專(zhuān)利名稱(chēng):二氧化錫膜溶解法的制作方法
本發(fā)明是清除附在襯底材料表面的二氧化錫透明導(dǎo)電晶體薄膜的方法。
二氧化錫晶體薄膜是一種比較理想的半導(dǎo)體薄膜，它所具有的光學(xué)電學(xué)等物理特性使之在不少技術(shù)領(lǐng)域：
得到廣泛的應(yīng)用。由于制成二氧化錫膜的工藝成品率不可能百分之百，因而必須清除非成品上的二氧化錫膜，使襯底材料或器皿得以回收使用。對(duì)于清除二氧化錫膜的方法，曾有過(guò)用強(qiáng)堿或氫氟酸、或二氧化硅腐蝕液的嘗試，但都溶解不完全，留有斑塊;襯底材料被嚴(yán)重剝蝕或留下腐蝕坑，使襯底材料不能再用。
本發(fā)明的目的是提供一種在常溫常壓下，既能迅速、完全溶解二氧化錫膜，又不腐蝕襯底材料的溶解二氧化錫膜的方法。
本發(fā)明的要點(diǎn)在于在常溫常壓下配制具有強(qiáng)酸性、還原性和絡(luò)合性的溶液，將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒(méi)于其中，適當(dāng)加熱(也可不加熱)至大量氣泡產(chǎn)生，十五分鐘后取出，迅速用純水沖凈。該溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸和鈦絲(或鈦粉)組成。濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比可以為80-95%和20-5%，以95%和5%效果最佳。鈦絲(或鈦粉)的用量以保證溶解過(guò)程中不斷產(chǎn)生氫氣為準(zhǔn)，一般每立方米溶液加入150-200千克。
本發(fā)明用于制備SIS太陽(yáng)電池時(shí)，將附有二氧化錫膜的硅片(膜的面積均為480平方厘米)置入2×10-4立方米體積比為95%的濃鹽酸和5%的濃氫氟酸溶液中，溶液中加入3×10-2千克鈦絲，處理后的硅片無(wú)二氧化錫膜，表面平整光滑，晶相顯微鏡下看不到斑點(diǎn)和腐蝕坑，用該硅片制成的太陽(yáng)電池和新硅片的性能相同。
本發(fā)明操作簡(jiǎn)便，能迅速完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料，且成本低。
權(quán)利要求
1.一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒(méi)于配制的溶液中處理15分鐘后，迅速取出沖凈，其特征在于溶液由濃鹽酸、濃氫氟酸、鈦絲(或鈦粉)組成，濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為80-95%和20-5%，鈦絲(或鈦粉)的用量為每立方米溶液150-200千克。
2.按權(quán)利要求
1所述的方法，其特征在于濃鹽酸和濃氫氟酸的用量按體積比為95%和5%。
專(zhuān)利摘要
一種溶解附在襯底材料表面的二氧化錫晶體薄膜的方法，在常溫常壓下將附有二氧化錫膜的襯底材料淹沒(méi)于配制的溶液中處理后，迅速取出用純水沖凈。該溶液由按體積比為80—95％的濃鹽酸和20—5％的濃氫氟酸以及按每立方米溶液加入150—200千克的鈦絲組成。本發(fā)明操作簡(jiǎn)便，能迅速、完全溶解二氧化錫膜，不腐蝕襯底材料且成本低。
文檔編號(hào)H01L31/18GK86100187SQ86100187
公開(kāi)日1987年7月22日 申請(qǐng)日期1986年1月10日
發(fā)明者施兆順 申請(qǐng)人:云南師范大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan