專利名稱：基底、光刻多次曝光方法和可機讀介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及光刻術(shù)以及用于曝光半導體基底的相關(guān)方法和裝置。
背景技術(shù)：
光刻曝光裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖部件可以產(chǎn)生對應于IC的一個單獨層的電路圖案。在光刻術(shù)中，通過使輻射光束橫過構(gòu)圖部件對其進行構(gòu)圖，然后使用光刻裝置的投影系統(tǒng)將其投影到涂敷有光激活的抗蝕劑(即光致抗蝕劑)材料層的基底(硅晶片)的靶部上(例如包括一個或者多個管芯)，從而在抗蝕劑中對期望圖案成像。一般地，單一的晶片將包含被投影系統(tǒng)一次相繼輻射的相鄰靶部的整個網(wǎng)格。
在半導體工業(yè)中，對更小半導體器件、在晶片基底上獲得更小圖案和特征的持續(xù)需求推動了使用光刻曝光裝置能夠達到的光學分辨率的極限。一般地，在晶片基底上曝光的圖案的重復特征(例如“半節(jié)距”)的最小尺寸可以由光刻曝光裝置在光學上進行解析，其取決于投影系統(tǒng)和(帶圖案的)投影輻射光束的屬性。特別地，半節(jié)距的特征尺寸的光學分辨率可以使用瑞利分辨率方程的簡化形式導出p0.5＝k1·λ/NA，k1≥0.25 (1)其中p0.5表示nm級的可重復特征尺寸(例如“半節(jié)距”)；NA表示投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑；λ表示投影光束的波長；以及k1是表示對于半節(jié)距的特征尺寸來說可達到的光學分辨率極限的因子。
如上所指出的，對于k1來說理論光學分辨率的半節(jié)距下限是0.25。為了超過k1＝0.25的限制，已經(jīng)花費了相當?shù)呐硌芯科毓饧夹g(shù)，這些曝光技術(shù)能夠采用更短的波長和/或更大的數(shù)值孔徑，從而能夠形成更小的特征，而不會違反k1≥0.25的限制。
為了印刷接觸孔或溝道，已知的是通過應用雙曝光光刻處理超過k1＝0.25的限制是可能的，由此將待印刷的期望圖案分解成能夠由光刻系統(tǒng)光學解析的兩個組成的分圖案。使用正性(positive tone)抗蝕劑可以在硬掩模層上提供第一抗蝕劑掩模，其與接觸孔的第一分圖案一致，隨后(使用第一抗蝕劑掩模)蝕刻目標層以將第一分圖案傳遞到硬掩模上。接著，從目標層上除去第一抗蝕劑掩模，而在目標層上提供第二抗蝕劑掩模，其與接觸孔的第二分圖案一致，隨后(使用第二抗蝕劑掩模)第二蝕刻目標層。因此，第一和第二分圖案就組合起來在目標層上形成期望的圖案。這種處理對印刷接觸孔和溝道是合適的，其中當在黑暗背景下成像明亮的特征(接觸孔和/或溝道)時成像處理具有最佳質(zhì)量，但是這種處理不能用于印刷低于k1＝0.25限制的線。為了印刷這種線，當在明亮背景下成像暗線時成像處理具有最佳質(zhì)量，并要求使用負抗蝕劑(還省略了在兩次曝光之間的中間蝕刻步驟)。然而，負抗蝕劑的成像特性比正抗蝕劑的成像特性差。

發(fā)明內(nèi)容
如這里所體現(xiàn)和廣泛描述的，一種根據(jù)本發(fā)明的原理的方法可以在光刻系統(tǒng)中提供增強的成像分辨率。提供一基底，所述基底包括構(gòu)造和布置成用期望圖案進行光刻構(gòu)圖的目標層，還提供至少部分覆蓋目標層的硬掩模層的堆疊，其包括至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層和至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二掩模層，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層具有相互排斥的抗蝕刻性，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層中之一包括氧化物，而另一個硬掩模層包括氮化物。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻多次曝光方法，包括曝光具有目標層和至少部分覆蓋目標層的硬掩模層的堆疊的光刻基底，所述堆疊包括至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層和至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二掩模層，所述方法包括通過第一光刻處理將第一圖案傳遞到第二硬掩模層，所述第一光刻處理包括蝕刻所述第二硬掩模層以提供從第一硬掩模層突出的相應第一特征圖案，以及所述方法還包括通過第二光刻處理將第二圖案傳遞到第一硬掩模層上相對第一特征圖案的交錯位置，所述第二光刻處理包括蝕刻所述第一硬掩模層以提供從目標層的特征進一步突出的第一特征圖案，以及提供從目標層突出與第二圖案一致的第二特征圖案。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻多次曝光方法，包括以下步驟曝光具有目標層和至少部分覆蓋目標層的硬掩模層的堆疊的光刻基底，所述堆疊包括至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層和至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二掩模層，所述方法包括通過第一光刻處理將第一圖案傳遞到第二硬掩模層，所述第一光刻處理包括蝕刻所述第二硬掩模層以提供從第一硬掩模層突出的相應第一特征圖案，以及所述方法還包括通過第二光刻處理將第二圖案傳遞到第一硬掩模層上相對第一特征圖案的交錯位置，所述第二光刻處理包括蝕刻所述第一硬掩模層以提供從目標層的特征進一步突出的第一特征圖案，以及根據(jù)第二圖案提供從目標層突出的第二特征圖案。
在本發(fā)明的一個實施例中，第一和第二蝕刻具有交替的、相互大體上排斥的選擇性，特別是氮化物相對氧化物的選擇性。
根據(jù)本發(fā)明的另一個發(fā)明，提供根據(jù)一種方法使用對基底構(gòu)圖的機器可執(zhí)行指令對進行編碼的可機讀介質(zhì)，所述方法包括識別基底上目標層的抗蝕刻性、識別至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層的抗蝕刻性以及識別至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二硬掩模層的抗蝕刻性，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層具有相互排斥的抗蝕刻性，通過第一光刻處理將第一圖案傳遞到第二硬掩模層，所述第一光刻處理包括對設在第二硬掩模上的抗蝕劑層進行第一次曝光，根據(jù)所述識別的抗蝕刻性，確定用于干蝕刻第二硬掩模層的氣體混合物，同時使用第一硬掩模層作為蝕刻停止層，使用所述確定的氣體混合物對所述第二硬掩模層施加所述干蝕刻，通過第二光刻處理將相對第一圖案位于交錯位置(registry)的第二圖案傳遞到第一硬掩模層，所述第二光刻處理包括對設在第一硬掩模上的抗蝕劑層進行第二次曝光，根據(jù)所述識別的抗蝕刻性，確定用于干蝕刻第一硬掩模層的第二氣體混合物，同時使用目標層作為蝕刻停止層，使用所述確定的第二氣體混合物對所述第一硬掩模層施加所述干蝕刻。
這里，第二圖案相對第一圖案在交錯的位置(registry)曝光，從而提供根據(jù)期望圖案對目標層構(gòu)圖的蝕刻掩模。
根據(jù)本發(fā)明的另一個發(fā)明，提供一種光刻設備組(cluster)，包括光刻曝光裝置、能夠在基底上蝕刻掩模層的蝕刻室，和用于控制光刻曝光裝置的控制裝置，其中控制裝置布置成根據(jù)本發(fā)明的方法執(zhí)行所述第一蝕刻和第二蝕刻。


現(xiàn)在僅僅通過實例的方式，參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個實施例，附圖中相應的參考標記表示相應的部件，其中圖1示出了準備用于本發(fā)明方法的具有目標層和兩個犧牲掩模層的基底；圖2示出了將超過光刻分辨率的密集的線圖案分解成兩個半密集的線圖案，每個半密集的線圖案都在光刻分辨率范圍內(nèi)；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的雙曝光方法的流程圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明圖3中蝕刻步驟的結(jié)果；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設備組；以及圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置。
具體實施例方式
如上所述，總是存在獲得更小光學分辨率的需要，并且對于使用正性抗蝕劑印刷線來說，其理論值為0.25的半節(jié)距下限k1將提供很大的益處。如果沒有這種可能，為了獲得低于該極限的分辨率，通常的努力是專注于昂貴技術(shù)的研究，這種技術(shù)采用更短的波長和/或更大的數(shù)值孔徑。
如下面更加詳細描述的，通過實施具有多個硬掩模層的預選擇組合的多次曝光技術(shù)，本發(fā)明可獲得低于半節(jié)距下限的分辨率(半節(jié)距p0.5＝k1·λ/NA其中k1≥0.25)，由此超過k1＝0.25的限制，從而硬掩模層根據(jù)蝕刻停止層功能性的交替順序堆疊在一起。特別地，本發(fā)明能夠特有地使用正性抗蝕劑代替負色調(diào)抗蝕劑來印刷那些特征，由此k1＜0.25。這種特征的實例是密集的、半密集的和孤立的線，由此k1＜0.25。
在集成電路(IC)的制造中可以使用光刻曝光裝置，在這種情況下構(gòu)圖部件例如掩模(“中間掩模版”)可產(chǎn)生對應于IC的一個單獨層的電路圖案。在光刻術(shù)中，通過使光束橫過中間掩模版對輻射光束進行構(gòu)圖，并使用光刻裝置的投影系統(tǒng)將其投影到基底W如硅晶片的靶部(例如包括一個或多個管芯)上，所述基底涂敷有光激活的抗蝕劑層(例如光致抗蝕劑)材料，從而在抗蝕劑中成像期望的圖案。一般地，單一的晶片W將包含被投影系統(tǒng)一次相繼輻射的相鄰靶部的整個網(wǎng)格。
根據(jù)本發(fā)明，如圖1所示，提供一基底W，其具有之前處理過的多個IC層，所述層按以下順序提供目標層TL、第一犧牲硬掩模層S1和第二犧牲硬掩模層S2。硬掩模層的堆疊稱為S2-S1-TL堆疊。
如圖2示意性所示，待印刷的期望圖案包括一組以節(jié)距P/2布置的密集線DL。將該組DL分解成兩個半密集線的分圖案SDL1和SDL2，每個以節(jié)距P布置，并且它們可以使用光刻系統(tǒng)進行光學解析。應該理解，特征不限于如圖2所示的線或線部分。目標層TL中的期望特征例如可以是從基底W的表面突出的任意形狀的目標層部分的陣列，因此圖案DL的特征作為以節(jié)距P/2布置的陣列元件排列，其中特征SDL1和SDL2作為以節(jié)距P布置的各陣列元件排列。在本發(fā)明的一個實施例中，目標層材料部分包含分圖案SDL1和SDL2的特征，其以交錯的方式排列在期望的圖案DL中。
圖3和圖4更詳細地示出了所述方法的不同步驟。使用正性抗蝕劑，例如適合于和由波長為193nm的ArF受激準分子激光器產(chǎn)生的DUV輻射一起使用，參見圖4A，將第一抗蝕劑掩模RM1提供在第二犧牲硬掩模材料層S2上，其與半密集線的第一分圖案SDL1一致，然后執(zhí)行第一蝕刻，即蝕刻犧牲硬掩模S2。這由圖3中的步驟40和41表示。第一蝕刻的結(jié)果如圖4A所示，其中掩模材料層S2的部分PS2(并以節(jié)距P布置)從掩模層S1突出，并且去除掩模層S2的部分PS2之間的部分。
接著，如圖3中的步驟42，除去第一抗蝕劑掩模，然后向基底施加第二正性抗蝕劑(它可以和之前使用的正性抗蝕劑相同)，如圖3中的步驟43，用于根據(jù)半密集線的第二分圖案SDL2(通過曝光和抗蝕劑顯影)在部分PS2之間的區(qū)域中的第一犧牲硬掩模S1上提供第二抗蝕劑掩模RM2。所述步驟包括定位具有與分圖案SDL2一致的圖案的掩模，由此投影的掩模圖案的圖像相對提供在第二犧牲硬掩模層S2上的圖案交錯。去除第一抗蝕劑掩模和施加第二抗蝕劑掩模RM2的結(jié)果如圖4B所示。隨后，步驟44包括施加第二蝕刻，即蝕刻第一犧牲硬掩模S1(即將第二犧牲硬掩模S2中的特征PS2以及施加的第二抗蝕劑掩模RM2用作蝕刻掩模)。如圖4C所示，第一掩模層S1材料的部分PS1從目標層TL突出，并在與分圖案SDL2一致的目標層上以節(jié)距P排列，通過之前獲得的部分PS2相對蝕刻第一掩模層S1的抗蝕刻性，可以獲得類似的第一掩模層S1的部分PS1′。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，作為第二蝕刻的結(jié)果提供一種根據(jù)期望圖案DL構(gòu)圖的硬掩模，包括與交錯的分圖案SDL1和SDL2一致的交錯突出的特征，其中限定兩個相鄰特征之間的空間的壁由分圖案SDL1的一個突出特征的一側(cè)和圖案SDL2的相鄰突出特征的一側(cè)形成，所述突出特征包括具有公共側(cè)壁CS的堆疊的掩模層部分PS1′和PS2，所述相鄰突出特征包括掩模層部分PS2。應該理解，本發(fā)明的一個實施例的特征在于在處理階段提供兩個交錯的相同“色調(diào)”的分圖案，即兩個分圖案是突出材料特征的圖案。隨后第二抗蝕劑掩模RM2的去除對應于圖3中的步驟45。
結(jié)果，可以實現(xiàn)第一和第二分圖案圖像的傳遞，從而提供特征的硬掩模，所述硬掩模在圖4C中從目標層TL的上表面突出，并且對應于第一犧牲硬掩模層S1(和在目標層TL上)的期望的組合圖案DL。
參見圖3中的步驟46，最終的圖案傳遞可以是在集成的蝕刻室中之前圖案傳遞的一部分，它可以通過施加第三蝕刻即蝕刻目標層TL來獲得，其中圖4C中的突出特征用作蝕刻掩模。在去除硬掩模材料層S1和S2的殘留部分后，可以獲得在目標層中從基底W突出的特征FTL的圖案DL。圖4D示出了這個結(jié)果-特征FTL根據(jù)期望圖案DL以P/2的節(jié)距排列。
可以參考的是在每次光刻曝光處理中提供抗蝕劑掩模，所述提供抗蝕劑掩模包括在用光致抗蝕劑層涂敷基底后，通過在與相應選擇的分圖案平齊的中間掩模版上對輻射光束構(gòu)圖和使該輻射光束成像，用分圖案SDL1和SDL2中之一使基底W的目標區(qū)域曝光，從而光刻系統(tǒng)在光致抗蝕劑層上產(chǎn)生相應的分圖案圖像。該曝光步驟之后是使曝光的抗蝕劑顯影，以便產(chǎn)生與選擇的分圖案一致的相應的抗蝕劑掩模。提供抗蝕劑掩模還可以包括在抗蝕劑層曝光之前和/或之后的各種處理。例如，預曝光處理包括清潔、打底和軟烘焙處理。在曝光之后，使晶片基底經(jīng)過不同的后曝光處理，例如曝光后烘焙(PEB)和硬烘焙。在本申請和權(quán)利要求中提到“提供抗蝕劑掩?！保藞?zhí)行曝光之外，所述提供包括執(zhí)行一次或多次合適的光刻預曝光或曝光后處理步驟。此外，任何光致抗蝕劑層可以包括底部抗反射涂層或可顯影底部抗反射涂層，以便減小曝光輻射的背反射。
本發(fā)明的一個方面是一種適合于印刷密集和半密集線的方法，因為該方法包括使用正性抗蝕劑，其用于將圖案SDL1和SDL2傳遞到目標層TL。用于印刷線的成像處理當在明亮背景下成像暗線時具有最佳質(zhì)量。使用本發(fā)明該最佳質(zhì)量可以通過利用光刻處理使用正抗蝕劑獲得，所述正抗蝕劑用于印刷抗蝕劑掩模RM1和RM2的線特征，由此未曝光的正抗蝕劑在抗蝕劑的顯影期間保持不被溶解。本發(fā)明的一個方面是印刷線，而不是印刷空間。兩次曝光之間的對準誤差不會影響得到的印刷線寬，但是通常小于臨界空間的空間例如會影響晶體管的特性。分圖案SDL1和SDL2之間的定位誤差即雙曝光處理的兩次曝光之間的重疊一致性不會影響得到的線的印刷CD。該定位誤差可以是在掩模寫入處理期間發(fā)生的定位誤差的數(shù)量級。
用于印刷線的光刻曝光裝置通常包括構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)的支撐結(jié)構(gòu)，和構(gòu)造成保持基底的基底臺(例如晶片臺)。光刻曝光裝置可以是這樣一種類型，其具有兩個(雙臺)或多個基底臺(和/或兩個或多個掩模臺)。在這種“多臺”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光?？梢员O(jiān)視在圖案SDL1和SDL2的掩模的電子束記錄期間殘留的定位誤差，并且在雙平臺光刻投影系統(tǒng)中當雙平臺裝置以一種操作模式使用時可以補償這些殘留誤差，由此掃描裝置“記住”用于第一次曝光的晶片吸盤，并且對于第二次曝光專用于同一晶片吸盤。這種操作模式在下文中稱作吸盤專用模式。結(jié)果，在吸盤專用模式中，晶片步進網(wǎng)格和晶片臺夾緊導致的失真印記對于第一次和第二次曝光將是相同的。此外，在兩個掩模之間低級別電子束掩模記錄器的圖案定位誤差例如線性偏移和放大誤差可以通過對晶片臺和中間掩模版使用對準補償在掃描裝置中進行補償。在吸盤專用模式中，使用該雙曝光處理的重疊特性可比得上或者甚至比掩模記錄器的定位精度更好。本發(fā)明的另一個方面是通過在光刻處理中使用用于印刷圖案SDL1和SDL2的線的正抗蝕劑，圖案SDL1和SDL2相對之前在基底W上形成的圖案的任何重疊誤差以及因此得到的圖案DL的誤差與使用單次曝光處理獲得的誤差相同。換句話說，在目標層TL中得到的圖案DL相對基底W上的參照物的對準精度直接對應于在單次曝光處理中獲得的對準精度。
由于光致抗蝕劑層對顯影和/或曝光的響應的任何非線性，抗蝕劑掩模的空間傅立葉變換(對應于分圖案SDL1和SDL2和如由抗蝕劑的顯影而獲得)包含比分圖案SDL1和SDL2的圖像的強度圖案的空間傅立葉變換更高的空間頻率。抗蝕劑掩模和蝕刻步驟可以將分圖案圖像固定在各硬掩模層中，從而防止串擾或?qū)趫D案SDL1和SDL2的兩個分圖案圖像的結(jié)合。因此，當傳遞到目標層時組合圖案DL的空間傅立葉變換也包含比對應于半節(jié)距p0.5＝k1·λ/NA(k1≥0.25)的倒數(shù)更高的空間頻率，其能夠超過k1＝0.25的限制。
在第一次和第二次曝光之間以及在常規(guī)的雙曝光光刻處理的第二次曝光之后所需目標層的蝕刻和清潔有必要在光刻設備組內(nèi)提供一個或多個蝕刻室。這里光刻設備組是一組包括蝕刻室、光刻裝置以及通常與光刻裝置連接的涂布/顯影裝置。對于大的幾何結(jié)構(gòu)來說，通常使用濕蝕刻設備，但是對于光刻處理的空間分辨率極限的數(shù)量級為臨界的幾何結(jié)構(gòu)來說，合適的是使用反應離子蝕刻。反應離子蝕刻也稱為RIE，它包括壓力范圍例如是100毫托-10毫托的低壓處理。RIE的一個優(yōu)點是它是各向異性的、直接選擇的蝕刻處理，而濕蝕刻是各向同性的蝕刻處理(導致特征下陷)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，使S2-S1-TL堆疊經(jīng)過(至少)兩次蝕刻，由此每次都可以使用RIE技術(shù)。下面描述蝕刻順序。
在下文中，第一犧牲掩模層S1的材料可以稱為S1-材料，類似地，第二犧牲掩模層S2和目標層TL的材料可以分別稱為S2-材料和TL-材料。
在第一蝕刻中，蝕刻S2-S1-TL堆疊，使得選擇性地去除第二犧牲硬掩模的S2-材料(作為直接蝕刻掉圍繞第一抗蝕劑掩模RM1的S2-材料的結(jié)果)在第二犧牲掩模層S1中和第一犧牲掩模層S1上形成與SDL1圖案一致的第一硬掩模圖案。第一犧牲掩模層的S1-材料用作蝕刻停止層。
在去除第一抗蝕劑掩模RM1之后第一硬掩模圖案的特征由S2材料構(gòu)成。
在第一蝕刻被S1材料停止的區(qū)域中堆疊的硬掩模層稱為S1-TL堆疊。
在第二蝕刻中，蝕刻S1-TL堆疊，使得選擇性地去除第一犧牲掩模層的S1-材料(作為直接蝕刻掉圍繞第二抗蝕劑掩模和圍繞第一硬掩模圖案的S1-材料的結(jié)果)在第一犧牲掩模層S1中和目標層TL上形成與組合圖案DL一致的第二硬掩模圖案。第二犧牲掩模層的S2-材料和TL材料用作蝕刻停止層。
去除第二抗蝕劑掩模之后，第二硬掩模圖案的特征包括由與SDL1圖案一致的堆疊的S2-材料和S1-材料(作為蝕刻掉圍繞第一硬掩模圖案的特征的S1材料的結(jié)果)組成的特征，和由與SDL2圖案一致的S1材料(作為直接蝕刻掉圍繞第二抗蝕劑掩模RM2的S1材料的結(jié)果)組成的特征。
在本實施例中，第一和第二蝕刻具有相互排斥的(或者至少大體上相互排斥的)選擇性蝕刻順序是選擇性地蝕刻S2-材料，同時S1-材料用作蝕刻停止層(第一蝕刻)，和選擇性地蝕刻S1-材料，同時S2-材料用作蝕刻停止層(第二蝕刻)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，目標層TL的材料可以和第二犧牲掩模層S2的材料相同。因此，在第三蝕刻期間，目標層可以蝕刻成使得選擇性地去除目標層TL的S2-材料(作為直接蝕刻掉圍繞第二硬掩模圖案的S2-材料的結(jié)果)，在目標層TL中和基底W上形成與密集線圖案DL一致的最終硬掩模圖案?；譝的表面材料用作蝕刻停止層。
最終硬掩模圖案的特征由S2-材料組成。
因此，在該實施例中，蝕刻順序是選擇性地蝕刻S2-材料，同時S1-材料用作蝕刻停止層(第一蝕刻)，選擇性地蝕刻S1-材料，同時S2-材料用作蝕刻停止層(第二蝕刻)，最后選擇性地再次蝕刻S材料(最后蝕刻)。
因此，所需的蝕刻選擇性是在對S1材料的選擇性和對S2材料的選擇性之間的交替。
在上面任何一個實施例中，S2-材料例如是氮化物，S1-材料例如是氧化物。例如S2-材料可以是等離子增強的化學汽相淀積(PECVD)氮化硅(Si3N4)，S1-材料可以是PECVD二氧化硅(SiO2)。然而，對于犧牲硬掩模來說本發(fā)明不限于使用這些材料。可替換地，在上面任何一個實施例中，S1-和S2-材料可以相互交換S2-材料是PECVD二氧化硅(SiO2)，而S1-材料是PECVD氮化硅(Si3N4)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，目標層TL可以是IC層(例如摻雜質(zhì)的多晶硅層)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，可以使用三次或多次曝光來將三個或多個相應的分圖案組合成提供給目標層的最終圖案，其類似于上面描述的雙曝光方法。如上所述由此提供所述第二硬掩模層的多次曝光方法還包括提供一個或多個附加的硬掩模層，由此所述第一蝕刻之前可能有所述一個或多個附加硬掩模層的相應順序的一次或多次附加蝕刻，并且該方法能夠用于將第一分圖案、第二分圖案以及相應組的一個或多個附加的分圖案傳遞到目標層，從而所有的分圖案都定位在交錯的位置以形成期望的組合圖案。例如，當傳遞到目標層的期望圖案分成第一、第二和第三分圖案，第二硬掩模(如在上面雙曝光實施例中描述的)還具有第三硬掩模。通過第一次曝光，第三硬掩模具有與第一分圖案一致的第一抗蝕劑掩模，隨后施加第一蝕刻，即蝕刻第三犧牲硬掩模(使用第一抗蝕劑掩模)以便將第一分圖案傳遞到第三硬掩模。接著，從第三硬掩模上去除第一抗蝕劑掩模，向基底施加正性抗蝕劑并使其曝光(第二次曝光)，然后用于在第二犧牲硬掩模上提供與第二分圖案一致的第二抗蝕劑掩模，隨后施加第二蝕刻，即蝕刻第二犧牲硬掩模(使用第二抗蝕劑掩模)。最后，從第二硬掩模上去除第二抗蝕劑掩模，向基底施加正性抗蝕劑，然后通過施加第三次曝光以在第一犧牲硬掩模上提供與第三分圖案一致的第三抗蝕劑掩模，隨后施加第三蝕刻，即蝕刻第一犧牲硬掩模(使用第三抗蝕劑掩模)。類似于雙曝光實施例，第一犧牲硬掩?？梢詡魉推谕慕M合圖案。
在上面描述了雙曝光方法的實施例中，術(shù)語“第一蝕刻”用于描述第二硬掩模的蝕刻，“第二蝕刻”用于描述第一硬掩模的蝕刻。在隨附的權(quán)利要求中保持該術(shù)語。對于三次曝光的實施例，為了保持該術(shù)語，第三硬掩模的蝕刻表示在第二硬掩模的“第一蝕刻”之前的蝕刻。
此外，類似于雙曝光的實施例，蝕刻順序是選擇性地蝕刻第三犧牲硬掩模，同時第二犧牲硬掩模的材料用作蝕刻停止層，隨后選擇性地蝕刻第二硬掩模，同時第一硬掩模的材料用作蝕刻停止層，最后選擇性地蝕刻第一硬掩模，同時目標層的材料用作蝕刻停止層。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，所述一個或多個附加蝕刻以及所述第一和第二蝕刻具有交替的、相互排斥的選擇性。
如上所述，適合于和常規(guī)的雙曝光處理一起使用的光刻設備組通常包括多個蝕刻室。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，如圖5所示，光刻設備組60除了包括光刻曝光裝置61之外，還包括能夠蝕刻犧牲掩模層S1和S2的蝕刻室62，以及用于控制光刻曝光裝置和蝕刻室的控制裝置63，其中控制裝置布置成根據(jù)上面描述的實施例在單個蝕刻室中執(zhí)行第一和第二蝕刻(參見圖3中的處理步驟41和44)。對于這些處理步驟使用單個蝕刻室63可以減輕必須為每個單獨的蝕刻步驟提供和控制多個蝕刻室的問題。蝕刻室可以是晶片涂布顯影裝置64的一部分，控制裝置可以是光刻曝光裝置61或晶片涂布顯影裝置64的一部分。蝕刻室和晶片涂布顯影裝置在本實施例中與光刻曝光裝置連接，控制裝置與光刻曝光裝置和蝕刻室相聯(lián)，如圖5中雙向箭頭所示。
通過使用干蝕刻室可以實現(xiàn)在單個蝕刻室中具有相互排斥的選擇性的連續(xù)蝕刻，蝕刻室例如布置成用于執(zhí)行反應離子蝕刻。使用介電等離子蝕刻處理可以獲得交替的高蝕刻選擇性(例如在對氧化物的選擇性和對氮化物的選擇性之間交替)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，單個感應耦合的高密度等離子反應器可以用于蝕刻硬掩模例如掩模層S1和S2和/或目標層TL。通過在連續(xù)蝕刻之間使蝕刻室中的氣體組分變化，利用后一類型的等離子反應器可以獲得蝕刻選擇性的變化。根據(jù)本發(fā)明的一方面，光刻設備組包括多個干蝕刻室，每個干蝕刻室能夠通過這種方式切換蝕刻選擇性，從而提供足夠產(chǎn)量的已處理基底。
圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻曝光裝置。該裝置包括照明系統(tǒng)(照明器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射光束B(例如由在193nm或157nm操作的受激準分子激光器產(chǎn)生UV輻射或DUV輻射，或由在13,6nm操作的激光放電等離子體源產(chǎn)生的EUV輻射。
支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與配置成依照某些參數(shù)精確定位構(gòu)圖部件的第一定位裝置PM連接；和基底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與配置成依照某些參數(shù)精確定位基底的第二定位裝置PW連接；以及投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成將利用構(gòu)圖部件MA賦予給輻射光束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。
照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如包括用于引導、整形或者控制輻射的折射光學部件、反射光學部件、磁性光學部件、電磁光學部件、靜電光學部件或其它類型的光學部件，或者其任意組合。
支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對于投影系統(tǒng)位于期望的位置。這里任何術(shù)語“中間掩模版”或者“掩?！钡氖褂每梢哉J為與更普通的術(shù)語“構(gòu)圖部件”同義。
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖部件”應廣義地解釋為能夠給輻射光束在其截面賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的期望圖案精確重合，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地，賦予給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應。構(gòu)圖部件可以是透射的或者反射的。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學系統(tǒng)，反射光學系統(tǒng)、反折射光學系統(tǒng)，或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。這里任何術(shù)語“投影鏡頭”的使用可以認為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
如這里所指出的，該裝置可以是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘撸撗b置是反射型(例如采用反射掩模)。
光刻裝置可以具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多臺式”裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置還可以是這樣一種類型，其中至少一部分基底由具有相對高的折射率的液體如水覆蓋，從而填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間。浸液也可以應用于光刻裝置中的其他空間，例如應用于掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域中是公知的，用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語“浸沒”不表示結(jié)構(gòu)如基底必須浸沒在液體中，而是表示液體在曝光期間位于投影系統(tǒng)和基底之間。
參考圖6，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機構(gòu)，例如當輻射源是受激準分子激光器時。在這種情況下，不認為輻射源構(gòu)成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述光束輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當源是汞燈時。源SO和照明器IL，如果需要連同光束輸送系統(tǒng)BD一起可以稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照明器光瞳平面上強度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照明器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調(diào)節(jié)輻射光束，從而使該光束在其橫截面上具有期望的均勻度和強度分布。
輻射光束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺MT)上的構(gòu)圖部件(如掩模MA)上，并由構(gòu)圖部件進行構(gòu)圖。橫向穿過掩模MA后，輻射光束B通過投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測量裝置、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如在輻射光束B的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IF(在圖6中未明確示出)來使掩模MA相對于輻射光束B的光路精確定位。一般地，借助于長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動，其中長沖程模塊和短沖程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM的一部分。類似地，利用長沖程模塊和短沖程模塊也可以實現(xiàn)基底臺WT的移動，其中長沖程模塊和短沖程模塊構(gòu)成第二定位裝置PW的一部分。在步進器的情況下(與掃描裝置相對)，掩模臺MT可以只與短沖程致動裝置連接，或者固定?？梢允褂醚谀蕵擞汳1、M2和基底對準標記P1、P2對準掩模MA與基底W。盡管如所示出的基底對準標記占據(jù)了指定的靶部，但是它們也可以設置在各個靶部(這些標記是公知的劃線對準標記)之間的空間中。類似地，在其中在掩膜MA上提供了超過一個管芯的情況下，可以在各個管芯之間設置掩膜對準標記。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，而賦予輻射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在掃描模式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時，同步掃描掩模臺MT和基底臺WT(即單次動態(tài)曝光)?；着_WT相對于掩模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。
3.在其他模式中，掩模臺MT基本保持不動地支撐可編程構(gòu)圖部件，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時，同時移動或掃描基底臺WT。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在每次移動基底臺WT之后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖部件。這種操作模式可以容易地應用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列型。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，作為光刻曝光裝置的光刻設備組包括光刻干涉裝置。在這種裝置中，抗蝕劑層暴露于多光束干涉儀裝置中獲得的條紋圖案。例如，兩個校準的UV或DUV輻射光束彼此以一角度相交，從而形成線性干涉條紋。具有光致抗蝕劑層的晶片定位在可移動的工作臺上。工作臺布置成分別二維旋轉(zhuǎn)和平移。由任何合適的已知的源提供的兩個大體上校準的相干光束從晶片的法向矢量朝彼此和朝抗蝕劑層形成一可變的角度，從而在感光層上形成干涉圖案。相干輻射的干涉輻射光束例如可以使用分束元件由ArF受激準分子激光器產(chǎn)生，并且可以任何合適的已知方式提供使得它們來自相同的源，以及其在晶片上的強度基本上相同，這樣可以確保高對比的曝光。
在一層或多層光致抗蝕劑層上形成的干涉圖案可以通過例如使晶片旋轉(zhuǎn)和/或使晶片平移來改變。
根據(jù)本發(fā)明的控制裝置包括存儲有關(guān)于分圖案如分圖案SDL1和SDL2的數(shù)據(jù)的存儲器，所述數(shù)據(jù)用于在用來產(chǎn)生組合圖案DL的每次曝光期間控制光刻曝光裝置(例如設置平臺MT和WT的有關(guān)位置，和/或設置有關(guān)的照明模式)。同一存儲器可以用于存儲有關(guān)每個蝕刻室的設置的數(shù)據(jù)(例如壓力、氣體混合物成分和溫度)，所述蝕刻室用于蝕刻犧牲的硬掩模層S1和S2。計算機可以作為控制裝置的一部分，它可以編程和布置成根據(jù)存儲在存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的任何一個方法步驟，例如圖3中的步驟40-46。步驟的執(zhí)行包括在所述計算機上運行計算機程序，所述計算機程序包含一個或多個序列的描述了如上面所公開的方法的可機讀指令。計算機包含其中存儲有這種計算機程序的可機讀介質(zhì)(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，使用機器可執(zhí)行指令對可機讀介質(zhì)進行編碼用于根據(jù)以下步驟對基底構(gòu)圖?；拙哂心繕藢覶L和堆疊的第一和第二硬掩模層S1和S2，提供該基底給光刻設備組，所述光刻設備組包括將基底輸送到光刻曝光裝置的基底搬運器。第一硬掩模層和第二硬掩模層具有相互排斥的抗蝕刻性。接著識別第二和第一硬掩模層的抗蝕刻性以及目標層的抗蝕刻性，例如通過讀取用戶提供的有關(guān)待曝光基底的數(shù)據(jù)。隨后，光刻設備組控制成通過第一光刻處理執(zhí)行對第二硬掩模層的構(gòu)圖，所述第一光刻處理包括對提供在第二硬掩模層上的抗蝕劑層用第一分圖案進行第一次曝光，以及根據(jù)所述識別的抗蝕刻性，確定和提供氣體混合物到蝕刻室，所述氣體混合物適合于用來對第二硬掩模層進行干蝕刻，同時使用第一硬掩模層作為蝕刻停止層。確定氣體混合物的選擇，例如通過從先驗給定組的氣體混合物中選擇。接著使用所述確定的氣體混合物對所述第二硬掩模層施加所述干蝕刻，對第二硬掩模層進行構(gòu)圖。
重復所述步驟的順序，以便通過第二光刻處理對第一硬掩模層進行構(gòu)圖，所述第二光刻處理包括對設供在第一硬掩模層上的抗蝕劑層用第二分圖案進行第二次曝光，根據(jù)所述識別的抗蝕劑性確定用來對第一硬掩模層進行干蝕刻的第二氣體混合物，同時使用目標層作為蝕刻停止層，然后使用所述確定的第二氣體混合物對所述第一硬掩模層施加所述干蝕刻(圖7中的步驟706)。在第二次曝光期間，第二分圖案相對第一分圖案(即第一分圖案的圖像)在并列的位置曝光，以便根據(jù)如圖4C所示的期望圖案提供構(gòu)圖的硬掩模。
盡管在本申請中可以具體參考使用該光刻裝置制造IC，但是應該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯”的使用應認為分別可以與更普通的術(shù)語“基底”或“靶部”同義。在曝光之前或之后，可以在例如涂布顯影裝置(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具中對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里的公開可應用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指已經(jīng)包含多個已處理的層的基底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，355，248，193，157或者126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。
在本申請中術(shù)語“透鏡”可以表示任何一個各種類型的光學部件或其組合，包括折射光學部件、反射光學部件、磁性光學部件、電磁光學部件和靜電光學部件。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應該理解可以不同于所描述的實施本發(fā)明。
上面的描述是為了說明，而不是限制。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離下面描述的權(quán)利要求書的范圍的條件下，可以對所描述的發(fā)明進行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種基底，包括構(gòu)造和布置成用期望圖案進行光刻構(gòu)圖的目標層；和至少部分覆蓋目標層的硬掩模層堆疊，所述堆疊包括至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層和至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二掩模層，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層具有相互排斥的抗蝕刻性，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層中之一包括氧化物，而另一個硬掩模層包括氮化物。
2.如權(quán)利要求1所述的基底，其中第一和第二硬掩模層的各自成分以及目標層的成分在包含氧化物和包含氮化物之間交替。
3.一種曝光光刻基底的方法，所述基底具有目標層和至少部分覆蓋目標層的硬掩模層堆疊，所述堆疊包括至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層和至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二掩模層，所述方法包括通過第一光刻處理將第一圖案傳遞到第二硬掩模層，所述第一光刻處理包括蝕刻所述第二硬掩模層以提供從第一硬掩模層突出的相應第一特征圖案；以及通過第二光刻處理將第二圖案傳遞到第一硬掩模層上與第一特征圖案的交錯位置，所述第二光刻處理包括蝕刻所述第一硬掩模層以提供從目標層的特征進一步突出的第一特征圖案，以及提供從目標層突出與第二圖案一致的第二特征圖案。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一和第二硬掩模層的蝕刻具有相互排斥的選擇性。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中相互排斥的選擇性之一是氮化物選擇性，另一個相互排斥的選擇性是氧化物選擇性。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第二硬掩模層是氮化硅層，第一硬掩模層是二氧化硅層。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一硬掩模層是氮化硅層，第二硬掩模層是二氧化硅層。
8.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一和第二光刻處理還包括向基底施加正性抗蝕劑。
9.如權(quán)利要求3所述的方法，其中期望圖案包括第一分圖案和第二分圖案，其中通過第一光刻處理的傳遞包括使抗蝕劑暴露于第一分圖案的圖像，和通過第二光刻處理的傳遞包括使抗蝕劑暴露于第二分圖案的圖像，從而在基底上形成期望圖案，所述第二分圖案的圖像相對于所述第一分圖案的圖像布置在交錯的位置。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中通過第一光刻處理的傳遞包括使正性抗蝕劑暴露于第一線圖案圖像，通過第二光刻處理的傳遞包括使正性抗蝕劑暴露于第二線圖案圖像，所述第二線圖案圖像相對于所述第一線圖案圖像布置在基底上的交錯位置。
11.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第一和第二硬掩模層的蝕刻包括介電等離子蝕刻處理。
12.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括所述目標層的蝕刻，其中特征的第一和第二圖案大體上用作蝕刻停止層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中第一和第二硬掩模層以及目標層的蝕刻具有交替的、相互排斥的選擇性。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中交替的、相互排斥的選擇性在氮化物選擇性和氧化物選擇性之間交替。
15.如權(quán)利要求3所述的方法，其中第二硬掩模層還包括一個或多個附加的硬掩模層，其中所述一個或多個附加硬掩模層的相應序列的一個或多個附加蝕刻在所述第一蝕刻之前。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，所述一個或多個附加蝕刻和所述第一和第二蝕刻具有交替的、相互排斥的選擇性。
17.一種根據(jù)一種方法使用對基底構(gòu)圖的機器可執(zhí)行指令對其進行編碼的可機讀介質(zhì)，其包括識別基底上目標層的抗蝕刻性、識別至少部分覆蓋目標層的第一硬掩模層的抗蝕刻性以及識別至少部分覆蓋第一硬掩模層的第二硬掩模層的抗蝕刻性，其中第一硬掩模層和第二硬掩模層具有相互排斥的抗蝕刻性；通過第一光刻處理將第一圖案傳遞到第二硬掩模層，所述第一光刻處理包括對設在第二硬掩模上的抗蝕劑層進行第一次曝光，根據(jù)所述識別的抗蝕刻性，確定用于干蝕刻第二硬掩模層的氣體混合物，同時使用第一硬掩模層作為蝕刻停止層，使用所述確定的氣體混合物來干蝕刻所述第二硬掩模層，通過第二光刻處理將相對第一圖案位于交錯位置的第二圖案傳遞到第一硬掩模層，所述第二光刻處理包括對設在第一硬掩模上的抗蝕劑層進行第二次曝光，根據(jù)所述識別的抗蝕刻性，確定用于干蝕刻第一硬掩模層的第二氣體混合物，同時使用目標層作為蝕刻停止層，使用所述確定的第二氣體混合物來干蝕刻所述第一硬掩模層。
18.一種光刻設備組，包括光刻曝光裝置、能夠干蝕刻基底上的掩模層的蝕刻室，和配置成控制光刻曝光裝置和蝕刻室的控制裝置，其中控制裝置包括如權(quán)利要求17所述的可機讀介質(zhì)。
19.如權(quán)利要求18所述的光刻設備組，其中能夠干蝕刻的蝕刻室布置成執(zhí)行反應離子蝕刻。
20.如權(quán)利要求19所述的光刻設備組，其中反應離子蝕刻是介電等離子蝕刻處理。
21.如權(quán)利要求18所述的光刻設備組，其中能夠干蝕刻的蝕刻室是感應耦合的高密度等離子反應器。
22.如權(quán)利要求21所述的光刻設備組，其中能夠干蝕刻的蝕刻室通過包含在干蝕刻室內(nèi)的氣體組分的相應變化切換蝕刻選擇性。
23.如權(quán)利要求18所述的光刻設備組，其中光刻曝光裝置是光刻投影裝置和光刻干涉裝置之一。
全文摘要
一種使用光刻系統(tǒng)成像的方法包括將印刷在基底上的期望圖案分解成能夠使用光刻系統(tǒng)光學解析的至少兩個組成分圖案，在基底上涂敷位于目標層頂部上堆疊的兩個硬犧牲掩模，所述掩模用期望密度的線圖案對其構(gòu)圖。為了提供合適的蝕刻停止層，犧牲掩模層和目標層的材料選擇成對于每個蝕刻步驟，兩次曝光之間的蝕刻和目標層的蝕刻具有交替的選擇性。
文檔編號G03F1/62GK1896869SQ20061010634
公開日2007年1月17日 申請日期2006年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者陳繼恒 申請人:Asml荷蘭有限公司