取代的芳基鎓材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的一個(gè)方面涉及包含取代的碳環(huán)或雜芳基的新型鎗產(chǎn)酸劑。
【背景技術(shù)】
[0002] 光刻膠是能夠?qū)D像轉(zhuǎn)移到基底上的光敏膜。它們形成負(fù)像或正像。在基底上涂 上光刻膠之后，涂層通過(guò)圖案化的光掩模曝光于激活能量源例如紫外線，在光刻膠涂層中 形成潛像。光掩模具有對(duì)活化輻射不透明和透明區(qū)域，這種區(qū)域能夠限定希望轉(zhuǎn)到下層基 底上的圖像。使光刻膠層中的潛像顯影提供立體像。
[0003] 對(duì)于許多現(xiàn)有的商業(yè)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，已知的光刻膠可以提供足夠的分辨率和尺寸。然 而，對(duì)于許多其它應(yīng)用，需要能夠提供亞微米尺寸的高分辨圖像的新型光刻膠。
[0004] 已經(jīng)進(jìn)行了各種嘗試來(lái)改變光刻膠組合物的組成，從而提高官能性。尤其是，已經(jīng) 報(bào)道了許多用于光刻膠組合物的光敏化合物。參見(jiàn)US20070224540和EP1906241。還參見(jiàn) 美國(guó)專(zhuān)利8318403和US2012/0065291。還使用了短波成像，例如，193nm。還使用了遠(yuǎn)紫外 線（EUV)和電子束成像技術(shù)。參見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利US7, 459, 260。EUV使用短波長(zhǎng)輻射，典型地在 lnm至40nm之間，經(jīng)常使用13. 5nm福射。
[0005]EUV光刻膠顯影仍然是EUV光刻（EUVL)技術(shù)實(shí)施的挑戰(zhàn)性問(wèn)題。要求材料顯影可 以提供高分辨的細(xì)微特征，包括低線寬粗糙度（LWR)，以及得到晶片產(chǎn)量所需要的足夠靈敏 度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 現(xiàn)在我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了新型產(chǎn)酸劑和包含一或多種這樣產(chǎn)酸劑的光刻膠組合物。
[0007] 在一個(gè)方面，提供了產(chǎn)酸劑，其包含取代的碳環(huán)或雜芳基基團(tuán)。
[0008] 特別優(yōu)選的產(chǎn)酸劑可以包含下式結(jié)構(gòu)代表的二酯部分： -Y_C( = 0)0(CX，X，，）nC( = 0)0R
[0009]
[0010] 其中Y是包含一個(gè)或多個(gè)碳原子的連接基（例如取代的亞烷基），條件是Y具有至 少一個(gè)非氫取代基：
[0011] n是正整數(shù)。每個(gè)X'和X"獨(dú)立地是氫或非氫取代基；和R是非氫取代基，如任選 取代的烷基，任選取代的雜烷基，任選取代的脂環(huán)基，任選取代的雜脂環(huán)基，任選取代的碳 環(huán)芳基或任選取代的雜芳基；
[0012] 在某些優(yōu)選方面，產(chǎn)酸劑包含式（I)的結(jié)構(gòu)：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種包含式（I)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)酸劑：
其中，Z-是平衡陰離子； X是硫或碘； R〇為氫或非氫取代基； R'和R"是相同或不同的非氫取代基，并且可以任選形成環(huán)，條件是如果X是碘，R'和R"中的一個(gè)不存在； W是-0_、-S-、>CO、-0(C= 0)-、-(C= 0)0-、-N(C= 0)-、-C=ON-或-C( = 0) 0 (CX'X"）nC( = 0) 0-，其中n是正整數(shù)，每個(gè)X'和X"獨(dú)立地為氫或非氫取代基； A是任選取代的碳環(huán)芳基或任選取代的雜芳基基團(tuán)； Q為任選取代的亞烷基，任選取代的亞烯基，或任選取代的亞炔基；和E和E'各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，E和E'中的至少一個(gè)是非氫取代基。
2. 權(quán)利要求1的產(chǎn)酸劑，其中W是-(C= 0)0-或-C( = 0)0(CX'X"）nC( = 0)0-。
3. 權(quán)利要求1的產(chǎn)酸劑，其中產(chǎn)酸劑包括式（II)的結(jié)構(gòu)：
其中f是平衡陰離子； R是氫或非氫取代基； 每個(gè)T，每個(gè)T'和每個(gè)T"是相同的或不同的非氫取代基，其中要么T和T"要么T和T'能夠結(jié)合以形成環(huán)； n、n'和n"各自獨(dú)立地為0，1，2,3,或4 ; J代表化學(xué)鍵或能夠共價(jià)連接B和C的基團(tuán)； Q為q-Q飽和或不飽和的亞烷基； E和E'各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，E和E'中的至少一個(gè)是非氫取代基；和A，B和C各自是相同或不同的任選取代的碳環(huán)芳基或雜芳基。
4. 權(quán)利要求1的產(chǎn)酸劑，其中產(chǎn)酸劑包括式（Ila)的結(jié)構(gòu)：
其中f是平衡陰離子； R是氫或非氫取代基； 每個(gè)T，每個(gè)T'和每個(gè)T"是相同的或不同的非氫取代基，其中要么T和T"要么T和T'能夠結(jié)合以形成環(huán)； n、n'和n"各自獨(dú)立地為0，1，2,3,或4 ; R5PRb分別為H，或R3和Rb-起代表化學(xué)鍵或能夠共價(jià)連接B和C的基團(tuán)； Q為q-Q飽和或不飽和的亞烷基； E和E'各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，E和E'中的至少一個(gè)是非氫取代基；和A，B和C各自是相同或不同的任選取代的碳環(huán)芳基或雜芳基。
5. 權(quán)利要求1的產(chǎn)酸劑，其中產(chǎn)酸劑包括式（VII)的結(jié)構(gòu)：
其中f是平衡陰離子； R是氫或非氫取代基； 每個(gè)T，每個(gè)T'和每個(gè)T"是相同的或不同的非氫取代基，其中要么T和T"要么T和T'能夠結(jié)合以形成環(huán)； n是 0，1，2,3,或 4 ; n'和n"各自獨(dú)立地為0，1，2,3,4或5 ; E是氫或非氫取代基； A'，B'和C'各自獨(dú)立地是C6-C36芳基，C5-(：36的聚芳基，或C5-C36共軛的芳基基團(tuán)； J，表示沒(méi)有鍵，單化學(xué)鍵，或能夠共價(jià)連接B'和C'的基團(tuán)； R5是氫或非氫取代基和Q' 3為ck亞燒基。
6. 權(quán)利要求1的產(chǎn)酸劑，其中產(chǎn)酸劑包括選自以下結(jié)構(gòu)的組：

7. 權(quán)利要求1至6的產(chǎn)酸劑，其中廠選自羧酸根、氨基磺酸根或不含氟的磺酸根。
8. 權(quán)利要求1至7的產(chǎn)酸劑，其中Z_含有可聚合基團(tuán)。
9. 光刻膠組合物，所述光刻膠組合物包含一種或多種權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)的產(chǎn)酸 劑。
10. -種提供光刻膠立體像的方法，所述方法包括： a) 在基底上施加權(quán)利要求9的光刻膠組合物的涂層；和 b) 使光刻膠組合物層曝光于活化輻射，并使曝光的光刻膠組合物涂層顯影。
【專(zhuān)利摘要】取代的芳基鎓材料。提供一種包含式(I)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)酸劑：其中，Z-是平衡陰離子；X是硫或碘；R0為氫或非氫取代基；R’和R”是相同或不同的非氫取代基，并且可以任選形成環(huán)，條件是如果X是碘，R’和R”中的一個(gè)不存在；W是-O-、-S-、＞CO、-O(C＝O)-、-(C＝O)O-、-N(C＝O)-、-C＝ON-或-C(＝O)O(CX’X”)nC(＝O)O-，其中n是正整數(shù)，每個(gè)X’和X”獨(dú)立地為氫或非氫取代基；A是任選取代的碳環(huán)芳基或任選取代的雜芳基基團(tuán)；Q為任選取代的亞烷基，任選取代的亞烯基，或任選取代的亞炔基；和E和E’各自獨(dú)立地是氫或非氫取代基，E和E’中的至少一個(gè)是非氫取代基。
【IPC分類(lèi)】C07C323-19, C07D333-76, C07D333-46, G03F7-004, C07D327-08, C07D335-16, G03F7-00, C07C69-67, C07C69-65, C07C323-62
【公開(kāi)號(hào)】CN104570602
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410755977
【發(fā)明人】P·J·拉博姆
【申請(qǐng)人】羅門(mén)哈斯電子材料有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年9月29日
【公告號(hào)】US20150093708