元器件內(nèi)置基板的制造方法及使用該方法制造的元器件內(nèi)置基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種元器件內(nèi)置基板的制造方法，以形成于金屬層(4)上的主標(biāo)記(A、B)為基準(zhǔn)對(duì)電子元器件(14)進(jìn)行定位，以與電子元器件(14)及端子(20)之間設(shè)有粘接層(18)的方式在金屬層(4)的第二面(5)上搭載電子元器件(14)后，將電子元器件(14)與主標(biāo)記(A、B)埋設(shè)在絕緣基板(34)內(nèi)，之后，去除金屬層(4)的一部分，形成使主標(biāo)記(A、B)露出的第一窗口(W1)及使包含與端子(20)相對(duì)應(yīng)的位置的粘接層(18)露出的第二窗口(W2)，以露出的主標(biāo)記(A、B)為基準(zhǔn)來確定端子(20)的位置，在從第二窗口(W2)露出的粘接層(18)中形成到達(dá)端子(20)為止的LVH(46)，對(duì)該LVH(46)實(shí)施鍍銅而形成第一導(dǎo)通孔(47)，將經(jīng)由該第一導(dǎo)通孔(47)與端子(20)電連接的金屬層(4)形成為布線圖案(50)。
【專利說明】元器件內(nèi)置基板的制造方法及使用該方法制造的元器件內(nèi)置基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將電氣或者電子元器件埋在基板內(nèi)的元器件內(nèi)置基板的制造方法以及使用該方法制造的元器件內(nèi)置基板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著電路基板的高密度化、高性能化，將電子元器件埋入絕緣層即絕緣基板內(nèi)的元器件內(nèi)置基板正不斷受到關(guān)注。該元器件內(nèi)置基板在其絕緣基板的表面形成有布線圖案，在該布線圖案的規(guī)定位置上表面安裝有其它的各種電子元器件，從而能作為模塊基板使用，還能作為用增層法制造元器件內(nèi)置多層電路基板時(shí)的核心基板使用。
在上述元器件內(nèi)置基板中，所述布線圖案需要與所述絕緣基板內(nèi)的電子元器件的端子電連接，已知該連接使用的是焊料(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]然而，在制造模塊基板及多層電路基板時(shí)，其制造工序中多次進(jìn)行各種電子元器件的表面安裝。通常，電子元器件的表面安裝采用回流方式的焊接，因此每次安裝電子元器件時(shí)，均將元器件內(nèi)置基板投入到回流爐中，并加熱至焊料熔化的溫度。因此，專利文獻(xiàn)I的元器件內(nèi)置基板的基板內(nèi)電子元器件的端子與布線圖案之間的連接部由于被多次加熱至焊料的熔融溫度，可能會(huì)導(dǎo)致所述連接部的可靠性降低。
[0004]因此，為了提高元器件內(nèi)置基板的所述連接部的可靠性，已知有通過鍍銅來對(duì)基板內(nèi)的電子元器件的端子與基板表面的布線圖案進(jìn)行電連接。即，由于銅的熔點(diǎn)比焊料的熔點(diǎn)要高，因此即使將元器件內(nèi)置基板投入到回流爐中連接部也不會(huì)熔化，維持了所述連接部的可靠性。
[0005]作為通過上述那樣的電鍍法用銅使基板內(nèi)的電子元器件的端子與絕緣基板表面的布線圖案電連接的制造元器件內(nèi)置基板的方法的一個(gè)方式，已知有例如專利文獻(xiàn)2的元器件內(nèi)置基板的制造方法。
此處，下面對(duì)以專利文獻(xiàn)2為代表的元器件內(nèi)置基板的制造方法進(jìn)行說明。
[0006]首先，在銅箔等金屬層上層疊絕緣層來形成層狀體，并在該層狀體中設(shè)置引導(dǎo)孔。然后，以所述引導(dǎo)孔為基準(zhǔn)，在所述層狀體中預(yù)定的用于配置基板內(nèi)元器件的元器件配置區(qū)域中設(shè)置連接孔。該連接孔將在后續(xù)工序中被填充銅，從而形成將基板內(nèi)元器件的端子與布線圖案電連接的金屬接頭。因此，該連接孔對(duì)應(yīng)于基板內(nèi)元器件的端子所在的預(yù)定位置而設(shè)置，且其數(shù)量與所述端子的數(shù)量相等。之后，在所述元器件配置區(qū)域涂布粘接劑，利用該粘接劑來固定基板內(nèi)元器件。此時(shí)，基板內(nèi)元器件利用所述連接孔進(jìn)行定位。接著，在放置有基板內(nèi)元器件的層狀體上層疊預(yù)浸潰體等絕緣基材，形成內(nèi)置有基板內(nèi)元器件的絕緣基板。所獲得的絕緣基板的一個(gè)面上存在所述金屬層，且在該金屬層的規(guī)定位置開設(shè)了所述連接孔。對(duì)于該狀態(tài)的絕緣基板，去除所述連接孔內(nèi)的粘接劑以使基板內(nèi)元器件的端子在連接孔內(nèi)露出，然后對(duì)絕緣基板整體實(shí)施鍍銅處理。由此，所述連接孔內(nèi)銅進(jìn)行生長(zhǎng)并填充，從而絕緣基板表面的金屬層與基板內(nèi)元器件的端子電連接。之后，通過蝕刻絕緣基板表面的一部分金屬層來形成布線圖案，由此形成元器件內(nèi)置基板。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2010 - 027917號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利特表2008-522396號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0008]然而，在上述的制造方法中，以各種孔為基準(zhǔn)進(jìn)行所述基板內(nèi)元器件的定位與所述連接孔的定位，因此存在所述基板內(nèi)元器件與所述連接孔的定位精度較低的問題。
此外，固定基板內(nèi)元器件的粘接劑在涂布到元器件配置區(qū)域時(shí)，一部分會(huì)流入所述連接孔內(nèi)。其結(jié)果是，粘接層的厚度變薄，從而可能產(chǎn)生以下問題。
[0009]首先，固定基板內(nèi)元器件的粘接劑為了維持固化后粘接層的強(qiáng)度，通常使用含有填料的粘接劑。但是，在粘接層的厚度變得比填料的尺寸薄時(shí)，填料容易從粘接層脫落從而無法獲得所需的強(qiáng)度。
[0010]此外，粘接層也作為絕緣層使用，因此若其厚度過薄則難以確保所需的絕緣性。 因此，在上述制造方法中，不適用易于流入粘接孔內(nèi)的低粘度型的粘接劑，對(duì)于能使用
的粘接劑有所限定。
[0011]本發(fā)明是基于上述問題而完成的，其目的在于提供一種元器件內(nèi)置基板的制造方法及使用該方法制造的元器件內(nèi)置基板，該元器件內(nèi)置基板的制造方法能高精度地對(duì)內(nèi)置元器件進(jìn)行定位，并且能擴(kuò)大固定元器件的粘接劑的選擇范圍。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0012]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種元器件內(nèi)置基板的制造方法，該元器件內(nèi)置基板在表面具有布線圖案的絕緣基板內(nèi)內(nèi)置有電氣或電子元器件，該電氣或電子元器件具有與所述布線圖案電連接的端子，該元器件內(nèi)置基板的制造方法的特征在于，包括如下工序:標(biāo)記形成工序，該標(biāo)記形成工序中，在支承板上形成要成為所述布線圖案的金屬層，并在該金屬層的與所述支承板相接的第一面的相反側(cè)的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的主標(biāo)記；元器件搭載工序，該元器件搭載工序中，相對(duì)于所述金屬層以所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來對(duì)所述元器件進(jìn)行定位，以與所述元器件及所述端子之間隔著絕緣性粘接層的方式在所述金屬層的第二面上搭載所述元器件；埋設(shè)層形成工序，該埋設(shè)層形成工序中，在搭載有所述元器件的所述金屬層的第二面上，形成作為埋設(shè)所述元器件及所述主標(biāo)記的所述絕緣基板的埋設(shè)層；窗口形成工序，該窗口形成工序中，將所述支承板從所述金屬層剝離之后，從通過該剝離而露出的所述金屬層的第一面一側(cè)去除所述金屬層的一部分，從而形成至少使所述主標(biāo)記與所述埋設(shè)層局部露出的第一窗口 ；過孔形成工序，該過孔形成工序中，以從所述第一窗口露出的所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來確定所述元器件的端子的位置，并形成到達(dá)所述端子為止的第一過孔；導(dǎo)通孔形成工序，該導(dǎo)通孔形成工序中，在對(duì)所述第一過孔實(shí)施鍍敷處理之后，通過填充金屬來形成第一導(dǎo)通孔；以及圖案形成工序，該圖案形成工序中，將經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述端子電連接的所述金屬層形成為所述布線圖案(權(quán)利要求1)。
[0013]此處，所述元器件內(nèi)置基板的制造方法優(yōu)選如下方式，在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)也在所述金屬層的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的子標(biāo)記，并且在所述窗口形成工序之前，還包括貫通孔形成工序，該貫通孔形成工序中，利用X射線來確定所述子標(biāo)記，并形成一并貫通所述金屬層、所述子標(biāo)記、以及所述埋設(shè)層的貫通孔，所述窗口形成工序以所述貫通孔為基準(zhǔn)來形成所述第一窗口(權(quán)利要求2)。
[0014]此外，優(yōu)選如下方式，在所述窗口形成工序中，進(jìn)一步形成第二窗口，該第二窗口使包含與所述元器件的端子對(duì)應(yīng)的位置的所述粘接層的部位露出，所述過孔形成工序中，在從所述第二窗口露出的所述粘接層中形成到達(dá)所述端子為止的所述第一過孔(權(quán)利要求3) ο
[0015]優(yōu)選如下方式，在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)也在所述金屬層的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的子標(biāo)記，并且在所述窗口形成工序之前，還包括貫通孔形成工序，該貫通孔形成工序中，利用X射線來確定所述子標(biāo)記，并形成一并貫通所述金屬層、所述子標(biāo)記、以及所述埋設(shè)層的貫通孔，所述窗口形成工序以所述貫通孔為基準(zhǔn)來形成所述第一窗口及所述第二窗口(權(quán)利要求4)。
[0016]優(yōu)選如下方式，在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)，也在所述金屬層的第二面上的所述元器件的搭載預(yù)定區(qū)域內(nèi)且除去所述端子所在部分的位置上，形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的基座，在所述元器件搭載工序中，在所述基座上放置所述元器件，并且在所述元器件及所述端子與所述第二面之間設(shè)置所述粘接層(權(quán)利要求5)。
[0017]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，在所述埋設(shè)層形成工序之前，還包括電路基板準(zhǔn)備工序，在該電路基板準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備要進(jìn)一步埋設(shè)在所述埋設(shè)層內(nèi)的內(nèi)部電路基板，所述內(nèi)部電路基板具有內(nèi)部絕緣板、設(shè)置在所述內(nèi)部絕緣板的兩面的內(nèi)部導(dǎo)電電路、以及設(shè)置于所述內(nèi)部絕緣板上的規(guī)定位置處的匹配標(biāo)記，在所述埋設(shè)層形成工序中，使所述匹配標(biāo)記與所述主標(biāo)記在所述元器件內(nèi)置基板厚度方向上相匹配，且確保所述內(nèi)部電路基板與所述金屬層的第二面之間具有規(guī)定間隔，并在此狀態(tài)下形成所述埋設(shè)層，在所述過孔形成工序中，以從所述第一窗口露出的所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來確定所述內(nèi)部導(dǎo)電電路的位置，進(jìn)一步形成到達(dá)所述內(nèi)部導(dǎo)電電路為止的第二過孔，在所述導(dǎo)通孔形成工序中，對(duì)所述第二過孔進(jìn)行金屬鍍敷從而進(jìn)一步形成第二導(dǎo)通孔(權(quán)利要求6)。
[0018]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，在所述導(dǎo)通孔形成工序中，所述第二導(dǎo)通孔是對(duì)所述第二過孔實(shí)施電鍍填孔并填充金屬而形成的填充孔(權(quán)利要求7)。
[0019]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，在所述導(dǎo)通孔形成工序中，所述第二導(dǎo)通孔的直徑形成為大于或等于所述第一導(dǎo)通孔的直徑(權(quán)利要求8)。
[0020]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，所述柱狀體通過使用阻鍍膜的圖案電鍍而形成(權(quán)利要求9)。
[0021]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，所述粘接層由環(huán)氧類樹脂或者聚酰亞胺類樹脂形成(權(quán)利要求10)。
[0022]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，所述元器件搭載工序中，在所述元器件的端子面向所述第二面一側(cè)的狀態(tài)下進(jìn)行所述元器件的搭載(權(quán)利要求11)。
[0023]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，利用鋁板作為所述支承板，利用粘貼在所述鋁板上的銅箔作為所述金屬層(權(quán)利要求12)。
[0024]優(yōu)選如下結(jié)構(gòu)，利用不銹鋼板作為所述支承板，利用析出到所述不銹鋼板上的鍍銅膜作為所述金屬層(權(quán)利要求13)。[0025]根據(jù)本發(fā)明，提供一種利用上述元器件內(nèi)置基板的制造方法而制造得到的元器件內(nèi)置基板(權(quán)利要求14)。
[0026]此處，優(yōu)選為所述元器件內(nèi)置基板還具有在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)形成的所述子標(biāo)記(權(quán)利要求15)，更優(yōu)選為還具有在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)形成的所述基座(權(quán)利要求16)，進(jìn)一步優(yōu)選為還具有所述內(nèi)部電路基板(權(quán)利要求17)。
發(fā)明效果
[0027]本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法中，利用形成于金屬層的主標(biāo)記來對(duì)電氣或電子元器件進(jìn)行定位，在后續(xù)工序的過孔形成工序中也使用相同的主標(biāo)記來形成過孔。即，在對(duì)所述元器件進(jìn)行定位時(shí)、及在所述元器件埋設(shè)于埋設(shè)層內(nèi)后確定所述元器件的端子的位置時(shí)，以同一標(biāo)記為基準(zhǔn)，因此極大地提高了所述元器件與布線圖案的定位精度。
[0028]此外，本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法中，在將所述元器件經(jīng)由粘接層搭載于所述金屬層后，在固化后的粘接層上實(shí)施開孔加工來形成過孔，因此粘接劑不會(huì)流出。因此，能將粘接層的厚度形成為所需厚度，能確保所設(shè)計(jì)的粘接強(qiáng)度以及絕緣性。即，根據(jù)本發(fā)明，粘接劑的選擇范圍變大。
[0029]并且，本發(fā)明中，在標(biāo)記形成工序中，與所述主標(biāo)記同時(shí)形成子標(biāo)記，在所述窗口形成工序之前，利用X射線來確定所述子標(biāo)記，并形成一并貫通所述金屬層、所述子標(biāo)記以及所述埋設(shè)層的貫通孔。若將該貫通孔作為基準(zhǔn)，則能簡(jiǎn)單地確定被金屬層遮住的主標(biāo)記的位置及與所述元器件的端子相對(duì)應(yīng)的位置，因此能容易地形成所述第一窗口以及第二窗□。
[0030]本發(fā)明中，在具備基座的情況下，該基座起到確保所述元器件與所述金屬層(布線圖案)之間的空間的間隔件的作用，因此能使所述元器件與所述金屬層之間的粘接層的厚度保持固定。其結(jié)果是，能穩(wěn)定地獲得具有優(yōu)異的粘接強(qiáng)度及絕緣性的粘接層。
[0031 ] 此外，本發(fā)明中，由金屬制的柱狀體構(gòu)成的所述主標(biāo)記、子標(biāo)記及所述基座通過使用阻鍍膜的圖案電鍍而形成，因此無需添加新的制造設(shè)備就能簡(jiǎn)單地形成。因此，本發(fā)明有助于提高元器件內(nèi)置基板整體的生產(chǎn)效率。
[0032]此外，本發(fā)明的元器件內(nèi)置基板利用上述制造方法而獲得，因此被內(nèi)置的元器件與布線圖案的定位精度極高，不合格品的發(fā)生率較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1是簡(jiǎn)要表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法所使用的支承板的剖視圖。
圖2是簡(jiǎn)要表示在圖1的支承板上形成有金屬層的狀態(tài)的剖視圖。
圖3是簡(jiǎn)要表示在圖2的金屬層上形成有圖案電鍍用的阻鍍膜的狀態(tài)的剖視圖。
圖4是簡(jiǎn)要表示在圖2的金屬層上形成有標(biāo)記的狀態(tài)的剖視圖。
圖5是簡(jiǎn)要表示在圖4的金屬層上提供了粘接劑的狀態(tài)的剖視圖。
圖6是簡(jiǎn)要表示在圖5的粘接劑上搭載有電子元器件的狀態(tài)的剖視圖。
圖7是簡(jiǎn)要表示在搭載有電子元器件的金屬層上層疊絕緣基材及銅箔的狀態(tài)的剖視圖。
圖8是簡(jiǎn)要表示在搭載有電子元器件的金屬層上層疊了絕緣基材及銅箔并一體化的狀態(tài)的剖視圖。
圖9是簡(jiǎn)要表示將支承板從金屬層剝離的狀態(tài)的剖視圖。
圖10是簡(jiǎn)要表示對(duì)中間體實(shí)施X射線孔加工的狀態(tài)的剖視圖。
圖11是簡(jiǎn)要表示在圖10的中間體上形成有窗口的狀態(tài)的剖視圖。
圖12是簡(jiǎn)要表示在圖11的中間體上形成有激光過孔的狀態(tài)的剖視圖。
圖13是簡(jiǎn)要表示對(duì)圖12的中間體實(shí)施鍍敷處理的狀態(tài)的剖視圖。
圖14是簡(jiǎn)要表示本發(fā)明的實(shí)施方式I所涉及的元器件內(nèi)置基板的剖視圖。
圖15是簡(jiǎn)要表示在本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法所使用的支承板上的金屬層上形成有標(biāo)記與基座的狀態(tài)的剖視圖。
圖16是簡(jiǎn)要表示在圖15的金屬層上提供粘接劑的狀態(tài)的剖視圖。
圖17是簡(jiǎn)要表示在圖16的基座上放置有電子元器件的狀態(tài)的剖視圖。
圖18是簡(jiǎn)要表示本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的元器件內(nèi)置基板的剖視圖。
圖19是簡(jiǎn)要表示在搭載有電子元器件的金屬層上層疊絕緣基材、內(nèi)部電路基板以及銅箔的狀態(tài)的剖視圖。
圖20是簡(jiǎn)要表示在搭載有電子元器件的金屬層上層疊絕緣基材、內(nèi)部電路基板以及銅箔并一體化后的狀態(tài)的剖視圖。
圖21是簡(jiǎn)要表示在實(shí)施方式3所涉及的中間體中實(shí)施X射線孔加工，從而形成窗口的狀態(tài)的剖視圖。
圖22是簡(jiǎn)要表示在圖21的中間體中形成有激光過孔的狀態(tài)的剖視圖。
圖23是簡(jiǎn)要表示在圖22的中間體中實(shí)施鍍敷處理的狀態(tài)的剖視圖。
圖24是簡(jiǎn)要表示本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的元器件內(nèi)置基板的剖視圖。
圖25是表示在實(shí)施方式3所涉及的元器件內(nèi)置基板中形成有基準(zhǔn)標(biāo)記的狀態(tài)的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]〔實(shí)施方式I〕
在本發(fā)明中，首先，在原始材料上形成由銅制的柱狀體構(gòu)成的定位用標(biāo)記(標(biāo)記形成工序)。此處，例如如下所示那樣準(zhǔn)備原始材料。
[0035]首先，如圖1所示，準(zhǔn)備支承板2。該支承板2例如是不銹鋼制的薄板。然后，如圖2所示，在支承板2上形成由薄膜構(gòu)成的第一金屬層4。該第一金屬層4例如由通過電鍍而獲得的鍍銅膜構(gòu)成。由此，將獲得的包銅鋼板6作為原始材料。此處，將第一金屬層4中與支承板2相接的面記為第一面3,該第一面3相反側(cè)的面記為第二面5。
[0036]另外，也可以將鋁制薄板用作為支承板2。在該情況下，第一金屬層4由銅箔構(gòu)成，并粘貼在招制薄板的表面。
[0037]接著，如圖3所示，在準(zhǔn)備好的包銅鋼板6的第一金屬層4上形成掩膜層8。該掩膜層8例如是由規(guī)定厚度的干膜構(gòu)成的阻鍍膜，在規(guī)定位置上設(shè)有開口 10，金屬層4從該開口 10中露出。然后，通過對(duì)具有這樣的掩膜層8的包銅鋼板6實(shí)施鍍銅，從而在所述露出部分優(yōu)先析出銅，從而形成高度與干膜的厚度相同的柱狀銅柱。之后，通過去除干膜8，在第一金屬層4的第二面5上的規(guī)定位置形成由銅柱構(gòu)成的定位用標(biāo)記12(圖4)。[0038]雖然能任意選定該標(biāo)記12的設(shè)置位置，但優(yōu)選設(shè)置在對(duì)要內(nèi)置于絕緣基板內(nèi)的電子元器件(以下稱為基板內(nèi)元器件)14進(jìn)行定位光學(xué)系統(tǒng)定位裝置(未圖示)的光學(xué)系統(tǒng)傳感器容易識(shí)別的位置。本實(shí)施方式中，如圖4所示，在包銅鋼板6的兩端部分別形成2個(gè)標(biāo)記12，以夾著預(yù)定的搭載基板內(nèi)元器件14的搭載預(yù)定區(qū)域S。此處，關(guān)于各個(gè)標(biāo)記，圖4中位于搭載預(yù)定區(qū)域S附近一側(cè)的標(biāo)記稱為內(nèi)部標(biāo)記(主標(biāo)記)A、B，夾著這些內(nèi)部標(biāo)記
A、B而位于搭載預(yù)定區(qū)域S相反側(cè)的標(biāo)記稱為外部標(biāo)記(子標(biāo)記)C、D。
[0039]接著，在包銅鋼板6上經(jīng)由粘接劑16搭載基板內(nèi)元器件14 (元器件搭載工序)。 首先，如圖5所示，向搭載預(yù)定區(qū)域S提供粘接劑16。粘接劑16覆蓋整個(gè)搭載預(yù)定區(qū)
域S即可，粘接劑16的定位精度可以較低。另外，在進(jìn)行粘接劑16的定位時(shí)，以內(nèi)部標(biāo)記
A、B為基準(zhǔn)來確定搭載預(yù)定區(qū)域S，若在所確定的位置上涂布粘接劑16則粘接劑16的定位精度得以提高，因此較為理想。
[0040]上述粘接劑16發(fā)生固化從而成為規(guī)定厚度的粘接層18。所獲得的粘接層18將基板內(nèi)元器件14固定在規(guī)定位置上，并且具有規(guī)定的絕緣性。只要在固化后會(huì)發(fā)揮規(guī)定的粘接強(qiáng)度以及規(guī)定的絕緣性，粘接劑16并無特別限定，可使用例如在熱固化型的環(huán)氧類樹脂或者聚酰亞胺類樹脂中加入填料的粘接劑。該填料可以使用例如二氧化硅、玻璃纖維等微粉末。
[0041]本發(fā)明中，對(duì)搭載預(yù)定區(qū)域S提供粘接劑16的方式并無特別限定，可以采用涂布規(guī)定厚度的液體狀粘接劑6的方式，也可以采用放置規(guī)定厚度的片狀粘接劑16的方式。本實(shí)施方式中，使用在熱固化型的環(huán)氧類樹脂中添加了二氧化硅微粉末的液體狀的粘接劑。
[0042]接著，如圖6所示，對(duì)第一金屬層4的第二面5上的搭載預(yù)定區(qū)域S涂布粘接劑16，并在其上搭載基板內(nèi)元器件14。此時(shí)，基板內(nèi)元器件14以內(nèi)部標(biāo)記A、B為基準(zhǔn)被定位于搭載預(yù)定區(qū)域S。之后，通過使用回流爐、熱固化爐等對(duì)粘接劑16進(jìn)行加熱，從而該粘接劑16發(fā)生固化成為粘接層18。由此，基板內(nèi)元器件14被固定于規(guī)定位置。
[0043]詳細(xì)而言，根據(jù)圖6可知，基板內(nèi)元器件14是IC芯片等(未圖示)被樹脂所覆蓋的長(zhǎng)方體封裝元器件，在該封裝元器件的下部設(shè)置有多個(gè)端子20。于是，基板內(nèi)元器件14以及端子20與金屬層4的第二面5之間存在粘接層18。
[0044]接著，層疊絕緣基材，進(jìn)行基板內(nèi)元器件14、內(nèi)部標(biāo)記A、B、以及外部標(biāo)記C、D的埋設(shè)(埋設(shè)層形成工序)。
首先，如圖7所示，準(zhǔn)備第一以及第二絕緣基材22、24。這些絕緣基材22、24為樹脂制。此處，絕緣基材22、24是在玻璃纖維中浸潰未固化狀態(tài)的熱固化性樹脂而構(gòu)成的片狀即所謂的半固化片。該第一絕緣基材22具有貫通孔30。貫通孔30形成為其開口部能讓基板內(nèi)元器件14插通的大小，并且其高度(相當(dāng)于絕緣基材22的厚度)設(shè)定為比基材內(nèi)元器件14的高度要高。另一方面，如圖7所示，第二絕緣基材24呈未設(shè)置貫通孔的平板狀。
[0045]接著，在第一金屬層4上層疊第一絕緣基材22，在該第一絕緣基材22的上側(cè)重疊第二絕緣基材24，進(jìn)一步在該第二絕緣基材24的上側(cè)重疊要成為第二金屬層28的銅箔，由此形成層疊體。此處，第一絕緣基材22以使基板內(nèi)元器件14位于貫通孔30內(nèi)的方式進(jìn)行配置。之后，對(duì)整個(gè)所述層疊體進(jìn)行加壓與加熱，即所謂的熱壓。
[0046]由此，在半固化片的未固化狀態(tài)的熱固化性樹脂被加壓并填充至貫通孔30等的間隙中后，利用熱壓的熱量進(jìn)行固化。其結(jié)果，如圖8所示，形成由絕緣基材22、24構(gòu)成的絕緣基板(埋設(shè)層)34，并在絕緣基板34內(nèi)埋設(shè)基板內(nèi)元器件14。此處，絕緣基材22中預(yù)先設(shè)置有貫通孔30，因此能夠避免熱壓時(shí)對(duì)基板內(nèi)元器件14施加壓力。因此，即使是大型的基板內(nèi)元器件14也能不損壞地埋設(shè)于絕緣基板內(nèi)。
[0047]接著，如圖9所示，剝離支承板2。由此，能獲得元器件內(nèi)置基板的中間體40。該中間體40包括:絕緣基板34，該絕緣基板34的內(nèi)部包含基板內(nèi)元器件14 ;第一金屬層4，該第一金屬層4形成于該絕緣基板34的一個(gè)面(下表面)36上；以及第二金屬層28,該第二金屬層28形成于另一個(gè)面(上表面)38上。此處,第一金屬層4的第一面3因支承板2的剝尚而露出。
[0048]接著，對(duì)于獲得的中間體40，去除第一金屬層4的規(guī)定部位，從而形成窗口(窗口形成工序)。
首先，如圖10所示，檢測(cè)出外部標(biāo)記C、D的位置，利用鉆孔機(jī)形成一并貫通兩個(gè)金屬層
4、28、絕緣基板34以及外部標(biāo)記C、D的基準(zhǔn)孔42、42。此處，外部標(biāo)記C、D的位置檢測(cè)利用在通常的X射線孔加工時(shí)所使用的X射線照射裝置(未圖示)來進(jìn)行。
[0049]之后，將基準(zhǔn)孔42作為基準(zhǔn)，確定內(nèi)部標(biāo)記A、B以及基板內(nèi)元器件14的端子20所在的部分(以下稱為端子存在部)T，對(duì)于所確定的位置，利用通常使用的蝕刻法來從第一金屬層4的第一面3 —側(cè)去除第一金屬層的一部分。由此，形成使內(nèi)部標(biāo)記Α、B與絕緣基板34局部露出的第一窗口 Wl、以及使包含端子存在部T的粘接層18的部位露出的第二窗口 W2。此時(shí)，如圖11所示，各窗口 W1、W2形成得比這些內(nèi)部標(biāo)記A、B以及端子20、20要大。
[0050]接著，在端子 存在部T的粘接層18中形成過孔(過孔形成工序)。
首先，利用光學(xué)系統(tǒng)定位裝置(未圖示)的光學(xué)系統(tǒng)傳感器來識(shí)別露出的內(nèi)部標(biāo)記A、
B。然后，將內(nèi)部標(biāo)記A、B的位置作為基準(zhǔn)，來確定被粘接層18遮住的基板內(nèi)元器件14的端子20的位置。之后，對(duì)確定的端子位置的粘接層18照射激光，例如照射二氧化碳激光來去除粘接層18，如圖12所示，形成到達(dá)端子20為止的第一激光過孔(以下稱為第一 LVH) 46。由此，露出基板內(nèi)元器件14的端子20。此處，各窗口 W1、W2形成得比內(nèi)部標(biāo)記A、B以及端子20、20要大，因此在第一窗口 Wl中能識(shí)別所有內(nèi)部標(biāo)記A、B，在第二窗口 W2中能高效地對(duì)目標(biāo)位置照射激光而不會(huì)被金屬層4反射。
[0051]由上述方式可知，本發(fā)明的特征在于，在形成第一 LVH46時(shí)會(huì)再次使用基板內(nèi)元器件14定位時(shí)所使用的內(nèi)部標(biāo)記A、B。即，本發(fā)明中，基板內(nèi)元器件14的定位與第一LVH46的定位使用共同的標(biāo)記，因此能發(fā)揮極高的定位精度，對(duì)于被粘接層18遮住的端子20，能夠在正確的位置形成第一 LVH46。
[0052]接著，對(duì)形成有第一 LVH46的中間體40進(jìn)行除膠渣處理來去除樹脂殘?jiān)?，之后?shí)施鍍敷處理而使銅析出到中間體40的表面，從而在第一 LVH46內(nèi)填充銅。由此，形成使基板內(nèi)元器件14的端子20與第一金屬層4電連接的導(dǎo)通孔(導(dǎo)通孔形成工序)。
[0053]首先，在第一 LVH46內(nèi)實(shí)施無電解鍍銅處理，用銅覆蓋第一 LVH46的內(nèi)壁面以及基板內(nèi)元器件14的端子20的表面。之后，實(shí)施鍍銅處理，如圖13所示，使覆蓋包含第一 LVH46內(nèi)部的整個(gè)第一金屬層4的鍍銅層48生長(zhǎng)。由此，用銅填充第一 LVH46內(nèi)部從而形成第一導(dǎo)通孔47,該第一導(dǎo)通孔47與第一金屬層4 一體化,基板內(nèi)兀器件14的端子20與第一金屬層4電連接。[0054]接著，去除絕緣基板34的表面的第一金屬層4以及第二金屬層28的一部分，形成規(guī)定的布線圖案50 (圖案形成工序)。
利用通常的蝕刻法來去除兩個(gè)金屬層4、28的一部分。由此，如圖14所示那樣，能獲得在表面具有規(guī)定的布線圖案50的絕緣基板34內(nèi)內(nèi)置有基板內(nèi)元器件14的元器件內(nèi)置基板1，該基板內(nèi)元器件14具有與該布線圖案50電連接的端子20。
[0055]本發(fā)明中，由于不用預(yù)先在搭載預(yù)定區(qū)域S中開設(shè)用于填充金屬的孔，因此粘接劑不會(huì)流出。由此，能夠使用包含粘度較低的液體狀的粘接劑在內(nèi)的各種粘接劑。
[0056]如上所述那樣獲得的元器件內(nèi)置基板I能在表面安裝其他的電子元器件而構(gòu)成模塊基板。此外，也能夠?qū)⒃撛骷?nèi)置基板I作為核心基板，使用通常進(jìn)行的增層法來形成多層電路基板。
另外，在實(shí)施方式I的窗口形成工序中形成了第一窗口與第二窗口，但本發(fā)明并不限于該方式，也可以是僅形成第一窗口的方式。在該情況下，以從第一窗口露出的主標(biāo)記(內(nèi)部標(biāo)記)為基準(zhǔn)確定元器件的端子位置，例如利用銅直接法一并去除金屬層和粘接層，從而形成過孔。
[0057]〔實(shí)施方式2〕
實(shí)施方式2與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)僅在于,在實(shí)施方式I的標(biāo)記形成工序中進(jìn)一步形成用于放置基板內(nèi)元器件14的基座60。由此，在對(duì)實(shí)施方式2進(jìn)行的說明中，省略對(duì)與已經(jīng)說明的工序相同的工序的詳細(xì)說明。此外，對(duì)于與已經(jīng)說明的結(jié)構(gòu)構(gòu)件以及部位發(fā)揮同一功能的部分標(biāo)注相同的參照符號(hào)，并省略其說明。
[0058]在實(shí)施方式2的標(biāo)記形成工序中，對(duì)于形成于第一金屬層4上的成為掩膜層8的干膜，除了形成定位標(biāo)記用的開口以外，還在要搭載基板內(nèi)元器件14的搭載預(yù)定區(qū)域S內(nèi)的規(guī)定位置形成基座60用的開口。然后，對(duì)具有這樣的掩膜層8的包銅鋼板6實(shí)施鍍銅。由此，同時(shí)形成由銅制的柱狀體構(gòu)成的內(nèi)部標(biāo)記A、B、外部標(biāo)記C、D以及基座60、60(參照?qǐng)D15)。此處，基座60的高度設(shè)定為與后續(xù)工序中形成的粘接層18所要求的厚度相同的尺寸。此處，基座60形成在搭載預(yù)定區(qū)域S內(nèi)不會(huì)與要放置在其上的基板內(nèi)元器件14的端子20重疊的位置上。
[0059]接著，在實(shí)施方式2的元器件搭載工序中，對(duì)第一金屬層4的第二面5上的搭載預(yù)定區(qū)域S提供粘接劑16。此時(shí)，所提供的粘接劑16優(yōu)選為液體狀的粘接劑，如圖16所示，涂布的厚度稍許覆蓋基座60的程度即可，且覆蓋住整個(gè)搭載預(yù)定區(qū)域S。
[0060]之后，在搭載預(yù)定區(qū)域S的規(guī)定位置搭載基板內(nèi)元器件14(參照?qǐng)D17)。此時(shí)，基板內(nèi)元器件14由于自重而局部地沉到粘接劑16中，其下表面15與基座60的上端部相抵接。由此，在第一金屬層4的第二面5與基板內(nèi)元器件14的下表面15之間，確保了規(guī)定厚度的空間，在該空間中形成了粘接層18。由此，粘接層18的厚度成為所設(shè)計(jì)的厚度，確保了所需的粘接強(qiáng)度與絕緣性。
[0061]接著，與實(shí)施方式I同樣地經(jīng)過埋設(shè)層形成工序、窗口形成工序、過孔形成工序、導(dǎo)通孔形成工序、圖案形成工序，從而獲得如圖18所示的元器件內(nèi)置基板3。詳細(xì)而言，元器件內(nèi)置基板3包括:絕緣基板34，該絕緣基板34的表面具有規(guī)定的布線圖案50 ;以及內(nèi)置于該絕緣基板34內(nèi)的基板內(nèi)元器件14，該基板內(nèi)元器件14具有與布線圖案50電連接的端子20。此外，該元器件內(nèi)置基板3在第一金屬層4上具有由柱狀的銅柱構(gòu)成的基座60，在該基座60上放置有基板內(nèi)兀器件14。由此,基板內(nèi)兀器件14的下表面15與第一金屬層4的第二面5之間的尺寸不會(huì)比基座60的高度尺寸短，存在于其間的粘接層18的厚度成為所設(shè)計(jì)的厚度。
[0062]〔實(shí)施方式3〕
實(shí)施方式3與實(shí)施方式I的不同點(diǎn)在于，在埋設(shè)層形成工序之前增加了準(zhǔn)備內(nèi)部電路基板70的電路基板準(zhǔn)備工序，以及在埋設(shè)層形成工序中還在埋設(shè)層(絕緣基板34)內(nèi)埋設(shè)內(nèi)部電路基板70。由此，在對(duì)實(shí)施方式3進(jìn)行的說明中，省略對(duì)與已經(jīng)說明的工序相同的工序的詳細(xì)說明。此外，對(duì)于與已經(jīng)說明的結(jié)構(gòu)構(gòu)件以及部位發(fā)揮同一功能的部分標(biāo)注相同的參照符號(hào)，并省略其說明。
[0063]首先，在電路基板準(zhǔn)備工序中所準(zhǔn)備的內(nèi)部電路基板70例如是在絕緣性基板即內(nèi)部絕緣板72的兩個(gè)表面形成有規(guī)定圖案的內(nèi)部導(dǎo)電電路74的2層電路基板。該內(nèi)部電路基板70貫通內(nèi)部絕緣板72，并且包括對(duì)內(nèi)部絕緣板72的兩個(gè)面的內(nèi)部導(dǎo)電電路74之間進(jìn)行電連接的內(nèi)部過孔76、以及設(shè)置于內(nèi)部絕緣板的規(guī)定位置的匹配標(biāo)記78。
[0064]該內(nèi)部過孔76是對(duì)內(nèi)部絕緣板72上經(jīng)過激光加工而形成的內(nèi)部過孔80進(jìn)行電鍍填孔從而填充金屬所形成的填充孔。此處，內(nèi)部過孔76也可以利用保形電鍍來形成。然而，在電路基板的高密度化這方面上填充孔較為有利。此外，在考慮高密度化的情況下，優(yōu)選利用激光加工來形成內(nèi)部過孔80，但在考慮生產(chǎn)性及成本等方面的情況下，也可以利用貫通鉆來進(jìn)行加工。
[0065]通過鍍敷在內(nèi)部絕緣板72的表面形成金屬層，并將該金屬層加工成規(guī)定形狀的布線圖案來形成內(nèi)部導(dǎo)電電路74。此時(shí)，在加工布線圖案的同時(shí)也一并形成匹配標(biāo)記78。該匹配標(biāo)記78設(shè)置在規(guī)定位置上，以在其與主標(biāo)記(內(nèi)部標(biāo)記A、B)匹配時(shí)，內(nèi)部電路基板70能配置在埋設(shè)層內(nèi)所設(shè)計(jì)的位置。
[0066]此外，從圖19可知，內(nèi)部電路基板70具有貫通孔82。該貫通孔82形成為能讓基板內(nèi)元器件14貫通的大小。
[0067]在實(shí)施方式3的埋設(shè)層形成工序中，首先，準(zhǔn)備比實(shí)施方式I中所使用的第一絕緣基材22要薄的第三絕緣基材84以及實(shí)施方式I中所使用的第二絕緣基材24。此處，第三絕緣基材84具有能讓基板內(nèi)元器件14插通的大小的貫通孔86，該貫通孔86形成在第三絕緣基材84與內(nèi)部電路基板70層疊時(shí)會(huì)與內(nèi)部電路基板70的貫通孔82連起來的位置。此夕卜，第三絕緣基材84以及內(nèi)部電路基板70層疊后的厚度設(shè)定為比基板內(nèi)元器件14的高度要高。
[0068]接著，在第一金屬層4上進(jìn)行依次層疊第三絕緣基材84、內(nèi)部電路基板70、第二絕緣基材24以及要成為第二金屬層28的銅箔的層疊操作。在該層疊操作中，首先在第一金屬層4的上方保持內(nèi)部電路基板70。然后，利用光學(xué)傳感器識(shí)別第一金屬層4上的內(nèi)部標(biāo)記A、B以及內(nèi)部電路基板上的匹配標(biāo)記78，這些內(nèi)部標(biāo)記A、B與匹配標(biāo)記78在元器件內(nèi)置基板的厚度方向上進(jìn)行匹配，由此來對(duì)內(nèi)部電路基板70進(jìn)行定位。之后，在第一金屬層4與內(nèi)部電路基板70之間設(shè)置有第三絕緣基材84的狀態(tài)下，使內(nèi)部電路基板70朝著第一金屬層4移動(dòng)，將內(nèi)部電路基板70隔著第三絕緣基材84放置在第一金屬層4上。接著，在該內(nèi)部電路基板70之上層疊第二絕緣基材24以及銅箔(28)，從而獲得層疊體。此處，基板內(nèi)元器件14貫通第三絕緣基材84的貫通孔86以及內(nèi)部電路基板70的貫通孔82內(nèi)部。接著，對(duì)整個(gè)所述層疊體進(jìn)行熱壓。
[0069]在熱壓后，通過剝離支承板2，如圖20所示，獲得在絕緣基板34 (埋設(shè)層)內(nèi)埋設(shè)有基板內(nèi)元器件14、內(nèi)部標(biāo)記A、B、外部標(biāo)記C、D、以及內(nèi)部電路基板70的中間體90。
[0070]接著，在所獲得的中間體90上形成第一窗口 Wl以及第二窗口 W2，并且在內(nèi)部導(dǎo)電電路74的規(guī)定位置、例如與內(nèi)部過孔76存在的部分相對(duì)應(yīng)的位置形成第三窗口 W3。從圖21可知,該第三窗口 W3形成在第一金屬層4 一側(cè)以及第二金屬層28 —側(cè)。第三窗口 W3能以基準(zhǔn)孔42為基準(zhǔn)與第一窗口 Wl同時(shí)形成，但本方式并不限于此。例如，能在形成第一窗口 Wl之后，以從第一窗口 Wl露出的內(nèi)部標(biāo)記A、B為基準(zhǔn)形成第三窗口 W3。
[0071]接著，在從第三窗口 W3中露出的部分的埋設(shè)層中形成過孔。
首先，利用光學(xué)系統(tǒng)定位裝置(未圖示)的光學(xué)系統(tǒng)傳感器來識(shí)別露出的內(nèi)部標(biāo)記A、
B。然后，以內(nèi)部標(biāo)記A、B為基準(zhǔn)來確定被埋設(shè)層遮住的內(nèi)部電路基板70的內(nèi)部導(dǎo)電電路74的規(guī)定位置、例如內(nèi)部過孔76存在的位置。之后，對(duì)與確定的內(nèi)部導(dǎo)電電路74的規(guī)定位置相對(duì)應(yīng)的部分的埋設(shè)層照射激光，例如照射二氧化碳激光來去除埋設(shè)層18，如圖22所示，形成到達(dá)內(nèi)部導(dǎo)電電路74為止的第二激光過孔(以下稱為第二 LVH)92。由此，露出內(nèi)部導(dǎo)電電路74的規(guī)定位置。
[0072]接著，對(duì)形成有第一 LVH46和第二 LVH92的中間體90進(jìn)行除膠渣處理來去除樹脂殘?jiān)?，之后?shí)施電鍍填孔處理而使銅析出到中間體90的表面，并且在第一 LVH46和第二LVH92內(nèi)填充銅。由此，形成對(duì)基板內(nèi)元器件14的端子20與第一金屬層4進(jìn)行電連接的第一導(dǎo)通孔47，并且形成對(duì)內(nèi)部電路基板70的內(nèi)部導(dǎo)電電路74與第一金屬層4以及第二金屬層28進(jìn)行電連接的第二導(dǎo)通孔94 (參照?qǐng)D23)。
[0073]之后，去除絕緣基板34的表面的第一金屬層4以及第二金屬層28的一部分，形成規(guī)定的布線圖案50。
由此，如圖24所示，可獲得將內(nèi)部電路基板70埋設(shè)在絕緣基板34 (埋設(shè)層)內(nèi)的元器件內(nèi)置基板100。
[0074]該實(shí)施方式3的元器件內(nèi)置基板100中，通過填充孔來進(jìn)行層間所有的電連接，因此成為所謂的任意層結(jié)構(gòu)。在任意層結(jié)構(gòu)的情況下，導(dǎo)通孔由金屬填充，且在其上形成有布線圖案，因此設(shè)計(jì)的自由度得以提高，此外，對(duì)于電路基板的高密度化具有效果。
[0075]此外，在元器件內(nèi)置基板100中，從圖24可知，第二導(dǎo)通孔94的直徑形成得比第一導(dǎo)通孔47的直徑要大。此時(shí)，從埋設(shè)元器件的性質(zhì)方面來看，假設(shè)將絕緣基材84、24的厚度設(shè)定為粘接層18的厚度以上。因此，第二導(dǎo)通孔的深度可能在第一導(dǎo)通孔的深度以上。此時(shí)，考慮鍍敷工序，使第二導(dǎo)通孔的孔徑在第一導(dǎo)通孔以上，從而具有以下優(yōu)點(diǎn):能防止鍍液循環(huán)的惡化，確保導(dǎo)通孔的鍍敷品質(zhì)。另外，也可以使第二導(dǎo)通孔94的直徑與第一導(dǎo)通孔相同。
[0076]此處，在本實(shí)施方式3中，能在金屬層4上的規(guī)定位置形成內(nèi)部標(biāo)記A、B、外部標(biāo)記
C、D、以及內(nèi)部電路基板定位用的基準(zhǔn)標(biāo)記88(參照?qǐng)D25)。以與主標(biāo)記(內(nèi)部標(biāo)記A、B)相同的精度來形成該基準(zhǔn)標(biāo)記88。另一方面，內(nèi)部電路基板70的匹配標(biāo)記78也設(shè)置在與基準(zhǔn)標(biāo)記88相對(duì)應(yīng)的規(guī)定位置。因此，在層疊操作時(shí)通過使基準(zhǔn)標(biāo)記88與內(nèi)部電路基板70的匹配標(biāo)記78相匹配，從而能夠?qū)?nèi)部電路基板70定位在所設(shè)計(jì)的規(guī)定位置。由此，在除了主標(biāo)記以外還設(shè)置有基準(zhǔn)標(biāo)記88的情況下，具有如下優(yōu)點(diǎn)。例如，即使在所述層疊操作時(shí)不得不將主標(biāo)記形成在光學(xué)傳感器難以識(shí)別的位置，也只要將基準(zhǔn)標(biāo)記88設(shè)置在所述光學(xué)傳感器易于識(shí)別的位置，利用該基準(zhǔn)標(biāo)記88就能容易并且高精度地對(duì)內(nèi)部電路基板70進(jìn)行定位。
[0077]另外，在上述各實(shí)施方式中，基板內(nèi)元器件14的定位以及LVH的定位的標(biāo)記利用內(nèi)部標(biāo)記A及內(nèi)部標(biāo)記B，但本發(fā)明并不限于此，也可以是在基板內(nèi)元器件14及LVH的定位時(shí)僅利用內(nèi)部標(biāo)記A及內(nèi)部標(biāo)記B中的某一方的方式。本發(fā)明的特征在于，在基板內(nèi)元器件的定位以及設(shè)置LVH時(shí)端子位置的確定使用同一標(biāo)記，即使僅利用內(nèi)部標(biāo)記A及內(nèi)部標(biāo)記B中的某一方也能具有足夠高的定位精度。在上述實(shí)施方式中，作為進(jìn)一步提高定位精度的優(yōu)選方式，對(duì)使用內(nèi)部標(biāo)記A及內(nèi)部標(biāo)記B雙方的方式進(jìn)行了說明。
[0078]此外，本發(fā)明并不限于將主標(biāo)記設(shè)置在搭載預(yù)定區(qū)域S附近的方式，也可以將主標(biāo)記設(shè)置在遠(yuǎn)離搭載預(yù)定區(qū)域S的部分。例如，在大尺寸的工件上制作多個(gè)元器件內(nèi)置基板，之后，從所述工件切割出并制造各個(gè)元器件內(nèi)置基板，在該情況下，能在工件的邊框部分形成主標(biāo)記。
[0079]此外，本實(shí)施方式中，作為內(nèi)置于絕緣基板內(nèi)的元器件，并不限于封裝元器件，也能將貼片元器件等其它各種電子元器件作為對(duì)象。
標(biāo)號(hào)說明
[0080]1、3元器件內(nèi)置基板 2支承板
3第一面 4第一金屬層 5第二面 6包銅鋼板 8掩膜層 12定位用標(biāo)記
14電子元器件(基板內(nèi)元器件)
16粘接劑
18粘接層
20端子
34絕緣基板
40中間體
46激光過孔(LVH)
47第一導(dǎo)通孔 50布線圖案 60基座
70內(nèi)部電路基板 72內(nèi)部絕緣板 74內(nèi)部導(dǎo)電電路 76內(nèi)部過孔 78匹配標(biāo)記80內(nèi)部過孔94第二導(dǎo)通孔100元器件內(nèi)置基板S搭載預(yù)定區(qū)域
【權(quán)利要求】
1.一種元器件內(nèi)置基板的制造方法，該元器件內(nèi)置基板在表面具有布線圖案的絕緣基板內(nèi)內(nèi)置有電氣或電子元器件，該電氣或電子元器件具有與所述布線圖案電連接的端子，其特征在于，包括如下工序: 標(biāo)記形成工序，該標(biāo)記形成工序中，在支承板上形成要成為所述布線圖案的金屬層，并在該金屬層的與所述支承板相接的第一面的相反側(cè)的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的主標(biāo)記； 元器件搭載工序，該元器件搭載工序中，相對(duì)于所述金屬層以所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來對(duì)所述元器件進(jìn)行定位，以與所述元器件及所述端子之間隔著絕緣性粘接層的方式在所述金屬層的第二面上搭載所述元器件； 埋設(shè)層形成工序，該埋設(shè)層形成工序中，在搭載有所述元器件的所述金屬層的第二面上，形成作為埋設(shè)所述元器件及所述主標(biāo)記的所述絕緣基板的埋設(shè)層； 窗口形成工序，該窗口形成工序中，在從所述金屬層剝離所述支承板之后，從通過該剝離而露出的所述金屬層的第一面一側(cè)去除所述金屬層的一部分，從而形成至少使所述主標(biāo)記與所述埋設(shè)層局部露出的第一窗口； 過孔形成工序，該過孔形成工序中，以從所述第一窗口露出的所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來確定所述元器件的端子的位置，并形成到達(dá)所述端子為止的第一過孔； 導(dǎo)通孔形成工 序，該導(dǎo)通孔形成工序中，在對(duì)所述第一過孔實(shí)施鍍敷處理之后，通過填充金屬來形成第一導(dǎo)通孔；以及 圖案形成工序，該圖案形成工序中，將經(jīng)由所述導(dǎo)通孔與所述端子電連接的所述金屬層形成為所述布線圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)也在所述金屬層的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的子標(biāo)記， 并且在所述窗口形成工序之前，還包括貫通孔形成工序，該貫通孔形成工序中，利用X射線來確定所述子標(biāo)記，并形成一并貫通所述金屬層、所述子標(biāo)記、以及所述埋設(shè)層的貫通孔， 所述窗口形成工序以所述貫通孔為基準(zhǔn)來形成所述第一窗口。
3.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述窗口形成工序中，進(jìn)一步形成第二窗口，該第二窗口使包含與所述元器件的端子對(duì)應(yīng)的位置的所述粘接層的部位露出， 所述過孔形成工序中，在從所述第二窗口露出的所述粘接層中形成到達(dá)所述端子為止的所述第一過孔。
4.如權(quán)利要求3所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)也在所述金屬層的第二面上形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的子標(biāo)記， 并且在所述窗口形成工序之前，還包括貫通孔形成工序，該貫通孔形成工序中，利用X射線來確定所述子標(biāo)記，并形成一并貫通所述金屬層、所述子標(biāo)記、以及所述埋設(shè)層的貫通孔， 所述窗口形成工序以所述貫通孔為基準(zhǔn)來形成所述第一窗口及所述第二窗口。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述標(biāo)記形成工序中，在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)，也在所述金屬層的第二面上的所述元器件的搭載預(yù)定區(qū)域內(nèi)且除去所述端子所在部分的位置上，形成由金屬制的柱狀體構(gòu)成的基座， 在所述元器件搭載工序中，在所述基座上放置所述元器件，并且在所述元器件及所述端子與所述第二面之間設(shè)置所述粘接層。
6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述埋設(shè)層形成工序之前，還包括電路基板準(zhǔn)備工序，在該電路基板準(zhǔn)備工序中，準(zhǔn)備要進(jìn)一步埋設(shè)在所述埋設(shè)層內(nèi)的內(nèi)部電路基板，所述內(nèi)部電路基板具有內(nèi)部絕緣板、設(shè)置在所述內(nèi)部絕緣板的兩面的內(nèi)部導(dǎo)電電路、以及設(shè)置于所述內(nèi)部絕緣板上的規(guī)定位置的匹配標(biāo)記， 在所述埋設(shè)層形成工序中，使所述匹配標(biāo)記與所述主標(biāo)記在所述元器件內(nèi)置基板厚度方向上相匹配，且確保所述內(nèi)部電路基板與所述金屬層的第二面之間具有規(guī)定間隔，并在此狀態(tài)下形成所述埋設(shè)層， 在所述過孔形成工序中，以從所述第一窗口露出的所述主標(biāo)記為基準(zhǔn)來確定所述內(nèi)部導(dǎo)電電路的位置，進(jìn)一步形成到達(dá)所述內(nèi)部導(dǎo)電電路為止的第二過孔， 在所述導(dǎo)通孔形成工序中，對(duì)所述第二過孔進(jìn)行金屬鍍敷從而進(jìn)一步形成第二導(dǎo)通孔。
7.如權(quán)利要求6所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述導(dǎo)通孔形成工序中，所述第二導(dǎo)通孔是對(duì)所述第二過孔實(shí)施電鍍填孔并填充金屬而形成的填充孔。
8.如權(quán)利要求6或7所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 在所述導(dǎo)通孔形成工序中，所述第二導(dǎo)通孔的直徑形成為大于或等于所述第一導(dǎo)通孔的直徑。
9.如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述柱狀體通過使用阻鍍膜的圖案電鍍而形成。
10.如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述粘接層由環(huán)氧類樹脂或者聚酰亞胺類樹脂形成。
11.如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 所述元器件搭載工序中，在所述元器件的端子面向所述第二面一側(cè)的狀態(tài)下進(jìn)行所述兀器件的搭載。
12.如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 利用鋁板作為所述支承板，利用粘貼在所述鋁板上的銅箔作為所述金屬層。
13.如權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法，其特征在于， 利用不銹鋼板作為所述支承板，利用析出到所述不銹鋼板上的鍍銅膜作為所述金屬層。
14.一種元器件內(nèi)置基板，其特征在于， 利用權(quán)利要求1或3所記載的制造方法而制造得到。
15.如權(quán)利要求14所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于，還具有在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)形成的權(quán)利要求2或4的所述子標(biāo)記。
16.如權(quán)利要求14或15所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于，還具有在形成所述主標(biāo)記的同時(shí)形成的權(quán)利要求5的所述基座。
17.如權(quán)利要求14至16的任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板，其特征在于，還具有權(quán)利要求6的所 述內(nèi)部電路基板。
【文檔編號(hào)】H05K3/46GK104025728SQ201180074538
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月31日
【發(fā)明者】清水良一, 松本徹, 長(zhǎng)谷川琢哉, 今村圭男 申請(qǐng)人:名幸電子有限公司