公開(kāi)于美國(guó)專利第5, 844, 363號(hào)中，所述專利以全文引用的方式并入。經(jīng)p摻雜的空穴 傳輸層的實(shí)例是以50:1的摩爾比摻雜有F4-TCNQ的m-MTDATA，如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案第 2003/0230980號(hào)中所公開(kāi)，所述專利以全文引用的方式并入。發(fā)射和主體材料的實(shí)例公開(kāi) 于湯普森（Thompson)等人的美國(guó)專利第6, 303, 238號(hào)中，所述專利以全文引用的方式并 入。經(jīng)η摻雜的電子傳輸層的實(shí)例是以1:1的摩爾比摻雜有Li的BPhen，如美國(guó)專利申請(qǐng)公 開(kāi)案第2003/0230980號(hào)中所公開(kāi)，所述公開(kāi)案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式 并入的美國(guó)專利第5, 703, 436號(hào)和第5, 707, 745號(hào)公開(kāi)了陰極的實(shí)例，所述陰極包括具有 含上覆的透明、導(dǎo)電、濺鍍沉積的ΙΤ0層的金屬（如Mg:Ag)薄層的復(fù)合陰極。阻擋層的理論 和使用更詳細(xì)地描述于美國(guó)專利第6, 097, 147號(hào)和美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案第2003/0230980 號(hào)中，所述公開(kāi)案以全文引用的方式并入。注入層的實(shí)例提供于美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案第 2004/0174116號(hào)中，所述公開(kāi)案以全文引用的方式并入。保護(hù)層的描述可以見(jiàn)于美國(guó)專利 申請(qǐng)公開(kāi)案第2004/0174116號(hào)中，所述公開(kāi)案以全文引用的方式并入。
[0040] 圖2顯示倒置式0LED200。所述裝置包括襯底210、陰極215、發(fā)射層220、空穴 傳輸層225以及陽(yáng)極230。裝置200可以通過(guò)依序沉積所描述的層來(lái)制造。因?yàn)樽畛Ｒ?jiàn)的 0LED配置具有安置在陽(yáng)極上方的陰極并且裝置200具有安置在陽(yáng)極230下方的陰極215， 所以裝置200可以被稱為"倒置式"0LED。可以在裝置200的對(duì)應(yīng)層中使用與相對(duì)于裝置 100所描述的那些材料類似的材料。圖2提供了如何可以從裝置100的結(jié)構(gòu)省去一些層的 一個(gè)實(shí)例。
[0041] 圖1和2中所說(shuō)明的簡(jiǎn)單分層結(jié)構(gòu)借助于非限制性實(shí)例提供，并且應(yīng)理解本發(fā)明 的實(shí)施例可以與廣泛多種其它結(jié)構(gòu)結(jié)合使用。所描述的特定材料和結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是示范性 的，并且可以使用其它材料和結(jié)構(gòu)?？梢曰谠O(shè)計(jì)、性能和成本因素，通過(guò)以不同方式組合 所描述的各種層來(lái)實(shí)現(xiàn)功能性O(shè)LED，或可以完全省略若干層。也可以包括未具體描述的其 它層?？梢允褂贸唧w描述的材料以外的材料。盡管本文所提供的許多實(shí)例將各種層描述 為包含單一材料，但應(yīng)理解，可以使用材料的組合，如主體與摻雜劑的混合物，或更一般來(lái) 說(shuō)混合物。此外，層可以具有各種子層。本文中給予各種層的名稱并不意圖具有嚴(yán)格限制 性。舉例來(lái)說(shuō)，在裝置200中，空穴傳輸層225傳輸空穴并且將空穴注入到發(fā)射層220中， 并且可以被描述為空穴傳輸層或空穴注入層。在一個(gè)實(shí)施例中，可以將OLED描述為具有安 置在陰極與陽(yáng)極之間的"有機(jī)層"。這一有機(jī)層可以包含單個(gè)層，或可以進(jìn)一步包含如例如 相對(duì)于圖1和2所描述的不同有機(jī)材料的多個(gè)層。
[0042] 還可以使用未具體描述的結(jié)構(gòu)和材料，如包含聚合材料的OLED(PLED)，如弗蘭 德（Friend)等人的美國(guó)專利第5, 247, 190號(hào)中所公開(kāi)，所述專利以全文引用的方式并 入。作為另一個(gè)實(shí)例，可以使用具有單個(gè)有機(jī)層的OLED。0LED可以堆疊，如例如佛利斯特 (Forrest)等人的美國(guó)專利第5, 707, 745號(hào)中所描述，所述專利以全文引用的方式并入。 0LED結(jié)構(gòu)可以偏離圖1和2中所說(shuō)明的簡(jiǎn)單分層結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，襯底可以包括有角度的 反射表面以改進(jìn)出耦（out-coupling)，例如，如佛利斯特等人的美國(guó)專利第6, 091，195號(hào) 中所描述的臺(tái)式結(jié)構(gòu)，和/或如布爾維克（Bulovic)等人的美國(guó)專利第5, 834, 893號(hào)中所 描述的凹陷結(jié)構(gòu)，所述專利以全文引用的方式并入。
[0043] 除非另外規(guī)定，否則各種實(shí)施例的任何層都可以通過(guò)任何適合的方法來(lái)沉積。 對(duì)于有機(jī)層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)、噴墨（如在以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第 6, 013, 982號(hào)和第6, 087, 196號(hào)中所描述）、有機(jī)氣相沉積（0VPD)(如在以全文引用的方式 并入的佛利斯特等人的美國(guó)專利第6, 337, 102號(hào)中所描述）以及通過(guò)有機(jī)蒸氣噴射印刷 (0VJP)的沉積（如在以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第7, 431，968號(hào)中所描述）。其它 適合的沉積方法包括旋涂和其它基于溶液的工藝?；谌芤旱墓に噧?yōu)選在氮?dú)饣蚨栊詺夥?中進(jìn)行。對(duì)于其它層，優(yōu)選的方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的圖案化方法包括經(jīng)由掩模的沉積、冷 焊（如在以全文引用的方式并入的美國(guó)專利第6, 294, 398號(hào)和第6, 468, 819號(hào)中所描述） 和與如噴墨和0VJP的沉積方法中的一些相關(guān)的圖案化。還可以使用其它方法?？梢允勾?沉積的材料改性以使其與特定沉積方法相容。舉例來(lái)說(shuō)，可以在小分子中使用支鏈或非支 鏈并且優(yōu)選含有至少3個(gè)碳的如烷基和芳基的取代基來(lái)增強(qiáng)所述小分子經(jīng)受溶液處理的 能力?？梢允褂镁哂?0個(gè)或更多個(gè)碳的取代基，并且3到20個(gè)碳是優(yōu)選范圍。具有不對(duì) 稱結(jié)構(gòu)的材料可以比具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)的材料具有更好的溶液可處理性，因?yàn)椴粚?duì)稱材料可能 具有更低的再結(jié)晶傾向性?？梢允褂脴?shù)枝狀聚合物取代基來(lái)增強(qiáng)小分子經(jīng)受溶液處理的能 力。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制造的裝置可以進(jìn)一步任選地包含阻障層。阻障層的一個(gè)目 的是保護(hù)電極和有機(jī)層免受暴露于包括水分、蒸氣和/或氣體等的環(huán)境中的有害物質(zhì)的損 害。阻障層可以沉積在襯底、電極上，沉積在襯底、電極下或沉積在襯底、電極旁，或沉積在 裝置的任何其它部分（包括邊緣）上。阻障層可以包含單個(gè)層或多個(gè)層。阻障層可以通過(guò) 各種已知的化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成，并且可以包括具有單一相的組合物以及具有多個(gè)相的 組合物。任何適合的材料或材料組合都可以用于阻障層。阻障層可以并有無(wú)機(jī)化合物或有 機(jī)化合物或兩者。優(yōu)選的阻障層包含聚合材料與非聚合材料的混合物，如以全文引用的方 式并入本文中的美國(guó)專利第7, 968, 146號(hào)、PCT專利申請(qǐng)第PCT/US2007/023098號(hào)以及第PCT/US2009/042829號(hào)中所描述。為了被視為"混合物"，構(gòu)成阻障層的前述聚合材料和非聚 合材料應(yīng)在相同反應(yīng)條件下沉積和/或同時(shí)沉積。聚合材料與非聚合材料的重量比可以在 95:5到5:95范圍內(nèi)。聚合材料和非聚合材料可以由相同前體材料產(chǎn)生。在一個(gè)實(shí)例中，聚 合材料與非聚合材料的混合物基本上由聚合硅與無(wú)機(jī)硅組成。
[0045] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制造的裝置可以并入到廣泛多種電子組件模塊（或單元） 中，所述電子組件模塊可以并入到多種電子產(chǎn)品或中間組件中。此類電子產(chǎn)品或中間組件 的實(shí)例包括可以為終端用戶產(chǎn)品制造商利用的顯示屏、照明裝置（如離散光源裝置或照明 面板）等。此類電子組件模塊可以任選地包括驅(qū)動(dòng)電子裝置和/或電源。根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例制造的裝置可以并入到廣泛多種消費(fèi)型產(chǎn)品中，所述消費(fèi)型產(chǎn)品具有一或多個(gè)電子組 件模塊（或單元）并入于其中。此類消費(fèi)型產(chǎn)品應(yīng)包括含一或多個(gè)光源和/或某種類型 的視覺(jué)顯示器中的一或多者的任何種類的產(chǎn)品。此類消費(fèi)型產(chǎn)品的一些實(shí)例包括平板顯示 器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、醫(yī)療監(jiān)視器、電視機(jī)、告示牌、用于內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號(hào)的燈、 平視顯示器、全透明或部分透明顯示器、柔性顯示器、激光印刷機(jī)、電話、手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、 平板手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、攝錄像機(jī)、取景器、微顯示器、3-D 顯示器、交通工具、大面積墻壁、劇院或體育館屏幕或指示牌?？梢允褂酶鞣N控制機(jī)制來(lái)控 制根據(jù)本發(fā)明制造的裝置，包括無(wú)源矩陣和有源矩陣。意圖將所述裝置中的許多裝置用于 對(duì)人類來(lái)說(shuō)舒適的溫度范圍中，如18攝氏度到30攝氏度，并且更優(yōu)選在室溫下（20到25 攝氏度），但可以在此溫度范圍外（例如-40攝氏度到+80攝氏度）使用。
[0046] 本文所描述的材料和結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于除0LED以外的裝置中。舉例來(lái)說(shuō)，如有機(jī)太 陽(yáng)能電池和有機(jī)光電檢測(cè)器的其它光電裝置可以采用所述材料和結(jié)構(gòu)。更一般來(lái)說(shuō)，如有 機(jī)晶體管的有機(jī)裝置可以采用所述材料和結(jié)構(gòu)。
[0047] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"鹵基（halo) "、"鹵素"或"鹵基（halide)"包括氟、氯、溴以 及碘。
[0048] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"烷基"涵蓋直鏈和支鏈烷基。優(yōu)選的烷基是含有一到十五個(gè) 碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基等。另外，烷基可以 是任選地被取代的。
[0049] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"環(huán)烷基"涵蓋環(huán)狀烷基。優(yōu)選的環(huán)烷基是含有3到7個(gè)碳原 子的環(huán)烷基，并且包括環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。另外，環(huán)烷基可以是任選地被取代的。
[0050] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"烯基"涵蓋直鏈和支鏈烯烴基團(tuán)。優(yōu)選的烯基是含有二到 十五個(gè)碳原子的烯基。另外，烯基可以是任選地被取代的。
[0051] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"炔基"涵蓋直鏈和支鏈炔烴基團(tuán)。優(yōu)選的炔基是含有二到 十五個(gè)碳原子的炔基。另外，炔基可以是任選地被取代的。
[0052] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"芳烷基"或"芳基烷基"可互換使用并且涵蓋具有芳香族基 團(tuán)作為取代基的烷基。另外，芳烷基可以是任選地被取代的。
[0053] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"雜環(huán)基"涵蓋芳香族和非芳香族環(huán)狀基團(tuán)。芳香族雜環(huán)基也 意指雜芳基。優(yōu)選的非芳香族雜環(huán)基是含有包括至少一個(gè)雜原子的3或7個(gè)環(huán)原子的雜環(huán) 基，并且包括環(huán)胺，如嗎啉基、哌啶基、吡咯烷基等，以及環(huán)醚，如四氫呋喃、四氫吡喃等。另 外，雜環(huán)基可以是任選地被取代的。
[0054] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"芳基"或"芳香族基團(tuán)"涵蓋單環(huán)基團(tuán)和多環(huán)系統(tǒng)。多環(huán)可 以具有其中兩個(gè)碳為兩個(gè)鄰接環(huán)（所述環(huán)是"稠合的"）共用的兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)，其中所述 環(huán)中的至少一者是芳香族的，例如其它環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。 另外，芳基可以是任選地被取代的。
[0055] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)"雜芳基"涵蓋可以包括一到三個(gè)雜原子的單環(huán)雜芳香族基 團(tuán)，例如吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、吡唑、吡啶、吡嗪以及嘧啶等。術(shù)語(yǔ)雜芳基 還包括具有其中兩個(gè)