一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在傳統(tǒng)工藝中，納米防指紋薄膜((AFP)的鍍膜方法，都是在產(chǎn)品鍍膜完成后，從鍍膜設(shè)備的爐腔中拿出產(chǎn)品，更換夾持冶具，再對(duì)鍍膜后的產(chǎn)品進(jìn)行防指紋處理。傳統(tǒng)的納米防指紋薄膜的鍍膜，是用噴涂、浸涂或蒸鍍的方式實(shí)現(xiàn)的，在涂覆完成后，都需要進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的烘烤，一般要烘烤4-24小時(shí)，才能使納米防指紋薄膜穩(wěn)定、固化，起到防指紋的效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，在鍍膜過(guò)程中采用離子束輔助沉積工藝，極大的縮短了納米防指紋薄膜的鍍膜時(shí)間，不需要額外的烘箱進(jìn)行烘烤固化，也極大簡(jiǎn)化了工藝流程。
[0004]實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是:一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，包括以下步驟:
[0005]SI，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，打開(kāi)鍍膜設(shè)備的門(mén)；
[0006]S2，安裝納米防指紋薄膜藥丸；
[0007]S3，將待鍍膜工件放入鍍膜設(shè)備的爐腔內(nèi)；
[0008]S4，關(guān)閉鍍膜設(shè)備的門(mén)，抽真空，使鍍膜設(shè)備的爐腔處于真空狀態(tài)；
[0009]S5，鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行離子束輔助沉積，同時(shí)鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜；
[0010]S6，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，從爐腔內(nèi)取出完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件；
[0011 ] S7，將完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件送去測(cè)量滴水角。
[0012]上述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其中，步驟S5中，所述鍍膜設(shè)備采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜。
[0013]上述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其中，所述串聯(lián)式蒸鍍?cè)窗ò惭b法蘭、蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口、蒸發(fā)源水冷出電口和若干蒸發(fā)源，其中:
[0014]所述若干蒸發(fā)源從上至下依次設(shè)置在所述安裝法蘭的后表面上，且所述若干蒸發(fā)源依次串聯(lián)連接;每個(gè)所述蒸發(fā)源的外部均設(shè)置有蒸發(fā)源擋板;所述蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口和蒸發(fā)源水冷出電口一上一下地設(shè)置在所述安裝法蘭的前表面上，所述蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口與位于所述安裝法蘭的后表面的最上方的蒸發(fā)源電連接，所述蒸發(fā)源水冷出電口與位于所述安裝法蘭的后表面的最下方的蒸發(fā)源電連接；
[0015]每個(gè)所述蒸發(fā)源均包括支撐板、絕緣支撐座、兩個(gè)電極、加熱片、坩禍、坩禍擋板和四個(gè)支柱，所述支撐板垂直設(shè)置;所述絕緣支撐座設(shè)置在所述支撐板的前表面的下部;所述兩個(gè)電極分別設(shè)置在所述絕緣支撐座上，且所述兩個(gè)電極一一對(duì)應(yīng)地位于所述支撐板的左右側(cè);所述加熱片跨接在所述兩個(gè)電極之間，且位于所述絕緣支撐座的前方;所述坩禍設(shè)置在所述加熱片的中部;所述坩禍擋板設(shè)置在所述坩禍的上端;所述四個(gè)支柱一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在所述支撐板的后表面的四個(gè)角。
[0016]上述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其中，所述蒸發(fā)源擋板呈后端開(kāi)口的箱體結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述蒸發(fā)源設(shè)置在相應(yīng)的所述蒸發(fā)源擋板內(nèi)。
[0017]本發(fā)明的新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜，在使用少量AFP藥丸的情況下，可以使?fàn)t腔內(nèi)的待鍍膜工件得到均勻的納米防指紋薄膜，而且在鍍膜過(guò)程中采用離子束輔助沉積工藝，極大的縮短了納米防指紋薄膜的鍍膜時(shí)間，全部鍍膜工藝在30mi η內(nèi)即可完成，而且不需要額外的烘箱進(jìn)行烘烤固化，也極大簡(jiǎn)化了工藝流程。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為串聯(lián)式蒸鍍?cè)吹慕Y(jié)構(gòu)示意圖(主視)；
[0019]圖2為串聯(lián)式蒸鍍?cè)吹慕Y(jié)構(gòu)示意圖(后視)；
[0020]圖3為串聯(lián)式蒸鍍?cè)吹恼舭l(fā)源的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)其【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明:
[0022]本發(fā)明的最佳實(shí)施例，一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，包括以下步驟:
[0023]SI，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，打開(kāi)鍍膜設(shè)備的門(mén)；
[0024]S2，安裝納米防指紋薄膜藥丸(AFP藥丸)；
[0025]S3，將待鍍膜工件放入鍍膜設(shè)備的爐腔內(nèi)；
[0026]S4，關(guān)閉鍍膜設(shè)備的門(mén)，抽真空，使鍍膜設(shè)備的爐腔處于真空狀態(tài)；
[0027]S5，鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行離子束輔助沉積，同時(shí)鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜；
[0028]S6，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，從爐腔內(nèi)取出完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件；
[0029]S7，將完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件送去測(cè)量滴水角。
[0030]步驟S5中，鍍膜設(shè)備采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜。
[0031]請(qǐng)參閱圖1和圖2，串聯(lián)式蒸鍍?cè)?包括安裝法蘭31、蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口32、蒸發(fā)源水冷出電口 33和若干蒸發(fā)源34;若干蒸發(fā)源34從上至下依次設(shè)置在安裝法蘭31的后表面上，且若干蒸發(fā)源34依次串聯(lián)連接;每個(gè)蒸發(fā)源34的外部均設(shè)置有蒸發(fā)源擋板35，蒸發(fā)源擋板35呈后端開(kāi)口的箱體結(jié)構(gòu)，每個(gè)蒸發(fā)源34設(shè)置在相應(yīng)的蒸發(fā)源擋板35內(nèi)；蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口 32和蒸發(fā)源水冷出電口 33—上一下地設(shè)置在安裝法蘭31的前表面上，蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口 32與位于安裝法蘭31的后表面的最上方的蒸發(fā)源34電連接，蒸發(fā)源水冷出電口 33與位于安裝法蘭31的后表面的最下方的蒸發(fā)源34電連接。
[0032]再請(qǐng)參閱圖3，每個(gè)所蒸發(fā)源34均包括支撐板341、絕緣支撐座342、兩個(gè)電極343、加熱片344、坩禍345、坩禍擋板346和四個(gè)支柱347，支撐板341垂直設(shè)置;絕緣支撐座342設(shè)置在支撐板341的前表面的下部；兩個(gè)電極343分別設(shè)置在絕緣支撐座342上，且兩個(gè)電極343——對(duì)應(yīng)地位于支撐板341的左右側(cè);加熱片344跨接在兩個(gè)電極343之間，且位于絕緣支撐座342的前方;坩禍345設(shè)置在加熱片344的中部;坩禍擋板346設(shè)置在坩禍345的上端；四個(gè)支柱347—一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在支撐板341的后表面的四個(gè)角。
[0033]綜上所述，本發(fā)明的新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜，在使用少量AFP藥丸的情況下，可以使?fàn)t腔內(nèi)的待鍍膜工件得到均勻的納米防指紋薄膜，另外，蒸鍍AFP效果比噴涂、浸涂等防指紋薄膜要穩(wěn)定、固化快，放置時(shí)間久防指紋效果更明顯。而且在鍍膜過(guò)程中采用離子束輔助沉積工藝，極大的縮短了納米防指紋薄膜的鍍膜時(shí)間，全部鍍膜工藝在30min內(nèi)即可完成，而且不需要額外的烘箱進(jìn)行烘烤固化，也極大簡(jiǎn)化了工藝流程。
[0034]本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)施例僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而并非用作為對(duì)本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)，對(duì)以上所述實(shí)施例的變化、變型都將落在本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟: Si，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，打開(kāi)鍍膜設(shè)備的門(mén)； S2，安裝納米防指紋薄膜藥丸； S3，將待鍍膜工件放入鍍膜設(shè)備的爐腔內(nèi)； S4，關(guān)閉鍍膜設(shè)備的門(mén)，抽真空，使鍍膜設(shè)備的爐腔處于真空狀態(tài)； S5，鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行離子束輔助沉積，同時(shí)鍍膜設(shè)備對(duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜； S6，對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行放氣，從爐腔內(nèi)取出完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件； S7，將完成納米防指紋薄膜鍍膜的工件送去測(cè)量滴水角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其特征在于，步驟S5中，所述鍍膜設(shè)備采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其特征在于，所述串聯(lián)式蒸鍍?cè)窗ò惭b法蘭、蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口、蒸發(fā)源水冷出電口和若干蒸發(fā)源，其中: 所述若干蒸發(fā)源從上至下依次設(shè)置在所述安裝法蘭的后表面上，且所述若干蒸發(fā)源依次串聯(lián)連接;每個(gè)所述蒸發(fā)源的外部均設(shè)置有蒸發(fā)源擋板;所述蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口和蒸發(fā)源水冷出電口一上一下地設(shè)置在所述安裝法蘭的前表面上，所述蒸發(fā)源水冷進(jìn)電口與位于所述安裝法蘭的后表面的最上方的蒸發(fā)源電連接，所述蒸發(fā)源水冷出電口與位于所述安裝法蘭的后表面的最下方的蒸發(fā)源電連接； 每個(gè)所述蒸發(fā)源均包括支撐板、絕緣支撐座、兩個(gè)電極、加熱片、坩禍、坩禍擋板和四個(gè)支柱，所述支撐板垂直設(shè)置;所述絕緣支撐座設(shè)置在所述支撐板的前表面的下部;所述兩個(gè)電極分別設(shè)置在所述絕緣支撐座上，且所述兩個(gè)電極一一對(duì)應(yīng)地位于所述支撐板的左右側(cè);所述加熱片跨接在所述兩個(gè)電極之間，且位于所述絕緣支撐座的前方;所述坩禍設(shè)置在所述加熱片的中部;所述坩禍擋板設(shè)置在所述坩禍的上端;所述四個(gè)支柱一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置在所述支撐板的后表面的四個(gè)角。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，其特征在于，所述蒸發(fā)源擋板呈后端開(kāi)口的箱體結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述蒸發(fā)源設(shè)置在相應(yīng)的所述蒸發(fā)源擋板內(nèi)。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法。本發(fā)明的新型納米防指紋薄膜的鍍膜方法，采用串聯(lián)式蒸鍍?cè)磳?duì)爐腔內(nèi)的待鍍膜工件進(jìn)行納米防指紋薄膜鍍膜，在使用少量AFP藥丸的情況下，可以使?fàn)t腔內(nèi)的待鍍膜工件得到均勻的納米防指紋薄膜，而且在鍍膜過(guò)程中采用離子束輔助沉積工藝，極大的縮短了納米防指紋薄膜的鍍膜時(shí)間，全部鍍膜工藝在30min內(nèi)即可完成，而且不需要額外的烘箱進(jìn)行烘烤固化，也極大簡(jiǎn)化了工藝流程。
【IPC分類】C23C14/24
【公開(kāi)號(hào)】CN105714251
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610105969
【發(fā)明人】史旭
【申請(qǐng)人】納峰真空鍍膜（上海）有限公司