專利名稱：光半導體組件密封樹脂材料的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及無色透明的光半導體組件(photosemiconductor package)密封樹脂材料。
背景技術：
—般地,在LED (發(fā)光二極管兀件)、光敏晶體三極管、光電二極管、(XD (電荷I禹合器件)、EPROM(可擦除可編程ROM)等光半導體芯片領域中使用的組件密封的代表方式中，例如，已知有(i)將光半導體芯片2安裝于陶瓷容器1，用粘合樹脂3將透明玻璃蓋4密閉于陶瓷容器I的方式(圖1)、(ii)將光半導體芯片2安裝于陶瓷容器1，用主要由熱固性環(huán)氧組合物構成的透明光半導體組件密封樹脂材料5將該陶瓷容器I充滿，并使其固化密封的方式(圖2)、(iii)將光半導體芯片2絲焊安裝于基板6上，用透明光半導體組件密封樹脂材料5灌封，并使其固化密封的方式(圖3)。近年來，相較于圖1的方式，圖2或圖3的方式成為主流。對于這樣的光半導體組件密封樹脂材料，在密封操作，特別是灌封操作時，要求表現(xiàn)這樣的高觸變性，即，由分配器排出時表現(xiàn)低粘度，灌封后表現(xiàn)高粘度而變得難以流動。此外，對于光半導體組件密封樹脂材料的固化物，要求不隨時間變化的透明性(特別是無色透明性)。此外，由于固化物和搭載應密封的光半導體芯片的基材間的線膨脹系數(shù)的差異，有時固化物上產(chǎn)生翹曲 或裂縫，對于固化物，要求不產(chǎn)生那樣的翹曲或裂縫的性質(zhì)，即，表現(xiàn)良好的耐裂性等。此外，固化的密封樹脂材料的抑制由紫外線導致的變色和抑制機械性能的劣化成為緊迫的問題。以解決這些問題為目的，提出了將苯甲酸酚酯類等特定的芳香族化合物配合于構成光半導體組件密封樹脂材料的固化性環(huán)氧組合物中(專利文獻I)。專利文獻1:日本特開平2003-64243號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題可是，在專利文獻I的情況，對于固化性環(huán)氧組合物觸變性的改善以及固化物耐裂性的改善，沒有涉及。因此，為了改善它們的觸變性以及耐裂性，考慮如專利文獻I的實施例中所記載地，將二氧化硅之類的微細無機填充劑添加到固化性環(huán)氧組合物中?？紤]通過配合無機填充劑，組合物的觸變比增大，而且，使線膨脹系數(shù)降低，縮小與基材的線膨脹系數(shù)差異，從而使耐裂性提高。然而，當固化性環(huán)氧組合物中配合了二氧化硅微粒之類的微細無機填充劑時，一部分粒子聚集而成為粒徑較大的二級粒子，由于在其表面產(chǎn)生光反射，故有固化物的混濁度增加而透明性降低的問題。這樣，現(xiàn)狀是在以往的主要由固化性環(huán)氧組合物構成的光半導體組件密封樹脂材料的情況中，還不存在同時實現(xiàn)無色透明性、高觸變性和良好的耐裂性的材料。本發(fā)明的目的在于，解決上述以往的問題，在主要由固化性環(huán)氧組合物構成的光半導體組件密封樹脂材料上，同時實現(xiàn)良好的透明性、高觸變性和良好的耐裂性。解決問題的手段本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用疏水性蒙皂石粘土礦物來代替以往的二氧化硅粒子作為填充劑，可達成上述目的，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供光半導體組件密封樹脂材料，其為用于將光半導體芯片密封于半導體組件中的光半導體組件密封樹脂材料，其特征在于，含有熱固性環(huán)氧組合物和疏水性蒙皂石粘土礦物。此外，本發(fā)明提供光半導體裝置，其由用上述光半導體組件密封樹脂材料將光半導體芯片密封于半導體組件而成。發(fā)明效果本發(fā)明的光半導體組件密封樹脂材料使用疏水性蒙皂石粘土礦物作為填充劑。因此，將疏水性蒙皂石粘土礦物和環(huán)氧組合物分散混合而得到的分散物，表現(xiàn)良好的透明性和高觸變性，而且其固化物表現(xiàn)良好的耐裂性。就高觸變性和良好的耐裂性來說，至少表現(xiàn)和使用二氧化硅粒子的情況所得的效果相同的特性。另一方面，與使用二氧化硅粒子的情況不同，即使使用疏水性蒙皂石粘土礦物，固化物的透明性也不降低，認為其原因為如下說明的理由。

S卩，疏水性蒙皂石粘土礦物為層狀化合物，當使其分散于環(huán)氧組合物中時，將環(huán)氧化合物收入層間而溶脹，成為“環(huán)氧-粘土礦物分散體”，形成溶膠。因此，認為疏水性蒙皂石粘土礦物在分散物中不以單獨的粒子而存在，入射到分散物中的光不被“環(huán)氧-粘土礦物分散體”反射而透過。然后，若維持該狀態(tài)不變，使含有“環(huán)氧-粘土礦物分散體”的光半導體組件密封樹脂材料固化，則固化物也可維持無色透明性。


圖1為在光半導體芯片領域使用的組件密封的代表方式的截面圖。圖2為在光半導體芯片領域使用的組件密封的另一方式的截面圖。圖3為在光半導體芯片領域使用的組件密封的又一方式的截面圖。符號說明I陶瓷容器2光半導體芯片3粘合樹脂4透明玻璃蓋5光半導體組件密封樹脂材料6 基板
具體實施方式
本發(fā)明的光半導體組件密封樹脂材料，是用于將光半導體芯片密封于半導體組件中的材料，其特征在于，含有熱固性環(huán)氧組合物和疏水性蒙皂石粘土礦物。這里，作為光半導體芯片，可列舉具有發(fā)光或受光功能的半導體芯片，具體而言，可列舉LED(發(fā)光二極管元件)、光敏晶體三極管、光電二極管、CXD (電荷耦合器件)、EPR0M(可擦除可編程ROM)。此外，可使用與以往的光半導體組件相同的組件。蒙皂石粘土礦物是下述無機化合物，其具有層狀結構，所述層狀結構具有溶脹性，具體而言，該無機化合物具有硅酸四面體-氧化鋁八面體-硅酸四面體(3層)堆積為層狀的結構。該粘土礦物具有負電荷，為保持電中性，在層間保持有鈉離子或鈣離子等陽離子，或水分子。該狀態(tài)的蒙皂石粘土礦物為親水性。作為蒙皂石粘土礦物，可列舉被稱為膨潤土、皂石、鋰蒙脫石、蛭石、富鎂蒙脫石、帶云母、蒙脫土(montmoriI1nite)、綠脫石(nontronite)等的物質(zhì)。它們通過進入到四面體、八面體陽離子位置的原子不同來區(qū)別。它們可使用天然物，也可使用人造物。其中，可優(yōu)選使用在可見光區(qū)域幾乎沒有光吸收，可提供無色透明固化物的鋰蒙脫石。此外，親水性蒙皂石粘土礦物，層間離子鍵強度弱，因此可將大量的水分子收入層間而溶脹。親水性蒙皂石粘土礦物分散、溶脹于水中而得的分散液，形成溶膠，并透光。此夕卜，由于層間離子鍵的鍵強度弱，故可將鈉離子等陽離子，用離子性有機化合物(例如，四(十二烷基)溴化銨、四(十八烷基)溴化銨、二甲基十八烷基氯化銨等烷基鹵化銨、二甲基十四烷基胺等烷基胺等)進行離子交換(插層反應)。如此將離子性有機物插入于層間時，蒙皂石粘土礦物表面的極性變小(或變?yōu)榉菢O性)，因此蒙皂石粘土礦物被疏水化。經(jīng)疏水化的蒙皂石粘土礦物，可分散并溶脹于各種有機溶劑中。此外，疏水性蒙皂石粘土礦物的在光半導體組件密封樹脂材料中的含量，考慮到疏水性蒙皂石粘土礦物中的烷基銨離子、烷基胺離子作為促進固化性環(huán)氧組合物固化的固化促進劑發(fā)揮功能這點，若過少則不能發(fā)揮催化劑功能，固化不進行(未固化)，若過多則固化物的透光率降低，因此，優(yōu)選為I 10質(zhì)量％，更優(yōu)選為2 7質(zhì)量％、特別優(yōu)選為2.5
5.5質(zhì)量％。本發(fā)明的構成光半導體組件密封樹脂材料的熱固性環(huán)氧組合物包括環(huán)氧單體、環(huán)氧低聚物、環(huán)氧預聚物等環(huán)氧化合物，以及用于使其固化的固化劑。本發(fā)明中，作為環(huán)氧化合物，從確保透明性(特別是無色透明性)的觀點考慮，優(yōu)選分子內(nèi)不存在雙鍵的環(huán)氧化合物，特別優(yōu)選使用脂環(huán)式環(huán)氧化合物和/或氫化芳香族環(huán)氧化合物。作為脂環(huán)式環(huán)氧化合物，可列舉3，4-環(huán)氧環(huán)己烯基甲基-3'，4'-環(huán)氧環(huán)己烯甲酸酯或2，2-雙(羥甲基)-1_ 丁醇、1，2-環(huán)氧-4-2(環(huán)氧乙烷基)環(huán)己烷加成物等。作為氫化芳香族環(huán)氧化合物，可列舉氫化雙酚A型環(huán)氧化合物、氫化雙酚F型環(huán)氧化合物等。其中，從耐熱光透過性這點考慮，可優(yōu)選使用3，4-環(huán)氧環(huán)己烯基甲基-3' ,4/ -環(huán)氧環(huán)己烯甲酸酯或氫化雙酚A型環(huán)氧化合物。熱固性環(huán)氧組合物的總樹脂成分(樹脂以及固化成為樹脂的成分的合計)中的脂環(huán)式環(huán)氧化合物以及氫化芳香族環(huán)氧化合物的總含量，若過少則固化物的透光率變低，若過多則耐裂性變低，因此，優(yōu)選為50 95質(zhì)量％，更優(yōu)選為70 95質(zhì)量％，特別優(yōu)選為75 95質(zhì)量％。作為固化劑， 從確保固化物的透明性的觀點考慮，優(yōu)選分子內(nèi)不存在雙鍵的固化齊U，特別優(yōu)選脂環(huán)式或脂肪族酸酐。作為脂環(huán)式酸酐，可列舉六氫鄰苯二甲酸酐或甲基-六氫鄰苯二甲酸酐等。作為脂肪族酸酐，可列舉十二烯基琥珀酸酐。其中，從耐熱透光性這點考慮，可優(yōu)選使用甲基-六氫鄰苯二甲酸酐。
酸酐固化劑的熱固性環(huán)氧組合物中的配合量，由環(huán)氧化合物的量聯(lián)動地決定。具體而言，相對酸酐固化劑的酸酐當量，熱固性環(huán)氧組合物中含有的環(huán)氧化合物的環(huán)氧當量比例，若過少則吸濕性降低，若過多則耐熱光透過性以及吸濕性降低，因此，優(yōu)選以0.85
1.15、更優(yōu)選以0.9 1.05的量進行配合。應予說明，當使用多種酸酐固化劑和多種環(huán)氧化合物時，優(yōu)選使相對全體酸酐當量的環(huán)氧當量比例，與相對任意酸酐固化劑的酸酐當量的任意環(huán)氧化合物的環(huán)氧當量的比例一致。對于熱固性環(huán)氧組合物，為了改良光半導體組件密封樹脂材料的粘合力和彈性，可配合聚氨酯樹脂或丙烯酸樹脂。聚氨酯樹脂是使多元醇和多異氰酸酯反應而得的物質(zhì)，作為多元醇，可列舉聚碳酸酯二醇或聚烴基脂肪酸酯等。作為丙烯酸樹脂，可列舉丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸2-乙基己酯等的均聚物或共聚物，它們透明性高，耐候性也優(yōu)異，因此優(yōu)選。將這類聚氨酯樹脂配合于熱固性環(huán)氧組合物中時，若過少則得不到添加效果，若過多則耐熱光透過性降低，因此熱固性環(huán)氧組合物的總樹脂成分(樹脂以及固化成為樹脂的成分的合計)中優(yōu)選I 10質(zhì)量％，更優(yōu)選5 10質(zhì)量％。此外，當將丙烯酸樹脂配合于熱固性環(huán)氧組合物中時，若過少則得不到添加效果，若過多則耐熱光透過性降低，因此優(yōu)選5 20質(zhì)量％，更優(yōu)選10 15質(zhì)量％。應予說明，當并用聚氨酯樹脂和丙烯酸樹脂時，若過少則得不到添加效果，若過多則耐熱光透過性降低，因此，優(yōu)選I 20質(zhì)量％，更優(yōu)選5 10質(zhì)量％。對于熱固性環(huán)氧組合物，可進一步配合公知的固化促進劑，例如，季銨鹽、1，8_ 二氮雜雙環(huán)[5.4.0] i^一碳-7-烯(DBU)-對甲苯磺酸鹽、有機膦等。此外，可配合捕捉固化物的劣化過程中生成的自由基(R00 )的自由基鏈抑制劑等初級抗氧化劑(一次酸化防止剤)，例如，酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑等?？膳浜喜蹲讲环€(wěn)定過氧化物(ROOH)，并將其積極地分解，使之變化成穩(wěn)定化合物的過氧化物分解劑等二級抗氧化劑(二次酸化防止剤)，例如，離子系抗氧化劑、磷系抗氧化劑等。進一步地，對于熱固性環(huán)氧組合物，根據(jù)固化物的用途等，可配合公知的紫外線吸收劑、偶聯(lián)劑、阻燃劑等。本發(fā)明的光半導體組件密封樹脂材料可按照通常方法，將含有上述成分的熱固性環(huán)氧組合物和疏水性蒙皂石粘土礦物均勻地混合而制備。在所得光半導體組件密封樹脂材料中，疏水性蒙皂石粘土礦物，將環(huán)氧化合物收入層間而溶脹成為“環(huán)氧-粘土礦物分散體”，并形成溶膠。特別地，在需要無色透明性時，“環(huán)氧-粘土礦物分散體”的粘土礦物能帶間隙優(yōu)選比可見光吸收能還大。具體而言，優(yōu)選3.3eV以上。此外，“環(huán)氧-粘土礦物分散體”中的粘土礦物的濃度，若過少則得不到耐裂性(柔軟性)，若過高則粘土礦物析出，全體變?yōu)榘咨蚵詭S色，因此，優(yōu)選I 10質(zhì)量％，更優(yōu)選2 7質(zhì)量％。本發(fā)明的光半導體組件密封樹脂材料，可優(yōu)選適用于光半導體裝置。所述光半導體裝置也是本發(fā)明的一部分。這樣的光半導體裝置，具體而言，是用光半導體組件密封樹脂材料將光學用半導體芯片密封于半導體組件而成的裝置，可采取例如圖2、圖3所示的結構。除了使用本發(fā)明的光半導體組件密封樹脂材料作為密封樹脂之外，可采用與以往的光半導體裝置相同的構成。實施例下面，通過實施例更具體地說明本發(fā)明。參考例I(使用疏水性鋰蒙脫石的環(huán)氧-粘土礦物分散體的制備)將合成蒙皂石即鋰蒙脫石(斤一七 >夕4卜SEN，- 一 7。夕^力斤社)5g加入到甲苯IOOg中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。應予說明，鋰蒙脫石的化學式用Naa 33 (Mg2.67Li0.33) Si4O10 (OH) 2表示，使用的疏水性鋰蒙脫石為層間插入聚氧乙烯或烷基甲基銨離子的鋰蒙脫石。
·
將所得粘土礦物分散液添加到預先將液狀的氫化雙酚A型環(huán)氧化合物(YX8000，夕\ 二> y' >社)45g分散到二甲基甲酰胺IOOg中而得的環(huán)氧分散液中，在室溫下攪拌24小時，得到無色透明的環(huán)氧分散液。通過用蒸發(fā)器減壓濃縮所得環(huán)氧分散液，得到“環(huán)氧-粘土礦物分散體”。該分散體中的粘土礦物的濃度為10質(zhì)量％。參考例2(使用疏水性膨潤土的環(huán)氧-粘土礦物分散體的制備)將合成蒙皂石即膨潤土(工X > NX、* 一夕二 >社)5g加入到甲苯IOOg中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。應予說明，膨潤土的化學式，根據(jù)合成條件不同而改變，但一般用NaciH6CacH66(MgcH66Ali34) Si8O20(OH)4表不,使用的疏水性膨潤土為層間插入三辛基銨離子的膨潤土。將所得粘土礦物分散液添加到預先將液狀的氫化雙酚A型環(huán)氧化合物(YX8000，夕\ 工> ''J >社)45g分散到甲苯IOOg中而得的環(huán)氧分散液中，在室溫下攪拌24小時，得到無色透明的環(huán)氧分散液。通過用蒸發(fā)器減壓濃縮所得環(huán)氧分散液，得到“環(huán)氧-粘土礦物分散體”。該分散體中的粘土礦物的濃度為10質(zhì)量％。參考例3(使用親水性鋰蒙脫石的環(huán)氧-粘土礦物分散體的制備)將合成蒙皂石即鋰蒙脫石(斤一七 >夕4卜SWN，- 一 ^力斤社)Ig加入到超純水99g中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。應予說明，鋰蒙脫石的化學式用Naci 33(Mg2 67Lici 33)Si4Oltl(OH)2表示,使用的親水性鋰蒙脫石為層間插入鈉尚子和水分子的鋰蒙脫石。一邊攪拌所得粘土礦物分散液，一邊在室溫下以0.5ml/秒的速度向其中滴加將十四烷基溴化銨Ig分散到乙醇7g中而得的乙醇分散液。在室溫下繼續(xù)攪拌6小時，然后，通過65 y m篩網(wǎng)過濾器減壓過濾混合液，將過濾器上收集的經(jīng)疏水化的粘土礦物在100°C下干燥I小時，粉碎所得干燥物，得到粉末狀的疏水性蒙皂石粘土礦物。將所得疏水性蒙皂石粘土礦物5g加入到甲基乙基酮IOOg中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。
將所得粘土礦物分散液添加到預先將液狀的氫化雙酚A型環(huán)氧化合物(YX8000， ^ A >二 V > >社)458分散到甲基乙基酮IOOg中而得的環(huán)氧分散液中，在室溫
下攪拌24小時，得到無色透明的環(huán)氧分散液。通過用蒸發(fā)器減壓濃縮所得環(huán)氧分散液，得到“環(huán)氧-粘土礦物分散體”。該分散體中的粘土礦物的濃度為10質(zhì)量％。參考例4(使用親水性蒙脫土的環(huán)氧-粘土礦物分散體的制備)將合成蒙皂石即蒙脫土(夕二 7* F、夕二 S才、工業(yè)社)Ig加入到超純水99g中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。應予說明，蒙脫土的化學式用Na0.66 (Mga66Al3.34) Si8O20 (OH) 4表不，使用的未水性蒙脫土為層間插入Na尚子和水分子的裡蒙脫石。一邊攪拌所得粘土礦物分散液，一邊在室溫下以0.5ml/秒的速度向其中滴加將十四烷基溴化銨Ig分散到乙醇7g中而得的乙醇分散液。在室溫下繼續(xù)攪拌6小時，然后，通過65 y m篩網(wǎng)過濾器減壓過濾混合液，將過濾器上收集的經(jīng)疏水化的粘土礦物在100°C下干燥I小時，粉碎所得干燥物，得到粉末狀的疏水性蒙皂石粘土礦物。將所得疏水性蒙皂石粘土礦物5g加入到甲基乙基酮IOOg中，在室溫下攪拌6小時使其分散，得到粘稠的粘土礦物分散液。將所得粘土礦物分散液添加到預先將液狀的氫化雙酚A型環(huán)氧化合物(YX8000， ^ A >二 V > >社)458分散到甲基乙基酮IOOg中而得的環(huán)氧分散液中，在室溫
下攪拌24小時，得到無色透 明的環(huán)氧分散液。通過用蒸發(fā)器減壓濃縮所得環(huán)氧分散液，得到“環(huán)氧-粘土礦物分散體”。該分散體中的粘土礦物的濃度為10質(zhì)量％。實施例1 5以及比較例1、2通過均勻混合表I所示的配合的成分，在150°C下加熱2小時，由此得到提供透明固化物的光半導體組件密封樹脂材料。關于所得密封樹脂材料，進行以下的評價試驗(a) (i)。所得結果示于表I。 ((a)樹脂性狀評價試驗)為了評價密封樹脂材料的觸變性，使用流變儀( > 卜^卜> ^ RS-150，HAAKE社)測定密封樹脂材料的粘度(測定環(huán)境條件:25°C，使用平行板，間隙0.052mm,頻率0.6 600s-1)。觸變指數(shù)值(TI值)為，將10s—1下測定的粘度除以Is—1下測定的粘度而得的值。((b)固化特性評價試驗)評價密封樹脂材料的凝膠時間和消粘時間。對于凝膠時間，在加熱到150°C的加熱板上放Imm厚的玻璃基板，測定從向該玻璃基板上滴加密封樹脂材料，直到凝膠化(固化)開始為止的時間(凝膠時間)。同時，就那樣使其固化，測定用手指碰觸表面，材料不粘附在手指上，拉不出絲的時間(消粘時間)。((C)物性評價試驗:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和線膨脹系數(shù))使用熱機械分析裝置(TMA/SS6000，七^ X > >社)測定固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和線膨脹系數(shù)。制作密封樹脂材料的固化物的塊狀體(直徑5mm，高15mm的圓柱體)，并以將該塊狀體用4.9mN進行壓縮的方式來測定。設定升溫速度為10°C /分鐘。
((d)物性評價試驗:基板的翹曲)在0.2mm厚的玻璃環(huán)氧基板(60mm見方)的邊緣部分，貼上Imm厚、5mm寬的有機硅框，滴加密封樹脂材料到該框內(nèi)成為Imm的厚度，并使其固化。而后測定基板的四角的浮起程度，評價基板的翹曲。((e)物性評價試驗:耐裂性)將用于基板的翹曲評價而制作的樣品，放置于30°C /60%RH、192小時(JEDEC級別3)的吸濕環(huán)境中，然后通過max260°C的回流槽(U 7 口一槽)10秒鐘，進一步地，在_40°C與125°C之間的溫度下加入到冷熱循環(huán)試驗槽中(I循環(huán)為，_40°C下30分鐘、125°C下30分鐘的合計I小時)。在通過回流槽時，以及在冷熱循環(huán)試驗(1000循環(huán))后，目視觀察固化物
是否產(chǎn)生裂縫。 ((f)物性評價試驗:對于450nm光的初始透光率)
使密封樹脂材料固化成IOmm見方、Imm厚的板狀，使用分光光度計(U-3300Spectro Photometer,日立7、4 f7 口 9一文'社)測定固化物的對于450nm光的
初始透光率。((g)物性評價試驗:濁度)使用混池計(2 80Color Measuring System,日本電色工業(yè)社)測定初始透光率評價試驗中使用的板狀固化物的濁度。具體而言，通過將該測定得到的散射光透光率的值除以全光線透光率的值算出。((h)物性評價試驗:耐熱、耐濕透光率)使用分光光度計(U-3300SpectroPhotometer,日立7、4 f ^ 口 '7'—文'社)測定使密封樹脂材料固化而得的剛固化的固化物對于450nm光的初始透光率。然后，加入到回流槽中，重復3次(每次10秒鐘)最高260°C的溫度曲線(profile)的熱處理。然后，將樣品放入到保持于130°C的烘箱或保持于85°C /85%RH的烘箱中。而后經(jīng)過1000小時后，取出樣品，再次測定透光率。((i)物性評價試驗:耐熱、耐光透光率)使用分光光度計(U-3300SpectroPhotometer,日立7、4 f ^ 口 '7'—文'社)測定使密封樹脂材料固化而得的剛固化的固化物對于450nm光的初始透光率。然后，加入到回流槽中，重復3次(每次10秒鐘)最高260°C的溫度曲線的熱處理。然后，對樣品使用褪色計(7力試驗機社)，進行紫外線褪色試驗(30W/m2，380nm峰值波長光源，60°C ) 100小時，再次測定透光率。[表 I]
權利要求
1.光半導體組件密封樹脂材料，其為用于將光半導體芯片密封于半導體組件中的光半導體組件密封樹脂材料，其特征在于， 含有熱固性環(huán)氧組合物和疏水性蒙皂石粘土礦物， 所述疏水性蒙皂石粘土礦物的含量為fio質(zhì)量％， 光半導體組件密封樹脂材料的觸變性為4.4-5.5的范圍。
2.根據(jù)權利要求1所述的光半導體組件密封樹脂材料，所述疏水性蒙皂石粘土礦物是使親水性蒙皂石粘土礦物與烷基鹵化銨發(fā)生插層反應而進行疏水化得到的。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體組件密封樹脂材料，所述蒙皂石粘土礦物為膨潤土、皂石、鋰蒙脫石、蛭石、富鎂蒙脫石、帶云母、蒙脫土或綠脫石。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體組件密封樹脂材料，所述熱固性環(huán)氧組合物含有脂環(huán)式環(huán)氧化合物和/或氫化芳香族環(huán)氧化合物、以及酸酐固化劑。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體組件密封樹脂材料，所述熱固性環(huán)氧組合物的總樹脂成分中的脂環(huán)式環(huán)氧化合物和氫化芳香族環(huán)氧化合物的總含量為5(T95質(zhì)量％。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體組件密封樹脂材料，相對酸酐固化劑酸酐當量，熱固性環(huán)氧組合物中所含的環(huán)氧化合物的環(huán)氧當量比例為0.85^1.15。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體組件密封樹脂材料，所述熱固性環(huán)氧組合物的總樹脂成分中的聚氨酯樹脂和/或丙烯酸樹脂的總含量為廣20質(zhì)量％。
8.光半導體裝置，其由用根據(jù)權利要求廣7中任一項所述的光半導體組件密封樹脂材料將光半導體芯片密封于半 導體組件而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及光半導體組件密封樹脂材料。用于將光半導體芯片密封于半導體組件中的光半導體組件密封樹脂材料，包含熱固性環(huán)氧組合物和疏水性蒙皂石粘土礦物。所述疏水性蒙皂石粘土礦物是使親水性蒙皂石粘土礦物與烷基鹵化銨發(fā)生插層反應而進行疏水化得到的物質(zhì)。所述蒙皂石粘土礦物可列舉膨潤土、皂石、鋰蒙脫石、蛭石、富鎂蒙脫石、帶云母、蒙脫土或綠脫石。
文檔編號C08K3/34GK103194043SQ20131012512
公開日2013年7月10日 申請日期2008年12月8日 優(yōu)先權日2007年12月14日
發(fā)明者馬越英明 申請人:索尼化學&信息部件株式會社