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元器件內(nèi)置基板及其制造方法

文檔序號(hào):8191946閱讀:451來源:國知局
專利名稱:元器件內(nèi)置基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種內(nèi)置有電子元器件的元器件內(nèi)置基板及其制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的元器件內(nèi)置基板已知有例如專利文獻(xiàn)I中所揭示的基板。下面,參照?qǐng)D8,對(duì)專利文獻(xiàn)I中所揭示的元器件內(nèi)置基板進(jìn)行說明。圖8是示出了元器件內(nèi)置基板的截面圖。元器件內(nèi)置基板101是對(duì)由熱塑性樹脂構(gòu)成的多個(gè)絕緣層102進(jìn)行層疊、熱壓接而構(gòu)成的。一部分的絕緣層102上形成有由銅箔等構(gòu)成的布線導(dǎo)體103,布線導(dǎo)體103通過通孔104與形成在元器件內(nèi)置基板的主面及與主面相反的面上的焊盤105進(jìn)行電連接。在元器件內(nèi)置基板101的內(nèi)部?jī)?nèi)置有電子元器件106。電子元器件106的電極106a通過所述通孔104與所述布線導(dǎo)體103、以及所述焊盤105進(jìn)行電連接?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2007-305674號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題由此構(gòu)成的元器件內(nèi)置基板在對(duì)構(gòu)成基板的多個(gè)樹脂片材進(jìn)行熱壓接時(shí),由于樹脂片材的樹脂會(huì)在平面方向或者厚度方向上流動(dòng),有可能導(dǎo)致布線導(dǎo)體和通孔發(fā)生偏移,由此引起斷路不良或短路不良的情況。特別地,最新發(fā)現(xiàn)隨著對(duì)內(nèi)置元器件周圍的布線進(jìn)一步的微細(xì)化、高密度化,更容易引發(fā)上述問題。由于在內(nèi)置元器件的周圍的樹脂會(huì)填埋元器件之間的間隙,因此,該樹脂流動(dòng)在內(nèi)置元器件周圍的流動(dòng)變得尤為顯著。本發(fā)明正是鑒于上述問題而完成的,提供一種元器件內(nèi)置基板,在該元器件內(nèi)置基板中,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,由此,在進(jìn)行熱壓接時(shí)能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng),其結(jié)果是,對(duì)布線導(dǎo)體和通孔發(fā)生的不良狀況能夠抑制。解決上述問題的手段本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板具有:絕緣基材,該絕緣基材由熱塑性樹脂構(gòu)成,且包括一對(duì)主面;芯片狀的電子元器件,該電子元器件埋入絕緣基材的內(nèi)部;布線導(dǎo)體,該布線導(dǎo)體形成于絕緣基材的內(nèi)部,與主面延伸的方向平行地延伸,以及通孔導(dǎo)體,該通孔導(dǎo)體形成在絕緣基材的內(nèi)部,當(dāng)從與絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察絕緣基材時(shí),元器件內(nèi)置基板至少具有一個(gè)框形電極,該框形電極以包圍電子元器件的方式形成于絕緣基材的內(nèi)部。通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板優(yōu)選為當(dāng)從絕緣基材的主面延伸的方向觀察絕緣基材時(shí),將框形電極形成在不與電子元器件重合的位置上。在這種情況下,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板優(yōu)選為當(dāng)從絕緣基材的主面延伸的方向觀察絕緣基材時(shí),將框形電極形成在至少局部與電子元器件重合的位置上。在這種情況下,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板優(yōu)選為當(dāng)從與絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察絕緣基材時(shí),布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體設(shè)置在被框形電極包圍的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域中。在這種情況下,通過將布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體設(shè)置在框形電極的外側(cè),在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制設(shè)置有布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體的部分的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板優(yōu)選為使所述框形電極與接地電極連接。在這種情況下,框形電極通過與接地電極連接而起到接地的作用。其結(jié)果是,能夠使框形電極具有電磁屏蔽的作用。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法中,該元器件內(nèi)置基板具有:絕緣基材,該絕緣基材由熱塑性樹脂構(gòu)成,且包括一對(duì)主面;芯片狀的電子元器件,該電子元器件埋入絕緣基材的內(nèi)部;布線導(dǎo)體,該布線導(dǎo)體形成于絕緣基材的內(nèi)部,與主面延伸的方向平行地延伸;以及通孔導(dǎo)體,該通孔導(dǎo)體形成在絕緣基材的內(nèi)部,所述元器件內(nèi)置基板的制造方法包括:準(zhǔn)備一塊以上的第I樹脂片材、以及多塊第2樹脂片材的樹脂片材準(zhǔn)備工序;在第I樹脂片材及第2樹脂片材中的規(guī)定樹脂片材上形成布線導(dǎo)體、通孔導(dǎo)體的導(dǎo)體形成工序;在第I樹脂片材和絕緣基材內(nèi)部的第2樹脂片材的至少一方上,形成至少一個(gè)框形電極的框形電極形成工序;在第I樹脂片材中形成用于收納電子元器件的貫通孔的貫通孔形成工序;將電子元器件收納在寬統(tǒng)括的內(nèi)部,以在從第I樹脂片材及第2樹脂片材的層疊方向進(jìn)行觀察時(shí),框形電極包圍電子元器件,并且,對(duì)第I樹脂片材及第2樹脂片材進(jìn)行層疊,以使貫通孔的2個(gè)開口面被第2樹脂片材覆蓋的樹脂片材層疊工序;以及通過對(duì)第I樹脂片材及第2樹脂片材進(jìn)行熱壓接,由此得到樹脂片材的層疊體即絕緣基材的熱壓接工序。在這種情況下,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法優(yōu)選為框形電極包括設(shè)置在第2樹脂片材的不與第I樹脂片材相接的面上的部分。在這種情況下,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法優(yōu)選為框形電極包括以與第I樹脂片材相接的方式設(shè)置的部分。在這種情況下,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。
另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法優(yōu)選為當(dāng)從與絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察絕緣基材時(shí),布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體設(shè)置在被框形電極包圍的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域中。在這種情況下,通過將布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體設(shè)置在框形電極的外側(cè),在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制設(shè)置有布線導(dǎo)體及通孔導(dǎo)體的部分的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。另外,本發(fā)明所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法優(yōu)選為使導(dǎo)體形成工序和框形電極形成工序在同一工序中進(jìn)行。在這種情況下,通過將導(dǎo)體形成工序和框形電極形成工序合并起來進(jìn)行,由此提高了生產(chǎn)率。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明,通過在內(nèi)置元器件的周圍設(shè)置框形電極,在進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。其結(jié)果是,能夠抑制布線導(dǎo)體或通孔發(fā)生不良的情況。


圖1是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的元器件內(nèi)置基板的縱向截面狀態(tài)的概要圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的元器件內(nèi)置基板的橫向截面狀態(tài)的概要圖。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的元器件內(nèi)置基板的制造工序的截面圖。圖4是表不接著圖3之后的制造工序的截面圖。圖5是表不接著圖4之后的制造工序的截面圖。圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的元器件內(nèi)置基板的縱向截面狀態(tài)的概要圖。圖7是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的元器件內(nèi)置基板的縱向截面狀態(tài)的概要圖。圖8是表示現(xiàn)有的元器件內(nèi)置基板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式(第I實(shí)施方式)下面,參照?qǐng)D1 圖2對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的元器件內(nèi)置基板進(jìn)行說明。元器件內(nèi)置基板20具有:絕緣基材12,該絕緣基材12由熱塑性樹脂構(gòu)成,在其內(nèi)部包括通孔5、布線導(dǎo)體7、電子元器件9、框形電極3 ;外部電極10和接地電極13,該外部電極10和接地電極13形成在絕緣基材12的一個(gè)主面即底面上;電極11,該電極11形成在絕緣基材12的另一個(gè)主面即上表面上,所述上表面位于絕緣基材12的底面的相反側(cè)。電子元器件9例如是通過在由內(nèi)部電極和陶瓷生片層疊而成的層疊體的兩端形成端子電極而得到的層疊型芯片電容器等的芯片狀的電子元器件。通過對(duì)規(guī)定數(shù)量的由熱塑性樹脂構(gòu)成的樹脂片材進(jìn)行層疊,并使它們互相粘接,由此構(gòu)成絕緣基材12。在絕緣基材12的內(nèi)部形成空腔8,在該空腔8的內(nèi)部埋入所述電子元器件9(圖1)。在絕緣基材12上,當(dāng)從與絕緣基材12的主面延伸的方向垂直的方向觀察該絕緣基材12時(shí),在電子元件9與所述通孔5及所述布線導(dǎo)體7之間,并且在電子元器件9的周圍,配置有框形電極3。框形電極3在不中斷的情況下連續(xù)地形成。也就是說,電子元器件9完全被框形電極3所包圍(圖2)。另外,當(dāng)從絕緣基材12的主面延伸的方向觀察絕緣基材12時(shí),該框形電極3配置在與電子元器件9的厚度相當(dāng)?shù)膮^(qū)域,或者配置在該區(qū)域附近。S卩,當(dāng)從絕緣基材12的主面延伸的方向觀察絕緣基材12時(shí),框形電極3位于與電子元器件9重合的位置,且形成在與電子元器件9相接的面上。另外,雖然在圖1中示出了 2個(gè)框形電極3,但是,框形電極3也可以配置為I個(gè)、或者3個(gè)以上。通過設(shè)置該框形電極3,在對(duì)多個(gè)樹脂片材進(jìn)行熱壓接時(shí),能夠抑制框形電極3外側(cè)的樹脂流入空腔8和電子元器件9周圍的間隙內(nèi)。因此,在框形電極3外側(cè)的區(qū)域中,較難發(fā)生因樹脂流動(dòng)而引起的通孔5和布線導(dǎo)體7的位置偏移,其結(jié)果是,能夠減少發(fā)生斷路不良或短路不良的情況。布線導(dǎo)體7通過通孔5與配置在絕緣基材12的上表面的電極11電連接,與形成在絕緣基材12的底面的外部電極10電連接。另外,電子元器件9也通過通孔5與外部電極10電連接。一個(gè)框形電極3通過通孔5與形成在絕緣基材12的底面的接地電極13電連接。通過使框形電極3與接地電極13連接,能夠使框形電極3起到電磁屏蔽的作用(圖1)。另外,接地電極13也可以設(shè)置在絕緣基材12的內(nèi)部。接著,參照?qǐng)D3 圖5來說明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的元器件內(nèi)置基板的制造方法。首先,準(zhǔn)備由熱塑性樹脂即LCP (液晶聚合物)構(gòu)成的樹脂片材la。作為樹脂片材Ia的結(jié)構(gòu)材料,除了 LCP以外,還可以使用PEEK (聚醚醚酮)、PEI (聚醚酰亞胺)、PPS (聚苯醚硫化物)、PI (聚酰亞胺)等。該樹脂片材Ia在單面具有由Cu構(gòu)成的厚度為18 y m的導(dǎo)體箔4。另外,導(dǎo)體箔4的材料除了 Cu以外,還可以是Ag、Al、SUS、N1、Au或其合金。另外,在該實(shí)施方式中,雖然使用了厚度為18 y m的導(dǎo)體箔,但是,該導(dǎo)體箔4的厚度只要是3 40 iim左右能夠形成電路的厚度即可(圖3(a))。接著,對(duì)所述樹脂片材Ia的樹脂片材一側(cè)照射二氧化碳?xì)怏w激光,以形成通孔用的孔5a。然后,去除殘留在通孔用的孔5a中的樹脂殘?jiān)?圖3(b))。接著,用通用的光刻法在所述樹脂片材Ia的導(dǎo)體箔4上形成與所希望的電路圖案對(duì)應(yīng)的抗蝕劑6 (圖3(c))。然后,對(duì)所述導(dǎo)體箔4中未被所述抗蝕劑6覆蓋的部分進(jìn)行蝕刻。接著,除去抗蝕劑6以形成框形電極3及布線導(dǎo)體7。雖然該布線導(dǎo)體7簡(jiǎn)略地示出在圖中,但是實(shí)際上該布線導(dǎo)體7是細(xì)微的布線,且以高密度來形成(圖3(d))。接著,利用絲網(wǎng)印刷等,向所述通孔用的孔5a中填充導(dǎo)電性糊劑,以形成通孔5。所填充的導(dǎo)電性糊劑以Cu為主要成分。對(duì)于該導(dǎo)電性糊劑,可以在熱壓接的溫度下適量地加入用于與所述布線導(dǎo)體7的導(dǎo)體金屬形成合金層的金屬粉。因?yàn)樵搶?dǎo)電性糊劑以Cu作為主要成分,因此,作為該金屬粉,可以加入Ag、Cu、Ni之中的至少一種以及Sn、B1、Zn之中的至少一種(圖4(e))。接著,通過沖壓加工,形成與后述的電子元器件9相同,或者比后述的電子元器件9的面積大的貫通孔8a。由此,樹脂片材Ia形成為第I樹脂片材I (圖4(f))。
另外,關(guān)于圖4 (g)所示的第2樹脂片材2,是從上述的第I樹脂片材I的制造工序中省略掉圖4(f)所示的貫通孔8a的形成工序,由此形成第2樹脂片材2。然后,對(duì)規(guī)定數(shù)量的所述第I樹脂片材I和所述第2樹脂片材2進(jìn)行層疊。首先,將第2樹脂片材2的上下面顛倒來使用,從而將布線導(dǎo)體7配置在完成后的元器件內(nèi)置基板的底面。由此,配置在完成后的元器件內(nèi)置基板的底面的布線導(dǎo)體7成為外部電極10和接地電極13。然后,在第2樹脂片材2之上,配置2塊上下面顛倒的第I樹脂片材I。在進(jìn)行配置時(shí),形成于第I樹脂片材I的貫通孔8a相連而形成用于使后述的電子元器件9插入的凹部。之后,利用比后述的熱壓接溫度低的溫度(150 200°C)進(jìn)行臨時(shí)壓接。由此,使第I樹脂片材I的貫通孔8a相連而形成空腔8 (圖4 (g))。之后,將電子元器件9插入所述空腔8 (圖4 (h))。然后,在所述第I樹脂片材I和電子元器件9之上,配置另一第2樹脂片材2。該第2樹脂片材2配置成使得在第2樹脂片材2上形成的布線導(dǎo)體7位于完成后的元器件內(nèi)置基板的下表面所形成的外部電極10 —側(cè)的相反側(cè)、即元器件內(nèi)置基板的上表面?zhèn)?。接著,在該?基板片材2之上,配置又一第2樹脂片材2。該樹脂片材2配置成使得在樹脂片材上形成的布線導(dǎo)體7位于元器件內(nèi)置基板的上表面。位于基板上表面的第2樹脂片材2上形成的布線導(dǎo)體7成為用于安裝其它IC元器件等的電極11 (圖5(i))。然后,以250 300°C的溫度,對(duì)所述第I樹脂片材1、第2樹脂片材2進(jìn)行熱壓接。通過進(jìn)行熱壓接,使相鄰的樹脂片材相互粘接以形成絕緣基材12,并且,使電子元器件9和通孔5導(dǎo)通。在進(jìn)行熱壓接時(shí),框形電極3內(nèi)側(cè)的樹脂會(huì)在所述空腔8和所述電子元器件9之間的間隙中流動(dòng),但是,由于設(shè)置有框形電極3,因此,框形電極3外側(cè)的樹脂不會(huì)受到框形電極3內(nèi)側(cè)的樹脂流動(dòng)的影響。即,因框形電極3而抑制了框形電極3外側(cè)的樹脂流動(dòng)。因此,較難發(fā)生因樹脂流動(dòng)而引起的通孔5和布線導(dǎo)體7的位置偏移,其結(jié)果是,減少發(fā)生斷路不良或短路不良的情況。在進(jìn)行熱壓接之后,對(duì)形成于元器件內(nèi)置基板20的上表面及底面的外部電極10、接地電極13以及電極11的表面實(shí)施Ni或Au鍍層處理(圖3(j))。在圖3(j)中,如上所述,通過對(duì)第I樹脂片材1、第2樹脂片材2進(jìn)行熱壓接以形成絕緣基材12,由此,所層疊的第I樹脂片材I和第2樹脂片材2之間實(shí)質(zhì)上不存在層間界面。在該實(shí)施方式中,雖然是層疊了 2塊第I樹脂片材1,但是,為了形成能供內(nèi)置的電子元器件9插入的空腔,可以對(duì)所使用的第I樹脂片材I的數(shù)量進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?。另外,?duì)于第2樹脂片材2的數(shù)量也同樣,能夠根據(jù)所希望的基板而進(jìn)行相應(yīng)的變更。而且,第I樹脂片材1、第2樹脂片材2的層疊順序能夠根據(jù)所希望的基板而進(jìn)行相應(yīng)的變更。(第2實(shí)施方式)接著,參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外,與第I實(shí)施方式相同的位置,標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào),并省略其說明。第2實(shí)施方式所涉及的元器件內(nèi)置基板30與第I實(shí)施方式所涉及的元器件內(nèi)置基板20相同,也具有在絕緣基材12的內(nèi)部形成的框形電極3A。當(dāng)從絕緣基材12的主面延伸的方向觀察絕緣基材12時(shí),與元器件內(nèi)置基板20 —樣,該框形電極3A配置在電子元器件9與通孔5及布線導(dǎo)體7之間,并且配置在電子元器件9的周圍。
但是,當(dāng)從絕緣基材12的主面延伸的方向進(jìn)行觀察時(shí),框形電極3A形成在不與電子元器件9重合的位置上。也就是說,在絕緣基材12的層疊方向上,框形電極3A形成在位于電子元器件9的上部側(cè)及下部側(cè)的絕緣基材12中。在熱壓接之前的絕緣基材12中,框形電極3A設(shè)置在絕緣基材12的內(nèi)部,即除了與電子元器件9相接的面以外的第2樹脂片材上。在制造元器件內(nèi)置基板30時(shí),當(dāng)對(duì)多塊樹脂片材進(jìn)行熱壓接時(shí),對(duì)層疊方向施加的壓力大于對(duì)平面方向施加的壓力。由于其影響,層疊方向上樹脂流動(dòng)的速度大于平面方向上樹脂流動(dòng)的速度。因?yàn)樵诮^緣基材12的層疊方向上,形成在元器件內(nèi)置基板30中的框形電極3A配置在電子元器件9的上部側(cè)及下部側(cè),因此,能夠進(jìn)一步地抑制樹脂在空腔8和電子元器件9之間的間隙中流動(dòng),從而使得通孔5和布線導(dǎo)體7較難產(chǎn)生位置偏移。其結(jié)果是,進(jìn)一步減少了斷路不良或短路不良的情況。另外,此處示出了在絕緣基材12的層疊方向上,在電子元器件9的上部側(cè)及下部側(cè)分別設(shè)置一個(gè)框形電極3A的情況,但是也可以將該框形電極3A配置在上部側(cè)或者下部側(cè)之中的任一側(cè)。另外,也可以將多個(gè)框形電極3A僅配置在上部側(cè),或者僅配置在下部側(cè)。(第3實(shí)施方式)接著,參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外,與第1、2實(shí)施方式相同的位置,標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào),并省略其說明。第3實(shí)施方式所涉及的元器件內(nèi)置基板40的框形電極3B不僅形成在與第I實(shí)施方式所涉及的框形電極3相當(dāng)?shù)奈恢蒙?,還形成在絕緣基材12的內(nèi)部且從絕緣基材12的主面延伸的方向進(jìn)行觀察時(shí)不與電子元器件9重合的位置上。也就是說,框形電極3B還包括在熱壓接之前的絕緣基材12中于絕緣基材12的內(nèi)部且是除了與電子元器件9相接的面以外的第2樹脂片材上所設(shè)置的部分。在這種情況下,因?yàn)槟軌蛞种茖盈B方向上的樹脂流動(dòng),并且能夠抑制平面方向上的樹脂流動(dòng),因此,能夠抑制通孔5和布線導(dǎo)體7發(fā)生位置偏移。其結(jié)果是,進(jìn)一步減少了斷路不良或短路不良的情況。另外,在上述實(shí)施例中,示出了框形電極3、3A、3B在不中斷的情況下連續(xù)地形成的示例。但是,本麻煩并不僅限于此,也可以是局部地不連續(xù)。也就是說,只要是實(shí)質(zhì)上形成為框形即可。標(biāo)號(hào)說明I第I樹脂片材Ia樹脂片材2第2樹脂片材3、3A、3B 框形電極4導(dǎo)體箔5 通孔5a通孔用的孔6抗蝕劑7布線導(dǎo)體8空月空
8a貫通孔9電子元器件10外部電極11 電極12絕緣基材13接地電極20.30.40元器件內(nèi)置基板101元器件內(nèi)置基板102絕緣層103布線導(dǎo)體104 通孔105 焊盤106電子元器件106a 電極
權(quán)利要求
1.一種元器件內(nèi)置基板,其特征在于,具有: 絕緣基材,該絕緣基材由熱塑性樹脂構(gòu)成,且包括一對(duì)主面; 芯片狀的電子元器件,該電子元器件埋入所述絕緣基材的內(nèi)部; 布線導(dǎo)體,該布線導(dǎo)體形成于所述絕緣基材的內(nèi)部,與所述主面延伸的方向平行地延伸;以及 通孔導(dǎo)體,該通孔導(dǎo)體形成在所述絕緣基材的內(nèi)部, 當(dāng)從與所述絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察所述絕緣基材時(shí),所述元器件內(nèi)置基板至少具有一個(gè)框形電極,該框形電極以包圍所述電子元器件的方式形成于所述絕緣基材的內(nèi)部。
2.如權(quán)利要求1中所述的元器件內(nèi)置基板,其特征在于, 當(dāng)從所述絕緣基材的主面延伸的方向觀察所述絕緣基材時(shí),所述框形電極包括形成在不與所述電子元器件重合的位置上的部分。
3.如權(quán)利要求1或2中所述的元器件內(nèi)置基板,其特征在于, 當(dāng)從所述絕緣基材的主面延伸的方向觀察所述絕緣基材時(shí),所述框形電極包括形成在至少局部與所述電子元器件重合的位置上的部分。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板,其特征在于, 當(dāng)從與所述絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察所述絕緣基材時(shí),所述布線導(dǎo)體及所述通孔導(dǎo)體設(shè)置在被所述框形電極包圍的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域中。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板,其特征在于, 還具有接地電極,該接地電極形成在所述絕緣基材的內(nèi)部、或者所述絕緣基材的一對(duì)主面的至少一個(gè)主面上, 所述框形電極與所述接地電極連接。
6.一種元器件內(nèi)置基板的制造方法,該元器件內(nèi)置基板具有:絕緣基材,該絕緣基材由熱塑性樹脂構(gòu)成,且包括一對(duì)主面;芯片狀的電子元器件,該電子元器件埋入所述絕緣基材的內(nèi)部;布線導(dǎo)體,該布線導(dǎo)體形成于所述絕緣基材的內(nèi)部,與所述主面延伸的方向平行地延伸;以及通孔導(dǎo)體,該通孔導(dǎo)體形成在所述絕緣基材的內(nèi)部,所述元器件內(nèi)置基板的制造方法的特征在于,包括: 準(zhǔn)備一塊以上的第1樹脂片材、以及多塊第2樹脂片材的樹脂片材準(zhǔn)備工序; 在所述第1樹脂片材及所述第2樹脂片材中的規(guī)定樹脂片材上形成所述布線導(dǎo)體、所述通孔導(dǎo)體的導(dǎo)體形成工序; 在所述第1樹脂片材和所述絕緣基材內(nèi)部的所述第2樹脂片材的至少一方上,形成至少一個(gè)框形電極的框形電極形成工序;在所述第1樹脂片材中形成用于收納所述電子元器件的貫通孔的貫通孔形成工序;將所述電子元器件收納在所述貫通孔的內(nèi)部,以在從所述第1樹脂片材及所述第2樹脂片材的層疊方向進(jìn)行觀察時(shí),所述框形電極包圍所述電子元器件,并且,對(duì)所述第I樹脂片材及所述第2樹脂片材進(jìn)行層疊,以使所述貫通孔的2個(gè)開口面被所述第2樹脂片材覆蓋的樹脂片材層疊工序;以及 通過對(duì)所述第1樹脂片材及所述第2樹脂片材進(jìn)行熱壓接,由此得到樹脂片材的層疊體即所述絕緣基材的熱壓接工序。
7.如權(quán)利要求6中所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法,其特征在于, 所述框形電極包括設(shè)置在所述第2樹脂片材的不與所述第I樹脂片材相接的面上的部分。
8.如權(quán)利要求6或7中所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法,其特征在于, 所述框形電極包括以與所述第I樹脂片材相接的方式設(shè)置的部分。
9.如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法,其特征在于, 當(dāng)從與所述絕緣基材的主面延伸的方向垂直的方向觀察所述絕緣基材時(shí),所述布線導(dǎo)體及所述通孔導(dǎo)體設(shè)置在被所述框形電極包圍的區(qū)域外側(cè)的區(qū)域中。
10.如權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的元器件內(nèi)置基板的制造方法,其特征在于, 所述導(dǎo)體形 成工序和所述框形電極形成工序在同一工序中進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠抑制在進(jìn)行熱壓接時(shí)發(fā)生在通孔或布線導(dǎo)體的區(qū)域中的樹脂流動(dòng),并且能夠減少通孔或布線導(dǎo)體發(fā)生不良的情況的元器件內(nèi)置基板。在該元器件內(nèi)置基板中,通過用框形電極來包圍內(nèi)置元器件的周圍,在進(jìn)行熱壓接時(shí),抑制框形電極外側(cè)的樹脂流動(dòng)。由此,能夠減少配置在框形電極外側(cè)的通孔或布線導(dǎo)體發(fā)生不良的情況。
文檔編號(hào)H05K3/46GK103141164SQ201180047720
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月8日
發(fā)明者千阪俊介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所
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