技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氧化鎵單晶閃爍體的制備方法，其為中高壓導模法，具體包括以下步驟：(1)取β?Ga2O3粉末等靜壓壓制成型，燒結(jié)，再放入導模爐鉑銠合金坩堝內(nèi)，同時，取β?Ga2O3籽晶放入籽晶夾具內(nèi)；(2)導模爐內(nèi)抽真空后，通入高純空氣至7～12bar，緩慢感應加熱鉑銠合金發(fā)熱裝置至原料完全熔化，恒溫；(3)繼續(xù)升溫，下降籽晶并進行烤籽晶，然后將籽晶充分接觸模具刃口處熔體，依次開始高溫引晶、縮頸、放肩生長、等徑生長；(4)晶體生長結(jié)束后，脫模，冷卻，即得到目的產(chǎn)物氧化鎵單晶閃爍體。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明消除了氧化鎵晶體中的多晶、攣晶、開裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰減成分的發(fā)光，能夠獲得高光輸出、快衰減氧化鎵單晶閃爍體等。

技術研發(fā)人員：唐慧麗;劉波;徐軍;羅平;何諾天;李秋;郭超
受保護的技術使用者：同濟大學
技術研發(fā)日：2017.05.05
技術公布日：2017.09.19