施例4所述減反射膜，其區(qū)別在于，從基體層至靠近空氣界面的最外層依 次為：厚度為24. 5nm的MgF2膜層，厚度為13. 5nm的Ti02膜層，厚度為45. 5nm的MgF2膜 層，厚度為30. 5nm的Ti02膜層，厚度為17. 5nm的MgF2膜層，厚度為80. 5nm的Ti02膜層， 厚度為16. 5nm的MgF2膜層，厚度為25. 5nm的Ti02膜層，厚度為105. 5nm的MgF2膜層。
[0048] 實(shí)施例8
[0049] 根據(jù)實(shí)施例4所述減反射膜，其區(qū)別在于，從基體層至靠近空氣界面的最外層依 次為：厚度為24. 80nm的MgF2膜層，厚度為13. 20nm的Ti02膜層，厚度為45. 55nm的MgF2 膜層，厚度為30. 52nm的Ti02膜層，厚度為17. 16nm的MgF2膜層，厚度為80. 50nm的Ti02 膜層，厚度為16. 74nm的MgF2膜層，厚度為25. 28nm的Ti02膜層，厚度為105. 46nm的MgF2 膜層。
[0050] 實(shí)施例9
[0051] 根據(jù)實(shí)施例1-8任一所述減反射膜，其區(qū)別在于，所述基體層為光學(xué)玻璃。
[0052] 實(shí)施例10
[0053] 根據(jù)實(shí)施例9所述減反射膜，其區(qū)別在于，所述光學(xué)玻璃為K9玻璃。
[0054] 實(shí)施例11
[0055] 根據(jù)實(shí)施例1-10任一所述減反射膜的制備方法，具體步驟包括：
[0056] (1)清洗基體層，將清洗后的基體層放置真空室內(nèi)；
[0057] (2)抽真空至 1. 0X10_3Pa，升溫至 180°C，充氧至 2. 5X10_2Pa;
[0058] (3)待真空室壓強(qiáng)穩(wěn)定后開始鍍膜：鍍制第一層MgF2膜層，鍍膜時(shí)間及控制速率 根據(jù)所需厚度控制；
[0059] (4)根據(jù)不同的膜料，交替鍍制多層MgF2膜層和TiOJ莫層；
[0060] (5)鍍膜完畢后，在高真空度下降溫至25°C，放氣后取出，即得，所述高真空度是 指 1. 0Xl(T3Pa。
[0061] 實(shí)施例12
[0062] 根據(jù)實(shí)施例11所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，具體步驟包括：
[0063] (1)清洗基體層，將清洗后的基體層放置真空室內(nèi)；
[0064] (2)抽真空至1. 5X10_3Pa，升溫至230°C，充氧至3. 3X10_2Pa ;
[0065] (3)待真空室壓強(qiáng)穩(wěn)定后開始鍍膜：鍍制第一層MgF2膜層，鍍膜時(shí)間及控制速率 根據(jù)所需厚度控制；
[0066] (4)根據(jù)不同的膜料，交替鍍制多層MgF2膜層和TiOJ莫層；
[0067] (5)鍍膜完畢后，在高真空度下降溫至50°C，放氣后取出，即得，所述高真空度是 指 1. 5Xl(T3Pa。
[0068] 實(shí)施例13
[0069] 根據(jù)實(shí)施例11所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，具體步驟包括：
[0070] (1)清洗基體層，將清洗后的基體層放置真空室內(nèi)；
[0071] (2)抽真空至 1. 2X10_3Pa，升溫至 200°C，充氧至 3. 0X10_2Pa;
[0072] (3)待真空室壓強(qiáng)穩(wěn)定后開始鍍膜：鍍制第一層MgF2膜層，鍍膜時(shí)間及控制速率 根據(jù)所需厚度控制；
[0073] (4)根據(jù)不同的膜料，交替鍍制多層MgF2膜層和TiOJ莫層；
[0074] (5)鍍膜完畢后，在高真空度下降溫至35°C，放氣后取出，即得，所述高真空度是 指 1. 2Xl(T3Pa。
[0075] 實(shí)施例14
[0076] 根據(jù)實(shí)施例11-13任一所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，步驟（1)中，清洗 基體層的方式為超聲波清洗。
[0077] 實(shí)施例15
[0078] 根據(jù)實(shí)施例11-13任一所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，步驟（4)中，對(duì) MgFj莫層和1102膜層進(jìn)行預(yù)熔料處理，1%?2膜層預(yù)熔料處理的控制速率為2.0A/S，1102膜 層預(yù)熔料處理的2.5A/S，交替鍍制多層MgF2膜層和TiO2膜層。
[0079] 實(shí)施例16
[0080] 根據(jù)實(shí)施例15所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，步驟（4)中，對(duì)MgF2膜層 和1102膜層進(jìn)行預(yù)熔料處理，MgFj莫層預(yù)熔料處理的控制速率為3.〇A/s，Ti02膜層預(yù)熔料 處理的3.5A/s，交替鍍制多層MgF2膜層和Ti02膜層。
[0081] 實(shí)施例17
[0082] 根據(jù)實(shí)施例15所述減反射膜的制備方法，其區(qū)別在于，步驟（4)中，對(duì)MgF2膜層 和1102膜層進(jìn)行預(yù)熔料處理，1%? 2膜層預(yù)熔料處理的控制速率為2.5A/s，TiOj莫層預(yù)熔料 處理的3.0A/s，交替鍍制多層MgF2膜層和Ti02膜層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種超寬帶減反射膜，其特征在于，包括基體層，在所述基體層表面設(shè)有由MgF2膜層 和Ti02膜層交替組成的多層膜結(jié)構(gòu)，且靠近所述基體層表面的第一層及靠近空氣界面的最 外層均為MgF2膜層，所述多層膜結(jié)構(gòu)的厚度為340-370nm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述減反射膜，其特征在于，所述多層膜結(jié)構(gòu)為九層膜結(jié)構(gòu)，且各層 的厚度均不相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述減反射膜，其特征在于，從基體層至靠近空氣界面的最外層依 次為：厚度為24-25nm的MgF2膜層，厚度為13-14nm的TiO2膜層，厚度為45-46nm的MgF2 膜層，厚度為30-31nm的Ti02膜層，厚度為17-18nm的MgF2膜層，厚度為80-81nm的TiO2 膜層，厚度為16-17]11]1的1^：72膜層，厚度為25-26111]1的1';[02膜層，厚度為105-106111]1的1^ ：72 膜層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述減反射膜，其特征在于，從基體層至靠近空氣界面的最外層依 次為：厚度為24. 80nm的MgF2膜層，厚度為13. 20nm的TiO2膜層，厚度為45. 55nm的MgF2 膜層，厚度為30. 52nm的Ti02膜層，厚度為17. 16nm的MgF2膜層，厚度為80. 50nm的TiO2膜 層，厚度為16. 74nm的MgF2膜層，厚度為25. 28nm的TiO2膜層，厚度為105. 46nm的MgF2膜 層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述減反射膜，其特征在于，所述基體層為光學(xué)玻璃。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述減反射膜，其特征在于，所述光學(xué)玻璃為K9玻璃。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述減反射膜的制備方法，其特征在于，具體步驟包括： (1) 清洗基體層，將清洗后的基體層放置真空室內(nèi)； (2) 抽真空至LOX10_3-L5Xl〇-3Pa，升溫至 180-230 °C，充氧至 2. 5Xl(T2-3. 3Xl(T2Pa; (3) 待真空室壓強(qiáng)穩(wěn)定后開始鍍膜：鍍制第一層MgF2膜層，鍍膜時(shí)間及控制速率根據(jù) 所需厚度控制； (4) 根據(jù)不同的膜料，交替鍍制多層MgF2膜層和TiO2膜層； (5) 鍍膜完畢后，在高真空度下降溫至25-50°C，放氣后取出，即得，所述高真空度是指 1. 0X1(T3-L5Xl(T3Pa〇
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于，步驟（1)中，清洗基體層的方式為超聲 波清洗。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述制備方法，其特征在于，對(duì)MgFJ莫層和TiOJ莫層進(jìn)行預(yù)熔料處 理，MgFj莫層預(yù)熔料處理的控制速率為2.0-3.0A/S，Ti02膜層預(yù)熔料處理的2.5 -3,5A/s，交替 鍍制多層MgF2膜層和TiO2膜層。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種超寬帶減反射膜，包括基體層，在基體層表面設(shè)有由MgF2膜層和TiO2膜層交替組成的多層膜結(jié)構(gòu)，且靠近基體層表面的第一層及靠近空氣界面的最外層均為MgF2膜層，所述多層膜結(jié)構(gòu)的厚度為340-370nm。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了對(duì)400～800nm超寬波段可見光的高透射率，殘余反射率低于0.2％，鍍膜層數(shù)較少，簡(jiǎn)化了制造工藝，降低了制造成本。
【IPC分類】C23C14-08, G02B1-115, C23C14-06
【公開號(hào)】CN104614787
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510093499
【發(fā)明人】劉文成, 劉學(xué)芬
【申請(qǐng)人】山東陽(yáng)谷恒晶光電有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2015年3月2日