本發(fā)明涉及平板顯示領(lǐng)域，具體涉及一種IGZO成膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

目前IGZO成膜技術(shù)一般采用如下方法：在真空環(huán)境中，利用直流電源105，將通入的制程氣體101Ar解離形成等離子體102，等離子體102產(chǎn)生的Ar⁺在陰極3(IGZO靶材)和陽(yáng)極2之間的電場(chǎng)作用下作加速運(yùn)動(dòng)，具有很高速度的Ar⁺轟擊在IGZO靶材上，濺射出靶材分子103，靶材分子103附著于目標(biāo)基板104形成薄膜。以上成膜原理參考圖1。

但是在此過(guò)程中，由于陽(yáng)極分布在靶材兩側(cè)，濺射出來(lái)的靶材分子沉積在陽(yáng)極上，陽(yáng)極上的IGZO膜層逐漸變厚，形成絕緣膜。隨著絕緣膜厚度的增加，陽(yáng)極電阻增大，其電位逐漸降低，陽(yáng)極作用逐漸減弱，造成電子不能有效的導(dǎo)出，容易形成局部聚集，影響等離子體分布，降低成膜速率。此外，大量電子在未鍍膜的陽(yáng)極底部聚集，造成陽(yáng)極底部電流增大，導(dǎo)致局部熱效應(yīng)，使陽(yáng)極表面鋁熔射層燒灼，減少陽(yáng)極的使用壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種IGZO成膜設(shè)備的陽(yáng)極穩(wěn)定裝置，對(duì)陽(yáng)極添加保護(hù)隔離組件，減小生產(chǎn)時(shí)沉積在陽(yáng)極上的IGZO膜層厚度，使電子通過(guò)陽(yáng)極及時(shí)導(dǎo)出，避免電子聚集所帶來(lái)的熱效應(yīng)，延長(zhǎng)陽(yáng)極使用壽命，提高設(shè)備稼動(dòng)率，改善等離子體分布，提高成膜速率，保證膜厚均一。

技術(shù)方案：一種IGZO成膜設(shè)備的陽(yáng)極穩(wěn)定裝置，包括設(shè)置在陽(yáng)極周邊的隔離組件，所述隔離組件具有供電子導(dǎo)出陽(yáng)極的通道，隔離組件用以阻擋IGZO絕緣膜沉積在陽(yáng)極上。

進(jìn)一步，所述隔離組件為兩個(gè)相對(duì)而置且截面為C形的結(jié)構(gòu)，陽(yáng)極被保護(hù)在兩個(gè)C形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的內(nèi)部空間內(nèi)，C形的長(zhǎng)為60～64mm。

更進(jìn)一步，兩個(gè)C形隔離組件的對(duì)應(yīng)端口之間的區(qū)域?yàn)殡娮訉?dǎo)出陽(yáng)極的通道，所述通道的寬度為16～20mm。

進(jìn)一步，兩個(gè)C形隔離組件上開設(shè)分布均勻的小孔，小孔的孔徑為10～14mm。電子可通過(guò)小孔進(jìn)入陽(yáng)極，使等離子體的分布更加均勻，膜厚一致。此時(shí)，兩個(gè)C形隔離組件的對(duì)應(yīng)端口之間的區(qū)域?yàn)殡娮訉?dǎo)出陽(yáng)極的通道，所述通道的寬度為8～10mm。

進(jìn)一步，所述隔離組件為設(shè)置在陽(yáng)極正前方的截面為弧形的結(jié)構(gòu)，弧度為110～130°，可完全阻擋住濺射分子的成膜范圍。電子進(jìn)入陽(yáng)極的通道寬闊，提高成膜速率，且弧形設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)可以避免沉積在隔離組件上的膜層產(chǎn)生脫落。

更進(jìn)一步，弧形隔離組件的兩端距離靶材12～14mm，防止隔離組件距離靶材較近產(chǎn)生Arc異常放電。

進(jìn)一步，所述隔離組件的底端完全遮住陽(yáng)極底端，防止電子聚集在底部的銅塊，隔離組件的頂端低于陽(yáng)極頂端32～40mm，使高電位的陽(yáng)極遠(yuǎn)離等離子區(qū)，從而使等離子區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通電子的陽(yáng)極范圍均一，從而保證整個(gè)陽(yáng)極的電子通道均勻，防止電子聚集，并且方便安裝。

進(jìn)一步，所述隔離組件通過(guò)絕緣塊進(jìn)行固定。

進(jìn)一步，所述隔離組件沿陽(yáng)極的軸線方向分段設(shè)置，每段隔離組件的長(zhǎng)度為573～577mm，便于安裝，不易發(fā)生變形，保證循環(huán)利用。

有益效果：本發(fā)明在IGZO成膜的陽(yáng)極周邊增設(shè)隔離組件，隔離組件能有效阻擋靶材分子濺射到陽(yáng)極上，故陽(yáng)極表面維持高電位，可有效快速的導(dǎo)出電子，整個(gè)空間電子分布更加均勻，降低電子聚集所帶來(lái)的熱效應(yīng)，延長(zhǎng)陽(yáng)極使用壽命，維持陽(yáng)極穩(wěn)定，提高設(shè)備稼動(dòng)率，同時(shí)隔離組件將陽(yáng)極的底部全部遮蓋，能夠防止電子聚集在底部；此外，陽(yáng)極通過(guò)隔離組件避免了IGZO絕緣膜沉積，整個(gè)陽(yáng)極的電場(chǎng)均勻，不會(huì)造成因上下端膜層較薄所引起的中間電場(chǎng)弱兩端電場(chǎng)強(qiáng)的問(wèn)題，成膜速率穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

圖1為背景技術(shù)中IGZO真空成膜原理示意圖；

圖2為實(shí)施例1陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的截面示意圖；

圖3為實(shí)施例1陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的側(cè)面示意圖；

圖4為實(shí)施例2陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的截面示意圖；

圖5為實(shí)施例2陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的側(cè)面示意圖；

圖6為實(shí)施例3陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的截面示意圖；

圖7為實(shí)施例3陽(yáng)極穩(wěn)定裝置的側(cè)面示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。

實(shí)施例：

實(shí)施例1：如圖2～3所示的IGZO成膜設(shè)備的陽(yáng)極穩(wěn)定裝置，包括兩個(gè)隔離組件1，隔離組件1的截面均為C形，C形的長(zhǎng)為62mm，寬為18mm。兩個(gè)隔離組件1相對(duì)而置，由絕緣塊固定包圍在陽(yáng)極2的周邊，將陽(yáng)極2保護(hù)在隔離組件1形成的內(nèi)部空間中，兩個(gè)靶材3分別對(duì)應(yīng)位于隔離組件1的兩側(cè)，使C形結(jié)構(gòu)隔離設(shè)置在陽(yáng)極2和靶材3之間。隔離組件1沿陽(yáng)極2的軸向方向分5段設(shè)置，每段的長(zhǎng)度為575mm，隔離組件1的底端完全遮住陽(yáng)極2的底端4，頂端低于陽(yáng)極2頂端32mm，高于靶材3 230mm。兩個(gè)隔離組件1的端口相對(duì)，端口之間的區(qū)域?yàn)楣╇娮舆M(jìn)入陽(yáng)極2的通道，該通道的寬度為18mm。

采用本實(shí)施例的隔離組件1上機(jī)進(jìn)行單膜測(cè)試，發(fā)現(xiàn)陽(yáng)極2的壽命由400KWH延長(zhǎng)至800KWH，設(shè)備稼動(dòng)率提高10％，成膜速率的衰減率由400KWH壽命的12.3％降低至800KWH壽命的4.9％，同時(shí)產(chǎn)品良率達(dá)標(biāo)。故本發(fā)明陽(yáng)極穩(wěn)定裝置可阻擋IGZO絕緣膜沉積在陽(yáng)極2上，快速導(dǎo)通電子，降低電子聚集所帶來(lái)的熱效應(yīng)。從而，延長(zhǎng)陽(yáng)極2使用壽命，提高設(shè)備稼動(dòng)率，改善等離子體分布，穩(wěn)定成膜速率。

實(shí)施例2：與實(shí)施例1隔離組件1的結(jié)構(gòu)大致相同，所不同的是在隔離組件1上均勻的開設(shè)供電子導(dǎo)出陽(yáng)極2的小孔，小孔的孔徑為12mm，同時(shí)把隔離組件1端口之間的距離減小為9mm，如圖4～5所示。本實(shí)施例電子導(dǎo)出陽(yáng)極2的通道寬廣和均勻，使等離子體的分布更加均勻，電子及時(shí)導(dǎo)出，可進(jìn)一步穩(wěn)定成膜速率。

實(shí)施例3：本實(shí)施例陽(yáng)極穩(wěn)定裝置為截面為弧形的一個(gè)隔離組件1，如圖6～7所示，隔離組件1設(shè)置在陽(yáng)極2的正前方，與陽(yáng)極的距離保持9.5mm，而兩個(gè)靶材3位于陽(yáng)極2的兩側(cè)，隔離組件1的兩端距離靶材3的距離為12mm。本實(shí)施例隔離組件1設(shè)置為弧形，除可有效拓寬電子導(dǎo)出陽(yáng)極2的通道，使等離子體分布更加均勻；及時(shí)導(dǎo)出電子，穩(wěn)定成膜速率。另外，可以有效防止絕緣膜厚度增加時(shí)，不易出現(xiàn)膜層脫落，影響腔室環(huán)境。