技術編號：96950
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是清除附在襯底材料表面的二氧化錫透明導電晶體薄膜的方法。二氧化錫晶體薄膜是一種比較理想的半導體薄膜，它所具有的光學電學等物理特性使之在不少技術領域得到廣泛的應用。由于制成二氧化錫膜的工藝成品率不可能百分之百，因而必須清除非成品上的二氧化錫膜，使襯底材料或器皿得以回收使用。對于清除二氧化錫膜的方法，曾有過用強堿或氫氟酸、或二氧化硅腐蝕液的嘗試，但都溶解不完全，留有斑塊;襯底材料被嚴重剝蝕或留下腐蝕坑，使襯底材料不能再用。本發(fā)明的目的是提供一種在常溫常壓下，既能迅速、完全溶解二氧化錫膜，又不腐蝕襯底材料的溶解二氧...
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