化合物，例如可舉出聚亞苯基、聚巧W及運些的衍生物。高分子化合物 也可W滲雜有金屬。
[0228] 在本發(fā)明的組合物中，電子傳輸材料的配合量，相對于本發(fā)明的高分子化合物100 重量份，一般為1至400重量份，優(yōu)選為5至150重量份。
[0229] 電子傳輸材料可使用單獨一種，也可巧巾W上并用。
[0230] [空穴注入材料W及電子注入材料]
[0231] 空穴注入材料W及電子注入材料，分別可被分類為低分子化合物及高分子化合 物?？昭ㄗ⑷氩牧蟇及電子注入材料，可具有交聯(lián)基。
[0232] 作為低分子化合物例如可舉出銅獻菁等金屬獻菁;碳;鋼、鶴等的金屬氧化物;氣 化裡、氣化鋼、氣化飽、氣化鐘等金屬氣化物。
[0233] 作為高分子化合物，例如可舉出聚苯胺、聚嚷吩、聚化咯、聚亞苯基乙締、聚亞嚷吩 基乙締、聚哇嘟W及運些的衍生物;在主鏈或側(cè)鏈上包含式(X)所示的基團的聚合物等的導 電性高分子。
[0234] 在本發(fā)明的組合物中，空穴注入材料W及電子注入材料的配合量，相對于本發(fā)明 的高分子化合物100重量份，一般分別為1至400重量份，優(yōu)選為5至150重量份。
[0235] 空穴注入材料W及電子注入材料，分別可使用單獨一種，也可巧巾W上并用。
[0236] [離子滲雜]
[0237] 空穴注入材料或電子注入材料包含導電性高分子時，導電性高分子的電導率，優(yōu) 選為1 X l(T5S/cm至1 X 103S/cm。為了使導電性高分子的電導率為上述的范圍，在導電性高 分子中可滲雜適量的離子。
[0238] 作為滲雜的離子的種類，為空穴注入材料時，為陰離子，為電子注入材料時，為陽 離子。作為陰離子，例如可舉出聚苯乙締橫酸離子、烷基苯橫酸離子、精腦橫酸離子。作為陽 離子例如可舉出裡離子、鋼離子、鐘離子、四下基錠離子。
[0239] 滲雜的離子，可為只有一種，也可為巧巾W上。
[0240] [發(fā)光材料]
[0241 ]發(fā)光材料可被分類為低分子化合物及高分子化合物。發(fā)光材料可具有交聯(lián)基。
[0242] 作為低分子化合物，例如可舉出糞及其衍生物、蔥及其衍生物、巧及其衍生物W及 銀、銷或館為中屯、金屬的Ξ重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物。
[0243] 作為高分子化合物，例如可舉出包含亞苯基、糞二基、蔥二基、巧二基、巧二基、菲 二基、二氨菲二基、式(X)所示的基團、巧挫二基、吩嗯嗦二基、吩嚷嗦二基等的高分子化合 物。
[0244] 發(fā)光材料也可包含低分子化合物及高分子化合物，優(yōu)選為包含Ξ重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物 W及高分子化合物。
[024引作為Ξ重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物，優(yōu)選為式Ir-1至Ir-3所示的金屬絡(luò)合物等銀絡(luò)合物。
[0246]
[0247] [式中，RDI至炒8^及炒11至炒分別獨立表示氨原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1 價雜環(huán)基或面原子，運些基團可具有取代基。
[0248] -aDI---ADL表示陰離子性的2齒配體，ADI及AD2分別獨立表示與銀原子鍵合的碳原 子、氧原子或氮原子。
[0249] 郵1表不1、2或3，郵2表不1或2。]
[0250] 在式Ir-1所示的Ξ重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物中，RDI至rDS的至少1個，優(yōu)選為式(D-A)所示的 基團。
[0巧 1]
[0252] [式中，πΓ?、πΓ2及πΓ3分別獨立表示0W上的整數(shù)。
[0253] GDAi表示氮原子、芳香族控基或雜環(huán)基，運些基團可具有取代基。
[0254] ArDAi、ArDA2及ArDAs分別獨立表示亞芳基或2價雜環(huán)基，運些基團可具有取代基。
[02巧]在ArDAi、ArDA2及ArDAs為多個時，運些分別可W相同，也可W不同。
[0256] TDA2及tDAS分別獨立表示芳香族控基或1價雜環(huán)基，運些基團可具有取代基。]
[0巧7] πΓ?、πΓ2及πΓ3-般為10W下的整數(shù)，優(yōu)選為5W下，更優(yōu)選為0或1"πΓ?、πΓ 2及πΓ3 優(yōu)選為相同的整數(shù)。
[0巧引 gDAi優(yōu)選為式(GDA-11)至(GDA-15)所示的基團，運些基團可具有取代基。
[0 巧 9]
[0260] [式中，*1、巧及*3分別表示與ArDAi、ArDA2及ArDA3的鍵合。
[0261] rDA表示氨原子、烷基、烷氧基、芳基或1價雜環(huán)基，運些基團可具有取代基。在rDA為 多個時，運些可W相同，也可W不同。]
[0262] RDA優(yōu)選為氨原子、烷基或烷氧基，更優(yōu)選為氨原子或烷基，運些基團可具有取代 基。
[0263] ArDAi、ArDA2 及 ArDAs 優(yōu)選為式(ArDA-1)至(ArDA-3)所示的基團。
[0264]
[0265] [式中，RDA表示與上述相同的意義。
[0266] RDB表示氨原子、烷基、芳基或1價雜環(huán)基，運些基團可具有取代基。在R?為多個時， 運些可W相同，也可W不同。]
[0267] RDB優(yōu)選為烷基、芳基或1價雜環(huán)基，更優(yōu)選為芳基或1價雜環(huán)基，最優(yōu)選為芳基，運 些基團可具有取代基。
[026引 tDA2及tDAs優(yōu)選為式(TDA-1)至(TDA-3)所示的基團。
[0269]
[0270] 試中，rDA及rD嗦示與上述相同的意義]
[02川在式Ir-2中，優(yōu)選為rDi哇rDw的至少1個為式(D-A)所示的基團。
[0272] 在式Ir-3中，優(yōu)選為RD哇rDS及rDI哇rDW的至少1個為式(D-A)所示的基團。
[0273]式(D-A)所示的基團，優(yōu)選為式(D-Al)至(D-A3)所示的基團。
[0274]
[0275] [式中，RP1、RP2及RP3分別獨立地表示烷基、烷氧基或面原子。在RP1、RP2及RP 3存在多 個時，運些分別可W相同，也可W不同。
[0276] npl表示0至5的整數(shù)，叩2表示0至3的整數(shù)，叩3表示0或1。存在多個叩1時，可W相 同，也可W不同。]
[02八]噸1優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為1。噸2優(yōu)選為0或1，更優(yōu)選為0。噸3優(yōu)選為0。
[0278] RPi、RP2及RP3優(yōu)選為烷基。
[0279] 作為-ADI--ADL所示的陰離子性的2齒配體，例如可舉出下述式所示的配體。
[0280]
[0281] [式中，*表示與Ir鍵合的部位。]
[0282] 作為式Ir-1所示的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選為式Ir-11至Ir-13所示的金屬絡(luò)合物。作為 式Ir-2所示的金屬絡(luò)合物，優(yōu)選為式Ir-21所示的金屬絡(luò)合物。作為式Ir-3所示的金屬絡(luò)合 物，優(yōu)選為式Ir-31至Ir-33所示的金屬絡(luò)合物。
[0283]
[0284] [式中，D表不式(D-A)所不的基團。郵康不1或2。]
[0285] 作為Ξ重態(tài)發(fā)光絡(luò)合物，例如可舉出W下所示的金屬絡(luò)合物。
[0286]
[0287]
[0288] 在本發(fā)明的組合物中，發(fā)光材料的含量，相對于本發(fā)明的高分子化合物100重量 份，一般為0.1至400重量份。
[0289] [抗氧化劑]
[0290] 抗氧化劑可溶于與本發(fā)明的高分子化合物相同的溶劑，只要不阻礙發(fā)光及電荷傳 輸?shù)幕衔锛纯?，例如可舉出酪系抗氧化劑、憐系抗氧化劑。
[0291] 在本發(fā)明的組合物中，抗氧化劑的配合量，相對于本發(fā)明的高分子化合物100重量 份，一般為0.001至10重量份。
[0292] 抗氧化劑可使用單獨一種，也可巧巾W上并用。
[0293] < 膜〉
[0294] 膜含有本發(fā)明的高分子化合物。
[0295] 膜中也包含本發(fā)明的高分子化合物通過交聯(lián)，使其對溶劑不溶化的不溶化膜。不 溶化膜是本發(fā)明的高分子化合物通過加熱、光照射等的外部刺激，使其交聯(lián)所得的膜。不溶 化膜，因?qū)嵸|(zhì)上不溶于溶劑，可適合用于發(fā)光元件的層疊化。
[0296] 為了使膜交聯(lián)的加熱溫度，一般為25至300°C，因發(fā)光效率變好，優(yōu)選為50至250 °C，更優(yōu)選為150至200°C。
[0297] 作為用于使膜交聯(lián)的光照射所使用的光的種類，例如可舉出紫外光、近紫外光、可 見光。
[0298] 膜適合作為發(fā)光元件的空穴傳輸層或發(fā)光層。
[0299] 膜可使用墨液，通過例如旋轉(zhuǎn)涂布法、鑄膜法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂 法、漉涂布法、線棒涂布法、浸涂法、噴涂法、絲網(wǎng)印刷法、柔版印刷法、平板印刷法、噴墨印 刷法、毛細管涂布法、噴嘴涂布法而制作。
[0300] 膜的厚度，一般為Inm至10皿。
[0301] <發(fā)光元件〉
[0302] 本發(fā)明的發(fā)光元件，具有陽極、陰極W及設(shè)置于陽極與陰極之間的發(fā)光層，發(fā)光層 是使用本發(fā)明的高分子化合物所得的層，在該發(fā)光元件中例如有，包含本發(fā)明的高分子化 合物的發(fā)光元件，本發(fā)明的高分子化合物通過分子內(nèi)、分子間或其兩者而進行交聯(lián)而成的 發(fā)光元件。
[030引[層構(gòu)成]
[0304] 除發(fā)光層外，空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層及電子注入層，也可為使用本 發(fā)明的高分子化合物所得的層，為了使用本發(fā)明的高分子化合物的發(fā)光元件的亮度壽命的 原因，優(yōu)選空穴傳輸層為使用本發(fā)明的高分子化合物所得的層。運些層，分別包含空穴傳輸 材料、空穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料。運些層可通過分別使空穴傳輸材料、空 穴注入材料、電子傳輸材料、電子注入材料溶解于上述溶劑，制備墨液，使用與上述膜的制 作相同的方法而形成。
[0305] 本發(fā)明的發(fā)光元件，從空穴注入性及空穴傳輸性的觀點出發(fā)，優(yōu)選在陽極與發(fā)光 層之間，具有空穴注入層及空穴傳輸層的至少1層，從電子注入性及電子傳輸性的觀點出 發(fā)，優(yōu)選在陰極與發(fā)光層之間，具有電子注入層及電子傳輸層的至少1層。
[0306] 作為空穴傳輸層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴注入層及電子注入層的材料，除本發(fā) 明的高分子化合物外，分別可舉出上述的空穴傳輸材料、電子傳輸材料、發(fā)光材料、空穴注 入材料及電子注入材料。
[0307] 在空穴傳輸層的材料、電子傳輸層的材料W及發(fā)光層的材料、發(fā)光元件的制作中， 當空穴傳輸層、電子傳輸層及發(fā)光層的會在形成與其各自相鄰層時發(fā)生溶解于所使用的溶 劑的情況下，為了避免該材料溶解于該溶劑，優(yōu)選該材料具有交聯(lián)基。使用具有交聯(lián)基的材 料，形成各層后，使該交聯(lián)基交聯(lián)，可使該層不溶化。
[0308] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，作為發(fā)光層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴注入層、電子 注入層等各層的形成方法，在使用低分子化合物時，例如可舉出從粉末的真空蒸鍛法、從溶 液或烙融狀態(tài)的成膜的方法，在使用高分子化合物時，例如可舉出從溶液或烙融狀態(tài)的成 膜的方法。
[0309] 層疊的層的順序、數(shù)目及厚度，在考量發(fā)光效率及元件壽命下調(diào)整即可。
[0310] [基板/電極]
[0311] 發(fā)光元件的基板，只要是可形成電極且形成有機層時沒有化學變化的基板即可， 例如可舉出玻璃、塑料、娃等材料所構(gòu)成的基板。在為不透明的基板的情況下，優(yōu)選從基板 至最遠的電極為透明或半透明。
[0312] 作為陽極的材料，例如可舉出導電性金屬氧化物、半透明的金屬，優(yōu)選為氧化銅、 氧化鋒、氧化錫；銅錫氧化物（IT0)、銅鋒氧化物等導電性化合物；銀與鈕與銅的復合體 (八口〇;肥54、金、銷、銀、銅。
[0313] 作為陰極的材料，例如可舉出裡、鋼、鐘、鋼、飽、被、儀、巧、鎖、領(lǐng)、侶、鋒、銅等的金 屬;運些中的巧巾W上的合金;運些中的1種W上與銀、銅、儘、鐵、鉆、儀、鶴、錫中1種W上的 合金；W及石墨及石墨層間化合物。作為合金，例如可舉出儀-銀合金、儀-銅合金、儀-侶合 金、銅-銀合金、裡-侶合金、裡-儀合金、裡-銅合金、巧-侶合金。
[0314]陽極及陰極分別可為2層W上的層疊結(jié)構(gòu)。
[0引引[用途]
[0316]使用發(fā)光元件，為了得到面狀的發(fā)光，只要使面狀的陽極與陰極重疊配置即可。為 了得到圖形狀的發(fā)光，在面狀的發(fā)光元件的表面，設(shè)置設(shè)有圖形狀的窗的掩模的方法，將要 成為非發(fā)光部的層形成極端厚而成為實質(zhì)上不發(fā)光的方法、陽極或陰極或兩電極形成為圖 形狀的方法?？捎眠\些中的任一種方法，形成圖形，通過配置若干電極W使其可獨立開/關(guān) (0N/0FF)，可得到可能顯示數(shù)字、文字等的線段式顯示裝置。為了成為點陣顯示裝置，陽極 與陰極一起形成為條狀，配置成互相垂直?？墒苟喾N的發(fā)光色不同的高分子化合物，通過分 別涂布的方法、使用彩色濾光片或巧光轉(zhuǎn)換濾光片的方法，可成為部分彩色顯示、多彩顯 示。點陣顯示裝置也可為被動式驅(qū)動，也可與TFT組合而主動式驅(qū)動。運些顯示裝置，可用于 電腦、電視、移動終端等的顯示器。面狀的發(fā)光元件可適宜地用作液晶顯示裝置的背光用面 狀光源或面狀照明用光源。若使用曉性基板，也可使用作為曲面狀的光源W及顯示裝置。 [0 317]實施例
[0318] W下，為了更詳細說明本發(fā)明而示出實施例，但本發(fā)明不限定于運些例子。
[0319] 本實施例中，高分子化合物的合成中，使用表2及3所示的化合物作為原料單體。各 化合物根據(jù)表2及3所示的參考文獻W及合成例1記載的方法合成。
[0320] [表 2]
[0321]
[0322] [表 3]
[0323]
[0324] <合成例DQ-10的合成
[0325]
[0326] (階段1:化合物Q-lOb的合成）
[0327] 使反應(yīng)容器內(nèi)成為氮氣氛后，添加化合物Q-10a( 117.6g)、N，N-二甲基氨基化晚 (107.2g)W及二氯甲燒（1170mL)，進行攬拌。所得的溶液通過冰浴冷卻后，歷時1小時滴入 Ξ氣甲燒橫酸?。?98.Og)。然后，移除冰浴，攬拌1.5小時。然后，所得的溶液通過冰浴再次 冷卻后，添加飽和氯化錠水溶液，通過分液，得到有機層(有機層1)及水層。在所得的水層 中，添加己燒，通過萃取得到的有機層，與有機層1合并后，W離子交換水、飽和食鹽水依次 洗涂。所得的有機層W硅膠色譜柱精制后，通過減壓濃縮，得到包含化合物Q-lOb的褐色液 體(200g)。
[0328] (階段2:化合物Q-lOc的合成）
[0329] 使反應(yīng)容器內(nèi)成為氮氣氛后，添加包含化合物Q-lOb的褐色液體(lOOg)、[ 1，Γ -雙 (二苯麟基)二茂鐵]二氯化鈕（II)的二氯甲