專利名稱：鍍膜裝置及鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜裝置及鍍膜方法，尤其是關(guān)于運(yùn)轉(zhuǎn)率高的鍍膜裝置及鍍膜方法。
背景技術(shù)：
作為制造有機(jī)EL器件等的主要的方法有真空蒸鍍法。在真空蒸鍍工序中，加熱蒸 發(fā)(升華)放入坩堝的蒸鍍材料，從噴嘴噴出的蒸鍍材料蒸鍍于有機(jī)EL器件的表示基板等 上。在這種蒸鍍工序中，為了穩(wěn)定地得到蒸發(fā)(升華)，例如在向所述表示基板不進(jìn)行蒸鍍 的等待時(shí)間內(nèi)，也需要經(jīng)常連續(xù)地進(jìn)行加熱蒸發(fā)(升華)。但是，如果長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)地加熱蒸 發(fā)(升華)，在噴嘴或其周邊有蒸鍍材料析出，不能穩(wěn)定地蒸鍍，在最壞的情況下，部分噴嘴 被堵塞，不能進(jìn)行均勻的鍍膜。為此，進(jìn)行一定時(shí)間的蒸鍍后，破壞真空，清理噴嘴及其周邊，再獲得真空后進(jìn)行 運(yùn)轉(zhuǎn)。以往沒(méi)有考慮過(guò)在真空室內(nèi)進(jìn)行清理。作為以往的具有噴嘴的蒸發(fā)源，有下述的專 利文獻(xiàn)1。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2004-095275號(hào)公報(bào)但是，一旦破壞真空室的真空，再獲得所定真空度需要時(shí)間。例如，為降低有機(jī)EL 器件的制造成本，需要提高運(yùn)轉(zhuǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供減少破壞所述真空室的真空而清理所述噴嘴及周 邊的頻度，運(yùn)轉(zhuǎn)率高或可以均勻地鍍膜的鍍膜裝置及鍍膜方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的鍍膜裝置具有真空蒸鍍室，該真空蒸鍍室具備使蒸 發(fā)源移動(dòng)的蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該蒸發(fā)源使蒸發(fā)源內(nèi)部所具有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)，從所 述蒸發(fā)源的多個(gè)噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，第一特征為，所述真空蒸鍍室具有噴嘴清理機(jī) 構(gòu)，該噴嘴清理機(jī)構(gòu)具備去除在所述噴嘴或噴嘴附近析出的析出蒸發(fā)材料的清理部。而且，為了達(dá)到上述目的，在第一特征的基礎(chǔ)上，第二特征為，所述真空蒸鍍室具 有使所述蒸發(fā)源或所述清理部中的至少一方移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。并且，為了達(dá)到上述目的，在第二特征的基礎(chǔ)上，第三特征為，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使 所述清理部向所述噴嘴移動(dòng)的清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)。另外，為了達(dá)到上述目的，在第二特征的基礎(chǔ)上，第四特征為，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使 噴嘴移動(dòng)到所述清理部的第二蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)。并且，為了達(dá)到上述目的，在第一至第四任意特征的基礎(chǔ)上，第五特征為，所述清 理部具有去除所述析出蒸發(fā)材料的析出蒸發(fā)材料去除體。而且，為了達(dá)到上述目的，在第五特征的基礎(chǔ)上，第六特征為，所述析出蒸發(fā)材料 去除體是在內(nèi)部具有加熱器，且使所述析出蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)而去除的加熱體。并且，為了達(dá)到上述目的，在第六特征的基礎(chǔ)上，第七特征為，所述加熱體為加熱 塊部件。
另外，為了達(dá)到上述目的，在第六特征的基礎(chǔ)上，第八特征為，所述加熱體具有塊 部件和一體設(shè)置或固定設(shè)置于所述塊部件上、且可插入所述噴嘴的所述噴嘴內(nèi)去除部，所 述噴嘴清理機(jī)構(gòu)具有將所述噴嘴內(nèi)去除部插入所述噴嘴的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部。并且，為了達(dá)到上述目的，在第六特征的基礎(chǔ)上，第九特征為，所述加熱體具有可 插入所述噴嘴的噴嘴內(nèi)去除部，所述噴嘴清理機(jī)構(gòu)具有將所述噴嘴內(nèi)去除部插入所述噴嘴 的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部。另外，為了達(dá)到上述目的，在第八或第九特征的基礎(chǔ)上，第十特征為，所述清理部 移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部與所述清理部一體移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部?jī)?nèi) 裝于內(nèi)部為空氣環(huán)境的箱，所述箱連接于內(nèi)部為中空的被真空密封的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的一端，所 述聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的另一端向空氣環(huán)境開(kāi)放，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)設(shè)于所述箱上的真空密封 部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去除體。而且，為了達(dá)到上述目的，在第六至第十任意特征的基礎(chǔ)上，第十一特征為，所述 析出蒸發(fā)材料去除體具有與分布于所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的噴嘴的范圍大致相同的長(zhǎng)度， 具有為使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源與所述噴嘴正對(duì)，而使所述析出蒸發(fā)材料 去除體和所述蒸發(fā)源中的任一方移動(dòng)的正對(duì)移動(dòng)機(jī)構(gòu)。另外，為了達(dá)到上述目的，在第八或第九特征的基礎(chǔ)上，第十二特征為，在一端向 空氣開(kāi)放且另一端具有真空密封部的空氣環(huán)境空間內(nèi)部，設(shè)置所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部的至少 一部分，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)所述真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去除體。并且，為了達(dá)到上述目的，在第四特征的基礎(chǔ)上，第十三特征為，所述真空蒸鍍室 具有向多個(gè)所述基板蒸鍍的多個(gè)蒸鍍處，所述第二蒸發(fā)源驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是使蒸發(fā)源在所述多個(gè) 蒸鍍處之間移動(dòng)的機(jī)構(gòu)。而且，為了達(dá)到上述目的，在第六特征的基礎(chǔ)上，第十四特征為，所述清理部具有 冷卻收集機(jī)構(gòu)，該冷卻收集機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述析出蒸發(fā)材料去除體的周邊，防止所述析出蒸 發(fā)材料再次蒸發(fā)(升華)，在所述噴嘴或噴嘴附近再析出。并且，為了達(dá)到上述目的，在第五特征的基礎(chǔ)上，第十五特征為，所述析出蒸發(fā)材 料去除體具有以機(jī)械的方式去除所述析出蒸發(fā)材料的機(jī)械機(jī)構(gòu)。另外，為了達(dá)到上述目的，在第十五特征的基礎(chǔ)上，第十六特征為，所述機(jī)械機(jī)構(gòu) 是在平面或表面上具有凹凸或刷中至少一種的塊部件。另外，為了達(dá)到上述目的，在第十五特征的基礎(chǔ)上，第十七特征為，所述機(jī)械機(jī)構(gòu) 是在平面或表面上具有凹凸或刷中至少一種的圓筒體。并且，為了達(dá)到上述目的，在第十七特征的基礎(chǔ)上，第十八特征為，所述清理部移 動(dòng)機(jī)構(gòu)具有旋轉(zhuǎn)所述圓筒體的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部。而且，為了達(dá)到上述目的，在第十五特征的基礎(chǔ)上，第十九特征為，所述析出蒸發(fā) 材料去除體具有與分布于所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的噴嘴的范圍大致相同的長(zhǎng)度，具有為使 所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源與所述噴嘴正對(duì)，使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所 述蒸發(fā)源中的任一方移動(dòng)的正對(duì)移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以及使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源 中的任一方振動(dòng)的振動(dòng)機(jī)構(gòu)。另外，為了達(dá)到上述目的，在第十八特征的基礎(chǔ)上，第二十特征為，所述清理部移 動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部與所述清理部一體移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部?jī)?nèi)裝于內(nèi)部為空氣環(huán)境的箱，所述箱連接于內(nèi)部為中空的被真空密封的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的一端，所述聯(lián)桿機(jī)構(gòu) 的另一端向空氣環(huán)境開(kāi)放，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部通過(guò)設(shè)于所述箱上的真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出 蒸發(fā)材料去除體。而且，為了達(dá)到上述目的，在第十或第二十特征的基礎(chǔ)上，第二十一特征為，所述 聯(lián)桿機(jī)構(gòu)是具有由不銹鋼、鋁、鎂或其合金，或者陶瓷或陶瓷復(fù)合材料制成的聯(lián)桿的聯(lián)桿機(jī) 構(gòu)。并且，為了達(dá)到上述目的，在第一特征的基礎(chǔ)上，第二十二特征為，所述清理部具 有向所述噴嘴照射激光的激光照射機(jī)構(gòu)。另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的鍍膜方法，是在真空蒸鍍室使蒸發(fā)源內(nèi)部所具 有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)從所述蒸發(fā)源的噴嘴噴出而蒸鍍到基板上的方法，第二十三特 征為，具有以下步驟蒸鍍到所述基板上的蒸鍍步驟；使去除所述噴嘴或噴嘴附近析出的 所述析出蒸發(fā)材料的清理部移動(dòng)到所述噴嘴位置的移動(dòng)步驟；利用所述清理部去除所述析 出蒸發(fā)材料的去除步驟；以及所述去除后，再起動(dòng)所述蒸鍍步驟的再起動(dòng)步驟。而且，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的鍍膜方法，是在真空蒸鍍室使蒸發(fā)源內(nèi)部所具 有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)，從所述蒸發(fā)源的噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，第二十四特征為， 具有以下步驟蒸鍍到所述基板上的蒸鍍步驟；使所述噴嘴向去除在所述噴嘴或噴嘴附近 析出的所述析出蒸發(fā)材料的清理部的位置移動(dòng)的移動(dòng)步驟；利用所述清理部去除所述析出 蒸發(fā)材料的去除步驟；以及所述去除后，再起動(dòng)所述蒸鍍步驟的再起動(dòng)步驟。另外，為了達(dá)到上述目的，在第二十三或第二十四特征的基礎(chǔ)上，第二十五特征 為，所述去除步驟是加熱所述析出蒸發(fā)材料，使其蒸發(fā)(升華)的加熱蒸發(fā)(升華)步驟。最后，為了達(dá)到上述目的，在第二十三或第二十四特征的基礎(chǔ)上，第二十六特征 為，所述去除步驟是以機(jī)械的方式去除所述析出蒸發(fā)材料的步驟。本發(fā)明的效果如下。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供減少破壞所述真空室的真空進(jìn)行作業(yè)的所述噴嘴及周邊的 頻度，運(yùn)轉(zhuǎn)率高或可以均勻地鍍膜的鍍膜裝置及鍍膜方法。


圖1是表示本發(fā)明的鍍膜裝置的第一實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置的圖。圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的輸送室與處理室的結(jié)構(gòu)示意圖和動(dòng)作說(shuō)明圖。圖3是表示圖1所示的真空蒸鍍室的俯視圖。圖4是表示蒸發(fā)源的剖視圖和表示蒸發(fā)源與噴嘴清理機(jī)構(gòu)的關(guān)系的圖。圖5是表示圖3中的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20與分隔部的A-A剖視圖。圖6是表示冷卻從噴嘴清理機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的材料蒸汽并收集的冷卻收集部的圖。圖7是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的真空室的處理流程的圖。圖8A是表示清理部?jī)H設(shè)有加熱塊部件的第二實(shí)施例的圖。圖8B是表示清理部?jī)H設(shè)有具有加熱器的噴嘴內(nèi)去除部的第二實(shí)施例的圖。圖9A是表示以機(jī)械的方式去除析出蒸發(fā)材料的清理部的噴嘴圓筒體的第四實(shí)施 例的圖。圖9B是表示以機(jī)械的方式去除析出蒸發(fā)材料的清理部的噴嘴去除刷的第四實(shí)施例的圖。圖10是表示旋轉(zhuǎn)噴嘴圓筒體或噴嘴去除刷的驅(qū)動(dòng)部的例子的圖。圖11是表示本發(fā)明的鍍膜裝置的第二實(shí)施方式的圖，表示直立基板進(jìn)行蒸鍍的 真空蒸鍍室的圖。圖12是表示蒸發(fā)源來(lái)到清理區(qū)域的位置時(shí)，從上方觀察圖11的圖。圖13是表示圖11所示的噴嘴清理機(jī)構(gòu)與聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的放大圖。圖14是表示真空密封的一個(gè)例子，表示連接部的真空密封的圖。圖15是表示基于本發(fā)明的第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)的處理流程。圖16是表示本發(fā)明的鍍膜裝置的第三實(shí)施方式的圖。圖中1-真空蒸鍍室，Ibu-真空蒸鍍室，2-真空輸送機(jī)械手，3-載入機(jī)群(load cluster)，4-交接室，5-輸送機(jī)械手，6-基板，7-蒸鍍部，8-定位部，9-處理過(guò)渡部，10-閘 門(mén)閥，11-分隔部，1 Ia-分隔部?jī)?nèi)部，20-噴嘴清理機(jī)構(gòu)，21-清理部，25-冷卻收集部，40-水 平方向移動(dòng)部(清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu))，45-清理冷卻部，50-聯(lián)桿機(jī)構(gòu)，60-噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部， 65-攝像部，70-蒸發(fā)源，70η-噴嘴，72-蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)，73-蒸發(fā)材料，73F-析出蒸發(fā)材 料，100-有機(jī)EL器件制造裝置，200-控制裝置，A D-機(jī)群。
具體實(shí)施例方式作為本發(fā)明的鍍膜裝置的實(shí)施方式，以有機(jī)EL器件制造裝置為例，利用圖1及圖 2進(jìn)行說(shuō)明。有機(jī)EL器件制造裝置，并非僅僅形成作為蒸鍍材料的發(fā)光材料層(EL層)并 用電極夾住的結(jié)構(gòu)，而是在基板上形成的陽(yáng)極上形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電 子輸送層、電子注入層等有機(jī)材料的薄膜后，在其上利用金屬等形成陰極層。圖1表示了其 制造裝置的一例。本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件制造裝置100大致包括搬入處理對(duì)象的基板6的載入 機(jī)群3 ；處理所述基板6的四個(gè)機(jī)群(Α D)，在各機(jī)群之間，或機(jī)群與載入機(jī)群3或下一工 序(封固工序)之間設(shè)置的五個(gè)交接室4a 4e。載入機(jī)群3由載入室31和輸送機(jī)械手5R構(gòu)成，載入室31具有前后保持真空的閘 門(mén)閥10，輸送機(jī)械手5R從所述載入室31接收基板6，通過(guò)旋轉(zhuǎn)將基板6搬入交接室4a。各 載入室31及交接室4在前后具有閘門(mén)閥10，控制該閘門(mén)閥10的開(kāi)閉且維持著真空的同時(shí)， 將基板交接到載入機(jī)群3或下一個(gè)機(jī)群等。各機(jī)群(A D)具有具有一臺(tái)輸送機(jī)械手5的輸送室2a 2d ；從輸送機(jī)械手 5接收基板，進(jìn)行所定處理的在圖面上上下配置的兩個(gè)處理室Ibu等(第一個(gè)附加的字母 a d是表示機(jī)群，第二個(gè)附加的字母u、d是表示上側(cè)下側(cè))。在輸送室2b與處理室Ibu 之間設(shè)有閘門(mén)閥10。以在真空中蒸鍍發(fā)光材料且形成EL層的真空蒸鍍室Ibu為例進(jìn)行說(shuō)明。圖2是 圖1中輸送室2b與真空蒸鍍室Ibu的結(jié)構(gòu)示意圖和動(dòng)作說(shuō)明圖。圖2中輸送機(jī)械手5具 有使整體可以上下移動(dòng)且可以左右旋轉(zhuǎn)的兩聯(lián)桿結(jié)構(gòu)的臂57，在其前端具有用于輸送基板 的梳齒狀的手58。另一方面，真空蒸鍍室Ibu大致包括使形成發(fā)光層的材料蒸發(fā)或升華并向基板6鍍膜的蒸鍍部7 ；進(jìn)行基板6與掩模81的定位的定位部8 ；輸送機(jī)械手5 ；以及進(jìn)行基板的 交接且使基板6向蒸鍍部7移動(dòng)的處理過(guò)渡部9。定位部8與處理過(guò)渡部9是設(shè)有右側(cè)R 線和左側(cè)L線的兩個(gè)系統(tǒng)。處理過(guò)渡部9具有梳齒狀手91，可以不與輸送機(jī)械手5的梳齒狀手58干涉地交 接基板6 ；基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)93，在所述梳齒狀手91上固定放置基板6，且使該基板6旋轉(zhuǎn)直立 并移動(dòng)到定位部8?？紤]到是在真空中，所述固定機(jī)構(gòu)94可以采用靜電吸附或機(jī)械固定等。蒸發(fā)部7如圖2的引出圖所示，具有在長(zhǎng)度方向上內(nèi)裝多個(gè)后述的坩堝，且各坩 堝上設(shè)置一噴嘴70η的蒸發(fā)源70 ；使蒸發(fā)源70沿著滑軌上下移動(dòng)的上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(第一 蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu))76 ；使蒸發(fā)源和上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)一體地在滑軌上左右移動(dòng)的左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu) (第二蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu))75。在上下及左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)具有檢測(cè)蒸發(fā)源70位置的位置編碼器 (圖未示)。問(wèn)題是，噴嘴70η或其周邊上有蒸鍍材料(以下稱為析出蒸發(fā)材料73F)析出 時(shí)，不能穩(wěn)定地進(jìn)行蒸鍍，在最壞的情況時(shí)，如圖2所示的三個(gè)噴嘴中的中間噴嘴被堵塞， 不能均勻地鍍膜。另外，圖2的引出圖是表示蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的一部分的圖。利用具有這種結(jié)構(gòu)的真空蒸鍍室Ibu進(jìn)行處理的基本思路是，第一，在一側(cè)的R線 上進(jìn)行蒸鍍的期間，在另一側(cè)的L線上搬入、搬出基板，大致垂直地立起并進(jìn)行對(duì)位，完成 蒸鍍的準(zhǔn)備，第二，移動(dòng)蒸發(fā)源70并交替地進(jìn)行該處理。其結(jié)果，本實(shí)施方式中的蒸鍍工序 和向處理室1搬入、搬出基板的工序等其他工序的所需時(shí)間大致相同，在本實(shí)施方式中分 別是大約1分鐘。并且，蒸發(fā)源在線之間移動(dòng)的時(shí)間是5秒。該場(chǎng)合，生產(chǎn)量是在鍍膜處理 時(shí)間加上蒸發(fā)源的移動(dòng)時(shí)間的時(shí)間。因此，可以提高蒸發(fā)源的運(yùn)轉(zhuǎn)率，減少蒸發(fā)源中的材料 無(wú)用地蒸發(fā)的時(shí)間。之后，利用圖1至圖10說(shuō)明作為本發(fā)明的特征的具有噴嘴附近的噴嘴清理機(jī)構(gòu)的 鍍膜裝置的第一實(shí)施方式。第一實(shí)施方式是，將蒸發(fā)源移動(dòng)到噴嘴的位置，去除噴嘴或噴嘴 附近析出的如圖2所示的析出蒸發(fā)材料73F。尤其是，在本實(shí)施方式中，特別是如圖2中所 說(shuō)明，是利用蒸發(fā)源70在R、L線之間交替地移動(dòng)來(lái)進(jìn)行的。首先，第一實(shí)施例是蒸發(fā)源70交替地移動(dòng)時(shí)，通過(guò)輻射熱加熱噴嘴附近進(jìn)行去除 的例子。圖3是示意性地表示圖1所示的真空蒸鍍室Ibu的俯視圖。如圖3所示，噴嘴清 理機(jī)構(gòu)20由清理部21以及使清理部前后移動(dòng)的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60構(gòu)成。而且，噴嘴清理 機(jī)構(gòu)20設(shè)置在R線和L線之間所設(shè)的分隔部11內(nèi)，如后述的圖4所示，設(shè)置在作為真空蒸 鍍室Ibu的下部，且底壁Ih上。設(shè)置在下部的理由是，如后述那樣，噴嘴或噴嘴周邊的析出 蒸發(fā)材料以機(jī)械的方式被去除后，減少再次附著于基板或蒸鍍掩模上的可能性。圖4是表示蒸發(fā)源70的剖視圖和表示蒸發(fā)源與噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的關(guān)系的圖。首先，在說(shuō)明噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的各部分之前，利用圖4說(shuō)明蒸發(fā)源70。蒸發(fā)源70 在細(xì)長(zhǎng)的殼體70c的長(zhǎng)度方向上配置有多個(gè)坩堝70r，各坩堝內(nèi)有蒸發(fā)材料73，用加熱器 70h加熱該蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)，從設(shè)在各坩堝上的噴嘴70η噴出。而且，在 噴嘴上下設(shè)置噴嘴導(dǎo)軌70k，在噴嘴導(dǎo)軌設(shè)置反射器(輻射阻止體)70fo噴嘴導(dǎo)軌的兩端 以后述的加熱塊部件22及噴嘴內(nèi)去除部23可以移動(dòng)的方式開(kāi)放。其次，利用圖4、圖5說(shuō)明噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的清理部21。清理部21具有作為析出蒸發(fā)材料去除體的加熱塊部件22 (加熱體)；噴嘴內(nèi)去除部23，在加熱塊部件的前端一體形成或固定于加熱塊部件22，形狀是按照蒸發(fā)源70的噴 嘴的尺寸，可插入噴嘴的棒狀或針狀；內(nèi)裝于加熱塊部件內(nèi)的圓筒狀的加熱器24 ；以及冷 卻收集部25，設(shè)在加熱塊部件和噴嘴周邊，冷卻從加熱塊部件22和噴嘴內(nèi)去除部23蒸發(fā) (升華)的析出蒸發(fā)材料73F以免再析出。利用該結(jié)構(gòu)，即、在噴嘴導(dǎo)軌70k或噴嘴口附近 析出的析出蒸發(fā)材料73F被加熱塊部件22加熱蒸發(fā)(升華)，在噴嘴口附近或噴嘴內(nèi)析出 的析出蒸發(fā)材料73F被噴嘴內(nèi)去除部23加熱蒸發(fā)(升華)，被清理。由于停止再起動(dòng)坩堝70r的蒸發(fā)(升華)需要較多的時(shí)間，因此上述析出蒸發(fā)材 料73F的清理一般保持著加熱狀態(tài)進(jìn)行。但是，在變更方法時(shí)可以同時(shí)變更溫度條件。噴嘴內(nèi)去除部23根據(jù)蒸發(fā)源70的噴嘴的間距而設(shè)置。用于將噴嘴內(nèi)部去除部23 插入噴嘴的定位利用左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75的位置編碼器(圖未示)進(jìn)行。一般來(lái)說(shuō)，由于將各 部加熱到高溫，因此存在因熱膨脹而難以定位的情況。因此，也可以在清理機(jī)構(gòu)側(cè)設(shè)置浮動(dòng) 機(jī)構(gòu)或利用仿形的配合定位機(jī)構(gòu)。例如，只要利用在蒸發(fā)源側(cè)設(shè)置孔，在清理機(jī)構(gòu)側(cè)插入 銷，就能容易得到即使Imm左右的偏移也可以定位的仿形機(jī)構(gòu)。由此，噴嘴內(nèi)去除部23可 以通過(guò)一次定位進(jìn)行多個(gè)噴嘴部的清理。特別是，噴嘴配置成不規(guī)則時(shí)，可以對(duì)每一個(gè)噴嘴 定位，進(jìn)行清理。另外，26是隔斷流向加熱塊部件22的冷卻收集部25的熱流的斷熱部。另一方面，圖5所示的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60，由于在真空室內(nèi)盡可能不設(shè)置發(fā)熱或 粉塵源，因此噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60設(shè)在分割部11的內(nèi)部11a，內(nèi)部Ila通過(guò)貫通部lib向空 氣開(kāi)放。噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部的作用在于，利用固定于冷卻收集部25的連接棒60r使清理部21 前后移動(dòng)，使噴嘴內(nèi)去除部23出入于噴嘴。因此，噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60設(shè)置在內(nèi)部Ila的基 座Ilc上，利用電機(jī)60m旋轉(zhuǎn)滾珠螺桿60b，使內(nèi)裝有螺母的滑動(dòng)塊60η在導(dǎo)軌上60g上移 動(dòng)，從而使連接于滑動(dòng)塊的連接棒60r前后移動(dòng)。為了真空密封，連接棒通過(guò)風(fēng)箱60v及磁 性流體密封件60s使清理部21前后移動(dòng)。另外，在本實(shí)施例中，雖然將噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60設(shè)置于分割部?jī)?nèi)部11a，但也可以 不同于分割部而在真空室內(nèi)設(shè)空氣環(huán)境部并設(shè)置于空氣部?jī)?nèi)。圖7表示基于上述結(jié)構(gòu)的處理流程。如所述那樣，不停止蒸發(fā)(升華)地進(jìn)行清 理。在通常的蒸鍍時(shí)，蒸發(fā)源70為了不在噴嘴清理機(jī)構(gòu)20進(jìn)行不必要的蒸鍍而掠過(guò)噴嘴 清理機(jī)構(gòu)20的上部。這時(shí)，加熱塊部件不進(jìn)行加熱(步驟1)。以所定間隔(例如一定時(shí)間 的間隔)判斷是否進(jìn)行清理的時(shí)機(jī)(步驟2)。進(jìn)行清理時(shí)，根據(jù)蒸發(fā)源70的上下驅(qū)動(dòng)機(jī) 構(gòu)76的位置編碼器的輸出，將蒸發(fā)源70下降到噴嘴清理機(jī)構(gòu)20所處的水平(步驟3)。同 時(shí)，將加熱塊部件22加熱到比使蒸發(fā)源70蒸發(fā)(升華)的溫度更高的溫度(步驟4)。為 了使清理部21的噴嘴內(nèi)去除部23與蒸發(fā)源70的噴嘴70η —致，根據(jù)左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75的 編碼器位置停止蒸發(fā)源。該動(dòng)作根據(jù)設(shè)置的噴嘴內(nèi)去除部23的個(gè)數(shù)進(jìn)行(步驟5)。使清 理部21前進(jìn)，如圖4所示，將加熱塊部件22插入噴嘴導(dǎo)軌70k之間，將噴嘴內(nèi)去除部23插 入噴嘴70η，利用輻射熱使蒸發(fā)材料73F蒸發(fā)(升華)析出并進(jìn)行清理(步驟6)。經(jīng)過(guò)一 定時(shí)間后，認(rèn)為蒸發(fā)(升華)完畢，使清理部21后退，返回到原位，進(jìn)入步驟8 (步驟7)。對(duì) 所有噴嘴70η進(jìn)行步驟5至步驟8 (步驟8)。全部結(jié)束后，使蒸發(fā)源回到向基板蒸鍍的水平 的位置，再起動(dòng)蒸鍍(步驟9)。另一方面，在清理部21停止加熱塊部件22的加熱。在以上流程中，使蒸發(fā)源蒸發(fā)(升華)的同時(shí)進(jìn)行了清理，但也可以停止蒸發(fā)(升 華)進(jìn)行清理。這時(shí)，如圖3所示，可以在噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部的側(cè)面設(shè)置攝像部65，判斷清理的必要性和觀察清理的效果。根據(jù)上述第一實(shí)施方式，由于可以去除蒸發(fā)源70的噴嘴及噴嘴附近的析出蒸發(fā) 材料73F，因此能夠提供無(wú)需破壞真空蒸鍍室的真空，可長(zhǎng)期運(yùn)轉(zhuǎn)的運(yùn)轉(zhuǎn)率高的有機(jī)EL器 件制造裝置。而且，由于可去除蒸發(fā)源70的析出蒸發(fā)材料73F，抑制一定以下的析出蒸發(fā)材料 73F，因此能夠提供可以均勻地鍍膜的有機(jī)EL器件制造裝置、制造方法。下面將清理部21的其他實(shí)施例表示于圖8至圖10。圖8表示與第一實(shí)施例同樣地加熱蒸發(fā)(升華)的其他類型的第二實(shí)施例，圖8A 中，作為析出蒸發(fā)材料去除體，僅設(shè)置加熱塊部件22，不設(shè)置噴嘴內(nèi)去除部23的點(diǎn)不同。圖 8B是相反地，不設(shè)置加熱塊部件，設(shè)置內(nèi)裝有加熱器的噴嘴內(nèi)去除部23。噴嘴內(nèi)去除部的 條數(shù)，如果噴嘴間距規(guī)則的話則根據(jù)其間距而定，如果間距不規(guī)則的話則為一條。第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式中，具有噴嘴內(nèi)去除部23的結(jié)構(gòu)，每次插入噴嘴內(nèi) 去除部23時(shí)，需要與噴嘴的正確對(duì)位。作為對(duì)此回避的第三實(shí)施例，清理部21具有與蒸發(fā) 源70大體上相同的長(zhǎng)度，按照蒸發(fā)源具有的噴嘴的數(shù)量，在與噴嘴正對(duì)的位置設(shè)置噴嘴內(nèi) 去除部23。而且，移動(dòng)清理部21或蒸發(fā)源70，一次插入所有噴嘴內(nèi)去除部，進(jìn)行清理。在 第三實(shí)施例，可以一次完成與噴嘴的正確定位，可以縮短清理時(shí)間。并且，以后述的機(jī)械的 方式去除時(shí)，使清理部21或蒸發(fā)源70的任意一方向所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)邊方向振動(dòng)，利用該振 動(dòng)去除析出蒸發(fā)材料73F。到現(xiàn)在為止的實(shí)施例中，將析出蒸發(fā)材料73F利用加熱(升華)而去除，但圖9所 示的各實(shí)施例是將在圖4所示的噴嘴導(dǎo)軌70k、噴嘴70η析出的析出蒸發(fā)材料73F以機(jī)械的 方式去除的第四實(shí)施例。圖9Α是表示作為析出蒸發(fā)材料去除體，代替加熱塊部件22而在平面或表面設(shè)有 凸部27的噴嘴去除部件23Β的圖。圖9Β是表示作為析出蒸發(fā)材料去除體，在連接棒62r 的前端的在具有平面或表面的圓筒體22C設(shè)置凸部28的噴嘴去除圓筒體23C的圖。在圖 9B中，可以是代替圓筒體而設(shè)置刷子的噴嘴去除刷23D。噴嘴圓筒體23C或噴嘴去除刷23D 通過(guò)旋轉(zhuǎn)可以提高去除效率。圖10表示其驅(qū)動(dòng)部的例子，在圖3所示的分隔部11的內(nèi)部11a，代替第一實(shí)施例 的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60，設(shè)置使噴嘴去除圓筒體23C或噴嘴去除刷23D旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部 62。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部62包括電機(jī)62a和將電機(jī)的旋轉(zhuǎn)傳遞到噴嘴旋轉(zhuǎn)體的連接棒62r、以及密 封連接部的密封部62b。以機(jī)械的方式進(jìn)行去除的第四實(shí)施例，如圖10所示，在噴嘴去除部件23B、噴嘴去 除圓筒體23C、噴嘴去除刷23D的下部，代替冷卻收集部25，設(shè)置回收為不使析出蒸發(fā)材料 73F在蒸發(fā)源70再析出而刮下的析出蒸發(fā)材料73F的回收箱63。這些圖8A、圖10所示的第二實(shí)施例及第四實(shí)施例是沒(méi)有噴嘴內(nèi)去除部的實(shí)施例， 由于不需要噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60，因而清理機(jī)構(gòu) 動(dòng)作變得簡(jiǎn)單。即，由于不需要利用噴嘴的 對(duì)位，因此不需要精度高的對(duì)位，不必停止蒸發(fā)源70地連續(xù)地去除，可以清理蒸發(fā)源整體。作為噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的其他實(shí)施例，在上述第一至第四實(shí)施例中作為清理部使 用了析出蒸發(fā)材料去除體，但在該第五實(shí)施例中，將激光照射在噴嘴進(jìn)行加熱，清理析出蒸 發(fā)材料73F。因此，例如，清理部21在圖3所示的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60的位置設(shè)置激光振蕩器，基于左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75的編碼器位置，向噴嘴照射激光。其次，利用圖4、圖11至圖17說(shuō)明具有噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的鍍膜裝置的第二實(shí)施方 式。在第二實(shí)施方式，使清理部移動(dòng)到蒸發(fā)源的噴嘴的位置，使噴嘴或噴嘴附近析出的析出 蒸發(fā)材料73F再蒸發(fā)(再升華)而去除。圖11是表示鍍膜裝置的第二實(shí)施方式的圖，使圖1所示的水平輸送過(guò)來(lái)的基板直 立進(jìn)行蒸鍍的真空蒸鍍室Ibu的側(cè)視圖。設(shè)在真空室Ibu的外側(cè)上部的定位機(jī)構(gòu)8，作為動(dòng)作，具有向紙面里側(cè)的⑴方向 和上下(Z)方向的兩個(gè)自由度。在向紙面里側(cè)(Y)方向，利用從定位基座83懸掛的向紙面 里側(cè)(Y)方向的驅(qū)動(dòng)器83y驅(qū)動(dòng)桿，在上下(Z)方向，利用Z軸驅(qū)動(dòng)器83z驅(qū)動(dòng)桿。定位機(jī) 構(gòu)8，利用旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)副的支撐機(jī)構(gòu)85支撐掩模81，與設(shè)于室內(nèi)底板88的直線導(dǎo)軌87 —起 使掩模架86平滑地旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)。定位機(jī)構(gòu)8通過(guò)在紙面里側(cè)再設(shè)置一組，從而控制掩模架86 的Y方向及Z方向的移動(dòng)及在垂直于紙面的面的旋轉(zhuǎn)，進(jìn)行定位。另一方面，為使水平輸送過(guò)來(lái)的基板直立，在室內(nèi)底板88上設(shè)置旋轉(zhuǎn)臂92，在其 前端安裝直立臺(tái)95。直立臺(tái)上安裝有基板卡盤(pán)96。在該例中，收納在直立臺(tái)95上的氣密 容器97中的定位攝像機(jī)98也安裝于室內(nèi)底板88。臂的旋轉(zhuǎn)通過(guò)設(shè)在紙面的近身處或里側(cè)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器(圖未示)進(jìn)行。該驅(qū)動(dòng)器 的動(dòng)力傳遞到軸99a。另外，99b是軸承。使基板6直立后，利用定位攝像機(jī)98拍攝設(shè)置在掩模81及基板6的定位標(biāo)記(圖 未示)，利用定位機(jī)構(gòu)8移動(dòng)掩模81，進(jìn)行定位后，如圖2所示，使多個(gè)噴嘴排列成直線狀的 蒸發(fā)源70 (直線來(lái)源)擺動(dòng)，施行蒸鍍。作為用于使蒸發(fā)源70上下驅(qū)動(dòng)的上下驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的一例的蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)72設(shè)置 在另一內(nèi)部底板79上。而且，在真空裝置中根據(jù)冷卻情況將驅(qū)動(dòng)源的電機(jī)72m設(shè)置在真空 室Ibu的外部。為了將電機(jī)動(dòng)力傳遞到真空室Ibu內(nèi)，通過(guò)磁性流體密封件72s使?jié)L珠螺 桿72b旋轉(zhuǎn)，利用固定于蒸發(fā)源70的螺母72η，使蒸發(fā)源70在直線導(dǎo)軌72g上滑動(dòng)，并使其 上下移動(dòng)。在基板蒸鍍時(shí)，蒸發(fā)源70在掩模開(kāi)口區(qū)域81a的范圍上下移動(dòng)。磁性流體密封 件72s由于真空室壁Ih的變形而傾斜的情況下，通過(guò)在電機(jī)72m與磁性流體密封件72s之 間、以及磁性流體72s與滾珠螺桿72η之間設(shè)置吸收軸間變位和角度誤差的聯(lián)軸器72c，可 以進(jìn)行平滑的動(dòng)力傳遞。而且，保護(hù)蓋11在蒸鍍時(shí)，為避免在噴嘴清理機(jī)構(gòu)20等附著不必 要的蒸鍍物而進(jìn)行捕集。下面，說(shuō)明本實(shí)施方式的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20。清理部21及蒸發(fā)源70基本上與第一 實(shí)施方式的第一實(shí)施例相同。即、通過(guò)輻射熱使析出蒸發(fā)材料加熱蒸發(fā)(升華)將其去除。 首先，判斷為需要蒸發(fā)源70的清理的情況下，利用所述蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)72將蒸發(fā)源移動(dòng)到 設(shè)置在掩模開(kāi)口區(qū)域81a下的清理區(qū)域。圖12是蒸發(fā)源移動(dòng)到清理區(qū)域的位置時(shí)，從上方 觀察圖11的圖，圖13是這時(shí)的圖11所示的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20與聯(lián)桿機(jī)構(gòu)50的放大圖，圖4 如之前所說(shuō)明的那樣，是比圖13所示的B在前的蒸發(fā)源70的剖視圖和表示一部分與噴嘴 清理機(jī)構(gòu)20的關(guān)系的圖。首先，利用圖12、圖13及圖4說(shuō)明噴嘴清理機(jī)構(gòu)。圖4是表示在第一實(shí)施方式中 說(shuō)明的清理部21和蒸發(fā)源70的圖。如圖13所示，噴嘴清理機(jī)構(gòu)20設(shè)在真空室Ibu的下 部。設(shè)在下部的理由是為了以機(jī)械的方式被去除的蒸鍍材料的析出物不會(huì)附著在基板或掩模上。噴嘴清理機(jī)構(gòu)20包括清理部21 ；使清理部在蒸發(fā)源的水平(Y)方向移動(dòng)的水平 方向移動(dòng)部(清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu))40;在蒸發(fā)源方向前后移動(dòng)的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60 ；以及清 理部冷卻部45。清理部21和蒸發(fā)源70具有在第一實(shí)施方式中說(shuō)明的結(jié)構(gòu)。與第一實(shí)施方式相同，析出蒸發(fā)材料73F的清理，由于降低溫度停止再啟動(dòng)來(lái)自 坩堝70r蒸發(fā)(升華)需要較多的時(shí)間，因此不降低溫度而進(jìn)行。圖4所示的噴嘴內(nèi)去除部23基于蒸發(fā)源70的噴嘴的間距設(shè)置。用于將噴嘴內(nèi)去 除部23插入噴嘴的定位利用左右驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)75的位置編碼器(圖未示)進(jìn)行。噴嘴以等間 隔配置時(shí)設(shè)置多個(gè)噴嘴內(nèi)去除部23，通過(guò)一次定位清理多個(gè)噴嘴。反之，不規(guī)則地配置時(shí)， 只設(shè)置一個(gè)，對(duì)每個(gè)噴嘴定位進(jìn)行清理。另外，26是隔斷流加熱塊部件22的向冷卻收集部 25的熱流的斷熱部。而且，圖12、圖13所示的水平方向移動(dòng)部40具有與蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)72相同的機(jī) 構(gòu)，直線導(dǎo)軌42g和滾珠螺桿42b設(shè)置在固定于壁Ih的第二內(nèi)部底板43上。另外，在真空 裝置中根據(jù)冷卻的情況將驅(qū)動(dòng)源的電機(jī)42m設(shè)置在真空室Ibu的外部。為了將電機(jī)動(dòng)力傳 遞到真空室Ibu內(nèi)，通過(guò)磁性流體密封件42s使?jié)L珠螺桿42b旋轉(zhuǎn)，利用固定于噴嘴插入驅(qū) 動(dòng)部60的螺母42η，使噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60 清理部21在直線導(dǎo)軌42g上滑動(dòng)。其結(jié)果，可 以清理蒸發(fā)源70的所有范圍。另外，72c是吸收軸間變位和角度誤差，可實(shí)現(xiàn)平滑的動(dòng)力傳 遞的聯(lián)軸器。另外，圖13所示的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60，由于在真空室內(nèi)、具體而言在真空環(huán)境內(nèi) 盡可能不設(shè)置發(fā)熱或粉塵源，因此具有一端通過(guò)后述的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)50向空氣側(cè)開(kāi)放的噴嘴 插入驅(qū)動(dòng)部箱60k，在其內(nèi)部設(shè)置構(gòu)成要素。噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部的作用在于，利用固定于冷卻 收集部25的連接棒60r使清理部21前后移動(dòng)，從而使噴嘴內(nèi)去除部23出入于噴嘴中。因 此，噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60設(shè)在噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部箱60k的下部，利用電機(jī)60m使?jié)L珠螺桿60b 旋轉(zhuǎn)，使內(nèi)裝有螺母的滑動(dòng)塊60η在導(dǎo)軌上60g上移動(dòng)，從而使連接于滑動(dòng)塊的連接部60r 前后移動(dòng)。為了真空密封，連接棒通過(guò)風(fēng)箱60v及磁性流體密封件60s而設(shè)置。而且，圖13所示的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)50由內(nèi)部為中空的三個(gè)聯(lián)桿51a、51b、51c構(gòu)成，在各 聯(lián)桿或與噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部箱60k之間，如圖13所示，設(shè)有真空密封的中空的可旋轉(zhuǎn)的連接 部52a、52b、52c。而且，聯(lián)桿51a固定于設(shè)在真空室Ibu側(cè)壁Ih上的真空密封部54。因此， 在這些中空部敷設(shè)清理部21的加熱器24和電機(jī)60m等與控制這些的控制裝置200之間的 配線53。圖14表示連接部的真空密封的一例，是表示聯(lián)桿51a與聯(lián)桿51b的連接部52a的 真空密封的結(jié)構(gòu)的圖。在連接部52a，聯(lián)桿51b相對(duì)于聯(lián)桿51a通過(guò)交叉滾子支承53B旋 轉(zhuǎn)，具有利用襯墊(0形環(huán))53P及墊圈(0形環(huán))53G真空密封的中空的旋轉(zhuǎn)部53K。利用該 結(jié)構(gòu)，即使在連接部也可以在其中空部穿過(guò)配線53。而且，各聯(lián)桿由不發(fā)生排氣、耐銹、具有 充分的強(qiáng)度的金屬，例如不銹鋼、鎂或其合金，或者陶瓷或陶瓷復(fù)合材料構(gòu)成。圖15表示基于上述結(jié)構(gòu)的處理流程?；旧吓c第一實(shí)施方式中表示的圖7相同， 具體如下所述。如上所述，不停止蒸發(fā)(升華)進(jìn)行清理。在通常的蒸鍍時(shí)，蒸發(fā)源70為了不讓 噴嘴清理機(jī)構(gòu)20進(jìn)行不必要的蒸鍍，上下掃描掩模開(kāi)口區(qū)域81a的范圍的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的上部。這時(shí)，加熱塊部件不進(jìn)行加熱(步驟1)。以所定間隔(例如一定時(shí)間的間隔)判 斷是否進(jìn)行清理的時(shí)機(jī)(步驟2)。進(jìn)行清理時(shí)，根據(jù)蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)72的位置編碼器的輸 出，將蒸發(fā)源70下降到噴嘴清理機(jī)構(gòu)20所處的水平(步驟3)。將加熱塊部件22加熱到比 蒸發(fā)源70的蒸發(fā)(升華)溫度更高的溫度(步驟4)。為了使清理部21的噴嘴內(nèi)去除部 23與蒸發(fā)源70的噴嘴70η —致，停止清理部21 (步驟5)。前進(jìn)清理部21，如圖4所示，將 加熱塊部件22插入噴嘴導(dǎo)軌70k之間，將噴嘴內(nèi)去除部23插入噴嘴70η，利用輻射熱使析 出蒸發(fā)材料73F蒸發(fā)(升華)，進(jìn)行清理(步驟6)。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后，認(rèn)為蒸發(fā)(升華)完 畢，使清理部21后退，返回到原位，進(jìn)入步驟8 (步驟7)。對(duì)所有噴嘴70η進(jìn)行步驟5至步 驟8(步驟8)。全部結(jié)束后，使蒸發(fā)源返回到向基板蒸鍍的水平的位置，再起動(dòng)蒸鍍(步驟 9)。在以上的流程中，使蒸發(fā)源蒸發(fā)(升華)的同時(shí)進(jìn)行了清理，但也可以停止蒸發(fā) (升華)進(jìn)行清理。該場(chǎng)合，如圖2所示，可以在噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部的側(cè)面設(shè)置攝像部65，判 斷清理的必要性或觀察清理效果。根據(jù)上述第二實(shí)施方式，與第一實(shí)施方式同樣地，由于可以去除蒸發(fā)源70的噴嘴 及噴嘴附近的析出蒸發(fā)材料73F，因此可以提供無(wú)需破壞真空室的真空，可長(zhǎng)期運(yùn)轉(zhuǎn)的運(yùn)轉(zhuǎn) 率高的有機(jī)EL器件制造裝置。而且，由于可去除蒸發(fā)源70的析出蒸發(fā)材料73F，抑制一定以下的析出蒸發(fā)材料 73F，因此可提供可以均勻地鍍膜的有機(jī)EL器件制造裝置、制造方法。而且，由于可以利用聯(lián)桿機(jī)構(gòu)將噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60設(shè)在不是真空環(huán)境的空氣側(cè)， 因此可以抑制排氣和不必要的發(fā)熱，可以提供可靠性高的有機(jī)EL器件制造裝置。在本實(shí)施方式，也可以適用第一實(shí)施方式中所示的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的其他實(shí)施 例。但是，圖9Α所示的噴嘴圓筒體23C或噴嘴去除刷23D，通過(guò)旋轉(zhuǎn)提高去除效率時(shí)，需要在 圖10所示的驅(qū)動(dòng)部的例中，在圖13所示的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部箱60k內(nèi)代替第一實(shí)施方式的 噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60，設(shè)置使噴嘴去除圓筒體23C或噴嘴去除刷24D旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部62。最后，利用圖16說(shuō)明具有噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的鍍膜裝置的第三實(shí)施方式。在第二 實(shí)施方式中，表示了立起基板定位后蒸鍍的真空蒸鍍室的實(shí)施方式，而第三實(shí)施方式是，對(duì) 水平輸送過(guò)來(lái)的一體的基板·掩模蒸鍍的真空蒸鍍室適用噴嘴清理機(jī)構(gòu)的實(shí)施方式。第三實(shí)施方式的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20基本上與第一、第二實(shí)施方式相同。所以，包括 第一、第二實(shí)施方式的各實(shí)施例的適用在內(nèi)，噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的各構(gòu)成部分的清理部21、 噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部60、水平方向移動(dòng)部40及聯(lián)桿機(jī)構(gòu)50基本上相同。不同點(diǎn)在于，因真空蒸鍍室的結(jié)構(gòu)不同的噴嘴清理機(jī)構(gòu)20的配置方向及配置位 置。在圖11中，由于從側(cè)面對(duì)垂直保持的基板進(jìn)行蒸鍍，因而使噴嘴清理機(jī)構(gòu)向側(cè)面進(jìn)行 水平掃描，與此相對(duì)，在圖16，由于從下對(duì)水平保持的基板進(jìn)行蒸鍍，因而噴嘴清理機(jī)構(gòu)向 下進(jìn)行水平掃描。配置位置是，基板蒸鍍時(shí)不成為蒸鍍對(duì)象，并且，通過(guò)清理的析出蒸發(fā)材 料不對(duì)其后的蒸鍍處理帶來(lái)影響的位置。因此，相對(duì)于在圖11中配置在真空蒸鍍室的下側(cè) 的一側(cè)壁側(cè)，設(shè)置在蒸發(fā)源的上部一側(cè)壁側(cè)。在第三實(shí)施方式，即使設(shè)置如圖11所示的進(jìn) 行定位的機(jī)構(gòu)8，配置方向及配置位置也基本上相同。根據(jù)本實(shí)施方式，與蒸鍍的基板的姿勢(shì)無(wú)關(guān)，可以達(dá)到與第一、第二實(shí)施方式相同 的效果。
并且，在上述說(shuō)明中，以有機(jī)EL器件為例進(jìn)行了說(shuō)明，但也適用于進(jìn)行與有機(jī)EL 器件相同背景的蒸鍍處理的鍍膜裝置及鍍膜方法。
權(quán)利要求
一種鍍膜裝置，具有真空蒸鍍室，該真空蒸鍍室具備使蒸發(fā)源移動(dòng)的蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述蒸發(fā)源使蒸發(fā)源內(nèi)部所具有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)或升華，從所述蒸發(fā)源的多個(gè)噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，鍍膜裝置的特征在于，所述真空蒸鍍室具有噴嘴清理機(jī)構(gòu)，噴嘴清理機(jī)構(gòu)具備去除在所述噴嘴或噴嘴附近析出的析出蒸發(fā)材料的清理部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述真空蒸鍍室具有使所述蒸發(fā)源或所述清理部中至少一方移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述清理部向所述噴嘴移動(dòng)的清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述噴嘴移動(dòng)到所述清理部的第二蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部具有去除所述析出蒸發(fā)材料的析出蒸發(fā)材料去除體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述析出蒸發(fā)材料去除體是在內(nèi)部具有加熱器，且使所述析出蒸發(fā)材料蒸發(fā)或升華而 去除的加熱體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱體為加熱塊部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱體具有塊部件、和一體設(shè)置或固定設(shè)置于所述塊部件上且可插入所述噴嘴的 噴嘴內(nèi)去除部，所述噴嘴清理機(jī)構(gòu)具有將所述噴嘴內(nèi)去除部插入所述噴嘴的噴嘴插入驅(qū)動(dòng) 部。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述加熱體具有可插入所述噴嘴的噴嘴內(nèi)去除部，所述噴嘴清理機(jī)構(gòu)具有將所述噴嘴 內(nèi)去除部插入所述噴嘴的噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部與所述清理部一體移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，所述噴 嘴插入驅(qū)動(dòng)部?jī)?nèi)裝于內(nèi)部為空氣環(huán)境的箱，所述箱連接于內(nèi)部為中空的被真空密封的聯(lián)桿 機(jī)構(gòu)的一端，所述聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的另一端向空氣環(huán)境開(kāi)放，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)設(shè)于所述 箱的真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去除體。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部與所述清理部一體移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，所述噴 嘴插入驅(qū)動(dòng)部?jī)?nèi)裝于內(nèi)部為空氣環(huán)境的箱，所述箱連接于內(nèi)部為中空的被真空密封的聯(lián)桿 機(jī)構(gòu)的一端，所述聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的另一端向空氣環(huán)境開(kāi)放，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)設(shè)于所述 箱的真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去除體。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述析出蒸發(fā)材料去除體具有與分布于所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的噴嘴的范圍大致相 同的長(zhǎng)度，具有使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源的任何一方移動(dòng)以使所述析出蒸 發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源與所述噴嘴正對(duì)的正對(duì)移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述析出蒸發(fā)材料去除體具有與分布于所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的噴嘴的范圍大致相 同的長(zhǎng)度，具有使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源的任何一方移動(dòng)以使所述析出蒸 發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源與所述噴嘴正對(duì)的正對(duì)移動(dòng)機(jī)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鍍膜裝置，其特征在于，在一端向空氣開(kāi)放且另一端具有真空密封部的空氣環(huán)境空間內(nèi)部，設(shè)置所述噴嘴插入 驅(qū)動(dòng)部的至少一部分，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)所述真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去 除體。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，在一端向空氣開(kāi)放且另一端具有真空密封部的空氣環(huán)境空間內(nèi)部，設(shè)置所述噴嘴插入 驅(qū)動(dòng)部的至少一部分，所述噴嘴插入驅(qū)動(dòng)部通過(guò)所述真空密封部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去 除體。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述真空蒸鍍室具有向多個(gè)所述基板蒸鍍的多個(gè)蒸鍍處，所述第二蒸發(fā)源驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)是 使蒸發(fā)源在所述多個(gè)蒸鍍處之間移動(dòng)的機(jī)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部具有冷卻收集機(jī)構(gòu)，該冷卻收集機(jī)構(gòu)設(shè)在所述析出蒸發(fā)材料去除體的周 邊，防止所述析出蒸發(fā)材料再次蒸發(fā)或升華，在所述噴嘴或噴嘴附近再析出。
18.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述析出蒸發(fā)材料去除體具有以機(jī)械的方式去除所述析出蒸發(fā)材料的機(jī)械機(jī)構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述機(jī)械機(jī)構(gòu)是在平面或表面上具有凹凸或刷中的至少一種的塊部件。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述機(jī)械機(jī)構(gòu)是在平面或表面上具有凹凸或刷中的至少一種的圓筒體。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)具有旋轉(zhuǎn)所述圓筒體的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述析出蒸發(fā)材料去除體具有與分布于所述蒸發(fā)源的長(zhǎng)度方向的噴嘴的范圍大致相 同的長(zhǎng)度，具有使所述析出蒸發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源的任何一方移動(dòng)以使所述析出蒸 發(fā)材料去除體和所述蒸發(fā)源與所述噴嘴正對(duì)的正對(duì)移動(dòng)機(jī)構(gòu)，以及使所述析出蒸發(fā)材料去 除體和所述蒸發(fā)源的任何一方振動(dòng)的振動(dòng)機(jī)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部移動(dòng)機(jī)構(gòu)是使所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部與所述清理部一體移動(dòng)的機(jī)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)部?jī)?nèi)裝于內(nèi)部為空氣環(huán)境的箱，所述箱連接于內(nèi)部為中空的被真空密封的聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的一 端，所述聯(lián)桿機(jī)構(gòu)的另一端向空氣環(huán)境開(kāi)放，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部通過(guò)設(shè)于所述箱的真空密封 部驅(qū)動(dòng)所述析出蒸發(fā)材料去除體。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述清理部具有向所述噴嘴照射激光的激光照射機(jī)構(gòu)。
25.一種鍍膜方法，在真空蒸鍍室內(nèi)，使蒸發(fā)源內(nèi)部所具有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)或升華，從所述蒸發(fā)源的噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，其特征在于， 具有以下步驟蒸鍍到所述基板上的蒸鍍步驟；使去除在所述噴嘴或噴嘴附近析出的所述析出蒸發(fā)材 料的清理部移動(dòng)到所述噴嘴位置的移動(dòng)步驟；利用所述清理部去除所述析出蒸發(fā)材料的去 除步驟；所述去除后，再起動(dòng)所述蒸鍍步驟的再起動(dòng)步驟。
26.一種鍍膜方法，在真空蒸鍍室內(nèi)，使蒸發(fā)源內(nèi)部所具有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)或升華，從 所述蒸發(fā)源的噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，其特征在于，具有以下步驟蒸鍍到所述基板上的蒸鍍步驟；使所述噴嘴移動(dòng)到去除在所述噴嘴或噴嘴附近析出的 所述析出蒸發(fā)材料的清理部的位置的移動(dòng)步驟；利用所述清理部去除所述析出蒸發(fā)材料的 去除步驟；所述去除后，再起動(dòng)所述蒸鍍步驟的再起動(dòng)步驟。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的鍍膜方法，其特征在于，所述去除步驟是加熱所述析出蒸發(fā)材料，使其蒸發(fā)或升華的加熱蒸發(fā)或升華步驟。
28.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的鍍膜方法，其特征在于， 所述去除步驟是以機(jī)械的方式去除所述析出蒸發(fā)材料的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及鍍膜裝置及鍍膜方法。本發(fā)明的目的在于提供減少噴嘴及周邊的清理頻度，運(yùn)轉(zhuǎn)率高或可以均勻地鍍膜的鍍膜裝置及鍍膜方法。本發(fā)明的鍍膜裝置，具有真空蒸鍍室，該真空蒸鍍室具備使蒸發(fā)源移動(dòng)的蒸發(fā)源移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述蒸發(fā)源使蒸發(fā)源內(nèi)部所具有的蒸發(fā)材料蒸發(fā)(升華)，從所述蒸發(fā)源的多個(gè)噴嘴噴出而蒸鍍到基板上，鍍膜裝置的特征在于，所述真空蒸鍍室具有噴嘴清理機(jī)構(gòu)，噴嘴清理機(jī)構(gòu)具備去除在所述噴嘴或噴嘴附近析出的析出蒸發(fā)材料的清理部。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101962749SQ20101023442
公開(kāi)日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月21日
發(fā)明者加藤升, 土井秀明, 松浦宏育, 韭澤信廣 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)