或位于電子傳輸區(qū)域與第二電極之間。
[0021] 在本發(fā)明中，電子傳輸區(qū)域意指其中電子從第二電極傳輸?shù)桨l(fā)光層的區(qū)域。電子 傳輸區(qū)域可包含電子傳輸化合物、還原性摻雜劑或其組合。電子傳輸化合物可以是至少一 種選自包含以下各者的群組的化合物:噁唑類化合物、異噁唑類化合物、三唑類化合物、異 噻唑類化合物、噁二唑類化合物、噻二唑類化合物、茈類化合物、蒽類化合物、鋁絡(luò)合物和鎵 絡(luò)合物。還原性摻雜劑可以是至少一種選自由以下組成的群組的摻雜劑:堿金屬、堿金屬化 合物、堿土金屬、稀土金屬、其鹵化物、其氧化物和其絡(luò)合物。此外，電子傳輸區(qū)域可包含電 子傳輸層、電子注入層或這兩者。電子傳輸層和電子注入層可各自由兩個(gè)或更多個(gè)層組成。
[0022] 圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包含電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置的示 意性截面圖。
[0023] 通過在有機(jī)電致發(fā)光裝置中插入電子緩沖層，可由于發(fā)光層與電子傳輸區(qū)域之間 的親和力差異而根據(jù)LUM0能級(jí)控制電子的注入和傳輸。
[0024]圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置的各層中的能隙關(guān)系。
[0025]圖3中說明在包含電子緩沖層時(shí)與在不包含電子緩沖層時(shí)之間的對比。其中插入 電子緩沖層的有機(jī)電致發(fā)光裝置具有更高的電流效率。下文將詳細(xì)地描述以上內(nèi)容。
[0026]在本發(fā)明的電子緩沖層中，含氮雜芳基可以是三嗪衍生物、嘧啶衍生物、喹唑啉衍 生物、喹喏啉衍生物等?？赏ㄟ^改變含氮雜芳基來控制電子注入特征。
[0027]通過利用針對發(fā)光層的適合的勢皇，包含三嗪衍生物的電子緩沖材料化合物可通 過特定電子注入限制水平來獲得適合的功效和使用壽命特征。
[0028]包含嘧啶衍生物的電子緩沖材料化合物可通過根據(jù)低LUM0能級(jí)最小化來自發(fā)光 層的電子注入勢皇來促進(jìn)裝置的功效增加。
[0029]包含喹唑啉或喹喏啉的電子緩沖材料化合物通過根據(jù)高LUM0能級(jí)進(jìn)行的過度電 子注入阻斷而展示裝置的使用壽命而非功效的顯著改良。
[0030] 電子緩沖材料中所包含的包含含氮雜芳基的化合物可選自由以下式1到3表示的 化合物：
[0031] H-(Cz-Li)a-M-----------(1)
[0032] H-(Cz)b-Li-M-----------(2)
[003：
[0034] 其中[0035] Cz表示以下結(jié)構(gòu)：
[0036]
[0037]
[0038]
[0039]
[0040] RdljR5各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基或-SiR6R7R8;或Ri到Rs 各自獨(dú)立地鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成單環(huán)或多環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C3-C30)脂環(huán)族或 芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換；
[0041] R6到R8各自獨(dú)立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (C6-C30)芳基；
[0042] 1^表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5到30 元)亞雜芳基；
[0043] Μ表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜 芳基；
[0044] Cz、L#PM可與相鄰取代基稠合以形成環(huán)；
[0045] X^ljX3 各自獨(dú)立地表示-N(R9)_ 或-CXRioKRn)-;
[0046] Y 表示-O'-S'-CXRuKRd'-SKRwKRd-S-Naw)-;
[0047] R9到R16各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的（5元到7元）雜環(huán)烷基或與至少一個(gè)經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳環(huán)稠合的（5元到7元）雜環(huán)烷 基，且R 9到R16可相同或不同；并且R1Q和Rn可彼此鍵聯(lián)以形成單環(huán)或多環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的(C3-C30)脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換； [0048] a、b和d各自獨(dú)立地表示1到3的整數(shù)；
[0049] c、e和g各自獨(dú)立地表示1到4的整數(shù)；
[0050] f表示1或2;并且
[0051 ] 其中a、b、c、d、e、f或g是2或更大的整數(shù)，每個(gè)(Cz-Li)、每個(gè)(Cz)、每個(gè)R!、每個(gè)R 2、 每個(gè)R3、每個(gè)R4或每個(gè)R5可相同或不同。
[0052]其中含氮雜芳基是三嗪的特定化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0054]
[0055] 其中含氮雜芳基是嘧啶的特定化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0056]
[0057]
[0058] 其中含氮雜芳基是喹啉的特定化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0059]
[0060]
[0061]其中含氮雜芳基是喹喏啉的特定化合物包括(但不限于）以下化合物：
[0062]
[0064] 電子緩沖層（126)的厚度可以是lnm或更大，但不受特定限制。詳細(xì)地說，電子緩沖 層（126)的厚度可以是2到100nm。可通過多種已知的方法在發(fā)光層（125)上形成電子緩沖層 (126 )，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成法、激光轉(zhuǎn)移法等。
[0065] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中所包含的發(fā)光層可包含主體和摻雜劑。主體化合物 可以是磷光主體化合物或熒光主體化合物。摻雜劑化合物可以是磷光摻雜劑化合物或熒光 摻雜劑化合物。優(yōu)選的是，主體化合物和摻雜劑化合物可以分別是熒光主體化合物和熒光 摻雜劑化合物。
[0066] 可以使用蒽衍生物、鋁絡(luò)合物、紅熒烯衍生物、芳胺衍生物等作為主體材料，并且 優(yōu)選使用蒽衍生物。
[0067] 本發(fā)明的主體材料的實(shí)例包括(但不限于）以下化合物：
[0068]
[0069] 芘類衍生物、氨基芴類衍生物、氨基蒽類衍生物、氨基屈類衍生物等并且優(yōu)選芘類 衍生物可用作摻雜材料。
[0070] 本發(fā)明的摻雜劑材料的實(shí)例包括(但不限于）以下化合物：
[0071]
[0072] 當(dāng)發(fā)光層（125)包含主體和摻雜劑時(shí)，按發(fā)光層中的摻雜劑和主體的總量計(jì)，摻雜 劑可按小于約25重量％，優(yōu)選小于約17重量％的量摻雜。發(fā)光層（125)的厚度可以是約5nm 到lOOnm，優(yōu)選是約10nm到60nm。發(fā)光在發(fā)光層處發(fā)生，并且發(fā)光層可以是單層或多層。當(dāng)發(fā) 光層（125)是兩個(gè)或更多個(gè)層的多層時(shí)，每個(gè)發(fā)光層可發(fā)出不同顏色的光。舉例來說，可通 過形成分別發(fā)出藍(lán)光、紅光和綠光的三個(gè)發(fā)光層（125)來制造發(fā)白光的裝置?？赏ㄟ^多種已 知的方法在電洞傳輸層（123)上形成發(fā)光層（125)，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成法、激光轉(zhuǎn)移法 等。
[0073] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可額外包含在第一電極與發(fā)光層之間的電洞注入層 或電洞傳輸層。
[0074] 在下文中，將參考圖1說明有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)和制造方法。
[0075] 在圖1中，有機(jī)電致發(fā)光裝置（100)包含襯底（101)、形成于襯底（101)上的第一電 極（110)、形成于第一電極（110)上的有機(jī)層（120)以及形成于有機(jī)層（120)上的面向第一電 極（110)的第二電極（130)。
[0076]有機(jī)層（120)包含電洞注入層（122)、形成于電洞注入層（122)上的電洞傳輸層 (123)、形成于電洞傳輸層（123)上的發(fā)光層（125)、形成于發(fā)光層（125)上的電子緩沖層 (126)以及形成于電子緩沖層（126)上的電子傳輸區(qū)域（129)。電子傳輸區(qū)域（129)包含形成 于電子緩沖層（126)上的電子傳輸層（127)，和形成于電子傳輸層（127)上的電子注入層 (128)。
[0077] 襯底（101)可以是普通有機(jī)電致發(fā)光裝置中所使用的玻璃襯底、塑料襯底或金屬 襯底。
[0078] 第一電極（110)可以是陽極，并且可由具有高功函數(shù)的材料形成。第一電極（110) 的材料可以是氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化錫(T0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化銦錫鋅（ΙΤΖ0)或其混合 物?？赏ㄟ^多種已知的方法形成第一電極(110 )，如蒸發(fā)法、濺鍍法等。
[0079] 電洞注入層（122)中使用的材料可以是已知電洞注入材料。舉例來說，可使用（但 不限于)酞菁化合物，如銅酞菁、MTDATA(4,4'，4〃-三[(3-甲基苯基）苯基氨基]三苯胺）、2_ 丁嫩了八(4,4'，4〃-三[2-萘基（苯基)氨基]三苯胺）、爐>'-([1，1'-聯(lián)二苯]-4,4'-二基)雙 (N 1-(萘-1-基)-N4，N4-二苯基苯-1,4-二胺）、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、PED0T/ PSS(聚（3,4-亞乙二氧基噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸酯））、？&1^/^54(聚苯胺/樟腦磺酸）或 Pani/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯））。
[0080] 此外，可使用以下式11化合物形成電洞注入層（122):
[0081]
[0082]其中R選自由以下各者組成的群組：氰基（-CN)、硝基（-N02)、苯磺?；?S02 (C6H5))、經(jīng)氰基或硝基取代的(C2-C5)烯基以及經(jīng)氰基或硝基取代的苯基。
[0083]式11化合物具有待結(jié)晶的特征。因此，電洞注入層（122)可通過使用所述化合物獲 得強(qiáng)度。
[0084] 電洞注入層（122)可以是單層或多層。當(dāng)電洞注入層（122)是兩個(gè)或更多個(gè)層的多 層時(shí)，可在其中一個(gè)中使用式11化合物。電洞注入層（122)的厚度可以是約lnm到約1， OOOnm，優(yōu)選是約5nm到1 OOnm?？赏ㄟ^多種已知的方法在第一電極（110)上形成電洞注入層 (122 )，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成法、激光轉(zhuǎn)移法等。
[0085] 電洞注入層中所包含的電洞注入材料的實(shí)例包括(但不限于）以下化合物：
[0086]
[0087]電洞傳輸層（123)中使用的材料可以是已知的電洞傳輸材料。舉例來說，可使用 (但不限于)芳族胺類衍生物，確切地說，聯(lián)二苯二胺類衍生物，如TPD(N，N'_雙-(3-甲基苯 基)-N，N'_二苯基聯(lián)苯胺）、N 4，N4，N4'，N4'-四聯(lián)二苯]-4-基-[1，1'_聯(lián)二苯]-4,4'_ 二胺。
[0088] 電洞傳輸層中所包含的電洞傳輸材料的實(shí)例包括(但不限于）以下化合物：
[0089]
[0090]電洞傳輸層（123)可以是單層或多層。電洞傳輸層（123)的厚度可以是約lnm到約 100nm，優(yōu)選是約5nm到80nm。可通過多種已知的方法在電洞注入層（12 2)上形成電洞傳輸層 (123 )，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成法、激光轉(zhuǎn)移法等。
[0091] 當(dāng)使用其中Η0Μ0特征和陰離子穩(wěn)定性得到改良的材料作為電洞傳輸材料時(shí)，即使 對于包含使用壽命相對較短的電子緩沖層的有機(jī)電致發(fā)光裝置，裝置的使用壽命也由于穩(wěn) 定的電洞傳輸層而變得更長，即對于電洞傳輸層的電洞傳輸材料，當(dāng)比較使用Η0Μ0特征和 陰離子穩(wěn)定性得到改良的材料與使用Η0Μ0特征和陰離子穩(wěn)定性容易受損的材料時(shí)，可通過 使用Η0Μ0特征和陰離子穩(wěn)定性得到改良的材料來防止使用壽命特征降低，因?yàn)榧词箤τ诎?含使用壽命相對較短的電子緩沖層的裝置，根據(jù)由電子緩沖層組成的材料群組的使用壽命 的偏差相對較低。
[0092] 電子傳輸層（127)中使用的材料可以是已知的電子傳輸材料。舉例來說，可使用 (但不限于）噁唑類化合物、異噁唑類化合物、三唑類化合物、異噻唑類化合物、噁二唑類化 合物、噻二唑類化合物、茈類化合物、蒽類化合物、鋁絡(luò)合物、鎵絡(luò)合物等。
[0093] 電子傳輸層中所包含的電子傳輸材料的實(shí)例包括(但不限于）以下化合物：
[0094
[0095] 優(yōu)選的是，電子傳輸層（127)可以是包含電子傳輸化合物和還原性摻雜劑的混合 層。當(dāng)形成為混合層時(shí)，電子傳輸化合物減少陰離子，使得電子可容易地注入和傳輸?shù)桨l(fā)光 介質(zhì)。
[0096] 當(dāng)電子傳輸層（127)形成為混合層時(shí)，電子傳輸化合物不受特定限制，并且可使用 已知的電子傳輸材料。
[0097]還原性摻雜劑可以是堿金屬、堿金屬化合物、堿土金屬、稀土金屬、其鹵化物、其氧 化物和其絡(luò)合物。還原性摻雜劑的特定實(shí)例包括(但不限于)喹啉鋰、喹啉鈉、喹啉銫、喹啉 鉀、LiF、NaCl、CsF、Li 20、Ba(^PBaF2。
[0098] 電子傳輸層（127)的厚度可以是約5nm到約100nm，優(yōu)選是約10nm到約60nm。可通過 多種已知方法的電子緩沖層（126)上形成電子傳輸層（127)，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成法、激 光轉(zhuǎn)移法等。
[0099]電子注入層（128)中使用的材料可以是已知的電子注入材料。舉例來說，可使用 (但不限于)喹啉鋰、喹啉鈉、喹啉銫、喹啉鉀、1^?、他(：1丄8?、1^20、83〇、83?2等。
[0? 00] 電子注入層（128)的厚度可以是約0.1到約1 Onm，并且優(yōu)選是約0.3nm到約9nm。可 通過多種已知方法的電子傳輸層（127)上形成電子注入層（128)，如真空蒸發(fā)法、濕膜形成 法、激光轉(zhuǎn)移法等。
[0101] 可以使用鋰喹啉絡(luò)合物金屬作為電子注入層中所包含的電子注入材料。具體來 說，其可例示為(但不限于）以下化合物。
[0102]
[0103]第二電極（130)可以是陰極，并且可由具有低功函數(shù)的材料形成。第二電極（130) 的材料可以是鋁(A1)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、銀(Ag)、銫(Cs)、鋰(Li)或其組合?？赏ㄟ^多種已知 的方法形成第二電極(130 )，如蒸發(fā)法、濺鍍法等。
[0104]圖1的有機(jī)電致發(fā)光裝置僅是明確說明的實(shí)施例，并且本發(fā)明不應(yīng)限于所述實(shí)施 例，而是可變化成另一種模式。舉例來說，可省略圖1的有機(jī)電致發(fā)光裝置中除發(fā)光層和電 子緩沖層以外的任選的組件，如電洞注入層。此外，可進(jìn)一步添加任選的組件。進(jìn)一步添加 任選的組件的實(shí)例是雜質(zhì)層，如η型摻雜層和p型摻雜層。此外，通過在雜質(zhì)層之間的兩側(cè)的 每一側(cè)中安置發(fā)光層，有機(jī)電致發(fā)光裝置可從兩側(cè)發(fā)光。兩側(cè)的發(fā)光層可發(fā)出不同的顏色。 此外，第一電極可以是透明電極且第二電極可以是反射電極，使得有機(jī)電致發(fā)光裝置可以 是底部發(fā)射型，并且第一電極可以是反射電極且第二電極可以是透明電極，使得有機(jī)電致 發(fā)光裝置可以是頂部發(fā)射型。而且，可在襯底上依序堆疊陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、電洞傳 輸層、電洞注入層和陽極成為顛倒型有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0105]圖2說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置的各層中的能隙關(guān)系。 [0106]在圖2中，依序堆疊電洞傳輸層（123)、發(fā)光層（125)、電子緩沖層（126)和電子傳輸 區(qū)域（129)，并且電子從陰極通過電子傳輸區(qū)域（129)和電子緩沖層（126)注入發(fā)光層 (125) 〇
[0107] 電子緩沖層（126)的LUM0能級(jí)高于發(fā)光層（125)的主體化合物和摻雜劑化合物以 及電子傳輸層（127)的LUM0能級(jí)。具體來說，LUM0能級(jí)具有以下方程式關(guān)系：電子緩沖層〉電 子傳輸區(qū)域〉主體化合物。根據(jù)常規(guī)技術(shù)，由于界面處的電洞捕捉和發(fā)光，發(fā)光層（125)的發(fā) 光區(qū)域已偏移到電洞傳輸層（123)。然而，根據(jù)本發(fā)明，電子緩沖層(126)具有如上文所描述 的LUM0能級(jí)以便允許發(fā)生電子捕捉，使得發(fā)光層的發(fā)光區(qū)域偏移到電子傳輸區(qū)域(129)側(cè)， 由此可改良有機(jī)電致發(fā)光裝置的使用壽命和功效。同時(shí)，電子緩沖層（126)的HOMO能級(jí)高于 發(fā)光層(125)的摻雜劑化合物的HOMO能級(jí)，但低于主體化合物和電子傳輸區(qū)域(129)的HOMO 能級(jí)。
[0108] 可通過已知的多種方法容易地測量本發(fā)明的LUM0能級(jí)。通常，通過循環(huán)伏安法或 紫外線光電子光譜法(UPS)測量LUM0能級(jí)。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可容易地了解滿足本 發(fā)明的LUM0能級(jí)的方程式關(guān)系的電子緩沖層、主體材料和電子傳輸區(qū)域，并且實(shí)踐本發(fā)明。 可通過與測量LUM0能級(jí)相同的方法容易地測量Η0Μ0能級(jí)。
[0109] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的一個(gè)實(shí)施例，主體(Ah)的LUM0能級(jí)高于摻雜劑 (Ad)的LUM0能級(jí)。
[0110] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的一個(gè)實(shí)施例，電子緩沖層(Ab)的LUM0能級(jí)高于 主體(Ah)的LUM0能級(jí)。
[0111] 根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的一個(gè)實(shí)施例，電子緩沖層的LUM0能級(jí)和主體 (Ah)的LUM0能級(jí)具有以下方程式關(guān)系：
[0112] Ab^Ah+0.5eV
[0113] 為了增強(qiáng)裝置的發(fā)光功效，可設(shè)定電子緩沖層(Ab)的LUM0能級(jí)具有以下方程式關(guān) 系：
[0114] Ab〈Ah+0.2-0.3eV
[0115] 此外，為了增強(qiáng)裝置的使用壽命，可設(shè)定電子緩沖層(Ab)的LUM0能級(jí)具有以下方 程式關(guān)系：
[0116] Ab〈Ah+0.3~0.5eV
[0117] 此外，為了增強(qiáng)裝置的功效和使用壽命，可設(shè)定電子緩沖層(Ab)的LUM0能級(jí)具有 以下方程式關(guān)系：
[0118] Ab<Ah+0.3eV
[0119] 通過密度泛函理論(DFT)測量的值用于電子緩沖層的LUMO能級(jí)。根據(jù)電子緩沖層 (Ab)的LUM0能級(jí)與主體(Ah)的LUM0能級(jí)的關(guān)系的結(jié)果用于解釋裝置符合電子緩沖層的整 體LUM0能量群組的粗略趨勢，并且因此可根據(jù)特定衍生物的固有性質(zhì)和材料的穩(wěn)定性呈現(xiàn) 除上述以外的其它結(jié)果。
[0120] 發(fā)射每一種顏色(包括藍(lán)色、紅色和綠色）的有機(jī)電致發(fā)光裝置中可包含電子緩沖 層。優(yōu)選的是，其可包含于發(fā)射藍(lán)光（即主峰值波長是430到470nm，優(yōu)選是450nm)的有機(jī)電 致發(fā)光裝置中。
[0121] 在下文中，將參考以下實(shí)例詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光特 性。
[0122] 實(shí)例1到3:包含有包含三嗪衍生物的電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0123] 制造本發(fā)明的0LED裝置。用于有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)裝置(Samsung Corning)的 在玻璃襯底上的透明電極氧化銦錫（ΙΤ0)薄膜（15 Ω/sq)依序經(jīng)歷用丙酮、乙醇以及蒸餾水 進(jìn)行的超聲波洗滌，且接著儲(chǔ)存于異丙醇中。接著將ΙΤ0襯底安裝在真空氣相沉積設(shè)備的襯 底固持器上。將N 4，N4'-二苯基-N4，N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1，1'_聯(lián)二苯]-4,4'-二 胺引入所述真空氣相沉積設(shè)備的單元中，并且隨后將所述設(shè)備的腔室中的壓力控制為1〇_ 6 托。隨后，將電流施加到所述單元以使以上引入的材料汽化，由此在ΙΤ0襯底上形成厚度為 40nm的電洞注入層。隨后將1，4,5,8,9，11-六氮雜苯并菲-六甲腈引入所述真空氣相沉積設(shè) 備的另一個(gè)單元，并且通過將電流施加到所述單元而使其汽化，由此在電洞注入層上形成 厚度為5nm的電洞注入層。隨后，將Ν-([1，Γ-聯(lián)二苯]-4-基)-9,9_二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基)-9H-||-2-胺引入所述真空氣相沉積設(shè)備的另一個(gè)單元，并且通過將 電流施加到所述單元而使其汽化，由此在電洞注入層上形成厚度為25nm的電洞傳輸層。隨 后，將化合物H-1引入真空氣相沉積設(shè)備的一個(gè)單元中作為主體材料，并且將化合物D-2弓| 入另一個(gè)單元中作為摻雜劑。所述兩種材料以不同比率汽化且以基于主體和摻雜劑的總量 計(jì)2重量％的摻雜量沉積以在電洞傳輸層上形成厚度為20nm的發(fā)光層。然后將2-(4-(9，10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-lH-苯并[d]咪唑引入一個(gè)單元中，并且將喹啉鋰引入 另一個(gè)單元中。所述兩種材料以相同比率汽化且以各50重量％的摻雜量沉積以在發(fā)光層上 形成厚度為27nm的電子傳輸層。隨后，在發(fā)光層與電子傳輸層之間插入厚度為9nm的電子緩 沖層。在電子傳輸層上沉積喹啉鋰作為厚度為2nm的電子注入層后，接著通過另一個(gè)真空氣 相沉積設(shè)備在所述電子注入層上沉積厚度為80nm的A1陰極。由此，制造0LED裝置。用于制造 0LED裝置的所有材料在使用之前都通過在10- 6托下真空升華而純化。測量基于l，000nit亮 度的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)以及基于2,000nit亮度和恒定電流的10小時(shí)的使用 壽命。
[0124] 實(shí)例1到3:
[0125] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0126] 比較實(shí)例1:不包含電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0127] 除電子傳輸層的厚度增加到36nm以代替形成27nm電子傳輸層和9nm電子緩沖層以 外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造0LED裝置。
[0128] 比較實(shí)例1:
[0129] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/ETL-l:EIL-l(36)/EIL-l (2)/Α1(80)
[0130] 實(shí)例1到3和比較實(shí)例1的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量結(jié) 果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表1中。
[0131] [表 1]
[0132]
[0134] 在實(shí)例1到3中，電子緩沖層的LUM0能級(jí)的中值是1.9eV或更高，使得發(fā)光層與電子 緩沖層之間的界面處的電子注入勢皇最小化以便展示快速電子注入特征，同時(shí)與比較實(shí)例 1相比展示類似的電壓特征。具體來說，實(shí)例1和2的LUM0能級(jí)保持1.8eV并且獲得適合的電 子注入特征以便展示高功效。相反，實(shí)例1到3的使用壽命與比較實(shí)例1類似。
[0135] 實(shí)例4到7:包含有包含三嗪衍生物的電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0136] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造0LED裝置。
[0137] 實(shí)例4到7:
[0138] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0139] 實(shí)例4到7和比較實(shí)例1的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量結(jié) 果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表2中。
[0140] [表 2]
[0141] |電子緩|電壓|功效|顏色坐標(biāo)顏色坐標(biāo):|使用壽命| LUMO | HOMO 沖層（V): Ccd/A) (X) Cy) ClObrK%) CeV) (：eV) 實(shí)例 4 C-16~ 4.7 ~4.2 D.140~ 0.092 ~ 98.:2 1.95 5.11 實(shí)例 5 C-46~ 4.8 一3：J 0.14Q~ 0.098 ~ 9:8.2 1.96 4.98 ~實(shí)例 6 C48~~5^2 3? 0.142 0.099 9S^0 1L97 4.99 實(shí)例 7 C-9- ^3.8 0.140^ 0.093 ~ 9B.4 2.00 5.23 比較實(shí)例 1 ~~ 4.3: - 4.8 0,140 0,094 96.1 ~
[0142] 在實(shí)例4到7中，電子緩沖層的LUM0能級(jí)在中值1.9's eV和高值2.0eV之間，使得發(fā) 光層與電子緩沖層之間的界面的電子注入勢皇影響較大，并且因此與比較實(shí)例1相比展示 緩慢的電子注入特征。然而，與比較實(shí)例1相比展示更高的電壓特征。因此，所注入的電子與 電洞相比相對不足，并且形成激子的可能性下降，從而與比較實(shí)例1相比展示較低功效。然 而，與比較實(shí)例1相比展示更長的使用壽命。
[0143] 實(shí)例8到12:包含有包含三嗪衍生物的電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0144] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造 0LED裝置。
[0145] 實(shí)例8到12:
[0146] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0147] 實(shí)例8到12和比較實(shí)例1的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量結(jié) 果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表3中。
[0148] [表 3]
[0149]
[0150] 在實(shí)例8到12中，在中值1.9eV下形成電子緩沖層的LUM0能級(jí)，并且施加特定水平 的電子注入勢皇，使得展示適合的電子注入特征，其滿足功效和使用壽命。因此，與比較實(shí) 例1相比展示更高的功效和更長的使用壽命。具體來說，展示極佳的使用壽命特征，即與比 較實(shí)例1相比高1.5 %或更多，同時(shí)展示高功效。
[0151] 使用包含三嗪衍生物的電子緩沖層有利于適合的功效和使用壽命。
[0152] 實(shí)例13到15:包含有包含嘧啶衍生物的電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0153] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造 0LED裝置。
[0154] 實(shí)例13到15:
[0155] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0156] 實(shí)例13到15和比較實(shí)例1的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量 結(jié)果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表4中。
[0157] [表 4]
[0158]
[0159] 在實(shí)例13到15中，在中值1.7到1.8eV下形成電子緩沖層的LUM0能級(jí)，并且發(fā)光層 與電子緩沖層之間的界面的電子注入勢皇與三嗪衍生物相比降低，從而制造具有快速電壓 特征和顯著改良的功效的有機(jī)電致發(fā)光裝置。然而，使用壽命與比較實(shí)例1相比類似或更 差，并且與三嗪衍生物相比更差。
[0160] 關(guān)于顏色坐標(biāo)，實(shí)例14和15中展示y坐標(biāo)的短波長，其中電子緩沖層的Η0Μ0能量值 相對較高。這是因?yàn)榘l(fā)光層內(nèi)的激子充分結(jié)合，從而與蒽主體相比具有更高的電子緩沖層 的HOMO能級(jí)。
[0161] 實(shí)例16到18:包含有包含喹唑啉或喹喏啉衍生物的電子緩沖材料的有機(jī)電致發(fā)光 裝置
[0162] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造0LED裝置。
[0163] 實(shí)例16 到18:
[0164] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0165] 實(shí)例16到18和比較實(shí)例1的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量 結(jié)果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表5中。
[0166] [表 5]
[0167]
[0168] 在實(shí)例16到18中，電子緩沖層的LUM0能級(jí)保持為中值1.9到2.OeV。盡管一些電子 緩沖層的LUM0能級(jí)保持為中值1.9,但喹唑啉和喹喏啉衍生物的電子注入能力與三嗪或嘧 啶衍生物相比大幅度降低，使得制造出具有緩慢電壓特征和降低的功效的裝置。相反，與比 較實(shí)例1相比展示更高的使用壽命特征。這是因?yàn)殡娮觽鬏攲优c發(fā)光層之間的界面發(fā)光由 于電子注入能力降低而緩和，所述能力降低是由電子緩沖層引起。
[0169] 實(shí)例19到22:根據(jù)三嗪衍生物中存在苯基的特征對比
[0170] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造 0LED裝置。
[0171] 實(shí)例19 到22:
[0172] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0173] 實(shí)例19到22的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量結(jié)果以及電子 緩沖層的LUM0和Η0Μ0值展示于表6中。
[0174] [表 6]
[0175]
[0176] 在實(shí)例19和20中，根據(jù)咔唑衍生物與三嗪衍生物之間存在苯基來比較裝置的特 征。通過在其間插入苯基，與實(shí)例20相比，實(shí)例19的電子注入由于LUM0能量值增加而被破 壞。因此，展示高驅(qū)動(dòng)電壓和低功效，但使用壽命得到改良。
[0177] 在實(shí)例21和22中，根據(jù)咔唑衍生物與三嗪衍生物之間存在苯基來比較裝置的特 征。通過在其間插入苯基，與實(shí)例22相比，實(shí)例21的電子注入由于LUM0能量值增加而被破 壞。因此，展示高驅(qū)動(dòng)電壓和低功效，但使用壽命得到改良。此外，與苯基的間位或?qū)ξ蝗〈?位置無關(guān)，展示類似的趨勢。然而，實(shí)例22中展示更高的LUM0能級(jí)差異，其中在間位進(jìn)行取 代。
[0178] 實(shí)例23到26:根據(jù)使用三嗪、喹唑啉和喹喏啉衍生物作為電子緩沖材料的特征的 對比
[0179] 除使用不同的電子緩沖材料以外，按照與實(shí)例1到3中相同的方式制造 0LED裝置。
[0180] 實(shí)例23 到26:
[0181] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0182] 實(shí)例23到26的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量結(jié)果以及電子 緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表7中。
[0183] [表 7]
[0184]
[0185] 在實(shí)例23和24中，通過相同地保持HOMO軌道區(qū)域的衍生物來比較決定LUM0能級(jí)的 三嗪和喹唑啉衍生物，從而檢查根據(jù)決定LUM0能級(jí)的衍生物的裝置特征。
[0186] 與三嗪衍生物的實(shí)例24不同，喹唑啉衍生物的實(shí)例23中LUM0能級(jí)由于電子注入高 度受損而增加，并且因此展示改良的使用壽命，但展示高驅(qū)動(dòng)電壓和低功效。
[0187] 在實(shí)例25和26中，通過相同地保持HOMO軌道區(qū)域的衍生物來比較決定LUM0能級(jí)的 三嗪和喹喏啉衍生物，從而檢查根據(jù)決定LUM0能級(jí)的衍生物的裝置特征。
[0188] 與三嗪衍生物的實(shí)例25不同，喹喏啉衍生物的實(shí)例26中LUM0能級(jí)由于電子注入高 度受損而增加，并且因此展示改良的使用壽命，但展示高驅(qū)動(dòng)電壓和低功效。
[0189] 此外，喹唑啉和喹喏啉衍生物與三嗪衍生物相比展示更高的X和y坐標(biāo)。這是因?yàn)?電子注入能力由于電子緩沖層而降低，并且電子緩沖層的Η0Μ0能級(jí)低于蒽主體，同時(shí)發(fā)光 區(qū)域進(jìn)一步遠(yuǎn)離電子傳輸層與發(fā)光層之間的界面，使得發(fā)光層內(nèi)的激子不結(jié)合，并且電子 緩沖層促進(jìn)發(fā)光。
[0190] 實(shí)例27到31和比較實(shí)例2到5:根據(jù)包含或不含電子緩沖層的構(gòu)造內(nèi)存在電子傳輸 層的特征對比
[0191] 在實(shí)例27到31中，除改變電子傳輸層以外，制造具有與實(shí)例22中相同的構(gòu)造的包 含電子緩沖層的0LED裝置。
[0192] 實(shí)例27 到31:
[0193] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0194]在比較實(shí)例2到5中，除改變電子傳輸層以外，制造具有與比較實(shí)例1中相同的構(gòu)造 的不包含任何電子緩沖層的0LED裝置。
[0195] 比較實(shí)例2到5:
[0196] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/ETL:EIL-l(36)/EIL-l(2)/ Al(80)
[0197] 比較實(shí)例1到5和實(shí)例27到31的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測 量結(jié)果以及電子傳輸層的LUM0和HOMO值展示于表8中。
[0198] [表 8]
[0199]
[0201]與比較實(shí)例1到5不同，在實(shí)例27到31中插入化合物C-1的電子緩沖層，并且展示使 用壽命的改良，同時(shí)保持適合的功效。比較實(shí)例2的使用壽命展示100.8%。這是由裝置中 ETL-2中激子形成不均衡而引起的異常結(jié)果。展示補(bǔ)充所得和適合的功效的電子緩沖層和 使用壽命。即使當(dāng)電子傳輸層變成吡啶、三嗪、蒽衍生物等時(shí)，關(guān)于電子緩沖層的趨勢類似。 [0202]比較實(shí)例6和實(shí)例32到35:包含多層電洞傳輸層并且包含或不包含電子緩沖層的 有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0203]在比較實(shí)例6中，除插入兩個(gè)厚度分別為20nm和5nm的單獨(dú)的電洞傳輸層而非一個(gè) 厚度為25nm的電洞傳輸層，并且HI-1的厚度變成60nm以外，按照與比較實(shí)例1中相同的方式 制造0LED裝置。
[0204] 比較實(shí)例6:
[0205] HI-l(60)/HI-2(5)/HT-l(20)/HT-2(5)/H-l :D-2(20,2重量％)/ETL-l :EIL-1 (36)/EIL-l(2)/Al(80)
[0206] 在實(shí)例32到35中，除改變電子緩沖層以外，制造具有與比較實(shí)例6中相同的構(gòu)造的 包含電子緩沖層的0LED裝置。
[0207] 實(shí)例32 到35:
[0208] HI-l(60)/HI-2(5)/HT-l(20)/HT-2(5)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l (27)/EIL-l(2)/Al(80)
[0209] 比較實(shí)例6和實(shí)例32到35的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的測量 結(jié)果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表9中。
[0210] [表示 9]
[0211]
[0212]在比較實(shí)例6中，通過插入電洞傳輸層2來增加功效，其與比較實(shí)例1相比可通過有 效注入電洞來增加功效。
[0213]在實(shí)例32到35中，通過在具有電洞傳輸層2的構(gòu)造中插入電子緩沖層，與比較實(shí)例 6相比獲得功效和使用壽命皆得到改良的結(jié)果。
[0214]即使當(dāng)插入電洞傳輸層2時(shí)，關(guān)于電子緩沖層的趨勢類似。
[0215]比較實(shí)例7和實(shí)例36到39:包含多層電洞傳輸層并且包含或不包含電子緩沖層的 有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0216]在比較實(shí)例7中，除電洞傳輸層2變成另一種衍生物以外，按照與比較實(shí)例6中相同 的方式制造0LED裝置。
[0217] 比較實(shí)例7:
[0218] HI-l(60)/HI-2(5)/HT-l(20)/HT-3(5)/H-l :D-2(20,2重量％)/ETL-l :EIL-1 (36)/EIL-l(2)/Al(80)
[0219] 在實(shí)例36到39中，除改變電洞傳輸層和電子緩沖層以外，制造具有與實(shí)例32中相 同的構(gòu)造的包含電子緩沖層的0LED裝置。
[0220] 實(shí)例36 到39:
[0221] HI-l(60)/HI-2(5)/HT-l(20)/HT-3(5)/H-l:D-2(20,2 重量 ％)/C-x(9)/ETL-l: EIL-1(27)/EIL-1(2)/A1(80)
[0222] 比較實(shí)例7和實(shí)例36到39的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色座標(biāo)和使用壽命的測量 結(jié)果以及電子緩沖層的LUM0和HOMO值展示于表10中。
[0223] [表 10]
[0224]
[0225] 在比較實(shí)例7中，通過插入電洞傳輸層2來增加功效，其與比較實(shí)例1相比可通過有 效注入電洞來增加功效。
[0226] 在實(shí)例36到39中，通過在具有電洞傳輸層2的構(gòu)造中插入電子緩沖層，與比較實(shí)例 7相比獲得功效和使用壽命皆得到改良的結(jié)果。
[0227] 即使當(dāng)插入電洞傳輸層2或改變電洞傳輸層2的材料時(shí)，關(guān)于電子緩沖層的趨勢類 似。
[0228] 比較實(shí)例8到11和實(shí)例40到43:包含多種發(fā)光材料并且包含或不包含電子緩沖層 的有機(jī)電致發(fā)光裝置
[0229] 在比較實(shí)例8到10中，除主體變成另一種衍生物以外，按照與比較實(shí)例1中相同的 方式制造0LED裝置。
[0230] 比較實(shí)例8到10:
[0231] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-x:D-2(20,2 重量 ％)/ETL-l:EIL-l(36)/EIL-l (2)/Α1(80)
[0232] 在實(shí)例40到42中，除電子傳輸層的厚度降低到27nm，并且在發(fā)光層與電子傳輸層 之間插入厚度為9nm的電子緩沖層以外，按照與比較實(shí)例8中相同的方式制造0LED裝置。
[0233] 實(shí)例40 到42:
[0234] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-x:D-2(20,2 重量 ％)/C-l(9)/ETL-l:EIL-l(27)/ EIL-1(2)/A1(80)
[0235] 在比較實(shí)例11中，除藍(lán)色摻雜劑變成化合物D-1以外，按照與比較實(shí)例1中相同的 方式制造0LED裝置。
[0236] 比較實(shí)例11:
[0237] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-l(20,2 重量 ％)/ETL-l:EIL-l(36)/EIL-l (2)/Α1(80)
[0238] 在實(shí)例43中，除電子傳輸層的厚度降低到27nm，并且在發(fā)光層與電子傳輸層之間 插入厚度為9nm的電子緩沖層以外，按照與比較實(shí)例11中相同的方式制造0LED裝置。
[0239] 實(shí)例43:
[0240] HI-l(40)/HI-2(5)/HT-l(25)/H-l:D-l(20,2 重量 ％)/BF-23(9)/ETL-l:EIL-l (27)/EIL-l(2)/Al(80)
[0241] 比較實(shí)例8到11和實(shí)例41到43的驅(qū)動(dòng)電壓、發(fā)光功效、CIE顏色坐標(biāo)和使用壽命的 測量結(jié)果展示于表11中。
[0242] [表 11]
[0243]
[0244]在實(shí)例40到42中，使用除H-1以外的主體，因?yàn)閏-l材料用于電子緩沖層，其與比較 實(shí)例8到10相比可改良使用壽命。因此，即使對于其它主體，與不具有任何電子緩沖層的裝 置相比展示類似趨勢。
[0245] 由比較實(shí)例11和實(shí)例43,即使對于芪摻雜劑(如摻雜劑D-1)證實(shí)展示根據(jù)存在C-1 的電子緩沖層的類似趨勢。因此，即使在主體和摻雜劑變化時(shí)，證實(shí)具有電子緩沖層的裝置 的類似特征。
[0246] 參考數(shù)字
[0247] 100:有機(jī)電致發(fā)光裝置101:襯底
[0248] 110:第一電極 120:有機(jī)層
[0249] 122:電洞注入層 123:電洞傳輸層
[0250] 125:發(fā)光層 126:電子緩沖層
[0251] 127:電子傳輸層 128:電子注入層
[0252] 129:電子傳輸區(qū)域 130:第二電極
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電子緩沖材料，其包含有包含含氮雜芳基的化合物，所述化合物選自由以下式1 至|J3表示的化合物： H-(Cz-Li)a-M-----------(1) H~(Cz )b-Li-M-----------(2)其中 Cz表示以下結(jié)構(gòu)：A表示· B表示1 C表示： R!到Rs各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基或-SiR6R7Rs;或Ri到Rs各自 獨(dú)立地鍵聯(lián)到相鄰取代基以形成單環(huán)或多環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C3-C30)脂環(huán)族或芳族 環(huán)，其碳原子可由至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換； R6到Rs各自獨(dú)立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)芳基； 1^表示單鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C6-C30)亞芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5到30元)亞 雜芳基； Μ表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的(C6-C30)芳基或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基； Cz、L#PM可與相鄰取代基稠合以形成環(huán)； Χι到Χ3各自獨(dú)立地表示-N(R9)_或-C(R1Q)(Rn)- ; Y 表示-O-'-S-'-CXRuKRd-'-SKRwKRid-S-NUw)-; R9到R16各自獨(dú)立地表示氫、氘、鹵素、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（C1-C30)烷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的（C6-C30)芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5元到30元)雜芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的（5 元到7元)雜環(huán)烷基或與至少一個(gè)經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳環(huán)稠合的（5元到7元)雜環(huán)烷基，且 R 9到R16可相同或不同；并且R1Q和Rn可彼此鍵聯(lián)以形成單環(huán)或多環(huán)、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 (C3-C30)脂環(huán)族或芳族環(huán)，其碳原子可由至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換； a、b和d各自獨(dú)立地表示1到3的整數(shù)； c、e和g各自獨(dú)立地表示1到4的整數(shù)； f表示1或2;并且 其中a、b、c、d、e、f或g是2或更大的整數(shù)，每個(gè)(Cz-Li)、每個(gè)(Cz)、每個(gè)R!、每個(gè)R2、每個(gè) R3、每個(gè)R4或每個(gè)R5可相同或不同。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子緩沖材料，其中所述含氮雜芳基是三嗪、嘧啶、喹唑啉或 喹喏啉。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子緩沖材料，其中所述包含有含氮雜芳基的化合物選自由 以下各者組成的群組：4. 一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其包含第一電極;面向所述第一電極的第二電極;在所述第 一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層與所述第二電極之間的電子傳輸 區(qū)域和電子緩沖層； 其中所述電子緩沖層包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含含氮雜芳基的化合物。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子緩沖層安置在所述發(fā)光層 與所述電子傳輸區(qū)域之間。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光層包含蒽衍生物熒光主體 和芘類熒光摻雜劑。7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子緩沖層(Ab)的LUMO(最低未 占用分子軌域)能級(jí)和所述主體(Ah)的LUMO能級(jí)具有以下關(guān)系： Ab彡Ah+0.5eV。8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中電洞注入層和電洞傳輸層包含在所 述第一電極與所述發(fā)光層之間。9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子傳輸區(qū)域包含電子注入層， 并且所述電子注入層包含喹啉鋰的金屬絡(luò)合物。10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述有機(jī)電致發(fā)光裝置發(fā)藍(lán)光。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK106068267SQ201580012636
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年3月17日 公開號(hào)201580012636.0, CN 106068267 A, CN 106068267A, CN 201580012636, CN-A-106068267, CN106068267 A, CN106068267A, CN201580012636, CN201580012636.0, PCT/2015/2580, PCT/KR/15/002580, PCT/KR/15/02580, PCT/KR/2015/002580, PCT/KR/2015/02580, PCT/KR15/002580, PCT/KR15/02580, PCT/KR15002580, PCT/KR1502580, PCT/KR2015/002580, PCT/KR2015/02580, PCT/KR2015002580, PCT/KR201502580
【發(fā)明人】S-H·曹, J-H·全, H-Y·娜, J-S·俊, J-H·沈, K-H·崔, C-S·金, Y－J·曹
【申請人】羅門哈斯電子材料韓國有限公司