本發(fā)明涉及芯片設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及芯片。

背景技術(shù)：

芯片在應(yīng)用過程中，頻率會隨著溫度的變化而改變，出現(xiàn)溫度漂移和頻率漂移，給應(yīng)用帶來誤差，比如時間不準等，甚至使電路動態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定，導致使電路無法正常工作。這樣對有時間準確性的芯片設(shè)計帶來溫度頻率漂移的要求，目前芯片的解決方法主要為兩個(1)采用外部晶振；(2)內(nèi)部osc的芯片，采用內(nèi)部熱敏電阻，根據(jù)熱敏電阻的值對內(nèi)部osc作調(diào)節(jié)。第一種方案成本較高，需要額外兩個以上的管腳，這對于低成本小封裝的方案不可行。第二種的方案由于電阻或其他的模擬電路提供的溫度參數(shù)本身就誤差很大，調(diào)節(jié)的準確度也有限。模擬電路在生產(chǎn)過程中，離散性也很大，對批量生產(chǎn)造成一定的難度。

因此，針對上述缺陷，很有必要設(shè)計一種芯片，以解決上述缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種可芯片，其可解決芯片內(nèi)部溫度漂移問題，以及目前自動調(diào)節(jié)頻率溫漂不準的問題，同時降低了芯片自身成本。

本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的：一種芯片，包括第一振蕩模塊1，用于調(diào)制芯片的頻率漂移；第二振蕩模塊，連接于所述第一振蕩模塊，用于和所述第一振蕩模塊進行互相采樣；數(shù)字算法模塊，連接于所述第一振蕩模塊，用于完成所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊相互采樣；參數(shù)矯正模塊，連接于所述數(shù)字算法模塊，用于對芯片內(nèi)參數(shù)進行矯正。

進一步的，所述第一振蕩模塊的溫度系數(shù)與所述第二振蕩模塊的溫度系數(shù)相同。

進一步的，所述第一振蕩模塊的頻率至少是所述第二振蕩模塊的10倍。

進一步的，所述第一振蕩模塊包含第一電阻以及連接于所述第一電阻的第一電容。

進一步的，所述第二振蕩模塊包含第二電阻以及連接于所述第二電阻的第二電容。

進一步的，所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊共用第三電阻。

本發(fā)明提供一種芯片，包括第一振蕩模塊，用于調(diào)制芯片的頻率漂移；第二振蕩模塊，連接于所述第一振蕩模塊，用于和所述第一振蕩模塊進行互相采樣；數(shù)字算法模塊，連接于所述第一振蕩模塊，用于完成所述第一振蕩模塊與所述第二振蕩模塊相互采樣；參數(shù)矯正模塊，連接于所述數(shù)字算法模塊，用于對芯片內(nèi)參數(shù)進行矯正。這樣所述第一振蕩模塊和所述第二振蕩模塊可以相互采樣，無需再使用模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器進行采樣，大大降低了生產(chǎn)成本，通過所述數(shù)字算法模塊可以快速調(diào)節(jié)芯片內(nèi)部的頻率漂移問題，可解決芯片內(nèi)部頻率漂移問題，以及目前自動調(diào)節(jié)頻率溫漂不準的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的芯片的示意圖。

圖2為本發(fā)明實施例提供的第一振蕩模塊及第二振蕩模塊的電路框圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

如圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供一種芯片，該芯片包括第一振蕩模塊1，用于調(diào)制芯片的頻率漂移；第二振蕩模塊2，連接于所述第一振蕩模塊1，用于和所述第一振蕩模塊1進行互相采樣；數(shù)字算法模塊3，連接于所述第一振蕩模塊1，用于完成所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互采樣；參數(shù)矯正模塊4，連接于所述數(shù)字算法模塊3，用于對芯片內(nèi)參數(shù)進行矯正。所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互采樣，電阻的誤差對所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2的影響是一樣的，那么這個誤差就被互相抵消。同時因為采取了所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互采樣的方式，無需使用傳統(tǒng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器adc進行采樣，降低了生產(chǎn)成本，而且處理過程中的算法全由所述數(shù)字算法模塊3實現(xiàn)，反應(yīng)速度大大提高。所述第一振蕩模塊1的溫度系數(shù)與所述第二振蕩模塊2的溫度系數(shù)相同，這樣使得溫度對所述第一振蕩模塊1的影響和對所述第二振蕩模塊2的影響是一致的，這樣也使得相對誤差降為最低。所述第一振蕩模塊1的頻率至少是所述第二振蕩模塊2頻率的10倍，實際上所述振蕩模塊1的的頻率相對于所述第二振蕩模塊2的頻率越高越好，這樣采樣頻率更頻繁，數(shù)值也會更精確。

進一步的，如圖2所示，本發(fā)明具體的實施例結(jié)構(gòu)中，所述第一振蕩模塊1包含第一電阻5以及連接于所述第一電阻5的第一電容6。所述第一振蕩模塊1的頻率主要是由所述第一電阻5及第一電容6決定的，所述第一電阻5為多晶電阻，多晶電阻的優(yōu)點在于溫度偏移不大。所述第二振蕩模塊2包含第二電阻7以及連接于所述第二電阻7的第二電容8。所述第二振蕩模塊2的頻率主要是由所述第二電阻7及第二電容8決定的，所述第二電阻5為阱電阻，阱電阻溫度偏移比較大。所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2共用第三電阻9。所述第三電阻9為阱電阻。因為所述第一電阻5為多晶電阻，多晶電阻的溫度系數(shù)比阱電阻的溫度系數(shù)低，所述第三電阻9與所述第一電阻5和所述第二電阻7都是分別串聯(lián)的，可以理解為所述第一振蕩模塊1中rc網(wǎng)絡(luò)的電阻實際上包含了2個電阻，即所述第一電阻5和所述第三電阻9，同樣的，所述第二振蕩模塊2中rc網(wǎng)絡(luò)的電阻實際上也包含了2個電阻，即所述第二電阻7和所述第三電阻9，所述第三電阻9的數(shù)值要低于所述第一電阻5及所述第二電阻7。當芯片溫度發(fā)生變化時，所述第一電阻5的溫度系數(shù)低，溫度變化不大，而與所述第一電阻5串聯(lián)的所述第三電阻9溫度系數(shù)高，溫度變化大，但是所述第三電阻9因為數(shù)值低，所以對整體所述第一振蕩模塊1的溫度影響不大，由于頻率受溫度的影響，那么此時所述第一振蕩模塊1的頻率也是比較穩(wěn)定的。但是因為所述第二振蕩模塊2的rc網(wǎng)絡(luò)的電阻完全由2個阱電阻即所述第二電阻7和所述第三電阻9，當芯片溫度發(fā)生變化時，因為所述第二電阻7和所述第三電阻9溫度系數(shù)高，溫度變化較大大，此時對整體所述第二振蕩模塊2來說溫度變化也較大，那么所述第二振蕩模塊2的頻率變化也較大?？傮w來說，同樣的溫度變化，所述第一振蕩模塊1的頻率要比所述第二振蕩模塊2的頻率要小，在版圖設(shè)計上是的所述第二電阻7與所述第三電阻9盡可能的接近，使得它們制造的溫度偏差基本一致，這樣就可以抵消所述第一振蕩模塊1和所述第二振蕩模塊2的誤差。

進一步的，如圖1和圖2所示，本發(fā)明具體的實施例結(jié)構(gòu)中，根據(jù)上述描述的所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2的特性，進行矯正所述第一振蕩模塊1的頻率時，所述第一振蕩模塊1不停的對所述第二振蕩模塊2的一個周期數(shù)數(shù)，由于所述第二振蕩模塊2的溫度系數(shù)大，在溫度變高時，所述第二振蕩模塊2會比所述第一振蕩模塊1慢得更多，數(shù)的數(shù)就變大，通過比較這個數(shù)，所述數(shù)字算法模塊3就知道溫度變高，所述第一振蕩模塊1也會變慢，就改變控制信號讓所述第一振蕩模塊1變快。在溫度變低時，所述第二振蕩模塊2會比所述第一振蕩模塊1快得更多，數(shù)的數(shù)就變小，通過比較這個數(shù)，所述數(shù)字算法模塊3就知道溫度變低，所述第一振蕩模塊1也會變快，就改變控制信號讓所述第一振蕩模塊1變慢。由于每個芯片里的電阻的溫度系數(shù)都有誤差，但所述第一電阻5為多晶電阻誤差不大，加入一個小的阱電阻即所述第三電阻9在所述第一振蕩模塊1上來匹配所述第二振蕩模塊2的誤差，這樣大大減小量產(chǎn)時的矯正參數(shù)工作。

進一步的，如圖1所示，本發(fā)明具體的實施例結(jié)構(gòu)中，芯片的振蕩頻率，電阻的系數(shù)都有一定的偏差，所述參數(shù)矯正模塊4可以存入控制參數(shù)及溫度參數(shù)等，所述參數(shù)矯正模塊4為內(nèi)置存儲器，可以是otp/mtp/eeprom/flash，一般是做燒入時使用。

所述芯片采取了所述第一振蕩模塊1與所述第二振蕩模塊2相互采樣的方式，無需使用傳統(tǒng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器adc進行采樣，降低了生產(chǎn)成本，而且處理過程中的算法全由所述數(shù)字算法模塊3實現(xiàn)，反應(yīng)速度大大提高。所述第一振蕩模塊1的溫度系數(shù)與所述第二振蕩模塊2的溫度系數(shù)相同，這樣使得溫度對所述第一振蕩模塊1的影響和對所述第二振蕩模塊2的影響是一致的，這樣也使得相對誤差降為最低。所述第一振蕩模塊1的頻率相對于所述第二振蕩模塊2頻率要高，這樣采樣頻率更頻繁，數(shù)值也會更精確。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。