本實用新型涉及一種用于調(diào)整區(qū)熔爐二次夾持塊角度的裝置。

背景技術(shù)：

硅單晶體作為一種半導體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件。區(qū)熔法生長單晶硅是一種重要的方法。區(qū)熔法是一種簡單的物理過程，在一定的條件下，經(jīng)過高頻區(qū)域熔化，然后從籽晶方向引出單晶硅，這種方法就是區(qū)熔方法，區(qū)熔方法包括以下步驟：將籽晶和多晶硅對中，抽真空，通氬氣，預熱，縮細頸，放肩，等徑，投一次夾持，二次夾持，收尾，停爐。

現(xiàn)有的夾持裝置通過定位孔固定二次夾持塊的角度，使其倚靠在二次夾持塊檔桿上。其缺點在于：無法調(diào)節(jié)二次夾持塊的角度，其衍生的技術(shù)缺陷有以下幾點：

1、生產(chǎn)大直徑單晶時，由于受空間所限，單晶與二次夾持針發(fā)生剮蹭，放肩失敗。

2、生產(chǎn)工藝使用小直徑反射器時，反射器下端與二次夾持塊發(fā)生剮蹭，工藝改進無法進行。

3、生產(chǎn)工藝使用寬反射器時，反射器下端與二次夾持塊發(fā)生剮蹭，工藝改進無法進行。

綜上所述，由于現(xiàn)有夾持裝置無法調(diào)整二次夾持塊的角度，造成工藝改進無法進行。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種用于調(diào)整區(qū)熔爐二次夾持塊角度的裝置，以能夠改變二次夾持塊的角度，為區(qū)熔生產(chǎn)工藝改進提供更寬的延展性。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種用于調(diào)整區(qū)熔爐二次夾持塊角度的裝置，該裝置由二次夾持塊、二次夾持塊定位針、二次夾持塊檔桿、二次夾持立柱、鋼絲及配重塊組成；其中，二次夾持塊通過二次夾持塊定位針連接在二次夾持立柱上，二次夾持塊可以二次夾持塊定位針為中心旋轉(zhuǎn)；二次夾持塊的一端通過鋼絲連接配重塊；二次夾持塊檔桿的一端設(shè)有偏離軸心位置的偏心擋針，該二次夾持塊檔桿通過鎖母固定于二次夾持立柱；配重后二次夾持塊倚靠在二次夾持塊檔桿的偏心擋針上。

所述偏心擋針的直徑為1mm。

本實用新型的優(yōu)點在于：

本實用新型的裝置采用了一端具有偏心擋針的二次夾持塊檔桿，通過轉(zhuǎn)動二次夾持塊檔桿調(diào)節(jié)偏心擋針的位置可以改變二次夾持塊的角度，為區(qū)熔生產(chǎn)工藝改進提供更寬的延展性。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有二次夾持塊檔桿的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型的裝置中采用的二次夾持塊檔桿的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實用新型的裝置安裝在區(qū)熔爐上的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如圖3所示，本實用新型的用于調(diào)整區(qū)熔爐二次夾持塊角度的裝置由二次夾持塊1、二次夾持塊定位針2、二次夾持塊檔桿3、二次夾持立柱4、鋼絲5及配重塊6組成；其中，二次夾持塊1通過二次夾持塊定位針2連接在二次夾持立柱4上，二次夾持塊1可以二次夾持塊定位針2為中心旋轉(zhuǎn)；二次夾持塊1的一端通過鋼絲5連接配重塊6。如圖2所示，二次夾持塊檔桿3的頭部設(shè)有偏離軸心位置的直徑為1mm的偏心擋針4，尾部配有鎖母7將其固定于二次夾持立柱4；配重后二次夾持塊1倚靠在二次夾持塊檔桿的偏心擋針4上。

生產(chǎn)大直徑單晶及工藝改進前，使用工具松開二次夾持擋桿3的鎖母8，旋轉(zhuǎn)二次夾持塊檔桿3，二次夾持塊1倚靠在檔針上，當二次夾持塊1達到目標位置，備緊鎖母，依次調(diào)整2號及3號二次夾持塊，使三個夾持塊相對位置達到目標位置。調(diào)整鋼絲5長度，使配重塊6達到固定位置。

通過轉(zhuǎn)動二次夾持塊檔桿調(diào)節(jié)偏心擋針的位置可以改變二次夾持塊的角度。