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一種鈣鈦礦型化合物的制備方法

文檔序號:9761425閱讀:1048來源:國知局
一種鈣鈦礦型化合物的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域,尤其是涉及一種鈣鈦礦型化合物的制備方法,具體是 公開制備三鹵錫銫的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 最早發(fā)現(xiàn)的鈣鈦礦是一類陶瓷氧化物,其分子通式為AB03,呈立方體或八面體晶 形。此類氧化物存在于鈣鈦礦石中的鈦酸鈣CaTi03化合物,因此而得名。由于這類化合物 結(jié)構(gòu)上有許多特性,在凝聚態(tài)物理方面應(yīng)用及研究甚廣。
[0003] 三鹵錫銫是一類鈣鈦礦型的無機化合物,它是三碘錫銫(CsSnI3)及其類似物的 統(tǒng)稱,三碘錫銫CsSnI3的類似物主要為三溴錫碘CsSnBr3、三氯錫碘CsSnC13以及混合型的 三鹵錫碘(CsSnBr2I、CsSnBr2Cl、CsSnI2Br,等)。研究表明,三鹵錫銫CsSnX3(X代表C1、 Br或I)不僅具有新穎的相變性質(zhì),而且也具有十分獨特的光電性質(zhì)和用途,尤其在半導(dǎo) 體、光致發(fā)光以及新型太陽能電池上具有十分廣闊的應(yīng)用前景。
[0004] 三鹵錫銫在新型太陽能電池上的研究和應(yīng)用主要是以三碘錫銫CsSnI3為主。近 年來的研究表明,三碘錫銫CsSnI3不僅是一類新穎的相變材料,而且也是一類優(yōu)良的光電 化合物[J. Am. Chem. Soc. 2012,134,8579-8587]。它共有 4 個晶相,即 Β-α 相、Β-β 相、Β-γ 相以及Υ相,其中,在室溫下,有2個晶相能夠穩(wěn)定存在,即Υ相和Β-γ相。Υ相的CsSnI3 是黃色的,Β-γ相的CsSnI3是黑色的。CsSnI3的Y相和Β-γ相在一定的條件下可以實現(xiàn) 互變,即黑色的Βι相可以通過黃色的Y相加熱到450K左右經(jīng)過相變得到的,黃色的Y相 可以通過黑色的B-γ相暴露在空氣中1小時得到的。CsSnI3的B-γ相化合物不僅具有全 光譜吸收的能力,高的電導(dǎo)率和空穴遷移率,而且也具有非常適合太陽能電池所需要的能 帶1.3eV-1.4 eV,另外,這類化合物還具有在有機溶劑中具有高的溶解能力,其薄膜可以通 過溶液法采用低成本的旋涂或浸泡工藝制得。正因為如此,三碘錫銫CsSnI3及其類似物在 新型全固態(tài)太陽能電池上,表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,在全固態(tài)電池結(jié)構(gòu)下其光電轉(zhuǎn)換效率 高達10%,并且發(fā)展態(tài)勢十分看好。
[0005] 目前三鹵錫銫CsSnX3(X代表Cl、Br或I)的合成方法有固相法和液相法,其中固 相法是采用SnX2 (X代表Cl、Br或I)固體和CsX(X代表Cl、Br或I)固體按照等當(dāng)量比混合 并在高真空下450度或550度下反應(yīng)30-60分鐘,液相法是采用Sn固體和CsX(X代表C1、 Br或I)固體于新蒸饋的氫鹵酸(HCl、HBr或HI)中并在氮氣保護下回流得到的[Journal of Solid State Chemistry, 1974,9, 308-314]。然而,無論是固相法還是液相法,都容易 產(chǎn)生出一種四價錫的雜質(zhì)化合物Cs2SnX6 (X代表Cl、Br或I) [J. Am. Chem. Soc. 2012,134, 8579-8587]。由于Cs2SnX6(X代表Cl、Br或I)不具有優(yōu)良的光電和相變性質(zhì),因此在 CsSnX3(X代表Cl、Br或I)的制備與純化過程中必須設(shè)法避免或去除該物質(zhì)的生成。產(chǎn)生 Cs2SnX6的原因主要是由于反應(yīng)體系中的SnX4 (X代表Cl、Br或I)與CsX反應(yīng)生成而來的, 而SnX4的來源主要是由于:許多商品化原料中SnX2未經(jīng)高純處理,含有少量的SnX4 ;在 液相法反應(yīng)中,SnX2與反應(yīng)溶劑(HX酸)經(jīng)過長時間的回流并產(chǎn)生少量的X2反應(yīng)生成了 SnX4。為了避免SnX4的生成,固相法的制備方法一般是采用高純的SnX2作為原料,并且在 反應(yīng)前對SnX2進行重復(fù)數(shù)次的高溫高真空熔融純化處理,以達到完全去除SnX4的目的,顯 然這種做法不僅材料成本較高,而且十分費時,大大增加了材料和生產(chǎn)成本;而對于液相法 的制備方法而言,即使采用高純SnX2而不可避免地產(chǎn)生SnX4(由于SnX2與反應(yīng)過程中產(chǎn) 生的少量X2反應(yīng)生成了 SnX4),因此,在CsSnX3的液相法制備方法中,目前尚未見到有效 地避免生成Cs2SnX6(X代表Cl、Br或I)的制備方法或者去除Cs2SnX6(X代表Cl、Br或I) 的純化方法的文獻報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決目前三鹵錫銫CsSnX3(X代表Cl、Br或I)制備方法存在著原料價格昂 貴、工藝條件苛刻問題、產(chǎn)品不純且難以分離問題,本發(fā)明的第一個目的在于提出了一種 "四步法"的制備方法。該方法無需利用高純的原料和苛刻的純化工藝,就可以得到高質(zhì)量 的產(chǎn)品,且工藝簡單,不僅可以適合用于實驗室制備,也適合用于工業(yè)化批量生產(chǎn)。另外, 本發(fā)明的第二個目的在于,由于本發(fā)明涉及的三鹵錫銫CsSnX3 (X代表Cl、Br或I)對空氣 的濕氣比較敏感,而且它的用途主要是以溶液的形式,因此本發(fā)明還提出了一種三鹵錫銫 CsSnX3 (X代表Cl、Br或I)液體的制備和密封保存方法。
[0007] 本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0008] 首先將SnX2 (X代表Cl、Br或I)和CsX (X代表Cl、Br或I)按照等摩爾量混合并 在真空下一定溫度下反應(yīng)制得CsSnX3 (X代表Cl、Br或I)和Cs2SnX6 (X代表Cl、Br或I)的 混合體,然后加入少量的錫,并繼續(xù)在真空下一定溫度下反應(yīng)制得CsSnX3(X代表Cl、Br或 I)和錫的混合體,接著加入極性溶劑制得液體,過濾除去過量的不溶物錫,最后得到過濾溶 液,在惰性氣體保護下直接加熱蒸發(fā)溶劑或者減壓蒸餾除去溶劑后得到目標(biāo)高純固體,工 藝流程如下:
[0010] 以下是鈣鈦礦型化合物制備方法的詳細步驟:
[0011] (1)將SnX2和CsX按照等摩爾量混合,置于帶開關(guān)的加熱管中,抽真空下30-60分 鐘,除去管里的濕氣和空氣,在450-550°C溫度反應(yīng)30-60分鐘時間,然后控制溫度在3-6小 時內(nèi)慢慢降溫到室溫,得到黑色固體物質(zhì),該物質(zhì)為CsSnXjP Cs2SnX6的混合物,
[0012] SnX2+CsX---------CsSnX3 (I)
[0013] SnX4(少量)+2CsX--------Cs2SnX 6(少量) (II)
[0014] 式 I 和 II,X 代表 Cl、Br 或 I。
[0015] (2)將上述混合物加入少量的Sn粒或Sn粉,Sn?;騍n粉的加入量為SnX2摩爾 當(dāng)量的10-50 %,在真空的加熱管中于450-550°C反應(yīng)30-60分鐘,然后在3-6小時內(nèi)慢慢 降溫到室溫,得到黑色固體,該黑色固體為CsSnX 3&過量的Sn ;
[0016] CsSnX3+Sn(過量)------不反應(yīng) (III)
[0017] Cs2SnX6 (少量)+Sn (過量)--2CsSnX3+Sn (過量) (IV)
[0018] 式III和IV中的X代表Cl、Br或I。
[0019] (3)將得到的CsSnXjP Sn的混合固體溶于極性溶劑中,然后用微孔過濾膜過濾除 去過量的Sn,得到了 CsSnX3的黃色透明液體;
[0020] (4)將CsSnX3的黃色透明液體經(jīng)過減壓蒸餾除去溶劑或者在惰性氣體保護下加熱 蒸干溶劑,得到高純CsSnX 3固體,即為產(chǎn)品。
[0021] 其中的X為Cl、Br或I。
[0022] 步驟(1)中SnX2的純度為大于98wt%,抽真空后加熱管中的真空度小于10 5Pa。
[0023] 步驟⑵中加熱管中的真空度小于10 5Pa。
[0024] 步驟(3)中,極性溶劑選自N,N_二甲基亞砜、N,N_二甲基甲酰胺、N,N_二甲基乙 酰胺或乙腈中的一種或幾種;微孔過濾膜為有機系的微孔過濾膜,孔徑范圍為〇. 1微米-1 微米,利用微孔過濾膜對溶解有CsSnX3和Sn的混合固體的極性溶劑至少過濾1次;制備得 到的黃色透明液體在室溫下避光密封保存。
[0025] 作為優(yōu)選的實施方式,極性溶劑為經(jīng)過干燥劑干燥或者重新蒸餾的無水溶劑,采 用的干燥劑為無水硫酸鎂或分子篩;微孔過濾膜孔徑范圍〇. 〇微米-1. 〇微米,對溶解有 Sn的混合固體的溶液或懸浮液過濾兩次;制備得到的黃色透明液體在在干燥的 惰性氣體保護下保存。
[0026] 步驟(4)中減壓蒸餾方法和惰性氣體下蒸干方法,既可以單獨進行,也可以聯(lián)用 進行,即先進行減壓蒸餾,后再在惰性氣體中加熱進行,兩者的順序可以對調(diào),但優(yōu)選的方 法為先減壓蒸餾;所述的溶劑蒸干,應(yīng)結(jié)合檢驗方法為HNMR分析,確保固體中無任何溶劑 殘余;所述的目標(biāo)產(chǎn)物為固體,顏色與產(chǎn)物有關(guān),CsSnI 3的顏色為黑色,CsSnBr3的顏色為黑 色,CsSnCl3的顏色為黃色;所述的產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)和組成可以通過XRD分析來確定。
[0027] 制備得到的高純CsSnX3固體在濕度低于20 %的干燥環(huán)境下溶解于溶劑中,超聲直 至完全溶解,溶液濃度為質(zhì)量分?jǐn)?shù)10% -50%,并采用多重密封技術(shù)進行密封。
[0028] 溶解高純CsSnX3固體時在空氣或氮氣、氬氣的保護范圍下進行;
[0029] 采用的溶劑為極性溶劑,選自N,N_二甲基亞砜、N,N_二甲基甲酰胺、N,N_二甲基 乙酰胺或乙腈中的一種或幾種,經(jīng)過干燥劑干燥或者經(jīng)過重新蒸餾;
[0030] 所述的多重密封技術(shù)通過一個多重密封裝置或容器實現(xiàn),包含一個多重密封蓋和 一個容器瓶,所述的多重密封蓋結(jié)構(gòu)主要包括第一層密封墊、第二層密封墊和第三層密封 蓋,其中,第一層密封墊位于密封蓋的底部,且三者連為一體,所述的容器瓶中充入惰性氣 體、液體或固體對盛裝的高純CsSnX 3溶液進行密封保護。
[0031] 第一層密封墊位于密封蓋最下方,其材質(zhì)為對溶劑惰性的高分子材料,優(yōu)選的材 料有特富龍聚合物、聚烯烴聚合物、聚酯聚合物;第二層密封墊位于第一層密封墊上,其材 質(zhì)為對溶劑惰性的高分子材料,優(yōu)選的材料有特富龍聚合物、聚烯烴聚合物、聚酯聚合物; 第三層密封蓋位于第二層密封墊上并
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